【課題】低温成膜可能な酸化物で半導体膜を形成した逆スタガ型薄膜トランジスタであって、半導体膜上に形成した保護膜の紫外線等に対する耐光性と耐環境安定性を向上させてなる薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板１上にパターン形成されたゲート電極２と、ゲート電極２を覆うゲート絶縁膜３と、ゲート絶縁膜３上にパターン形成された酸化物半導体膜４と、酸化物半導体膜４上にパターン形成されたソース電極６Ｓ及びドレイン電極６Ｄと、ソース電極６Ｓ及びドレイン電極６Ｄ間に露出する酸化物半導体膜４を少なくとも覆う保護膜７とを有するボトムゲートトップコンタクト構造の薄膜トランジスタ１０であって、保護膜７を、酸化物半導体材料で形成する。このとき、酸化物半導体膜４及び保護膜７が、ＩｎＭＺｎＯ（ＭはＧａ，Ａｌ，Ｆｅのうち少なくとも１種）を含むアモルファス酸化物である酸化物半導体材料からなることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】本発明は、マグネトロン・スパッタリング・デバイスで使用するための統合したアノードおよび活性化反応性ガス源、ならびにそれを組み込んだマグネトロン・スパッタリング・デバイスに関する。
【解決手段】統合したアノードおよび活性化反応性ガス源は、アノードを備える内部導電性表面を有する容器と、コーティング・チャンバーのチャンバー壁から隔てられている絶縁された外側本体部とを具備する。容器は、コーティング・チャンバーと連通する容器の周に比べて小さい周を持つ単一の開口部を有する。スパッタリング・ガスおよび反応性ガスは、投入口を通して容器内に、また単一の開口部を通してコーティング・チャンバー内に結合される。プラズマは、カソードからやってきて、アノードを通して電源に戻る高密度の電子によって点火される。比較的低いアノード電圧は、化学量論的誘電体コーティングを形成するために活性化反応性ガスのプラズマを十分維持できる電圧である。 （もっと読む）

【課題】結晶性ＩＴＯ膜を、加熱処理を行うことなく短時間で容易に製造することができる、結晶性ＩＴＯ膜の製造方法を提供する。
【解決手段】不活性ガスおよび酸素ガスを含む第１の混合ガスをチャンバ内に導入した状態で、基板上に種結晶を含むＩＴＯ膜１２０をスパッタリング成膜した後に、不活性ガスおよび酸素ガスを含む第２の混合ガスをチャンバ内に導入した状態で、結晶性ＩＴＯ膜１３０をスパッタリング成膜する。第１の混合ガスにおける不活性ガスと酸素ガスとの分圧比は、１００：５〜７.５の範囲内である。また、第２の混合ガスにおける不活性ガスと酸素ガスとの分圧比は、１００：０．５〜２．５の範囲内である。 （もっと読む）

【課題】真空槽内に導入する反応ガスと副ターゲットとを反応させずに副ターゲットをスパッタリングする。
【解決手段】真空槽５１内の主ターゲット４２を、希ガスと反応性ガスとを含有する主スパッタリングガスでスパッタリングし、成膜対象物２８表面に到達させて半導体層２６を形成する際に、真空槽５１内に分離容器６２を配置し、分離容器６２内にドーパントの副ターゲット６４を配置する。分離容器６２の外部と内部は、主排気装置４７と副排気装置６５とで別々に真空排気し、また、分離容器６２内部に希ガスを供給すると、副ターゲットは反応性ガスと接触せずにスパッタされ、副ターゲット６４を構成する材料の反応生成物は発生しない。 （もっと読む）

【課題】ドーパントの濃度を制御して半導体層を形成する技術を提供する。
【解決手段】
真空槽５１内の第二主ターゲット４２を、希ガスと反応性ガスとを含有するスパッタリングガスでスパッタリングし、成膜対象物２８表面に到達させて半導体層２６を形成する際に、真空槽５１内に配置されたドーパントを蒸着材料６４として加熱し、蒸着材料６４の蒸気を発生させ、成膜対象物２８表面に到達させ、ドーパントを含有する半導体層２６を形成する。蒸着材料６４の蒸気は、成膜対象物２８と蒸着材料６４の間に配置した放出量制限部材６３の貫通孔６６を通過させることで減少させるので、半導体層２６に微少量含有させることができるようになる。 （もっと読む）

【課題】低抵抗、高透過率および適切な表面凹凸を有する透明導電膜を、低温でより少ないプロセスで得られる太陽電池用透明導電膜の形成方法、それによって形成された透明導電膜、およびその透明導電膜を形成するための形成装置を提供する。
【解決手段】一つの真空チャンバー１内で、スパッタリング法により基板７の表面に透明導電膜を形成する方法であって、基板７の表面上に、拡散板１６を通してレーザー光Ｌを照射しながら成膜する。 （もっと読む）

【課題】光透過性、耐熱性および力学的強度に優れた透明導電性フィルムおよびそれを含むタッチパネルを提供すること。
【解決手段】基材の少なくとも一方の面に透明導電膜を有する透明導電性フィルムであって、該基材が、示差走査熱量測定（ＤＳＣ、昇温速度２０℃／分）によるガラス転移温度（Ｔｇ）が２３０〜３５０℃である芳香族ポリエーテル系重合体を含む、透明導電性フィルム。 （もっと読む）

【課題】広い範囲で制御された組成比を有し、結晶性に優れる化合物半導体の膜を用いた半導体素子を製造する方法を提供する。
【解決手段】基板１１０上にｎ型半導体およびｐ型半導体を含むように積層して構成された半導体素子の製造方法であって、異なるＩＩＩ族元素による少なくとも２つのターゲット（第１ターゲット２１および第２ターゲット２２）を、Ｖ族元素を含むガスによりスパッタリングして、基板１１０上にＩＩＩ−Ｖ族の化合物半導体の膜を形成する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】広い範囲で制御された組成比を有し、結晶性に優れる化合物半導体の膜を用いた半導体素子を製造する方法を提供する。
【解決手段】基板１１０上にｎ型半導体およびｐ型半導体を含むように積層して構成された半導体素子の製造方法であって、異なるＩＩＩ族元素による少なくとも２つのターゲット（第１ターゲット２１および第２ターゲット２２）を、Ｖ族元素を含むガスによりスパッタリングして、基板１１０上にＩＩＩ−Ｖ族の化合物半導体の膜を形成する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】高いシート抵抗値を実現でき、抵抗素子作製時の製造工程による抵抗値の変動の影響が小さい電気抵抗層付き金属箔の製造方法を提供する。
【解決手段】光学的方法で測定した十点平均粗さが４．０〜６．０μｍに調整した表面を有する金属箔上に、ニッケル、クロム、シリコンを含むスパッタリングターゲットを用いて、雰囲気気体として酸素を付与しながら気相成長法により電気抵抗層を形成させる工程を含む電気抵抗層付き金属箔の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】酸化物半導体層を含むトランジスタの作製工程において、ゲート電極を形成後、インライン装置にて、酸化アルミニウム膜と酸化シリコン膜と酸化物半導体膜を大気暴露することなく連続的に形成し、さらに同インライン装置にて加熱および酸素添加処理を行い、他の酸化アルミニウム膜でトランジスタを覆った後、熱処理を行うことで、水素原子を含む不純物が除去され、且つ、化学量論比を超える酸素を含む領域を有する酸化物半導体膜を形成する。該酸化物半導体膜を用いたトランジスタは、バイアス−熱ストレス試験（ＢＴ）試験前後においてもトランジスタのしきい値電圧の変化量が低減されており、信頼性の高いトランジスタとすることができる。 （もっと読む）

【課題】より安定した電気的特性の酸化インジウム亜鉛でなる酸化物半導体膜を提供する。また、当該酸化物半導体膜を用いることにより、半導体装置に安定した電気的特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】酸化インジウム亜鉛でなる酸化物半導体膜において、当該酸化物半導体膜は、ａ−ｂ面が酸化物半導体膜表面に概略平行である六方晶の結晶構造と、ａ−ｂ面が該酸化物半導体膜表面に概略平行である菱面体晶の結晶構造と、を有する酸化物半導体膜である。 （もっと読む）

【課題】広い範囲で制御された組成比を有し、結晶性に優れる化合物半導体の膜を用いた半導体素子を製造する方法を提供する。
【解決手段】基板１１０上にｎ型半導体およびｐ型半導体を含むように積層して構成された半導体素子の製造方法であって、異なるＩＩＩ族元素による少なくとも２つのターゲット（第１ターゲット２１および第２ターゲット２２）を、Ｖ族元素を含むガスによりスパッタリングして、基板１１０上にＩＩＩ−Ｖ族の化合物半導体の膜を形成する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】大型サイズの基板であっても、なお且つ複数種類の基板サイズに対しても、いずれも欠陥品質が良好で、光学特性の面内均一性が良好な薄膜を形成できるスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】透光性基板上に転写パターンを形成するための薄膜を成膜する際に用いるスパッタリング装置であって、少なくとも一つ以上の成膜チャンバと、成膜チャンバ内に配置される複数のスパッタリングカソード７と、複数のスパッタリングカソード７と対向配置され、成膜中、基板が一定位置に配置されるように基板を保持する基板保持手段９５と、スパッタリングガスを、複数のスパッタリングカソード７間を通過して基板表面の近傍に供給するスパッタリングガス供給手段９とを備える。 （もっと読む）

【課題】電子ペーパー、太陽電池、有機ＥＬなどの電子材料の基板として用いた際に、優れた透明性および水蒸気バリア性を発揮し、長期使用時のデバイスの経時的信頼性を高めることができる積層体を提供する。
【解決手段】積層体１０は、第１の透明プラスチックフィルム１の片面に、無機物からなる無機薄膜層３を積層した積層フィルムの無機薄膜層３側の面に、第２の透明プラスチックフィルム５を粘着剤層４を介して積層した積層体１０であって、前記第１の透明プラスチックフィルム１の屈折率ｎ_１、前記粘着剤層４の屈折率ｎ_２および前記無機薄膜層３の屈折率ｎ_３が下記（ｉ）および（ｉｉ）の関係を満たすことを特徴とする。｜ｎ_３−ｎ_１｜≦０．２（ｉ）｜ｎ_３−ｎ_２｜≦０．２（ｉｉ） （もっと読む）

【課題】良好な電気特性を有する半導体装置および該半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】ゲート電極を形成し、ゲート電極を覆ってゲート絶縁膜を形成し、ゲート絶縁膜上に酸化物半導体膜を形成し、酸化物半導体膜上に水素透過膜を形成し、水素透過膜上に水素捕縛膜を形成し、加熱処理を行って、酸化物半導体膜から水素を脱離させ、酸化物半導体膜の一部に接するソース電極およびドレイン電極を形成し、水素捕縛膜の露出されている部分を除去して、水素透過膜のチャネル保護膜を形成する半導体装置の作製方法である。また、該作製方法で作製された半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、結晶配向性に優れたペロブスカイト構造の中間薄膜を備えた酸化物超電導導体の提供を目的とする。
【解決手段】本発明は、基材と、該基材上に直接あるいは下地層を介し積層された中間薄膜と酸化物超電導層とを具備する酸化物超電導導体であって、前記中間薄膜が、粒子堆積により基材上にあるいは基材上に下地層を介し中間薄膜を形成する際、基材上方の成膜面に対し斜め方向からアシストイオンビームを照射しつつ成膜するイオンビームアシスト成膜法により形成されたペロブスカイト型酸化物の中間薄膜であって、該中間薄膜を構成する複数の結晶の結晶軸のうち２軸が配向され、これら結晶の配向度を示す正極点図において４回対称性を示す中間薄膜であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 積層数が少なくてもガスバリア性に優れ、かつ、高い透明性を有する透明ガスバリアフィルムおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】 樹脂基板上にガスバリア性を有する透明ガスバリア層が形成された透明ガスバリアフィルムであって、前記透明ガスバリア層が、第１の無機層と第２の無機層とを積層した積層体であり、前記第１の無機層が、金属および半金属から選択される少なくとも１種と、窒素とを含む層であり、前記第２の無機層が、炭化金属および炭化半金属から選択される少なくとも１種の炭化物を含むターゲットを用いたスパッタリング法により形成され、かつ、金属および半金属の少なくとも一方と、炭素と、水素とを含む層であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】搬送中の長尺基材表面に薄膜を生成する反応性スパッタリング装置において、ターゲット汚れを抑制し、成膜速度や膜質の均一性を長時間保てる反応性スパッタリング装置および方法を提供する。
【解決手段】メインロール６とマグネトロン電極８間の成膜空間を挟んで長尺基材５の搬送方向の上流側および下流側に、長尺基材の幅方向に延在する少なくとも１枚ずつの側壁９ａ，９ｂを設け、いずれか一方の側壁にガス排気口１１を備え、他方の側壁には長尺基材の幅方向に一列に並んだ複数のガス供給孔が形成するガス供給孔列１０ａ，１０ｂを２列以上備え、ガス供給孔列のうちターゲット表面に最も近い一列は、ターゲット表面近傍に非反応性ガスを供給し、その他のガス供給孔列からは反応性ガスを供給する。 （もっと読む）

【課題】支持基材および反射電極としての機能を兼ね備え、かつ、熱伝導性に優れた、電極箔ならびにそれを用いた有機デバイスが提供される。
【解決手段】金属箔と、前記金属箔上に直接設けられる反射層とを備えてなり、フレキシブル電子デバイス用の支持基材を兼ねたアノードまたはカソードとして用いられる、１〜１００μｍの厚さを有する電極箔。 （もっと読む）