【課題】不純物を確実に取り除くことが可能な蒸着装置を提供すること。
【解決手段】内部が真空排気可能とされ、内部に被処理基板１１が配置されるチャンバ本体１２と、蒸着材料を収容する容器２１，２６と、該蒸着材料を加熱する加熱手段３０と、チャンバ本体１２に隣接配置され、内部が真空排気可能及び大気開放可能とされ、内部に容器２１，２６が配置される蒸着源用チャンバ４１，４２と、開閉した際にチャンバ本体１２の内部と蒸着源用チャンバ４１，４２の内部とを連通もしくは遮断可能とする開閉部材４３，４４と、チャンバ本体１２に接続された第１排気手段５０と、蒸着源用チャンバ４１，４２に接続された第２排気手段５５とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】良質の膜、特に、成膜室内残留水分に起因する酸素及び（又は）水素の取り込みの抑制された膜を形成できるアーク式イオンプレーティングによる成膜装置を提供する。
【解決手段】真空容器（成膜室）２内の水分を冷却捕捉する冷却器５１部分が室２内に設置されたコールドトラップ装置５と、蒸発源１のカソード１１のカソード材料蒸発面１１１の前方において収束せず平行進行又は発散する磁力線ｍＬからなる磁場をプラズマの生成領域に印加する磁場形成手段３００と、カソード材料蒸発面１１１におけるいずれの位置からも冷却器５１を見通せなくするとともに磁場形成手段３００が発する磁力線ｍＬに沿ってプラズマが冷却器５１へ達することを遮るための遮蔽部材６とを備えているアーク式イオンプレーティングによる成膜装置Ａ。 （もっと読む）

【課題】成膜物質の流入を招くことなく排気ポンプによる排気効率の確保、向上を図ることができ、これにより、被成膜体への成膜作業を効率的に行う。
【解決手段】排気ポンプ１９によって減圧させられる真空チャンバー１内に収容される被成膜体Ｆに、真空チャンバー１内に配設された成膜物質の発生源６によって薄膜を形成する真空成膜装置にあって、真空チャンバー１内には、成膜物質の発生源６を囲繞するように防着板１２〜１４を配設して成膜室１５を形成するとともに、排気ポンプ１９は、真空チャンバー１の側壁に設けられたチャンバー排気口１８に水平取り付けし、成膜室１５の防着板１４には、チャンバー排気口１８に対向する位置に、このチャンバー排気口１８と間隔Ａをあけて、バッフル１６を備えた成膜室排気口１７を設ける。 （もっと読む）

【課題】真空処理装置のターボ分子ポンプで跳ね返された微粒子がウエハに付着するのを防止するため、処理室内に遮蔽用の衝立を設置する場合に、処理室内のガス流れを乱したり、流れが停滞する空間ができ、その結果、新たな異物発生源ができてしまうという問題や、衝立部の清掃が新たに必要になるなどの問題がある。
【解決手段】真空処理装置の処理室のターボ分子ポンプの上部に設置されているガス流量を調節するために流量制御弁の構造を工夫することにより、微粒子が逆流するのを防止するようにすることで跳ね返り異物の低減ができ、かつ衝立を別途設置した場合の新たな異物発生源や新たな衝立部の清掃などの課題の解決が可能となる。 （もっと読む）

【課題】ロードロック室を隔離するための隔壁の開閉を容易に行うことができ、成膜室からの熱や物質の拡散を防止できる超臨界成膜装置および超臨界成膜方法を提供する。
【解決手段】耐圧容器４０にロードロック室５ａ、５ｂが備えられ、ロードロック室５ａ、５ｂ内の圧力を調整するための圧力調整手段と、基板４１を耐圧容器４０外から搬入するとともに耐圧容器４０外に搬出するための外部出入口４５と、基板４１を成膜室６ａ、６ｂに搬入するとともに成膜室６ａ、６ｂから搬出するための内部出入口４３とが設けられ、内部出入口４３に、ロードロック室５ａ、５ｂを内部出入口４３の外部と隔離するための開閉可能な隔壁１０ａ、１０ｂが設けられている超臨界成膜装置とする。また、耐圧容器４０の搬送室７に純粋な超臨界流体を供給する導入配管１ａ、１ｂを有し、成膜室６ａ、６ｂには超臨界流体を排出する導出配管４が設けられている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、基板をコーティングするためのコーティング装置に関する。
【解決手段】コーティング装置は、隣り合わせて配置された少なくとも２つの処理チャンバ（１、２、３、４）と、これら２つの隣り合う処理チャンバの間の分離板（９）と、処理チャンバを排気するためのポンピング手段（１２、１３）とを備え、分離板（９）は、少なくとも２つの端部を有する導管を備え、導管の端はポンピング手段に連結され、もう一端は処理チャンバの少なくとも一方のための少なくとも１つの吸気開口部を有している。 （もっと読む）

【課題】構成の簡素化及び製造コストを低減した上で、スパッタ雰囲気の異なる複数のスパッタ室間における反応ガス等の流入を防ぎ、雰囲気分離を確実に行うことができるスパッタ装置及び成膜方法を提供する。
【解決手段】隣接するスパッタ室１３，１４の間に雰囲気分離部４０が形成され、雰囲気分離部４０における基板Ｗの搬送方向に垂直な断面が、隣接するスパッタ室１３，１４における基板Ｗの搬送方向に垂直な断面より小さく形成され、雰囲気分離部４０には、隣接するスパッタ室１３，１４で使用される不活性ガスを吐出する複数のガス吐出部４２が設けられ、隣接するスパッタ室１３，１４を挟んで雰囲気分離部４０の反対側には、隣接するスパッタ室１３，１４の排気を行う排気手段が設けられていることを特徴とする。 （もっと読む）

本発明は、真空処理チャンバに容器を送り込み、該チャンバから容器を取り出すためのロック装置であって、容器のためのキャリアプレートを備え、該プレートが、回転輸送手段に締結され、該輸送手段の直線部分に設けられるロックチャンネルを通じて輸送され、それにより、該チャンネルと共にシール効果を得るロック装置に関する。該プレートは、ロックチャンネルの吸引孔または換気孔を通過して移動される。このようにして、差圧ステージを形成できる。装置は、柔軟に寸法設定できるとともに、高い費用効率で製造できる。 （もっと読む）

【課題】安価で排気速度が速くパーティクルの舞い上がりを防止できる減圧装置を提供する。
【解決手段】本減圧装置は真空チャンバ内を減圧する排気機構を備えた減圧装置において、排気機構は一端が真空チャンバに連通し、他端が真空ポンプに連通する主排気路と、この主排気路に設けた第１の開閉弁と、一端が主排気路を介してあるいは直接真空チャンバに連通し、他端が主排気路を介してあるいは直接真空ポンプに連通するスロー排気路と、このスロー排気路にこのスロー排気路壁と間隔を設けて配され、円筒形状の無機材料質多孔体からなる無機材料質多孔体と、スロー排気路に設けた第２の開閉弁を備える。 （もっと読む）

【課題】効率よくプラズマガン内部を減圧することができ、また、成膜装置の更なる低コスト化、成膜装置の製造工程時間の短縮化を図ることができるプラズマガン及びそれを備える成膜装置を提供する。
【解決手段】内部を減圧可能な筒体２２と、一方の主面が筒体２２の一方の端面を閉鎖するように配置された蓋部材２３と、蓋部材２３の主面に配置されたカソード４１と、を有するカソードユニット１と、一方の主面が筒体２２の他方の端面を閉鎖するように配置され、円筒状の中空部を有する板状の中間電極２と、を備え、カソードユニット１には、筒体２２の内部を排気して減圧する第１減圧装置５と接続される第１排気口４６が設けられている。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板上のＭＯＳＦＥＴにおいて、非常に薄い厚みを有し、膜質の高い均一性を有し、より高い誘電率を有する誘電体膜を堆積する装置を提供する。
【解決手段】反応性スパッタリング装置であって、ウエハー２２が配置されるウエハーホルダ１１と、ウエハーホルダ１１の回転軸から外れた上方に傾斜して設けられたターゲット１２と、ウエハーホルダ１１の下方に該ウエハーホルダ１１を挟んでそれぞれ設けられたガス導入部１７と排気ポート１６とを設ける。 （もっと読む）

【課題】ハードディスクヘッド・ディスクなどの電子部品用薄膜の製造装置として使用される成膜装置に於いて、プロセス室用真空ポンプの着脱に供するためのポンプ昇降手段を架設した水平方向スライド手段を設けた成膜装置を提供する。
【解決手段】真空ポンプ７装着時は最初にスライド架台Ｓをフレーム１３の右方に置き昇降機構１１上に真空ポンプ７を積載する。スライド架台Ｓを左方に移動し、真空ポンプ７を第１スパッタ室下部の接続フランジＦの直下に置き、昇降機構１１のパンタグラフ機構を利用して真空ポンプ７を上昇させ、接続フランジＦに密着させた後締結金具で両者を緊結する。真空ポンプ７の取り外し時には上記と逆順序で真空ポンプ７を搬送室１の下部に引き出した後、真空ポンプ７をさらに下降させスライド架台Ｓから取り外して外方に移動する。 （もっと読む）

【課題】安価で排気速度が速くパーティクルの舞い上がりを防止できる減圧装置を提供する。
【解決手段】本減圧装置は真空チャンバ内を減圧する排気機構を備えた減圧装置において、排気機構は一端が真空チャンバに連通し、他端が真空ポンプに連通する主排気路と、この主排気路に設けた第１の開閉弁と、一端が主排気路を介してあるいは直接真空チャンバに連通し、他端が主排気路を介してあるいは直接真空ポンプに連通するスロー排気路と、このスロー排気路にこのスロー排気路壁と間隔を設けて配され、円筒形状のシリカ多孔体からなるフィルタと、スロー排気路に設けた第２の開閉弁を備える。 （もっと読む）

プラズマ蒸着により物品（１４）の表面を薄膜ポリマー層でコーティングするための装置（１０）である。この装置は、１またはそれ以上の物品を内部に配置することができる複数の処理チャンバ（１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，…，１２ｎ）と、チャンバ内にプラズマを形成するために、処理チャンバに活性種を供給する手段（１８，１９，２０，２１，２２）と、それぞれの処理チャンバに付随する複数の誘導手段（２４）であって、その各々が、物品の表面がプラズマ蒸着により薄膜ポリマー層で被覆されるように、活性種が供給されるときに、プラズマを形成して、付随する処理チャンバの内部に電界を生成するように機能する誘導手段と、誘導手段に時間変動電流を与える手段（２６）と、任意の１またはそれ以上のチャンバ内の圧力をその他のチャンバの圧力と独立に制御できるように、処理チャンバ内の圧力を選択的に制御する圧力制御手段（２８）とを備える。 （もっと読む）

【課題】ガスを有効に利用することができるとともに、製造コストを低減させることのできる電極を提供すること。
【解決手段】被処理基板を支持するヒータカバーと製膜カバー１２との間に配置され、前記ヒータカバーと前記製膜カバー１２とで囲繞された空間内にガスを供給し、かつ、上部ガスヘッダー１０ａと、下部ガスヘッダー１０ｂと、これら上部ガスヘッダー１０ａおよび下部ガスヘッダー１０ｂの間に接続された複数本のガス管６０ｃ，６０ｃ’とを具備した電極６０であって、前記被処理基板と対向する位置よりも外側に位置する前記ガス管６０ｃ’には、前記ガスを前記空間内に吹き出すために設けられたガス吹き出し孔６０ｄが設けられていないことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】水分量が１ＰＰＢ以下というこれまで実現しえなかった環境下での脱水を行うことができ、これにより、脱水時間を顕著に短縮し、残留水分を低減化する顕著な効果が得られ、また、極めて水の少ない環境下で半導体装置の製造を行い、半導体装置に不純物として残留する水を極限まで低減させることが可能となる処理システムを提供する。
【解決手段】酸素分子排出時に電圧印加をＯＮにし、酸素分子排出装置の電極間に電圧を印加して中空を通過するガス中の酸素分圧を制御する酸素分圧制御装置と、を備えるガス中の水分量を１ＰＰＢ以下に生成する極低水分ガス生成装置と、その極低水分ガス生成装置で生成された前記ガス中の水分量が１ＰＰＢ以下の極低水分ガスが導入され、該装置内部の水分が除去されてなる処理装置と、を備える処理システムとした。 （もっと読む）

【課題】真空処理中に基板付近で発生するＨ₂Ｏなどの吸着ガスを効率的に捕捉することで、真空処理条件を安定させ基板の品質の向上を図ることが可能な真空処理装置を提供すること。
【解決手段】真空容器とターゲットと基板と真空排気ポンプと着脱可能でターゲットと対向して配置され、裏面がゲッターである複数のパンチングメタルからなる防着板を有し、防着板裏面のゲッターにて真空処理装置内のＨ₂Ｏなどの吸着ガスを捕捉することで、効率的な排気が可能となる。 （もっと読む）

【課題】反応性スパッタリングにおいてスパッタリング中のガス分圧をコントロールする分圧コントローラを提供する。
【解決手段】スパッタ装置に設けられる分圧コントローラにおいて、分圧コントローラは２種類のガスの導入部に設けられており、前記分圧コントローラは、当該２種類のガスの内で少なくとも１つのガスに対して感度の異なる２つの真空計と、それぞれの真空計の表示圧力間の線形演算を、それぞれの真空計のガスに対する比感度を係数として行なう演算回路と、演算回路により計算された２種類のガスの分圧値とそれぞれの分圧の設定値の差が等しくなるように制御出力を出力する制御回路と、制御回路の出力値によりコンダクタンスを可変するバルブとを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、プラズマ−エンハンスドコーティングプロセスをサポートする装置（８）に関する。
【解決手段】該装置は、プラズマ及び／又はコートされる基板及び／又はプラズマ生成のために設けられた電極の近傍に配置可能であり、プラズマ領域の側部又は面、又は基板又は基板を運搬する運搬要素を配置できる面、又は電極の１つ又はその一部を少なくとも部分的に囲む、又は制限するフレームが設けられていて、ガス状媒体を吸引可能な１つ又はいくつかの吸引開口部１０のあるキャビティ又は吸引チャネル１３が含まれている。 （もっと読む）

【課題】超伝導テープを製造するための全工程を同一環境の下で行うことが可能であって、製造コストと製造時間が短縮され、同一の蒸着条件が超伝導テープ全体に適用されることにより超伝導テープの均一性が向上して性能が優れるし、ドラムによる大面積の基板上への蒸着が可能であって蒸着効率および高品質の超伝導テープが得られる、一貫工程による超伝導テープ製造方法および装置の提供。
【解決手段】反応チャンバの内部で、ドラムに巻かれた基板を熱処理させ、蒸着チャンバから供給された超伝導テープを含む緩衝層、超伝導層、接触抵抗低減層、保護層を成す成分を前記基板上に連続的に蒸着させ、熱処理させることを特徴とする、一貫工程による超伝導テープ製造方法を提供する。 （もっと読む）