【課題】ホローカソード型プラズマガン３を使用してプラズマアシスト蒸着を行う装置において、蒸着プロセス室の圧力上昇による蒸着膜の膜質劣化等の問題を解消し、透明で緻密な酸化物膜等が得られる蒸着装置を提供する。
【解決手段】ホローカソード型プラズマガン３のプラズマ放出部１０３と蒸着室１０１との間を圧力的に仕切りかつプラズマが蒸着室１０１へ通過可能な孔２１を有する隔壁２を有する。プラズマアシスト蒸着を行うためのホローカソード型プラズマガン３と、蒸着室１０１と、プラズマガン３のプラズマ放出部１０３と蒸着室１０１との間を圧力的に仕切りかつプラズマが蒸着室１０１へ通過可能な孔２１を有する隔壁２とを有する。 （もっと読む）

【課題】装置の製造コストの増大を抑制でき、真空ポンプを有効に活用することが可能な成膜システムおよび真空ポンプの制御システムを提供する。
【解決手段】一定の時間間隔で連続的に基板Ｗが投入されるローディング室１１と、基板が取り出されるアンローディング室１５と、を備えた成膜装置１０Ａ，１０Ｂが並行して二組配置され、一方の成膜装置１０Ａのローディング室と他方の成膜装置１０Ｂのローディング室とが対向配置されるとともに、一方の成膜装置のアンローディング室と他方の成膜装置のアンローディング室とが対向配置され、一方の成膜装置のローディング室と他方の成膜装置のローディング室との間に、ローディング室内を真空状態にすることができる真空ポンプ３１が設けられ、真空ポンプと一方のローディング室とが接続されるとともに、真空ポンプと他方のローディング室とが接続され、真空ポンプで排気する系統を切替可能に構成されている。 （もっと読む）

本発明は、装置チャージ−ディスチャージロック内の圧力を大気圧から大気圧より低い移送圧力に下げるための方法に関し、前記ロックは、少なくとも１つの基板が大気圧で配置されるチャンバを備え、前記方法は、ポンピングレートが限定されている一次ポンプを使用して、前記チャンバのターボ分子ポンピングを隔離しながら大気圧から第１の特性閾値への第１の一次ポンピングが実行される第１のステップ１０１と、ターボ分子ポンピングの隔離を維持しながら前記第１のステップの場合より速く第２の特性閾値への第２の一次ポンピングが実行される、前記第１のステップ１０１に続く第２のステップ１０２と、第１のポンピングから上流で前記ターボ分子ポンピングを使用して第２のポンピングが実行され、一次ポンプチャンバが隔離される、前記第２のステップ１０２に続く第３のステップ１０３とを備える。本発明はまた、本方法を実装するための装置に関する。
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【解決手段】物理的蒸着装置は、側壁を有する真空チャンバ、カソード、高周波電源、基板支持体、シールド及びアノードを含む。カソードは真空チャンバ内にあり、スパッタリングターゲットを含むように構成される。高周波電源はカソードに電力を印加するように構成される。基板支持体は真空チャンバの側壁の内側にあり、当該側壁から電気的に絶縁される。シールドは真空チャンバの側壁の内側にあり、当該側壁に電気的に接続される。アノードは真空チャンバの側壁の内側にあり、当該側壁に電気的に接続される。アノードは環状体と当該環状体から内向きに突出する環状フランジとを含み、プラズマ生成用のターゲットの下の体積を画定するように環状フランジは配置される。 （もっと読む）

【課題】一つの排気路（主排気路）のみ有する減圧装置にも適用でき、排気速度が速くパーティクルの舞い上がりを抑制できる減圧排気弁及びこの減圧排気弁を含む減圧排気機構を用いた減圧装置を提供する。
【解決手段】本発明にかかる減圧排気弁１０は、一端が真空チャンバ２に連通し、他端が真空ポンプ３に連通する排気路５中に取付けられる減圧排気弁１０において、前記減圧排気弁１０が、前記排気路５に接続される管部１１と、前記管部内に収容された、前記排気路５を開閉する開閉弁１２と、前記開閉弁１２に設けられた、通気孔を有する多孔質体部１３と、前記開閉弁１２の上流側または下流側の排気路中に設けられ、排気路５の遮蔽面積が可変となされた遮蔽量調整部１０Ｂとを備える （もっと読む）

【課題】一つの排気路（主排気路）のみ有する減圧装置にも適用でき、排気速度が速くパーティクルの舞い上がりを抑制できる減圧排気弁及びこの減圧排気弁を含む減圧排気機構を用いた減圧装置を提供する。
【解決手段】減圧排気弁１０は、一端が真空チャンバに連通し、他端が真空ポンプに連通する排気路中に取付けられる。この減圧排気弁１０は、バルブ本体１１と、前記バルブ本体１１内に回動可能に収容され、内部に形成された連通孔が少なくとも３つに分岐されると共に、その一つの連通孔に通気孔を有する多孔質体１３が配置されたボール弁体１２とにより構成されている。前記バルブ本体内におけるボール弁体の回動位置に応じて、前記減圧排気弁１０は、閉弁状態、前記多孔質体を介した開弁状態、前記多孔質体を介さない開弁状態が選択できるように構成されている。 （もっと読む）

【課題】ガス配管内のガスの流れが電磁バルブを実際に開閉する前に表示されることで、誤った操作による電磁バルブの開閉し忘れ、或は誤ったガスの混合による危険を防止し、安全性の向上を図る。
【解決手段】ガス配管路１に設けられたバルブ２，３，３６，３８の開閉要求状態及び開閉状態を検出する状態検出部４４と、前記バルブの開閉要求状態により予測される前記ガス配管路を流れるガスの予測状態と、前記バルブを開いて前記ガス配管路を流れるガスの状態とを状態毎に識別表示する表示部４４とを具備する。 （もっと読む）

【課題】 排気時間を最大限に短縮することが可能なイオンアシスト蒸着装置１を提供する。
【解決手段】 イオンアシスト蒸着装置１は、排気口２９を持つ真空容器２と、排気口２９を介して真空容器２内を真空引きする排気系４と、真空容器２内の圧力を調整する圧力調整手段２０と、圧力調整手段２０を移動させるアクチュエータ２０４と、アクチュエータ２０４を移動させるタイミングを制御するコントローラ２０６とを有する。圧力調整手段２０は、排気口２９の断面に平行な方向に沿って排気口２９の開位置と閉位置の間で移動可能に構成されている。コントローラ２０６は、排気系４による真空引きを行うに際し、圧力調整手段２０を排気口２９の開位置に移動させる指令をアクチュエータ２０４に送出するとともに、真空容器２内での成膜を行うに際し、圧力調整手段２０を排気口２９の閉位置に移動させる指令をアクチュエータ２０４に送出する。 （もっと読む）

【課題】反応容器内を排気するのに要する時間を短縮でき、減圧条件下で行う処理を効率よく行うことができる技術の提供を目的とする。
【解決手段】本発明は、反応容器１０１の上方に取り付けられた上部真空ポンプ取り付け室１３４と、反応容器１０１の下方に取り付けられた下部真空ポンプ取り付け室１３５とを有する。上部真空ポンプ取り付け室１３２は、反応容器１０１の天井部に設けられた一対の上部真空ポンプ取り付け壁１３４ａ、１３４ｂを有し、真空ポンプ取り付け壁１３４ａ、１３４ｂの少なくとも一方に真空ポンプ１３０、１３１が取り付けられ、下部真空ポンプ取り付け室１３５は、反応容器１０１の底部に縦置き状態で設けられた一対の下部真空ポンプ取り付け壁を１３５ａ、１３５ｂ有し、下部真空ポンプ取り付け壁１３５ａ、１３５ｂの少なくとも一方に真空ポンプ１３２が取り付けられている。 （もっと読む）

【課題】大型基板への適用が可能で、装置構成が簡単で、真空装置内の真空を極力破ることなく、ターゲット交換等のメンテナンス作業を容易に短時間で行うことができるスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】入り口の基板導入室から出口の基板取り出し室に、キャリヤーに載置された基板を搬送する間に、該基板の片側表面に皮膜を形成するスパッタリング装置において、入り口側から、少なくとも、真空排気機構およびベント機構を備えた基板導入室、２室以上の高真空排気室、スパッタリング前室及びスッパタリング後室を備えた第一のカソード室、基板進行方向を１８０度回転させるリターン室、スパッタリング前室及びスッパタリング後室を備えた第二のカソード室、２室以上の高真空排気室、真空排気機構およびベント機構を備えた基板取り出し室がこの順に連設され、且つ、全室間の連設開口部に密閉可能な仕切り弁・ドアバルブが備えられている。 （もっと読む）

【課題】被処理体に付着する異物粒子数を低減させた半導体製造装置を提供する。
【解決手段】本発明では、被処理体を処理するための処理室と、該処理室にガスを供給するガス供給手段と、被処理体を戴置するための戴置電極と、前記処理室を減圧するターボ分子ポンプと、前記処理室の圧力を調整するために前記ターボ分子ポンプと前記処理室の間に設置されたバタフライバルブとを有する半導体製造装置において、前記バタフライバルブのフラッパーに異物粒子落下防止用のストッパーを設置した。 （もっと読む）

【課題】ターゲットと磁石ユニットとの距離の調整の自由度を高めることができるスパッタリングカソードを提供すること。
【解決手段】本発明の一実施形態に係るスパッタリングカソードは、ターゲット１の裏面に対向する位置に配置される複数の磁石ユニット７と、ターゲット１と磁石ユニット７との間の距離を各々の磁石ユニット７ごとに個別に調節する距離調節機構とを有する。また、スパッタリングカソードは、複数の磁石ユニット７をターゲットの裏面に平行に往復移動させる往復移動機構を有する。複数の磁石ユニット７、距離調節機構及び往復移動機構を、真空排気することが可能な磁石室に収容しても良い。 （もっと読む）

薄膜電気デバイスを基板上に製造するシステムを使用する方法が一実施例により与えられる。本システムはチャンバ及び気体ゲートを含む。チャンバはその中に集積装置を含む。集積装置はチャンバ内にて基板の一部分を集めるべく構成される。気体ゲートは、チャンバの圧力領域と第２圧力領域との流体連通を与える。
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【課題】ロール・ツー・ロール方式において、膜厚の安定化及び金属の光学特性の高いワイヤグリッド偏光板を得るための真空蒸着装置を提供すること。
【解決手段】本発明の真空蒸着装置は、表面に格子状凸部を有する基材フィルム５がロール状に巻かれてなる原反ロール６から、搬送用ロール７を介して前記基材フィルム５を巻取ロール８に搬送する間に前記基材フィルム５に金属を蒸着するロール・ツー・ロール方式のワイヤグリッド偏光板の製造に用いる真空蒸着装置であって、前記原反ロール６、前記搬送用ロール７及び前記巻取ロール８を収容する真空槽と、前記真空槽内に配置され、蒸着材９を加熱・蒸発させる加熱部１０と、前記真空槽内の気体を捕集する冷凍トラップ１１と、前記加熱部１０と前記冷凍トラップ１１との間に配置された遮熱板１２と、を具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ターゲットの酸化を抑制し、無機配向膜の製造能率の向上を図ることができるスパッタリング装置及び液晶装置の製造装置を提供する。
【解決手段】基板Ｗを収容すると共に、基板Ｗに沿って酸素ガスを供給するガス供給手段２２を備える成膜室２Ａと、対向する一対のターゲット５ａ、５ｂからプラズマＰｚによりスパッタ粒子５ｐを生じさせ、スパッタ粒子５ｐを成膜室２Ａに形成された開口部２Ａ１を介して基板Ｗに向けて放出するスパッタ粒子放出装置３とを備えて、無機配向膜を形成するスパッタリング装置１であって、開口部２Ａ１が設けられる位置と、ターゲット５ａ、５ｂが設けられる位置との間に設けられ、開口部２Ａ１から流出する上記酸素ガスの酸素を付着させるための付着部３０を有するという構成を採用する。 （もっと読む）

【課題】一つの排気路（主排気路）のみ有する減圧装置にも適用でき、排気速度が速くパーティクルの舞い上がりを抑制できる減圧排気弁及びこの減圧排気弁を含む減圧排気機構を用いた減圧装置を提供する。
【解決手段】本発明にかかる減圧排気弁１０は、一端が前記真空チャンバに連通し、他端が真空ポンプに連通する排気路中に取付けられる減圧排気弁１０において、前記減圧排気弁１０が、前記排気路に接続される管部１１と、前記管部内に収容された、前記排気路５を開閉する開閉弁１２と、前記開閉弁１２に設けられた、通気孔を有する多孔質体部１３とを備える。 （もっと読む）

【課題】有機ＥＬ装置の製造工程において、基板に付着した異物を効果的に除去する製造装置および製造方法を提供すること。
【解決手段】有機ＥＬ装置の製造装置１００は、基体２０の表面に薄膜を形成する少なくとも一つの成膜装置１３０と、成膜装置１３０に接続され、基体２０に外力を加えることにより基体２０の表面に付着した異物を除去する除去手段が設けられた処理装置１４０と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】薄膜材料の真空排気系への拡散を抑制しながら、ガス排気抵抗の低減、摩擦磨耗粉の生成抑制および駆動機構のコンパクト化を適切に行えるバッフル駆動機構を提供する。
【解決手段】バッフル駆動機構５０は、真空槽１０のガス排気に用い、真空槽１０の壁部に配された排気管１８と、排気管１８内に配され、複数の遮蔽板１１Ｂを有する板状のバッフル１１と、バッフル１１と連結してバッフル１１に回転駆動力を伝達する回転軸２０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】膜質が良好な有機層および無機層を、高い生産効率で成膜することができる成膜装置を提供する。
【解決手段】本発明の成膜装置は、長尺の基板を長手方向に所定の搬送経路で搬送しながら、基板の表面に有機層を形成し、有機層上に無機層を形成するものである。この成膜装置は、基板を長手方向に所定の搬送経路で搬送する搬送手段と、有機層を基板の表面に形成する第１の成膜手段が設けられた第１の成膜室と、第１の成膜室の搬送経路の下流側に配置されるとともに有機層上に無機層を形成する第２の成膜手段が設けられた第２の成膜室と、第１の成膜室内および第２の成膜室内を所定の圧力に減圧する真空排気手段とを有する。 （もっと読む）

【課題】例えば、欠陥が低減された高品位の薄膜を形成可能なスパッタ装置を提供する。
【解決手段】排気経路部（１０）は、複数のターゲット（３）を相互に隔てる溝部（４）に臨む排気口を有している。排気経路部（１０）の途中には、バルブ（１２）が設けられている。バルブ（１２）は、スパッタ装置（１）がスタンバイ状態にある際、閉状態から開状態に切り換えられる。尚、排気経路部（１０）とは別に設けられた排気経路部（１１）の途中にもバルブ（１３）が設けられている。チャンバ（２）内のＡｒガスは、スパッタ装置（１）がスタンバイ状態にある際、排気経路部（１０）だけでなく、制御装置（１００）の制御下で駆動されるクライオポンプ（１４）の動作に応じて排気経路部（１１）を介しても排出される。 （もっと読む）