【課題】成膜工程において微細な粉末が発生し得る成膜装置において、成膜室内に漂ったり、成膜室壁に付着したりして成膜室内に残留する粉末の量を軽減する成膜室外への粉末の漏れを抑制する成膜装置及び成膜室を提供する。
【解決手段】成膜室内に残留する粉末を減少させるために、成膜室内での粉末の主要な流れ方を考慮して、成膜室内を減圧する減圧ポンプが取り付けられる排気口の設置位置を設定し、粉末の排気系への吸い込み量を増やす。 （もっと読む）

【課題】メンテナンスコストを低減するとともに、リーク箇所を特定することができるインライン式の真空処理装置に適したリークチェック方法を提供する
【解決手段】本発明のリークチェック方法は、複数のチャンバがそれぞれゲートバルブを介して連接されてなるインライン式真空処理装置Ｓに好適に適用されるものであって、リークチェックが行われるチャンバＰ６の隣に連接されたチャンバＰ７内に所定量のガスを導入するガス導入Ｓ００４の後に、チャンバＰ６及びチャンバＰ７の真空度を測定Ｓ００５し、チャンバＰ６の真空度を基準値と比較Ｓ００７した結果を出力Ｓ００８し、その後に、チャンバＰ６のチャンバＰ７とは逆側に連接されているチャンバに対して上記のようなリークチェックが順次行われる。 （もっと読む）

【課題】駆動機構の複雑化やフットプリントの増加を最小限に抑えつつ、防着板によって構成されたシールド空間の排気コンダクタンスを向上し、残留ガスを効果的に減少させた成膜装置を提供する。
【解決手段】シールド空間に開口部を設け、真空ポンプと真空チャンバとの間の排気口を封止可能な可動板を、成膜時に前記開口部を塞ぎ前記排気口を開く第１のポジションと、被処理基板搬送時に前記開口部と前記排気口の両方を開く第２のポジションと、前記排気口を封止する第３のポジションと、に移動可能なように構成された成膜装置。 （もっと読む）

【課題】流体の排気抵抗を小さくするとともに、小型化及び低背化を実現できる開閉バルブを提供する。
【解決手段】相互に直交する方向に開口する吸気口１４と排気口１６が形成されたバルブ本体１２と、バルブ本体１２の内部に配置され、排気口１６を開放する弁体３４と、弁体３４を直進運動させる弁体可動部２６と、軸方向が吸気口１４に対して直交しかつ排気口１６に対して平行となるように配置され弁体３４を軸回りに回転可能にする揺動軸３０と、弁体可動部２６の直進運動を当該直進運動と揺動軸３０の軸回りの回転運動に変換して弁体３４に伝達する運動変換機構４０と、を有し、弁体３４は運動変換機構４０により直進運動及び回転運動を行い、吸気口１４及び排気口１６に対して直交する姿勢となる位置に移動して排気口１６を開放する。 （もっと読む）

【課題】プロセスチャンバとポンプとの間のバルブや導管に起因するコンダクタンス損失を低減または解消し、かつ、ポンプをプロセスチャンバのプロセス空間に流入する気体分子の気体分子源に対して最適な位置に配置することができるプロセスチャンバシステムを提供する。
【解決手段】本発明のプロセスチャンバシステム５００は、プロセス空間５１４を有するプロセスチャンバと、プロセスチャンバに着脱可能に取り付けられた複数の冷凍機５０２と、冷凍機５０２に着脱可能に取り付けられた複数のアレイ５０４とを備える。冷凍機５０２とアレイ５０４とがプロセスチャンバ内に延在して、プロセス空間５１４内に排気面を形成している。この排気面は、プロセス空間に連通する気体分子源の近傍に配置され得る。 （もっと読む）

【課題】処理面近傍に形成する磁場の強度を変更しても処理面近傍に均一な磁場を形成することが可能であり基板上に成膜する磁性薄膜の磁気異方性を良好に揃える。
【解決手段】基板を処理する処理室と、処理室内で基板を支持する基板支持部と、基板支持部に支持された基板の処理面に磁性薄膜を成膜する成膜機構と、基板支持部に支持された基板の処理面に対して該処理面を側方から挟むように互いに対向して配置される一対の磁気部と、処理室内のガス雰囲気を排気するガス排気部と、を備えている。磁気部は、複数の磁気体がそれぞれ配列してなり、基板の中心部を挟む磁気体の配列間隔が、基板の外縁部を挟む磁気体の配列間隔よりも大きく設定されている。 （もっと読む）

【課題】基板に均一性高い加熱処理を行う一方で、高い真空度が得られる真空加熱装置を提供すること。
【解決手段】本発明の真空加熱装置は、気密な処理容器と、この処理容器内に基板を載置するために設けられたアルミニウム合金からなる載置台と、この載置台を支持し、その内部に用力線路部材が大気側から挿入されているステンレス鋼からなる筒状の支持部材と、この支持部材と処理容器との間を気密にするための有機物からなるシール部材と、前記載置台を加熱するための加熱部と、前記処理容器内を真空排気するための真空排気手段と、を備えている。これによって載置台の熱が支持部材を介してシール部材に伝熱し難くなっており、シール部材の昇温が抑えられ、大気側から大気成分がシール部材を通って処理容器内へ侵入することが抑えられる。 （もっと読む）

【課題】ガス管のシール部から処理容器内へ空気がリークして侵入することを防止することが可能なガスポート構造を提供する。
【解決手段】被処理体に処理を行うために真空排気が可能な処理容器内へガスを導入するガスポート構造において、処理容器の端部に設けられてガスノズルを挿通するためのノズル挿通孔が形成されたガス導入ポートと、ノズル挿通孔に挿通されたガスノズルの端部を挿入して連結されるガス導入管と、ガス導入管の端部とガス導入ポートとの間に介在されるシール部材と、シール部材の外周側に空間を隔てて覆うように設けられた覆い体と、ガスノズルとガス導入管との連結部をシールするためにガス導入管をガス導入ポート側へ付勢してシール部材を押圧する押圧部材と、空間に不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段とを備える。 （もっと読む）

【課題】フィルムが弾性筒体の内面に貼着するゲートバルブの使用でも、遮断による真空確保の問題を改善し、かつフィルムの貼着力を小さくし、通常のフィルム通過に問題を派生させないゲートバルブおよびフィルムのゲートバルブ通過方法を提供する。
【解決手段】入口側と出口側のフィルム通過窓と内部のま空間部が形成されたバルブ本体と、前記空間部内を延在し、前記入口側と出口側のフィルム通過窓をそれぞれ包囲閉塞する弾性筒状部を備えた筒体と、前記空間部の前記弾性筒状部のフィルム１０，が通過する側を内面とした時に、外面に接触して該弾性筒状部を面押圧するピストン７１Ａ、７１Ｂと、から構成された気密を保持するゲートバルブにおいて、前記ピストン７１Ａ、７１Ｂは、その押圧する面が、フィルム端部に接触する面で幅広とし、中央部９６、９７において幅狭とし、幅狭面の幅は８ｍｍ未満、幅広面の幅は８〜２０ｍｍとする。 （もっと読む）

【課題】 真空チャンバの低温パネルの再生中に気体状プレカーサーの分圧が制御されることを特徴とする基板上に材料の薄膜を堆積させる装置、及び真空チャンバの低温パネル上に当初捕捉された気体状プレカーサーを、制御されかつ自動的な方式で前記真空チャンバから排気できるようにする再生方法を提供すること。
【解決手段】 本発明は基板上に材料の薄膜を堆積させる装置及び再生方法に関する。装置はチャンバ（１）と、前記チャンバ内に設けられた低温パネル（１０）と、基板を支持可能なサンプルホルダ（６）と、前記チャンバ（１）に気体状プレカーサーを注入可能なガスインジェクター（９）と、前記真空チャンバ（１）に接続され、前記低温パネル（１０）により放出された前記気体状プレカーサーの一部を捕捉可能であり、不変の排気容量Ｓ_１を有する第１の捕捉手段（１１）とを備える。
発明によれば、基板上に材料の薄膜を堆積させる装置は気体状プレカーサーの分圧の関数として調節可能な可変排気容量Ｓ_２を有する第２の捕捉手段（１８）を備え、前記第１と第２の捕捉手段は前記真空チャンバ（１）内の前記気体状プレカーサーの分圧を所定の圧力Ｐ_Ｌに維持するのに十分な総合排気容量Ｓ＝Ｓ_１＋Ｓ_２をもたらす。 （もっと読む）

【課題】容器内の真空度を短時間で高められる真空容器及び処理装置を提供することを目的とする。
【解決手段】内部を減圧状態として基板の表面処理が可能な空間部５１２ｃを備えた真空容器であって、空間部５１２ｃを囲む外壁部５１１と、外壁部５１１の空間部５１２ｃ側に配置された内壁部５１２とからなる２重壁構造を有しており、内壁部５１２が外壁部５１１の材料よりも熱伝導性の高い材料からなり、外壁部５１１が内壁部５１２の材料よりも剛性の高い材料からなり、内壁部５１２を加熱する加熱部５１５が内壁部５１２に取り付けられている真空容器６０１を用いることにより、上記課題を解決できる。 （もっと読む）

【課題】容器内の真空度を短時間で高められる真空成膜装置を提供することを目的とする。
【解決手段】基板を配置可能な空間部１０１ｄを備えた反応容器１０１と、空間部１０１ｄ内に設置された成膜手段と、空間部１０１ｄの内部を減圧状態とする排気手段と、空間部１０１ｄに連通された開口部１０１ｃを覆うように反応容器１０１に取り付けられ、開口部１０１ｃを開閉自在とする扉部８０１と、前記反応容器１０１と扉部８０１との間に、開口部１０１ｃを囲むように配置されたＯリング８０２と、空間部１０１ｄ内で、開口部１０１ｃに沿ってＯリング８０２の近傍に配置され、冷却媒体を流通させる冷却管８１１と、を有する真空成膜装置を用いることにより、上記課題を解決できる。 （もっと読む）

【課題】ベーキング処理により反応容器内の真空度を短時間で高めることが可能な処理装置を提供する。
【解決手段】被処理基板Ｗが配置される反応容器２と、反応容器２内にガスを導入するガス導入管と、反応容器２内を減圧排気する真空ポンプ１５，１６と、反応容器２の内面に沿って配置されたシールド板３１と、シールド板３１を加熱するベーキングヒータとを備え、ベーキングヒータによりシールド板３１を加熱しながら、真空ポンプ１５，１６により前記反応容器２内を減圧排気する。 （もっと読む）

【課題】硫化物を成膜する成膜装置において、安全かつ簡単にチャンバー内をクリーニングすることができる成膜装置、および成膜装置のクリーニング方法を提供する。
【解決手段】成膜対象を内部に収納するチャンバー２を備え、チャンバー２内の成膜対象（基板６）に硫化物を成膜する成膜装置１であって、クリーニングガス導入機構３と、雰囲気ガス排出機構４と、硫化水素除去機構５とを有する。成膜装置１をクリーニングする際は、導入機構３のバルブ３２を開放し導入管３１からクリーニングガスを導入して、チャンバー２内の付着物１０を硫化水素に分解する。同時に、排出機構４の吸引機（ポンプ４３）を作動させ、硫化水素を含むチャンバー２内の雰囲気ガスを排気する。排気された雰囲気ガスに含まれる硫化水素は、除去機構５により取り除かれる。 （もっと読む）

【課題】パーティクルの巻き上げを低減し、圧力調整精度の向上及び調整時間の短縮化が図られたチャンバ圧力調整装置を提供する。
【解決手段】チャンバ２２内のガスを吸引するポンプ４２を備える構成とし、チャンバ２２とガスポンプ４２とを連通する連通管５２に圧力調整ガスを導入し、ポンプ４２による流量を一定として、圧力調整ガスの導入量を制御することで、チャンバ２２内の圧力調整を行う。チャンバ２２内にガスを供給することなく、チャンバ２２内のガスを吸引する構成であるため、チャンバ２２内における気流の発生を抑えることができ、パーティクルの巻き上げを防止することができる。また、ポンプ４２による流量を一定としているため、ポンプ４２の回転数制御を行う必要が無く、圧力調整ガスの導入量を調整することで、圧力調整精度を向上させ、圧力調整時間の短縮が図られる。 （もっと読む）

【課題】
高い原料利用効率、大面積対応、高い安全性を具備したスパッタ法の利点を生かし、高い品質の４族元素からなる半導体単結晶薄膜、および半導体多結晶薄膜を形成する。
【解決手段】
希ガスと水素の混合スパッタガスを用いること、真空容器の到達最低圧力を１×１０^-7Ｔｏｒｒ未満の超高真空領域に下げること、マグネトロン方式でスパッタすること、スパッタ成膜とスパッタ成膜の間のスパッタガスを流していないときに、スパッタターゲットを含むスパッタガンの圧力を１×１０^-7Ｔｏｒｒ未満に維持し、スパッタターゲットの純度を常に高純度に保つことが重要で、これらの組み合わせによって初めて、これらが相補的に機能し、スパッタターゲットの純度を常に高純度に維持され、また、堆積薄膜への酸素の混入量が検出限界以下となり、また、堆積薄膜に対する損傷やエッチング効果が抑制され、実用レベルの高品質、高純度の４族系半導体結晶が形成できる。 （もっと読む）

【課題】ガス供給量が低減されたガスデポジション装置を提供すること
【解決手段】
上記課題を解決するための、本発明の一形態に係るガスデポジション装置１は、搬送管４に嵌合する位置と嵌合しない位置のいずれかをとる可動部材１５を有するガス規制機構と、微粒子流ｆの流路上の位置とそれ以外の位置をとる吸引口１８を有する吸引機構７とを具備する。
成膜停止時において、可動部材１５が搬送管４と嵌合することで、搬送管４の第１の開口４ｃに流入するガスの流量が規制される。同時に吸引口１８が上記規制されたガス流量を微粒子流ｆの経路上において吸引する。成膜時に搬送管４を流通して微粒子を搬送するガス流量の一部を、成膜停止時において微粒子の排出に流用することにより必要なガス供給量が低減される。 （もっと読む）

【課題】反応容器内を排気するのに要する時間を短縮することができ、なお且つ高減圧条件下で処理を行うことができる処理装置を提供する。
【解決手段】被処理基板Ｗが配置される反応容器２と、被処理基板Ｗを処理する処理ユニット１Ａと、反応容器２内を減圧排気する真空ポンプ１５とを備え、反応容器２の被処理基板Ｗと対向する少なくとも一方側又は両側の側壁６ａ，６ｂには、処理ユニット１Ａが被処理基板Ｗと対向して配置されると共に、この処理ユニット１Ａを挟んで真空ポンプ１５が配置されている。これにより、反応容器２内の被処理基板Ｗの周囲に形成される反応空間Ｒの真空度を効率良く高めることが可能である。また、この反応容器２内を減圧排気するのに要する時間を短縮し、高真空度での処理を行うことが可能である。 （もっと読む）

【課題】少ない設置面積で、ウェーハを含む基板の搬送及び処理を行う装置及び方法を提供する。
【解決手段】線形搬送チャンバ１２３２は、線形トラックと、線形トラックに乗っているロボットアーム１２４３等を含み、基板を線形的に、処理チャンバ１２０１等の側部に沿って搬送する。又ロードロック１２３５を介し、処理チャンバ１２０１等に到達させ、搬送チャンバ１２３２に沿って基板を制御された雰囲気の中に供給する。よって相応な経費で、且つ改良されたスループットで効率的に製造を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】ホローカソード型プラズマガン３を使用してプラズマアシスト蒸着を行う装置において、蒸着プロセス室の圧力上昇による蒸着膜の膜質劣化等の問題を解消し、透明で緻密な酸化物膜等が得られる蒸着装置を提供する。
【解決手段】ホローカソード型プラズマガン３のプラズマ放出部１０３と蒸着室１０１との間を圧力的に仕切りかつプラズマが蒸着室１０１へ通過可能な孔２１を有する隔壁２を有する。プラズマアシスト蒸着を行うためのホローカソード型プラズマガン３と、蒸着室１０１と、プラズマガン３のプラズマ放出部１０３と蒸着室１０１との間を圧力的に仕切りかつプラズマが蒸着室１０１へ通過可能な孔２１を有する隔壁２とを有する。 （もっと読む）