【課題】 スパッタ膜にアウトガスが混入してしまう確率を小さくし、その膜質向上を可能としたスパッタ装置を提供する。
【解決手段】 チャンバ１０内にターゲット４０とウエーハＷとが配置され、ターゲット４０から飛び出たスパッタ粒子をウエーハＷに付着させてスパッタ膜を形成するスパッタ装置１００であって、ターゲット４０からウエーハＷに至るスパッタ粒子の行程を含む空間Ｓの周りに設けられ、当該空間Ｓから該チャンバ１０の内壁へのスパッタ粒子の飛散を防止するチャンバ内の内部治具６０と、内部治具６０で仕切られた空間Ｓにアルゴンガスを導入する流入口６５と、内部治具６０の底部に設けられた排出口６２と、を備えたものである。Ｈ_２Ｏ、Ｈ_２等のアウトガスをアルゴンガスの流れに乗せて排出口６２から効率良く排出でき、上記空間Ｓでのアウトガスの滞留を防ぐことができ、スパッタ膜へのアウトガスの混入を少なくできる。 （もっと読む）

多層被膜を基板の上に堆積するツール。１つの構成では、本ツールは、圧力または温度が制御された環境の少なくとも一つの下で動作するインライン有機材料堆積ステーションを含む。別の構成では、それはさらに、インライン式およびクラスタツールの両方の特徴構造を組み込む複合設計である。この後者の構成では、堆積ステーションの少なくとも１つが無機層を堆積するように構成され、他方で、少なくとも１つの他の堆積ステーションが有機層を堆積するように構成される。本ツールは特に、多層被膜を個別基板の上に堆積することばかりでなく、フレキシブル基板の上に配置された環境に敏感なデバイスをカプセル封じすることにも適切である。安全システムが、本ツールに対する有機材料の分配を監視するために含まれ得る。
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【課題】 ゲートバルブにおいて弁座と弁体の接触にもとづく発塵を防止する。
【解決手段】 開口部１０の周囲に形成された弁座３との間にＯリング５を挟み込むことで開口部１０を塞ぐことが可能な弁体４と、弁座３と弁体４との接触を防止する接触防止手段とを備える。接触防止手段は、弁座３と弁体４とにそれぞれ設けられて互いに反発力を作用させるマグネット６ａ、６ｂであることが好適であり、あるいは、弁体４における弁座３に面する側の角部において傾斜面が弁座に向かうように形成された傾斜部２０であることが好適であり、あるいは、弁体４を弁座３から遠ざかる方向に押圧する弾性体２０であることが好適である。 （もっと読む）

【課題】本発明は被処理物である基板に成膜、ドライエッチングなどのプラズマプロセスを行うプラズマプロセス用装置に関し、ステージ冷却機構の小型化及び低コスト化を図ることを課題とする。
【解決手段】プラズマプロセス用装置において、容器の内部に被処理物を載せる導電性のステージ301を設け、このステージ301には直流電圧もしくは高周波を印加できる構造が設けられ、前記冷却媒体を水ベースの液体とし、ステージ301の内部には高熱電導性金属により形成されており前記被処理物を冷却するための冷却媒体流路303を設け、ステージ301と冷却媒体流路303との間にステージ301の熱を冷却媒体に伝えるために熱伝導度が高くステージ301に印加した直流電圧もしくは高周波を前記冷却媒体に伝えないように電気絶縁性が高い高熱伝導率絶縁材料を設け、かつ、チラーを使わずに前記冷却媒体を冷却媒体流路301に供給する。 （もっと読む）

【課題】ランニングコスト及び製造コストを低減することができる真空装置及び真空装置の制御方法を提供する。
【解決手段】大気圧状態又は真空状態となるチャンバ１４と、チャンバ１４の内部を駆動により真空状態にするポンプ３２と、チャンバ１４とポンプ３２とを接続する接続管３０と、接続管３０に設けられ開閉により接続管３０の内部の空気流動を制御するバルブ３４と、バルブ３４とポンプ３２との間に設けられ開閉により接続管３０の内部の空気流動を制御する補助バルブ３８と、を有する構成とした。 （もっと読む）

【課題】蛍光体層における柱状結晶の成長状態が均一で、画質ムラがない蛍光体シートを製造することができる蛍光体シート製造装置の提供。
【解決手段】真空チャンバ１２と、真空チャンバ内を、側面に設けられた排気口を介して排気する真空排気手段と、容器に収納された蓄積性蛍光体層の成膜材料を抵抗加熱によって加熱し、容器の開口部から成膜材料の蒸気を放出させる抵抗加熱手段と、抵抗加熱手段の上方において、基板を保持する基板保持手段１４と、蛍光体層の成膜中に、真空チャンバ内の真空度を調整するために、少なくとも１つのガス導入口を介して真空チャンバ内に不活性ガスを導入するガス導入手段とを有する。ガス導入口６０ａ，６２ａの縁部と排気口の縁部とを直線的に結んで形成される第１の領域と、抵抗加熱手段の容器の開口部の縁部と基板Ｓの縁部とを直線的に結んで形成される第２の領域とが交わらないようにガス導入口が設けられている。 （もっと読む）

【課題】複数の真空チャンバに、それぞれ専用のクライオポンプが接続されている真空装置で、クライオポンプの再生に伴う真空チャンバの運転停止時間を短時間にする。
【解決手段】クライオポンプ２１の再生時期が近くなったことが通知されたら、先ず、成膜チャンバ１１の運転を停止し、開閉弁３１を閉じた後、予備のクライオポンプ４と配管５１の開閉弁６１を開く。次に、予備のクライオポンプ４を作動させて成膜チャンバ１１の運転を開始する。そして、クライオポンプ２１の再生を開始する。この再生が終了した時点で成膜チャンバ１１の運転を停止し、開閉弁６１を閉じる。次に、開閉弁３１を開けてクライオポンプ２１を作動させた後、成膜チャンバ１１を運転する。次に、予備のクライオポンプ４の再生を行う。 （もっと読む）

【課題】初期投資コストおよびランニングコストの小さな薄膜生成装置と、これを用いた電子デバイスの製造方法を提案する。
【解決手段】蒸発物質を含んだ蒸発源ＨＥが配置される蒸発空間Ｃ１１と、蒸発物質を加熱し蒸発物質の蒸気を発生する加熱源ＥＢとを有する蒸発室Ｃ１、蒸発室に固着され、圧力調整空間を有する圧力調整室Ｃ２、および圧力調整器に着脱可能に結合され、成膜空間を有する少なくとも１つの成膜室を備えた薄膜生成装置である。圧力調整空間Ｃ２１は、第１、第２ゲートバルブにより蒸発空間と成膜空間にそれぞれ制御可能に連通される。成膜室が圧力調整室Ｃ２に結合され、圧力調整空間が蒸発空間と成膜空間とに連通した状態において、蒸発物質の蒸気に基づき、成膜空間に配置された基板Ｓ５上に薄膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】建築用ガラス基板へコーティングを行うスパッタ装置の保守、清掃、及びターゲット交換を簡単に短時間で行え、装置稼動率を向上することが可能なシステムの提供。
【解決手段】コーティングシステム１において、一貫した保守と清掃を必要とするすべての部品は、ユニット化してインサート８上に纏められ、インサート８は引き出しのようにチャンバ壁２ａ内の側面開口部１０を通って、チャンバの内部へ摺動して取り付け、また容易に取り外すことができる。取り外されたインサート８は、点検が完了したインサートと直接交換することが出来るため稼働率が向上する。 （もっと読む）

【課題】 蒸着面が汚染されることがなく、それ故蒸着不良による品質の低下がなく、また在庫管理も格別に必要としない、表面に薄膜を有する成形品の成形方法を提供する。
【解決手段】
固定側金型（２）と、スライド金型（１５）とを使用して、第１の成形位置で第１の基板（Ｋ１）を、第２の成形位置で第２の基板（Ｋ２）を成形する。そして、第２の基板（Ｋ２）を成形中にその前に成形された第１の基板（Ｋ１）の表面に蒸着し、第１の基板（Ｋ１）を成形中にその前に成形された第２の基板（Ｋ２）の表面に蒸着する。このとき、内部にターゲット電極、基板電極、真空吸引管等の蒸着要素が設けられている蒸着用チャンバー（２５）により、スライド金型（１５）の凹部（１６、１７）に残っている状態の基板を覆って、金型内で蒸着条件を出して蒸着する。 （もっと読む）

【課題】 低コストで信頼性の高い真空処理装置を提供する。
【解決手段】 ２つの真空容器２０３，２０４の間に配置され各々を連通して一方から他方に処理対象の試料が搬送される封止されたゲート１１０と、このゲートの経路上に配置され第１の開口２０５および第２の開口２０６の各々に面する第１の弁体２１０ａおよび第２の弁体２１０ｂとこれら弁体が連結されたシャフト２１１とを有して前記開口の各々を選択的に開閉するゲートバルブ２０８とを備えた真空処理装置であって、ゲートバルブ２０８は、２１１シャフトの他端側に連結されシャフトをその軸の方向に移動させる軸方向駆動部３０１と、シャフト２１１の一端側と他端側との間に配置されシャフト２１１の軸と交差する所定の回転軸２０７の周りにシャフトを回転させる回転駆動部２１３とを有し、シャフト２１１の軸方向について回転軸２０７と他端との間のシャフト上の部位に回転させる力が伝達される。 （もっと読む）

２段ＧＭタイプの冷凍機により冷却されるクライオポンプが開示される。このクライオポンプでは、低温（第２段）クライオパネル（複数のクライオパネルを含んでよい。）がエクスパンダシリンダの軸に平行な面内にあり且つエクスパンダシリンダの軸に平行に張られ、第１段膨脹空間の低温端は、エクスパンダシリンダがクライオパネルを収容する真空室ハウジングに入る場所の近傍にあり、ドレインシステムは、クライオポンプの２つの向きに対してベントポートを介して流出する液体アルゴン及び水の全てを除去する。

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【課題】装置コストを大幅に低下させ、かつ設置面積を大幅に小とすることのできる真空装置を提供する。
【解決手段】ロードロックチャンバ１ａ，１ｂ及びバッファチャンバ２を排気する第１の主ターボ分子ポンプ系５と、プロセスチャンバ１０ａ，１０ｂを排気する第２の主ターボ分子ポンプ系６０とを備え、これら第１、第２の主ターボ分子ポンプ系５，６０を構成するターボ分子ポンプ６ａ〜６ｃ及びターボ分子ポンプ１２ａ，１２ｂのそれぞれの背圧を低下させる補助ポンプ５０を共通の１個のポンプで構成する。 （もっと読む）

ワーク（燈本体）（３）の表面に成膜をするにあたり、従来のような成膜室にセットしてではなく、金型を用いて成膜をするようにして成膜作業の簡略化を図る。固定金型（２）に成膜手段である真空蒸着装置（６，７，８）を設け、可動金型（１）にワーク（３）を支持させた状態で、可動金型（２）を固定金型（１）に型合わせし、次いで成膜空間を真空状態にしてから成膜をし、しかる後、可動金型（１）を型開きするように構成することで、金型を用いてのワーク表面の成膜作業が一連の工程でできるようにする。
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【課題】 同一チャンバ内で基板ステージ上の処理基板に対し、ＡＬＤ法による成膜とスパッタリング法による成膜とを行い得るように成膜装置を構成する場合に、ターゲットが、ＡＬＤ法を行う際に導入する原料ガスや反応ガスによって汚染されないようにする。
【解決手段】 真空チャンバ１１内に基板ステージ１２を配置し、ターゲットを有するスパッタリング成膜手段４を、ターゲット４１ａと処理基板とを相互に対向させて設ける。真空チャンバをターゲットが存する第１空間５１と基板ステージが存する第２空間５２とに仕切る仕切り板５を設け、仕切り板に処理基板が臨む開口部５ａを形成し、開口部を覆って第１空間及び第２空間相互の隔絶を可能とする閉位置と、開口部を開放する開位置との間で移動自在な遮蔽手段６を配置する。化学的成膜法により成膜を行い得る化学的成膜手段を第２空間に設ける。 （もっと読む）

【課題】 この発明は、真空装置自体の能力を維持すると共に、真空を形成する部品点数を減少させた真空装置を提供する。
【解決手段】 この発明は、仕切バルブを介して連設された複数の真空容器と、該真空容器内に配され、それぞれの真空容器間を移動可能な少なくとも一つのキャリヤと、それぞれの真空容器に接続される一次排気機構と、それぞれの真空容器に接続される真空形成機構と、それぞれの真空容器にスパッタ用ガスを供給するスパッタ用ガス供給機構とを少なくとも具備する真空装置において、前記真空形成機構は、一つの真空ポンプと、該真空ポンプとそれぞれの真空容器との間に配される一つの中間真空容器とを具備する。 （もっと読む）

【課題】 真空圧発生装置及びこれを有する薄膜加工装置を提供する。
【解決手段】 真空圧発生装置は、真空圧発生ユニット及び安定化モジュールを含む。真空圧発生ユニットは、工程領域の流体を排気して、工程領域に真空を形成する。安定化モジュールは、工程領域及び真空圧発生ユニットの間に配置され、工程領域の真空均一性を向上させるために、流体の通過経路が屈曲するように構成される少なくとも２つの流体通路を有する。工程領域内の流体を屈曲した流体通路を通じて排気することで、工程領域内の真空圧の均一性を向上することができる。 （もっと読む）

【課題】真空容器１全体としての材料コストの低減を図る。
【解決手段】 容器本体３は、内部が真空ポンプ５に接続可能であって、容器本体３の一側に開口部７が形成され、容器本体３に開口部７を開閉する蓋部材９が着脱可能に設けられ、蓋部材９に、真空ポンプ５の排気作動によって容器本体３の内部を真空状態にしたときに、大気圧による外力を容器本体３の内側から受けるサポート部材１７が設けられたこと。 （もっと読む）

【課題】 容積の大きい真空チャンバを、陸路による搬送に便利であり、また、別個の補強手段を必要としない構成とする。
【解決手段】 本発明の真空チャンバ１は、内部に処理空間１１が形成された多面体のチャンバ本体１２を備え、そのチャンバ本体の少なくとも一面に処理空間に通じる開口を形成し、この開口を覆って処理空間の真空状態の保持を可能とする密閉手段１３ａ、１３ｂを装着して構成される。この場合、チャンバ本体は複数のチャンバ片１２ａ、１２ｂから構成され、各チャンバ片の接合面の少なくとも一側に、この接合面から延出させてフランジ部１５ａ、１５ｂをそれぞれ形成し、相互に向かい合う各フランジを接合して組付けられる。 （もっと読む）

【課題】磁気抵抗変化率（ＭＲ比）等の磁気特性に優れたＧＭＲ及びＴＭＲ膜を高い歩留まりで製造可能な磁気抵抗膜の製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】 磁化固定層、非磁性中間層、及び磁化自由層を含む磁気抵抗膜のうち、非磁性中間層及び磁化自由層を構成する少なくとも１つの薄膜を、スパッタ装置を用い基板近傍の圧力を８．０×１０^−３Ｐａ以下として形成する。スパッタ装置は、カソードと基板ホルダとが配置された真空容器と、真空容器の排気口に連結された第１の排気装置と、ターゲットの表面近傍へのガス導入機構と、を備え、ターゲット表面近傍とその外側の中間空間との間で圧力差をつける第１の圧力調整手段と、中間空間と基板の表面近傍との間で圧力差をつける第２の圧力調整手段と、中間空間を排気する第２の排気装置とを設けたことを特徴とする。 （もっと読む）