【課題】簡素な構造で地震の際の被害を低減することができる縦型拡散炉の保護装置及び保護方法を提供する。
【解決手段】Ｐ波検知部５１は、Ｐ波が到来するとその旨をＰ波解析部５２に知らせる。Ｐ波解析部５２は、Ｐ波検知部５１からＰ波が到来したことを知らされると、到来したＰ波の波形及び振幅等からその後にＳ波が到来した時の、縦型拡散炉５４が設置されている地域の震度を予測する。そして、予測結果が震度５以上であるか否かを判断する。この結果、震度が５以上となるという結果が得られている場合には、気圧制御部５３にその旨を知らせる。気圧制御部５３は、Ｐ波解析部５２から震度が５以上になるという予測結果を知らされると、拡散炉内の気圧を低下させる。つまり、真空ポンプによる排気の程度を変更することなく、供給されるガスの量を減少させることにより、拡散炉内の気圧を低下させる。 （もっと読む）

【課題】所定以上の大きな排気能力による排気を必要とする高真空チャンバを含む複数の真空チャンバを備えた真空装置を低コストに構成する。
【解決手段】高真空チャンバ２を備えた真空装置１において、高真空チャンバ２に開閉自在のバルブ３、４を介してそれぞれ接続された少なくとも２つのバッファチャンバ５、６と、該バッファチャンバ５、６のそれぞれに、開閉自在のバルブ７、８を介して接続された真空チャンバ９、１０と、バッファチャンバ５、６のそれぞれに接続された、該バッファチャンバ５、６内を排気する真空ポンプ１１、１２とを備え、適宜バルブ３、４、７、８を開閉させ、高真空チャンバ２を同時に２つの真空ポンプ１１、１２により排気を可能とするとともに、高真空チャンバを含む複数の真空チャンバを少数の真空ポンプにより適宜排気可能とする。 （もっと読む）

【課題】クライオパネルの温度をフィードバック制御することで、精密にガス制御を行う真空装置を提供すること。
【解決手段】プロセスチャンバーの例えば水素ガス分圧信号をモニター装置６００からモニター信号として、信号処理装置６０２に入力し、また、基準値信号もこの信号処理装置に入力する。これらの入力信号を基に、信号処理装置６０２により、冷凍機５７３に冷凍パワー指令値出し、クライオパネル５７０の温度をフィードバック制御する。これにより、真空チャンバー内の水素ガス分圧を制御することが可能になる。 （もっと読む）

【課題】スパッタ装置における異常放電を防止するためのスパッタ装置を提供する。
【解決手段】スパッタ装置１は、ターゲット２の周囲を囲み、スパッタ粒子を放出させるための開口部６を有し、導電性材料からなるカバー４と、ターゲット２からのスパッタ粒子を基板３上に付着させるための開口部７を有し、導電性材料からなるカバー５と、カバー４と５の間に配置され、開口部６と７とを環状部の中空部を通して連通させ、絶縁性材料からなるＯリングと８を有する。さらに、スパッタ装置１は、カバー４と５の少なくとも一方の、Ｏリング８側の面上に絶縁性材料を介して設けられ、導電性材料からなるカバー９とを有する。 （もっと読む）

【目的】 本発明は、高性能半導体素子を安定して且つ高い歩留まりで作製することが可能な真空排気装置、半導体製造装置及び真空処理方法を提供することを目的とする。
【構成】 ターボ分子ポンプ１０３と該ターボ分子ポンプの排気側に接続された補助ポンプ１０５とから構成され、ターボ分子ポンプ１０３と前記補助ポンプ１０５との間に所定のガスを導入するためのガス導入部１１４を設け、該導入部から所定のガスを導入しながら、真空室１０１の内部を排気する構成としたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ガスフロースパッタリング法によって、連続的に送られるフレキシブル基板に効率よく成膜することができる成膜方法及び装置を提供する。
【解決手段】フレキシブル基板１をチャンバ２に通すと共に、各差動排気ポンプ及び排気用ポンプを駆動し、各小室４、処理室６及び成膜室７内を所定の真空度に減圧し、フレキシブル基板１を連続走行させながら表面処理器９及び各成膜部１０を作動させる。これにより、フレキシブル基板の表面にガスフロースパッタリング法により薄膜が形成される。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング装置において、仕込室から成膜室への気体分子流入を効果的に抑制する。
【解決手段】内部にスパッタカソードが配置された成膜室、成膜室に仕切りバルブを介して連接された仕込室、成膜室にメインバルブを介して接続された高真空ポンプ、および仕込室に接続された粗引きポンプを備えたスパッタリング装置において、さらに、高真空ポンプと仕込室とを接続するバイパス配管、および、バイパス配管を開閉するための、メインバルブと同時には開かないように設定可能なバイパスバルブを設けた。 （もっと読む）

【課題】本発明は特に真空容器内を真空とする真空形成手段として用いられるクライオポンプ及びこれを用いたスパッタリング装置、半導体製造装置に関し、クールダウン時間の短縮を図りつつ真空容器を所望の真空度とすることを課題とする。
【解決手段】クライオポンプ２０に設けられる熱シールド２４を、ルーバー２６と冷凍機３０との間で熱の通路を形成する第１のシールド部材３３と、この熱の通路を形成しない第２のシールド部材３４とを含む複数の部材に分割した。そして、第１のシールド部材３３の材料として第２のシールド部材３４に比べて高い熱伝導率を有する材料（銅）を用いると共に、第２のシールド部材３４の材料として、同一体積で比較した場合に第１のシールド部材３３に比べて小さい熱容量を有する材料（アルミニウム）を用いた。 （もっと読む）

【課題】均一かつ細密に充填したＳＡＭを大面積の基板に形成することを可能とする装置及び方法を提供する。
【解決手段】自己組織化分子を含有する液体原料を気化し、基板上に自己組織化単分子膜を形成する装置であって、前記基板を内部に保持する成膜室と、前記液体原料を前記成膜室内に直接噴射する噴射弁を備えるようにした。 （もっと読む）

【課題】 より低い温度で基板を加熱した場合でも金属材料を十分にホールに埋め込むことができる高温リフロースパッタリングの技術を提供する。
【解決手段】 セパレーションチャンバー１の周囲に気密に接続された複数の処理チャンバーのうちの一つはスパッタチャンバー４であり、二段階成膜が行われる。第一の行程ではターゲット４２と基板９との距離は長い第一の距離とされてホール９０の内面にベース薄膜９３が作成され、第二の工程ではターゲット４２と基板９との距離が短い第二の距離とされ、ヒータ４４１で基板９を加熱して薄膜をリフローさせてホール９０内に埋め込む。セパレーションチャンバー１は、冷凍機１３により１３０Ｋ〜５０Ｋに冷却されるパネル１２が設けられ、不純ガスがパネル１２の表面に凝縮される。 （もっと読む）

【課題】 真空蒸着法によって、膜厚のばらつきの少ない防汚膜を光学物品に形成できる防汚性光学物品の製造装置を提供すること。
【解決手段】 円形ドーム形状の支持装置２０に対し、複数の排気口１１１が支持装置２０の回転軸に対して回転対称な配置で設けられているため、排気の流れを支持装置２０の回転軸に対して等方的にできる。排気が等方的に行われることによって、反射防止膜１２等の表面処理が施された基板１５が支持された支持装置２０の異なる位置において、蒸着物質の濃度分布を回転軸に対して等方的にでき、かつ均一にできる。したがって、各プラスチックレンズ１の表面に形成される防汚膜１３の膜厚のばらつきを少なくできる。 （もっと読む）

【課題】 真空処理室への水分の混入を確実に防止することが可能な真空処理装置を提供する。
【解決手段】 真空処理室１０とロードロック室２０との間には、それぞれ弁体３１ａ，３１ｂを有するゲートバルブ３０ａ，３０ｂが二重に配備されている。また、ロードロック室２０には、コンダクタンスの異なる３本の排気管２１，２２，２３が接続されており、それぞれ開閉弁６２，６３，６４を介して真空ポンプ６０に接続されている。また、ロードロック室２０の内部にＮ_２ガスを導入するＮ_２ガス供給源２６も接続されている。 （もっと読む）

【課題】 分割構造を採用しながら真空容器としての強度を確保することが可能な真空チャンバおよび該真空チャンバを備えた真空処理装置を提供する。
【解決手段】 真空チャンバである搬送チャンバ２０は、長方形に形成された主枠体２０１と、この主枠体２０１の長辺の対向する側部に接合される一対の補強枠体２０２ａ，２０２ｂと、主枠体２０１の上面に着脱自在に接合される天板２０３と、図示しない搬送機構と、を備え、主枠体２０１と補強枠体２０２ａ，２０２ｂとは、一体となって基板Ｓを搬送する搬送空間を形成している。 （もっと読む）

【課題】気相反応処理装置における剥離処理の終点検出方法を提供する。
【解決手段】処理チャンバ内に配置した触媒体に電力を供給して高温加熱し、高温加熱された触媒体により反応ガスを分解して処理を行う際の終点検出方法において、排気ライン１７にバイパス通路２１が設けられ、このバイパス通路２１に排気ガスが流通する放電管２２が接続され、放電管２２から発生する排気ガス中に含まれる特定成分の発光スペクトルを検出し、この検出結果に基づいて処理終点を決定するようにする。 （もっと読む）

【課題】ターゲット及びそのバッキングプレートにシールされた真空排気マグネトロンチャンバを有するスパッタリアクタの真空ポンプシステム及び方法を提供する。
【解決手段】主スパッタチャンバはターゲットの前面に真空シールされており、クライオポンプで排気される。バイパス導管とバルブがマグネトロンチャンバと主チャンバを連結する。マグネトロンチャンバに連結された機械式粗引ポンプは、バイパスバルブを閉鎖し、クライオポンプを開口するに前に、バイパス導管を介して主チャンバを１Ｔｏｒｒより低く減圧し、続いてマグネトロンチャンバを継続して減圧することでターゲットを介した圧力差を低減する。バイパスバルブにわたって連結された圧力差スイッチは、漏れ又は電気的不全により圧力差が許容限度、例えば２０Ｔｏｒｒを超えたら速やかにバイパスバルブを開口する。バイパス導管は通気工程でも使用される。 （もっと読む）

【課題】待機室内に設置された昇降台の気密室の気密シールを維持する。
【解決手段】ウエハ１群をボート１３に保持して処理する処理室１９と、処理室１９の真下でボート１３が待機する待機室１２と、待機室１２の外部に設置されボート１３を処理室１９に搬入搬出するボートエレベータ２４と、待機室１２内に配されボート１３を支持する昇降台３７と、待機室１２に挿通され昇降台３７とボートエレベータ２４とを連結する昇降シャフト３２とを具備したバッチ式熱処理装置１０において、ヘリウムガス供給ライン５５に接続されたチューブ５４を昇降シャフト３２から昇降台３７の気密室３７ｄに挿入し、待機室１２を排気する排気管５７にヘリウムガスディテクタ５８を設置する。昇降台の気密室内に供給した時の排気管を流通するヘリウムガスをヘリウムガスディテクタによって検出することにより、昇降台の気密室のリークをチェックする。 （もっと読む）

【課題】 膜厚測定装置において，膜厚の厚みに関わらず膜厚を測定することが可能とする。
【解決手段】 交流電源３からの電力の供給によって励振するピエゾ素子４が支持部２に取り付けられている。ピエゾ素子４には，測定部６を有するカンチレバー５の一端部が固定される。カンチレバー５内には，ピエゾ抵抗素子７とヒータ８が内蔵されている。ピエゾ素子４を励振させ，測定部６表面に形成される膜の膜厚の増大によって変化するカンチレバー５の共振周波数を信号処理装置１１によって観測する。記憶装置１３には，カンチレバー５に形成される膜の膜厚とカンチレバー５の共振周波数との関係のデータが予め記憶されており，このデータと観測した共振周波数とを演算装置１４によって比較照合することで，測定部６の膜厚や膜厚形成レートを測定できる。 （もっと読む）

【課題】 通気管を取り外さないで十分な清掃等のメンテナンスをする。
【解決手段】 半導体装置を製造するための密閉された製造空間５０の内部と外部とを通気し、製造空間５０を真空処理するための通気管１０を備えた半導体製造装置において、液体供給手段により、通気管１０の内壁に付着した付着物を内壁から脱離させる洗浄用液体が供給される。さらに、気体供給手段により、通気管１０の内壁に付着した付着物を内壁から脱離させるパージ用気体が供給される。 （もっと読む）

【課題】希ガスを効果的に固定化することができる希ガスの固定化装置及び固定化方法を提供する。
【解決手段】希ガスの固定化装置１０は、表面にリチウムの蒸着膜１８が形成された回転ターゲット１４と、希ガスを含むガスを導入するガス導入パイプ２３と、該ガス導入パイプ２３から導入されたガスのプラズマ柱２４を生成するためのプラズマ発生装置２１とを備えている。そして、ガス導入パイプ２３から導入されたガスを用いてプラズマ発生装置２１により希ガスのプラズマ柱２４を生成し、そのプラズマ柱２４を回転ターゲット１４表面の蒸着膜１８に照射し、希ガスを蒸着膜１８中に固定化することができるようになっている。回転ターゲット１４表面の蒸着膜１８を常温に維持するために、水道水で冷却する水冷却管１５を備えていることが好ましい。希ガスとしては、固定化の難しいヘリウムを対象とすることができる。 （もっと読む）

【課題】 スパッタ膜にアウトガスが混入してしまう確率を小さくし、その膜質向上を可能としたスパッタ装置を提供する。
【解決手段】 チャンバ１０内にターゲット４０とウエーハＷとが配置され、ターゲット４０から飛び出たスパッタ粒子をウエーハＷに付着させてスパッタ膜を形成するスパッタ装置１００であって、ターゲット４０からウエーハＷに至るスパッタ粒子の行程を含む空間Ｓの周りに設けられ、当該空間Ｓから該チャンバ１０の内壁へのスパッタ粒子の飛散を防止するチャンバ内の内部治具６０と、内部治具６０で仕切られた空間Ｓにアルゴンガスを導入する流入口６５と、内部治具６０の底部に設けられた排出口６２と、を備えたものである。Ｈ_２Ｏ、Ｈ_２等のアウトガスをアルゴンガスの流れに乗せて排出口６２から効率良く排出でき、上記空間Ｓでのアウトガスの滞留を防ぐことができ、スパッタ膜へのアウトガスの混入を少なくできる。 （もっと読む）