【課題】サセプタに付着する膜の密着性を上げることで、発塵を防ぐ表面処理方法を提供する。
【解決手段】表面処理方法は、ＳｉＯ₂あるいはＳｉＣを用いて、ＳｉＯ₂を主成分とするサセプタの表面をブラスト処理する工程（Ｈ）と、そのサセプタ表面をエッチングする工程（Ｉ）とを備える。サセプタは、サセプタ本体と、サセプタ本体の上に設けられ、基板よりも一回り小さいサイズで形成され、サセプタの一部分として、基板を下から支える段差部とを備え、マスキングする工程において、段差部がマスキングされ、基板の端部とサセプタ本体との間の導通が防止され得ることが望ましい。 （もっと読む）

【課題】真空成膜装置において、成膜後の清掃作業を短時間で行うことができ、清掃作業員が成膜材料カスまみれになることが無い真空成膜装置を提供する。
【解決手段】真空成膜装置は、真空容器１内で成膜材料を被処理物表面上に成膜する真空成膜装置において、前記真空容器１の内壁面に配置される防着板３０と、磁石と前記磁石の一方を被覆しかつ磁性を有する金属カバーとからなり、かつ、前記防着板３０を前記真空容器１の内壁面に固定する防着板固定治具４０と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】真空チャンバ間のゲートバルブを開放するときの衝撃波を抑えると共に真空チャンバ内にガスが供給されるときの粘性力によるパーティクルの剥がれを抑え、これにより基板に対するパーティクル汚染を抑えること。
【解決手段】例えば一方の真空チャンバが基板に対して真空処理を行うための基板処理室、他方が基板搬送装置を備えた搬送室であるとするとゲートバルブを開く前に両方のチャンバ内の圧力が６６．５Ｐａよりも低くかつ圧力検出値の高い方が低い方の２倍よりも小さいことを条件にゲート弁を開くようにする。この場合、基板処理室内に圧力調整用のパージガスを供給する前に圧力調整用のパージガスの流量よりも大きな流量でパーティクル剥離用のパージガスを供給することが好ましい。また両方のチャンバ内のいずれもが９．９８Ｐａよりも低いことを条件にゲートを開くことも有効である。 （もっと読む）

【課題】成膜中に塵や不純物ガスを発生しない部品を提供する。
【解決手段】枠体１１の処理面１４をサンドブラスト処理してから、該処理面１４をリン酸を含む処理液でエッチングすると、サンドブラスト処理の際に、処理面１４に付着した付着物は、処理面１４に露出するチタンが処理液に溶解することで除去され、清浄な付着面１５が得られる。付着面１５はアンカー効果を発現する程表面粗さが大きいから、成膜中に薄膜２１が剥がれない。また、枠体１１が加熱されても、リン酸を放出しないから、不純物が発生しない。 （もっと読む）

【課題】成膜する際に基板表面に異物が付着することにより膜に欠陥が生じるのを防止し、製造歩留りを向上できる成膜装置を提供すること。
【解決手段】成膜装置１００は、膜材料２２を蒸発させて基板２８の表面２８ａに成膜する成膜装置であって、成膜室１０と、成膜室１０内の底部１４側に配置されており、膜材料２２を収容するハース２０と、成膜室１０内にハース２０に対向して配置されており、基板２８を保持する保持部２６と、成膜室１０内にプロセスガス４９が導入されるガス導入口１８と、成膜室１０の底部１４に設けられた開口部１４ａと、開口部１４ａを介して成膜室１０に連通されており、成膜室１０内の雰囲気を排気する排気口３４が設けられた排気室３０と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】成膜時の成膜対象へのパーティクル付着を抑制する。
【解決手段】発生部２で発生したプラズマを成膜部５に配置した成膜対象４へ誘導するフィルタ部３に、プラズマと共に発生するパーティクルを衝突させる衝突部６を設ける。衝突部６は、発生部２で発生したパーティクルの進路をシミュレーションし、衝突部６を設けなかった場合に成膜対象４に到達すると予測されるパーティクルの進路上に、プラズマ流を大きく遮らないようにして、配置する。衝突部６に衝突したパーティクルが、そこで進路を変えられ、或いはそこに捕捉されることで、成膜対象４へのパーティクルの到達及び付着が抑制されるようになる。 （もっと読む）

【課題】第一ターゲット１７ａ及び第二ターゲット１７ｂが、それぞれ基板６及び他のターゲットに対して斜めに対向して配置され、基板６を搬送経路１５に沿って搬送しながら成膜する連続方式のスパッタリング装置において、高品質の膜が得られるようにすると共に、粒子のチャンバー３内拡散を防止できるようにする。
【解決手段】第一ターゲット１７ａと第二ターゲット１７ｂとの間の空間の搬送経路１５側への延長領域を挟んで、搬送経路１５と、第一ターゲット１７ａ及び第二ターゲット１７ｂとの間に、少なくとも基板６の搬送方向に対向するシールド１９ａ，１９ｂを設ける。 （もっと読む）

【課題】電極針を自動的にクリーニングできるとともに、クリーニングにより生じた塵埃等を外部に飛散させない機構を備えた除電器を提供する。
【解決手段】電極針清掃時は、電動機７３１が回転してシャッタ部材７１を第１の位置から第２の位置に移動させ、筺体２の第１の開口部２２を閉鎖する。次に電動機７３１が小刻みに正転と反転とを反復することにより、ブラシ７２ａ、７２ｂがそれぞれ対応する電極針４２ａ、４２ｂをシャッタ部材の移動方向に関して両方向から清掃できるように、シャッタ部材７１が往復動する。当該往復動の間は、シャッタ部材７１は第１の開口部２２を開口しないので、電極針から除去された塵埃等が第１の開口部２２から外部に放出されることはない。 （もっと読む）

【課題】少ない台数のイオン発生手段で例えば被処理体移載エリア内の広範囲に亘って帯電箇所の除電及び浮遊する帯電塵の除電を行うことが可能な被処理体の移載機構を提供する。
【解決手段】複数の被処理体Ｗを複数段に亘って保持して収容することが可能な収容ボックス６と、複数の被処理体を複数段に亘って保持し、被処理体に対して所定の処理を施すための処理容器６４内へロード及びアンロードされる被処理体保持手段１８との間で、被処理体の移載を行う被処理体の移載機構５２において、昇降手段５４により上下方向へ昇降可能になされた昇降台５６と、昇降台に設けられて、被処理体を載置して前進、後退及び旋回可能になされたフォーク手段５８と、フォーク手段に設けられて静電気を除去するイオンを発生させるイオン発生手段６０とを備える。 （もっと読む）

【課題】チャンバの内部から排出されるパーティクルの数を用いてチャンバの内部状況を正確に推定することができるチャンバの内部状況推定方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置１０においてＮＰＰＣシーケンスを実行した際の全排出パーティクル数の時系列データからガス衝撃力モード、ガス粘性力モード及び静電気力モードに対応した特性値（閾値越え開始点、閾値越え終了点、閾値越え積算時間及び閾値越え回数）が抽出され、該特性値とウエハ上パーティクルの数の相関関係（感度、ばらつき）が算出され、さらに、算出された相関関係及び新たな時系列データにおける特性値に基づいてウエハ上パーティクルの数が推定される。 （もっと読む）

本発明はアルカリ金属又はアルカリ土類金属で基板（２）をコーティングするためのコーティング設備（１）の真空コーティングチャンバ（３）から、アルカリ金属又はアルカリ土類金属の残留物を除去するクリーニング方法に関する。この目的のために、アルカリ金属又はアルカリ土類金属と反応して対応する固体化合物を形成するＮ_２、Ｏ_２、又は空気の群からのガスをチャンバ（３）内に導入する。真空コーティングチャンバ（３）内に追加的に水を導入することができる。アルカリ金属又はアルカリ土類金属がガスと反応した後に、真空コーティングチャンバから対応する固体化合物が除去される。
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【課題】有機ＥＬ装置の製造工程において、基板に付着した異物を効果的に除去する製造装置および製造方法を提供すること。
【解決手段】有機ＥＬ装置の製造装置１００は、基体２０の表面に薄膜を形成する少なくとも一つの成膜装置１３０と、成膜装置１３０に接続され、基体２０に外力を加えることにより基体２０の表面に付着した異物を除去する除去手段が設けられた処理装置１４０と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】真空処理装置のターボ分子ポンプで跳ね返された微粒子がウエハに付着するのを防止するため、処理室内に遮蔽用の衝立を設置する場合に、処理室内のガス流れを乱したり、流れが停滞する空間ができ、その結果、新たな異物発生源ができてしまうという問題や、衝立部の清掃が新たに必要になるなどの問題がある。
【解決手段】真空処理装置の処理室のターボ分子ポンプの上部に設置されているガス流量を調節するために流量制御弁の構造を工夫することにより、微粒子が逆流するのを防止するようにすることで跳ね返り異物の低減ができ、かつ衝立を別途設置した場合の新たな異物発生源や新たな衝立部の清掃などの課題の解決が可能となる。 （もっと読む）

【課題】成膜チャンバーの内壁部分へのパリレン膜の付着量を抑制できる成膜装置及び成膜方法を提供する。
【解決手段】ポリパラキシリレン又はその誘導体からなる膜を基体上に形成する成膜チャンバーを備える成膜装置であって、前記成膜チャンバーの内壁を加熱する加熱手段を有し、基体を冷却する冷却手段をさらに有することを特徴とする成膜装置。 （もっと読む）

【課題】基板保持具に堆積した膜の剥離などにより生ずるパーティクルの問題を解決する手法を提供する。
【解決手段】成膜済みの基板９を基板保持具９０から回収するアンロードロックチャンバー２と、未成膜の基板９を基板保持具９０に搭載するロードロックチャンバー１との間のリターン移動路上に、膜剥離防止チャンバー７１０が、アンロードロックチャンバー２及びロードロックチャンバー１に対して気密に接続されている。膜剥離防止チャンバー７１０内には、基板保持具９０及び保持爪９１の表面の堆積膜の上にコーティングをする膜コーティング手段が設けられている。 （もっと読む）

【課題】突出するポールピースを備えた電子ビームガンにおいて、蒸発物が堆積して大きく成長するのを抑制することにより、成膜に悪影響が及ぶのを防ぐことが可能な電子ビームガン、およびかかる電子ビームガンを備えて安定的かつ効率的な成膜を確実に行うことが可能な真空成膜装置を提供する。
【解決手段】電子ビームガン本体１３から突出して延びるポールピース１４を備え、このポールピース１４の周囲を、軸線Ｏ回りに回転させられるカバー１６によって覆い、また、このような電子ビームガン２を、蒸着材料と被成膜物とを収容する真空容器内に配設する。 （もっと読む）

【課題】Ｔａ、Ｔｉ、Ｔａ−Ｎ、Ｔｉ−Ｎの成膜工程で使用した成膜装置部品の表面に付着・堆積した堆積物を、基材をできる限り傷めることなく、しかも短時間で除去する洗浄方法を提供する。
【解決手段】アルミニウム、ステンレス又はアルミナセラミックス等から構成される成膜装置部品の表面を算術平均粗さＲａとして５ミクロン以上に粗面化することで、Ｔａ、Ｔｉ、Ｔａ−Ｎ、Ｔｉ−Ｎ堆積膜の形状を粒状に制御し、次いで硫酸とフッ化水素酸からなる洗浄液で洗浄することにより、堆積膜を除去する方法であり、粗面化した部品表面としては、部品表面にアルミニウム又はチタンの溶射膜を設けて粗面化したものが好ましい。 （もっと読む）

【課題】膜厚均一性及びステップカバレッジを向上させることができるプラズマＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】本発明に係るプラズマＣＶＤ装置は、単量体を有する有機物原料ガスがプラズマによって重合されて基材３に成膜されるプラズマＣＶＤ装置であって、真空容器１と、真空容器１内に配置され、前記基材３の電位がフロートとされ、前記基材３が保持される保持電極２と、前記真空容器１内に配置され、前記保持電極２に保持された前記基材３に対向して配置されたリング電極４と、前記リング電極４に電気的に接続された高周波電源と、を具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】磁場フィルタ付カソーディックアーク放電を用いた磁気ディスク炭素保護膜の形成方法において、粒径が１ミクロンメートル未満の荷電性異物の発生を抑制する。
【解決手段】炭素を主成分とするカソード１３のアーク放電によりプラズマを発生し、発生したプラズマを第１の磁場ダクト１７により保持し、第２の磁場ダクト１８により処理室２７に輸送し、処理室に配置された磁気ディスク基板２３に炭素保護膜を形成する。このとき、第１の磁場ダクト１７により発生する磁束密度の方向１６に対して第２の磁場ダクト１８により発生する磁束密度の方向１７を反対方向とし、第１の磁場ダクトと第２の磁場ダクトの間に生成される零磁束平面１２が、カソードの最表面１１と空間的に一致するように、第１磁場ダクト１７及び第２の磁場ダクト１８により発生する磁束密度を制御する。 （もっと読む）

【課題】内部部品に付着した膜成分を短時間で且つ安価に除去することができる部品再生方法および部品再生システムを提供すること。
【解決手段】真空成膜装置１に出入れ自在に設けられた内部部品に対し、ターゲットへの成膜動作に伴って付着した膜成分を除去する部品再生方法であって、内部部品に洗浄液を噴射し、膜成分を洗い流す洗浄工程と、洗浄工程の後、内部部品に残った膜成分をドライエッチングにより除去するエッチング除去工程と、を備えた。 （もっと読む）