【課題】 成膜装置の保守点検・成膜源の再調整を短時間で行うことができるメンテナンス性に優れた蒸着装置１を提供する。
【解決手段】蒸着装置１は、内部に成膜機構（蒸発源６、ガス導入管１０ｂ、基板ホルダ４、回転支持枠１２ａ）が配置してある真空チャンバ２を有する。真空チャンバ２は、底板２２と、底板２２上に処理空間を形成するように底板２２の角隅部２０２２上に底枠２０２を介して立設される複数の側柱２０６ａ〜２０６ｄと、処理空間の上方開口を閉塞するように複数の側柱２０６ａ〜２０６ｄの上端に天枠２０４を介して設けられる天板２４と、一端が側柱２０６ａ，２０６ｃ，２０６ｄに接続されたヒンジ４０，４２，４４を回動支点に、隣接する柱部材間に形成された側方開口に対して開閉自在な複数の側板２６，２８，３０を有する。底板２２及び天板２４にのみ成膜機構が配置しており、側板２６，２８，３０には成膜機構を有しない。
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【課題】低コストにて、真空蒸着による高品質な膜形成を実現することができる真空蒸着方法を提供すること。
【解決手段】真空容器内を排気して真空状態にする真空工程と、真空状態となった真空容器内で蒸発物質を加熱手段にて加熱して蒸発させる蒸発工程と、を有し、これにより、真空容器内に保持された被成膜体に蒸発物質を蒸着させる真空蒸着方法であって、上記真空工程は、蒸発物質の蒸発温度よりも高い蒸発温度を有する加熱物質を真空容器内で加熱手段にて加熱して当該真空容器内を加熱する容器内加熱工程を有する。 （もっと読む）

【課題】半導体基板を熱処理するバッチ式の熱処理装置に用いられる石英製品に含まれる例えばアルミニウム等の金属を除去することの可能な石英製品のベーク方法等を提供する。
【解決手段】
構成部品に石英製品（処理容器２、基板保持部３）を含む熱処理装置にて、当該石英製品２、３が未だ半導体基板の熱処理に使用されていない段階等において、基板保持部３に多数枚のダミー基板ＤＷを保持させて処理容器２内に搬入し、次いで、塩素を含むガスと水素とを供給し、当該反応容器２内を加熱雰囲気にして石英製品２、３をベークすることにより当該石英製品２、３中の金属を飛散させてダミー基板ＤＷに付着させ、その後、ダミー基板ＤＷを搬出する。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤ法により基板にカーボン保護膜を成膜する際に、基板を保持するキャリアに堆積するカーボン膜を効果的に低減し、堆積膜の剥離に伴うパーティクルの発生を抑制し、かつ、キャリア表面のカーボン堆積膜を発生源とするアウトガスの放出を抑制する。
【解決手段】成膜用基板をキャリアに装着して、接続された複数のチャンバ内に順次搬送し、前記チャンバ内で、前記成膜用基板上に、少なくとも磁性膜とカーボン保護膜とを成膜することによって、磁気記録媒体を製造する方法において、前記キャリアから成膜後の磁気記録媒体を取り外す工程の後、キャリアに成膜用基板を装着する工程の前に、キャリア表面に金属膜を成膜する工程を設ける。また、キャリア表面に金属膜を成膜する工程を、回転磁界によるアシストを用いたマグネトロン放電によるスパッタ法で行う。 （もっと読む）

【課題】少なくとも有機コーティング材料（ＯＬＥＤ材料）がその上に堆積されたパターニングデバイスの洗浄方法である。
【解決手段】この方法は、パターニングデバイスからコーティング材料をプラズマエッチング処理により除去するための洗浄プラズマを供給する工程を含む。コーティング材料をパターニングデバイスから除去する工程中、パターニングデバイスの温度はパターニングデバイスに損傷を生じさせる臨界温度を超えず、プラズマエッチング速度は少なくとも０．２μｍ／分、特には０．５μｍ／分、特には１μｍ／分、特には２．５μｍ／分、特には５μｍ／分で維持される。パルス洗浄プラズマを発生させるために、パルスエネルギーを供給する。本方法は直接プラズマエッチング法又は遠隔プラズマエッチング法によって実行することが可能である。異なるエッチング法を組み合わせても、連続的に実行してもよい。 （もっと読む）

【課題】水分量が１ＰＰＢ以下というこれまで実現しえなかった環境下での脱水を行うことができ、これにより、脱水時間を顕著に短縮し、残留水分を低減化する顕著な効果が得られ、また、極めて水の少ない環境下で半導体装置の製造を行い、半導体装置に不純物として残留する水を極限まで低減させることが可能となる処理システムを提供する。
【解決手段】酸素分子排出時に電圧印加をＯＮにし、酸素分子排出装置の電極間に電圧を印加して中空を通過するガス中の酸素分圧を制御する酸素分圧制御装置と、を備えるガス中の水分量を１ＰＰＢ以下に生成する極低水分ガス生成装置と、その極低水分ガス生成装置で生成された前記ガス中の水分量が１ＰＰＢ以下の極低水分ガスが導入され、該装置内部の水分が除去されてなる処理装置と、を備える処理システムとした。 （もっと読む）

【課題】
真空内で基板上にコーティングを形成するためのアセンブリを提供する。
【解決手段】
本発明は、真空内で基板にコーティングを形成するアセンブリに関する。当該アセンブリによると、カソードとして接続されている１つのターゲット上で少なくとも、電気アーク放電を発生させることによってプラズマが生成される。アーク放電は、アノードとターゲットとの間において、窓を通してターゲット表面に方向づけられている偏向可能な集束レーザビームによって発生させられる。本発明は、真空チャンバの窓領域に形成される望ましくないコーティングを大幅に低減するための技術的解決法を提供することを目的とする。本発明によると、このような構成とすることによって、永久磁石または電磁石が、窓と、少なくとも１つのターゲットとの間において、レーザビームの光軸に対して隣接して、上方、または、下方に配設され、レーザビームは、永久磁石または電磁石によって発生させられる磁界によって誘導される。 （もっと読む）

本発明は、真空下で基板を対象材料で被膜するべくカソードとして接続される対象からアーク放電を起こしてプラズマを形成するアノードに係る。本発明の目的は、必要なプラント工学上の労力を実質的に増加させることなく少なくとも被膜率を向上させることのできる手段による可能性を提供することである。本発明による、カソードとして接続された対象からアーク放電を起こすことでプラズマを形成するアノードは、その後、既知の方法により対象からある距離を隔てて配置される。同時に、アノード棒がアノード上の対象表面に平行に先ず配置される。加えて、帯状部材は、アノード上に間隙により互いから隔てられて形成される。その後、帯状部材が、アノード棒から基板の方向へ向かい表面に被膜される。この結果、形成されたプラズマは、アノードの帯状部材の２つの対向する面の間に封入される。 （もっと読む）

【課題】チャンバ内に残留する堆積物による半導体の汚染を防止する方法を提供する。
【解決手段】チャンバ１００表面近傍の温度制御付きセラミックのライナ１０２の温度は、半導体の基板処理中にライナ１０２表面上の堆積物形成の低減やライナ１０２表面から堆積物除去の促進を目的に設定される。チャンバ１００表面には堆積物が早く堆積するものもある。堆積物の形成又は除去の速度は温度に依存するので、ライナ１０２は異なる場所で温度を独立に設定可能に構成されうる。温度制御可能なライナ１０２が複数の場合、各ライナで保護されるチャンバの領域の堆積物の形成の低減又は除去の要件に応じ、異なる温度に設定される。好適には、基板処理時或いは洗浄処理時にチャンバ１００外部で生成されたプラズマが導管を通してチャンバ１００内に供給される。 （もっと読む）

【課題】被蒸着材上に均一で欠陥のない非晶質セレンの膜を形成できるセレン蒸着装置を提供することを課題とする。
【解決手段】真空チャンバと、真空チャンバ内に設置され、被蒸着材を保持する保持機構と、保持機構の下部に配置され、セレンを主成分とする蒸発材料を蒸発させる蒸発源と、蒸発源の外周の少なくとも一部を覆う蒸発源カバー、蒸発源に対向して配置され蒸発源から被蒸着材に向かう蒸発材料の蒸気を遮蔽するシャッター及び保持機構に保持された被蒸着材と蒸発源との間の蒸発材料が通過する領域を覆う防着カバーの少なくとも１つとを有し、さらに、蒸発源カバー、シャッター及び防着カバーの少なくとも１つを６０℃以下または１００℃以上に保持する温度調整機構とを有する構成とすることで、上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】陽極に形成された反応生成物を取り除くことができるシートプラズマ装置を提供する。
【解決手段】本発明のシートプラズマ装置１００は、内部を減圧可能な減圧容器６０と、プラズマガン１０と、減圧容器の内部においてプラズマを受ける平板状の陽極５１と、減圧容器の一部を成すように形成され、その内部に円柱状のプラズマ２２を流動させかつこの円柱状のプラズマをシート状のプラズマ２７に変形させるシートプラズマ変形槽２０と、減圧容器の一部を成すように形成された成膜槽３０と、陽極を回転させる回転機構７５と、陽極の背後にかつ円柱状のプラズマの中心軸２２Ａ上に配置された永久磁石５２と、シート状のプラズマと離れた位置に陽極の前面に対向するように配置された清掃部材７６と、清掃部材を陽極に押し付ける押付機構８１と、清掃部材とシート状のプラズマとの間に配置された遮蔽板８２と、を備える。 （もっと読む）

【課題】真空チャンバ内のパーティクルに起因する不具合の発生を確実に防止することのできる真空成膜装置、真空成膜方法および、この真空成膜を用いた有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】真空チャンバ１１内で素子基板２に成膜を行うマスク蒸着装置１０において、パーティクルモニタ１７によって真空チャンバ１１内のパーティクルを監視し、パーティクル量が所定値未満のときには真空チャンバ１１内で成膜処理を行う。これに対して、パーティクル量が所定値以上のときには、ガス導入装置１４による真空チャンバ１１内への窒素ガスの導入と、低真空用真空引き装置１５による真空チャンバ１１内の真空引きとを行う清浄化処理を実施する。 （もっと読む）

【課題】高品質の薄膜を形成することができると共に、防着板の交換頻度を大幅に少なく
し、製造効率を飛躍的に向上することができる蒸着装置を提供する。
【解決手段】蒸着装置１は、蒸着槽２と、蒸着槽２内に配置され、被蒸着体１０に蒸着さ
れる蒸着物質４１を供給する蒸着源４と、蒸着槽２内に交換可能に取り付けられ、蒸着物
質４１が蒸着槽２の側部隔壁２１に付着することを防止する防着板６と、蒸着時に防着ガ
スを防着板６に略沿って流すように蒸着槽２内に流入する流入口８と、蒸着槽２内から防
着ガスを排出する排出口９とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】リモートプラズマ処理方法を用いる洗浄装置及び方法において、エッチングレートを向上させ、これによって洗浄時間の短縮化を図る。
【解決手段】成膜装置の処理雰囲気に設置された成膜装置の構成部材１３０の表面から付着物を除去するための洗浄装置であって、上記構成部材１３０が載置される載置領域を有するチャンバ２と、フッ素を含む反応ガスをプラズマによって分解することによって活性ガスＧを生成し、活性ガスＧを上記チャンバ２内に供給する活性ガス供給部３と、上記チャンバ内に気化した水Ｗを供給する水供給部４とを備える。 （もっと読む）

【課題】熱処理炉内に被処理基板が搬入された時点からその被処理基板を帯電させることができ，これと同時に熱処理炉内のパーティクルを同じ極性に帯電させることができる縦型熱処理装置およびパーティクル付着防止方法を提供する。
【解決手段】最上段のウエハＷ１が炉口１４０Ａに到達すると，このウエハＷ１の表面にイオン化窒素ガス４１２が接触し，その表面はマイナスに帯電し，これと同時にパーティクル４１４にもイオン化窒素ガス４１２が接触し，マイナスに帯電するため，相互間に斥力が生じ，ウエハＷ１へのパーティクル４１４の付着が確実に防止される。 （もっと読む）

【課題】大型化した洗浄対象物や形状の異なる複数の成膜治具について付着膜を効率良く剥離回収することができる剥離洗浄装置を提供する。
【解決手段】付着物の付着した洗浄対象物Ｗが配置される矩形状のテーブル２と、洗浄対象物Ｗに向けて配置される洗浄ノズルを有し、洗浄対象物Ｗに付着した付着物に対し高圧水を噴射するノズル装置３と、ノズル装置３をテーブル２の長手方向としてのＸ軸方向および幅方向としてのＹ軸方向にそれぞれ移動させるＸ軸駆動手段およびＹ軸駆動手段と、洗浄ノズルを垂直方向としてのＺ軸方向に移動させるＺ軸駆動手段と、洗浄ノズルを垂直軸まわりに回転させるＲ軸駆動手段と、を備えてなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】蒸発により飛散した物質がポールピース上に堆積していくのを防止するとともに、真空チャンバ内、特にポールピースの周囲に余分な残骸物を残しておくような状況をつくり出さないことの可能な真空蒸着装置を提供する。
【解決手段】ポールピース５１を蒸発により飛散した物質から遮蔽するポールピースカバー１５と、該ポールピースカバー１５を所定の支点を中心として回転駆動し及び並進駆動する駆動手段を備える。そして、前記ポールピースカバー１５を被打撃体２０の被打撃面に所定回数衝突させて、当該ポールピースカバー１５に付着した物質を該ポールピースカバー１５から剥落させるように、前記駆動手段を駆動制御する制御手段を備える。 （もっと読む）

【課題】真空蒸着装置において、蒸着材料の溶かし込み工程で付着した膜に起因する成膜への影響を除去する。
【解決手段】ガス吸排気手段を有する真空槽、真空槽内部に配置された基板保持手段、基板保持手段に対向配置された蒸着源、蒸着源に電子ビームを照射する電子銃、蒸着源を開閉するシャッタ、プラズマ発生手段、並びにガス吸排気手段、電子銃、プラズマ発生手段及びシャッタを制御する制御手段からなる真空蒸着装置の制御方法であって、（Ａ）蒸着源に蒸着材料を充填し、基板保持手段に基板を設置する工程、（Ｂ）ガス吸排気手段によって真空槽内を所定のガス雰囲気に設定及び維持する工程、（Ｃ）プラズマ発生手段によって真空槽内にプラズマ雰囲気を生成する工程、（Ｄ）プラズマ雰囲気において電子銃を照射して蒸着材料を融解する溶かし込み工程、及び（Ｅ）シャッタを開いて成膜を開始する工程からなる制御方法である。 （もっと読む）

【課題】蒸着前の蒸着材料の減少を効果的に防ぐとともに、高品質の機能素子を製造することができる蒸着装置等を提供する。
【解決手段】蒸着装置であって、真空槽１１と、該真空槽内で被蒸着物２２を支持する手段２０と、前記被蒸着物に蒸着させる蒸着材料を収容する容器１２ａ，１２ｂと、前記真空槽内に周波数２．４〜２．５ＧＨｚのマイクロ波を照射して水分を蒸発させるマイクロ波照射手段１５，１６，１７と、前記容器に収容された蒸着材料を気化させる加熱手段１３とを具備することを特徴とする蒸着装置１０。 （もっと読む）

【課題】垂直磁気記録媒体の製造において、生産効率を低下させることなく、磁気記録層のピンホールの原因となるパーティクルを捕捉することができ、磁気記録層のピンホールが起因の磁気再生出力低下による不良を低減することができる。
【解決手段】製膜装置の基板搬送ホルダー除膜室１４と基板ロード室２の間にパーティクル捕捉電極１６を設置する。さらに、基板ロード室２以降でＣｏ合金キャップ層形成室１１までの任意の層形成室間に、パーティクル捕捉電極１６を設置する。製膜装置内の電荷を帯びたパーティクルを、正または負に電圧印加されたパーティクル捕捉電極１６のクーロン力によりに捕捉する。 （もっと読む）