【課題】精度よく薄膜の膜厚を制御することができる、回転円筒ターゲットを備えたスパッタ源、該スパッタ源を備えたスパッタ成膜装置、および該スパッタ成膜装置を用いたスパッタ成膜方法を提供する。
【解決手段】スパッタ室１内に回転円筒ターゲット２を備えたスパッタ源において、前記スパッタ室１内に回転円筒ターゲット２との間に間隙５を有するようにシールド４を設け、該シールド４により前記スパッタ室１を、前記回転円筒ターゲット２のスパッタリングガスイオンの衝撃側の領域１ａと、スパッタリングガスイオンの非衝撃側の領域１ｂとに仕切り、スパッタリングガスを領域１ｂから間隙５を通して領域１ａに導入してスパッタリングする。 （もっと読む）

【課題】大電流放電を行ってアークを安定して蒸発面上所定のエリアに閉じ込め制御可能とする真空アーク蒸発源を提供する。
【解決手段】 柱状蒸発物質の蒸発面を含む領域に磁界を形成して放電する真空アーク蒸発源であって、柱状蒸発物質の蒸発面における柱状蒸発物質の軸方向に伸びる略長円状の放電電圧の低い放電領域にアークスポットを閉じ込めるように、磁力線の角度を設定する磁場発生源と、２００Ａ以上のアーク電流値を設定するアーク電源とを備えている。 （もっと読む）

【課題】単結晶ターゲットを用いたＥＣＲスパッタ法でＬｉＮｂＯ₃薄膜が形成できるようにする。
【解決手段】ＬｉＮｂＯ₃単結晶ターゲット１００は、矩形の板状に成形された８枚のＬｉＮｂＯ₃単結晶板１０１より８角柱の筒状に形成されたものである。ＬｉＮｂＯ₃単結晶ターゲット１００は、円筒形状の銅製のハウジング１０２に収容され、また、ハウジング１０２の両開放部に配置されるターゲットシールド１０３により覆われて用いられる。ＬｉＮｂＯ₃単結晶板１０１は、各々が互いに当接される接着面１１１において接着されている。ターゲットシールド１０３は、ＬｉＮｂＯ₃単結晶ターゲット１００の両端面，接着面１１１，及びハウジング１０２をプラズマの照射から保護するために配置されるものであり、ＬｉＮｂＯ₃単結晶ターゲット１００の断面形状に合わせて８角形の開口部を備えている。 （もっと読む）

【課題】基材と蒸発材の熱膨張差により両材の境界部に生じる残留応力による蒸発材の剥離や割れの発生を抑制すると共に、両材の十分な密着性を確保する。
【解決手段】筒状の基材２の外周面に蒸発材３を被覆してなるＰＶＤ用筒状ターゲット１において、基材２と蒸発材３の境界部４は、角部を丸めて形成される凸形状と凹形状の双方又は何れか一方の形状からなる噛合部５を有している。 （もっと読む）

【課題】筒状の焼結体であって、スパッタリングターゲットとして使用した際に、有機ＥＬ素子等の性能を低下しない膜を与える焼結体を提供する。
【解決手段】酸化インジウムと、酸化亜鉛、ランタノイド元素の酸化物、アルカリ金属元素の酸化物及びアルカリ土類金属元素の酸化物からなる群から選択される１種以上の酸化物と、を含む焼結体であって、筒状形状を有することを特徴とする焼結体。 （もっと読む）

【課題】本発明は、擦傷性が強く、膜硬度がＤＭＳ薄膜より低く、蒸着法より高い、輝点の少ない反射防止積層体の製造方法、光学機能性フィルタおよび光学表示装置を提供する。
【解決手段】基材上に物理膜厚が１００ｎｍ以上である、又は、基材上に、屈折率の異なる光学薄膜層を複数積層からなり物理膜厚が１００ｎｍ以上である反射防止層を形成する反射防止積層体の製造方法において、前記反射防止層が回転式ターゲットを用いたマグネトロンスパッタリング法により形成され、かつ前記回転式ターゲットを用いたマグネトロンスパッタリング法が、スパッタリングターゲットとしての反射防止層形成材料、及び電源に接続された少なくとも１対の電極を有し、前記電極にパルスパケット方式によりＤＣパルス電圧を印加し、複数回のＤＣパルス電圧印可後、対になっているそれぞれ電極の極性を反転させることを特徴とする。 （もっと読む）

本発明は、回転可能なスパッタターゲットを製造する方法に関する。本方法は、バッキングチューブを設けるステップと、バッキングチューブに少なくとも１本の細長部材を巻き付けることによって、バッキングチューブ上にターゲット材料を設けるステップと、ターゲット材料の上に表地を設けるステップと、表地および／またはバッキングチューブに熱および／または圧力を加えるステップと、表地を除去するステップとを含む。 （もっと読む）

マグネトロンスパッタリング設備の取付基部（３１４）とエンドブロック（３１０）との間に導入されるインサート部品（３４０）が記載されている。このようなインサート部品は、その一端部においてエンドブロック取付面（３２２）の複製（３２２’）を有し、その他端部において取付け基部取付面（３２０）の複製（３２０’）を有している。インサートの内側には、冷媒、電流、および動力を取付け基部（３１４）とエンドブロック（３１０）との間に送るために、伝達ロッド（３４２）および管（４４４，４４４’）が設けられている。インサート部品（３４０）は、ターゲットと基板との間の距離を調整することに有効である。インサート部品の有利な実施形態では、ターゲット管の熱膨張または弛みによって生じるエンドブロックのわずかな変位を吸収するために、弾性手段をエンドブロック内に組み込んでいる。他の有利な実施形態では、インサートは、基板の面を横切って延在する長さとなっている。これによって、設備を過度に改修することなく、ターゲットを、基板の正常な被覆側と反対側を被覆するように、適宜取り付け可能となっている。
（もっと読む）

【課題】ホットプレスと焼結操作が不用で、そして高電力レベルでも複雑な形状を有する大型のターゲットとして使用可能となるように高い導電性を有するターゲットの製造に適用可能な、半化学量論的ＴｉＯ_２からなるスパッタリングターゲットの改良された製造方法を提供する。
【解決手段】電気抵抗が０．５Ω・ｃｍ以下で、ｘが２より小さい半化学量論的な二酸化チタンからなり、必要により酸化ニオブを含むスパッタリングターゲットの製造方法であって、酸素を含まず、かつ酸素含有化合物を含まない雰囲気で回転可能なターゲット基材上に、二酸化チタンＴｉＯ_２、そして必要により酸化ニオブも一緒にプラズマ溶射する工程と、半化学量論的二酸化チタンが酸素と結合しない条件で冷却され凝固してなるＴｉＯ_ｘで上記の回転可能なターゲット基材を被覆する工程を含む。 （もっと読む）

本発明は、容量層を含む多孔性面電極及びその製造方法に関するものである。本発明の多孔性面電極には、下に位置する多孔性表面の構造を保護するより薄い容量性コーティングが含まれている。１つ以上の処理パラメータを制御することによって、容量性コーティングの平均厚さ及び表面形態を制御することが可能である。
（もっと読む）

【課題】 生産性に優れ、且つ、ターゲット層の厚みを厚くできる新規な、円筒型Ｍｏ合金スパッタリングターゲット材の製造方法を提供する。
【解決手段】 （Ｖ、Ｎｂ、Ｃｒ）の１種以上から選択される金属元素を０．５〜５０原子％含有し、残部はＭｏ及び不可避的不純物からなる板状のＭｏ合金素材を、スピニング加工により円筒形状とする円筒型Ｍｏ合金スパッタリングターゲット材の製造方法である。（Ｖ、Ｎｂ、Ｃｒ）の１種以上から選択される金属元素のうち、最も好ましく元素はＮｂである。 （もっと読む）

【課題】高分子フィルム等の薄膜形成用基材表面に所定のパターンを有する薄膜を、スパッタリング法により形成するに際し、高品質なパターンを効率よく形成することができるマグネトロン型スパッタ装置、及び成膜方法を提供する。
【解決手段】内側に磁場発生手段と冷却手段とが設置され、外周面にスパッタ材料の層が形成されてなる、円筒形状のマグネトロン型回転カソードターゲットと、外周面に所定のパターンで形成された開口を有し、前記ターゲットの外周を取り囲むように、前記ターゲットと離間して設置された円筒形状のマスク部材とを備え、前記マスク部材の外周面に薄膜形成用基材を配置した後、前記ターゲットの内部を冷却手段により冷却し、該ターゲットを円筒軸の周りに回転させながら放電を行うことにより、前記薄膜形成用基材の表面に所定のパターンを有する薄膜を成膜するマグネトロン型スパッタ装置、及びこの成膜装置を用いる成膜方法。 （もっと読む）

物理蒸着処理、化学蒸着処理、またはこれらの組合せによって、基板を被膜するように設計された被膜用の装置が提供される。前記被膜用の装置は、軸方向に移動可能なシャッタ（１８）によって被膜可能な回転可能なマグネトロン（１４）を用いる点に特徴がある。このような構成によって、後続する被膜のためのステップ間または後続する被膜のためのステップ中に、マグネトロンターゲットを清浄に保持するかまたはターゲットを清浄化することができる。シャッタは、ターゲットの近傍に制御可能なガスの雰囲気をさらにもたらす。マグネトロンが中心に配置されてもよく、従って、基板は、マグネトロンを中心として回動する遊星状の回転体（２４）に吊り下げることによって、あらゆる角度からスパッタリング源に晒されることとなる。
（もっと読む）

【課題】化合物薄膜を高い効率で形成する。
【解決手段】真空槽３内の成膜ステージには、ＰＥＴフィルム４上に金属薄膜を形成するスパッタリング装置１０と、酸素イオンを放出するイオン銃１１とが配されている。スパッタリング装置１０は、流量コントローラ１３でスパッタガスと酸素ガスの導入比率を変化させることにより、酸素ガスを含む雰囲気で高速にスパッタリングを行う遷移領域モードで動作させる。ＰＥＴフィルム４が連続的に搬送されている間に、スパッタリング装置１０で金属薄膜の形成が行われ、その直後にイオン源１１にからの酸素イオンで金属薄膜が酸化される。 （もっと読む）

【課題】 良好なターゲット利用率を有する非平衡マグネトロンスパッタ（ＵＢＭＳ）用カソードを提供する。
【解決手段】 ターゲット４と、これに対向するように設けられた基板Ｗに伸びる磁力線が形成されるように設けられた中央磁石１と、中央磁石１の外周部に設けられた外周磁石２と、これらの磁石１，２を磁気的に接続するヨーク３を備える。前記中央磁石１と外周磁石２とは、各々の磁石のターゲット側端部はヨーク３に対して同一ないしほぼ同一の高さになるように配置されると共に前記中央磁石１は、磁気的空間部７を介して前記ヨーク３に磁気的に接続される。また、前記ターゲット４の基板側表面に凸状に形成される磁力線を平坦状に制御する薄板状の磁性体部材５が前記中央磁石１と外周磁石２との間に設けられる。 （もっと読む）

【課題】管状カソードを有するスパッタ装置において、基板に対する連続的かつ均一な被覆のために、管状カソードの供給を可撓性を有する案内線要素を介して行う。
【解決手段】電力、冷却液、および他の媒体の管状カソードへの供給は、受容器に巻かれる可撓性を有する線および／またはチューブを介して行われる。管状カソードが振り子運動を終了すると、その線および／またはチューブは受容器上に巻かれるか、または、そこから解される。管状カソードの振り子運動は、管状カソードが第１の方向における第１の角度と、および第１の角度とは異なる後続する第２の方向における第２の角度とに回転されるようにすることが望ましい。 （もっと読む）

【課題】 反応性スパッタ法で直流放電により絶縁物薄膜を形成しようとする場合、アノードの絶縁化を防ぎ放電を安定させる。
【解決手段】 導電性ターゲットのエロージョン領域の一部からアノードの少なくとも一部までの距離を、放電開始可能距離以上かつスパッタされた粒子の平均自由行程λの２倍以下になるように近接配置し、接地電位または正電位とすることで、スパッタされた金属粒子を常時供給し、アノードの導電性を維持する。 （もっと読む）

【課題】安価で且つ効率良く製作し得る、回転円筒型マグネトロンスパッタリングカソード用ターゲット組立体、それを用いたスパッタリングカソード組立体、及び回転円筒型マグネトロンスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】回転円筒型マグネトロンスパッタリングカソード用ターゲット組立体Ａは、６面以上の多面筒状支持体１の各外側面１aにバルク状の短冊形ターゲット材料片２をそれぞれ接合して、このターゲット材料片２の外周面を円筒状に加工して構成される。 （もっと読む）

固定されるか又は中心軸回りに回転可能である中空円筒状スパッタターゲット、並びに前記スパッタターゲット内で軸回転される内部磁石アセンブリを有する、スパッタリングカソード装置。 （もっと読む）

本発明は、少なくとも１つの相が結晶粒構造を有する、少なくとも２相又は少なくとも２成分を有する材料からなるスパッタターゲットにおいて、少なくとも１つの相の前記結晶粒構造は、最大直径対前記最大直径に対して垂直方向の直径の直径比が２より大で、かつ理論密度の少なくとも９８％の密度を有することを特徴とする、スパッタターゲットに関する。さらに、本発明はスパッタターゲットの製造方法に関する。 （もっと読む）