【課題】安全性、操業安定性に優れ、しかも低コストの蒸着用素材を提供する。
【解決手段】棒状の蒸着素材本体２と、該蒸着素材本体２の片端部に接合されたつかみ部３とを有するとともに、つかみ部３は、蒸着素材本体２よりも径の小さいロッド部４と、該ロッド部４から拡径したフランジ部５とが一体に形成され、該フランジ部５と蒸着素材本体２との間が、その外周部を飛び石状に溶接することにより、隙間Ｇをあけて接合されている。 （もっと読む）

【課題】基板への被覆層が、長い時間期間に亘って良好な安定性を有し、その上、その層の特性、例えば、シート抵抗及びシート均一性が改善された装置を提供する。
【解決手段】真空チャンバ２には、ｎ個のカソード７−１０と、各々カソード７−１０に隣接したｎ＋１個のアノード２８−３２と、が配置される。上記ｎ個のカソード７−１０の各々及び上記アノードのうちの、ｎ個の割り当てられたアノード２９−３２は、電力供給源１１−１４に接続される。上記アノードのうちの、カソード７−１０に割り当てられていない１つのアノード２８は、上記アノード２８−３２の各々を接続している電気ライン６３に接続される。プルダウン抵抗器３４の一端が上記ライン６３に接続され、そのプルダウン抵抗器３４の他端が接地３３に接続される。 （もっと読む）

【課題】ワークに均一に成膜を行う。
【解決手段】ターゲット１１とワークＷとの間には、ＲＦコイル２３が配され、ターゲット１１からワークＷに向けて飛散するスパッタ粒子は、ＲＦコイル２３に高周波電力が供給されるとによってプラスイオンにイオン化される。ワークＷまたはワークＷを保持するワークホルダ８には、バイアス電源２６によってマイナスのバイアスが与えられ、イオン化されたスパッタ粒子を吸着する。バイアス電源２６に流れる電流は、付着したスパッタ粒子が直ちに電気的に中性とならないように制限される。 （もっと読む）

【課題】スパッタリングの成膜効率の向上を図る。
【解決手段】円筒形の支持筒の外周のターゲット層を形成してあり、中空部内に磁石ユニット２４を配してある。磁石ユニット２４は、各磁石２４ｂのＮ極で構成される第１磁極面がジグザグ状に配してあり、その周囲を各磁石２４ｃのＳ極で構成される第２磁極面が囲むようになっており、ターゲット層の表面近傍に現れる磁界の向きをその母線方向と傾斜したものとし、ターゲット層２７の母線方向の長さに対する磁力線を多くし、ターゲット層の表面近傍での磁界の分布を広げる。 （もっと読む）

【課題】大型化することなく多数のワークに一括して成膜処理を行える装置を提供する。
【解決手段】主軸１３を中心に回転する主回転部１５には、複数の副回転部１６を設けてあり、各副回転部１６には、それぞれ複数のワークホルダ１７を設けてある。ワークホルダ１７に保持されるワークＷは、主回転部１５，副回転部１６の回転により、主軸１３を中心にした回転と副軸３６を中心にした回転をしながら、回転軸４６を中心に自転し、各ワークＷの各面がターゲットに順次に対面されて成膜が行われる。 （もっと読む）

【課題】ワークの移動にともなう異物の付着や膜の変質等を防止する。
【解決手段】真空槽３内の第１成膜ステージ８には、スパッタリング装置を構成するスパッタリング装置１０が配置され、第２成膜ステージ９には、蒸着装置１１が配置されている。カルーセル４を回転させながらスパッタリング装置１０を作動させて薄膜を形成するスパッタリング工程を行う。このスパッタリング工程の後に、蒸着装置１１を作動させてさらに薄膜を形成する。スパッタリング工程では、蒸着材料が蒸発ないし昇華しないように蒸着装置１１を冷却する。 （もっと読む）

【課題】割れ、欠けを著しく低減できる円筒形スパッタリングターゲットの製造方法を提供する。
【解決手段】ＩＴＯまたはＡＺＯ等のセラミックス焼結体からなる複数個の円筒形ターゲット材間に、少なくとも表面がフッ素樹脂からなる介在物を挿入し、それらを封止した後に、円筒形基材の外側面にＩｎ等の半田材を用いて接合し、半田材が固化した後に半田材の融点より低い温度まで加熱を行い、加熱の開始温度以上で介在物を取り除くことを特徴とする、円筒形スパッタリングターゲットの製造方法。 （もっと読む）

【課題】デュアルマグネトロンスパッタリングの動作および性能を改善すること
【解決手段】管状ターゲット（２）の近傍に磁界（１０３）を形成するように配置された磁気アレイを備え、前記管状ターゲットは、前記磁気アレイを少なくとも部分的に囲み、カソード（２ａ）として作動し、更にアノード（２ｂ）を備え、前記磁気アレイは、基板（３）に対する直角入射角に対して非対称のプラズマ分布を形成するように配置されており、前記カソード（２ａ）から前記アノード（２ｂ）に流れる電子に対する比較的低いインピーダンスパスを生じさせるよう、磁界強化手段（１ｂ）を更に備える、マグネトロンスパッタリング装置（１００）。 （もっと読む）

【課題】スパッタ中の割れを著しく低減できる円筒形スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】ＩＴＯまたはＡＺＯからなる円筒形ターゲット材１の相対密度が９０％以上であり、外周面の研削方向２と円筒軸に平行な直線３とのなす角度（前記角度のうち、０°以上９０°以下のものを示すθとする）が、４５°＜θ≦９０°またはｔａｎθ＞πＲ／Ｌ（Ｒは円筒形ターゲット材１の外径、Ｌは円筒形ターゲット材１の長さ）であり、かつ、前記円筒形ターゲット材１の外周面の表面粗さＲａが３μｍ以下である円筒形スパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】回転自在に設けられた円筒状ターゲットの長さ方向の端部での局所消耗を抑制し、エロージョン領域を均一化し、その使用寿命を向上させることができるスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】回転自在とされた円筒状ターゲット１３を有し、前記円筒状ターゲット１３の内側に設けられ、その長さ方向に沿って配置された磁場発生部材１４を有するスパッタ蒸発源２の一対と、前記一対のスパッタ蒸発源２のそれぞれの円筒状ターゲット１３を共にカソードとしてこれらに放電電力を供給するスパッタ電源３を備える。前記一対のスパッタ蒸発源２，２は、それぞれの円筒状ターゲット１３が平行に対向して配置され、それぞれの磁場発生部材１４，１４は円筒状ターゲット１３，１３の表面を通り、互いに引き合う向きの磁力線を形成する磁場を発生させる。 （もっと読む）

【課題】原子炉炉心に挿入して炉心内の中性子を測定する中性子検出器のカソードに形成される中性子変換層ついて、高真空度下においても安定なプラズマを発生させて、品質（膜質）の高い中性子変換層を得ることのできる成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜装置１は、放電電極２と、中性子検出器３０のカソード３３として用いられる円筒状の接地電極４と、放電電極２と接地電極４とを電気的に絶縁する筒状あるいはスリーブ状の絶縁体５と、放電電極２と接地電極４との間に電力を供給する電源部６と、放電電極２と絶縁体５とを接地電極４の長手軸方向に移動させる電極移動部７と、電源部６が供給した電力により放電電極２と接地電極４との間に発生した電界へ磁界を加える磁界発生部８と、少なくとも接地電極４内を真空にする真空手段９とから構成される。 （もっと読む）

【課題】金属線材にスパッタリング法により被膜処理を施す金属線材の成膜装置を提供する。
【解決手段】金属線材の表面にスパッタリングにより被膜処理を施す成膜装置において、金属線材は陽極とされており、金属線材の周囲に、前記金属線材よりも低い電位又は接地された異種金属ターゲットが配置されており、さらに前記異種金属ターゲットの周囲に、前記異種金属ターゲットと電気的に絶縁された前記異種金属ターゲットと同一材質の部材が電気的に浮かした状態で配置されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】セラミックス焼結体をターゲット材とする円筒形スパッタリングターゲットであって、スパッタ中にターゲット材に割れが発生することのない円筒形スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】円筒形基材の外周面にセラミックス焼結体からなるターゲット材を低融点半田を用いて接合してなる円筒形スパッタリングターゲットであって、ターゲット材が軸方向に複数に分割されており、且つ、室温においては、前記軸方向の分割部に所定の間隙を有し、スパッタ時においてもターゲット材どうしが互いに接触しないようにする。 （もっと読む）

【課題】被堆積面がダメージを受け難くかつ膜組成の変更が容易なマグネトロンスパッタリング技術を提供する。
【解決手段】本発明の成膜方法は、各々が方向５１に延びた形状を有するターゲット部２１および２２を方向５２に並べてなりかつターゲット部２１および２２は組成が異なるスパッタリングターゲット２と、カソードマグネット１１と、基板３と、枠体１４１とこれに支持されたトラップマグネット１４３ａおよび１４３ｂとを備えたスパッタリングトラップ１４とを、ターゲット２と基板３とが枠体１４１の開口部１４２を挟んで向き合いかつターゲット２がカソードマグネット１１と基板３との間に介在するように配置し、カソードマグネット１１がターゲット部２１および２２と順次向き合うようにカソードマグネット１１をターゲット２に対して方向５２に相対的に移動させながらマグネトロンスパッタリング法により基板３上に膜を形成することを含む。 （もっと読む）

本発明は、昇華されることが可能な金属層または金属合金層の真空蒸発によって、走行する基材の少なくとも１つの表面を被覆する方法に関し、金属または金属合金が、少なくとも２つのインゴットの形態で互いに接触して基材の表面に対向して設けられており、基材表面の方に向けられたインゴットの表面は、被覆プロセスの間、基材から一定距離で、基材に平行に保持されている。本発明はまた、上記方法を実行するための被覆装置、およびそのような装置用の金属供給装置（１）に関する。
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本発明は、帯材状の基板の表側の少なくとも一部の領域を、第１のプロセスチャンバ内及び第２のプロセスチャンバ内で真空処理、特に真空コーティングするための処理装置であって、前記第１のプロセスチャンバが第１のプロセスローラと少なくとも１つのプロセス源とを有し、前記第２のプロセスチャンバが第２のプロセスローラと少なくとも１つのプロセス源とを有している形式のものに関する。本発明によれば、前記第１のプロセスチャンバと第２のプロセスチャンバとの間にトランスファチャンバが配置されており、該トランスファチャンバが、前記２つのプロセスチャンバに接続されていて、前記２つのプロセスチャンバのうちの少なくとも一方に対して圧力的に分離可能であって、処理しようとする基板のための、取り出し可能な繰り出し部を備えた繰り出し装置と、取り出し可能な巻取り部を備えた巻取り装置と、前記繰り出し部及び／又は巻取り部を供給可能及び取り出し可能にするためのアウターロックとを有している。この場合、前記処理しようとする基板はその裏側が、第１及び第２のプロセスローラに対面していて、該基板が、前記巻取り装置から第１のプロセスローラにガイドされ、第１のプロセスローラから第２のプロセスローラにガイドされ、また第２のプロセスローラから前記トランスファチャンバを通って前記巻取り装置にガイドされるようになっている。本発明は、このような処理装置を駆動するための方法に関する。
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【課題】大電力によるスパッタ時においても、ターゲット材の割れや剥離が発生せず、溶射法やＨＩＰ法によるものと異なり、あらゆる材質のターゲットに適用可能で、かつ、低コストの円筒形スパッタリングターゲット及びその製造方法を提供する。
【解決手段】円筒形基材の外側面に円筒形状のセラミックス焼結体からなる円筒形ターゲット材を複数接合してなる円筒形スパッタリングターゲットとするとともに、前記円筒形ターゲット材同士の接続部に所定量の間隙を有する円筒形スパッタリングターゲットとする。 （もっと読む）

【課題】セラミックス焼結体をターゲット材とする円筒形スパッタリングターゲットであって、スパッタ中にターゲット材に割れが発生することのない円筒形スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】円筒形基材の外周面に円筒形状のセラミックス焼結体からなるターゲット材を接合してなる円筒形スパッタリングターゲットにおいて、円筒形基材の外周面と円筒形ターゲット材の内周面との間に、スパッタ中に円筒形基材と円筒形ターゲット材の熱膨張率の相違に起因して発生し円筒形ターゲット材に作用する内圧を吸収するための空隙を有し、かつ、十分な熱伝導性と接合強度を有する接合層を設ける。 （もっと読む）

【課題】ターゲット表面での絶縁物の蓄積による異常放電の発生を防止し、膜質を向上させることが可能なスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】成膜プロセス領域２０Ａと反応プロセス領域６０Ａとが内部に形成された真空容器１１と、成膜プロセス領域２０Ａ内でスパッタリングを行い基板Ｓの表面に膜原料物質を付着させるスパッタ手段２０と、反応プロセス領域６０Ａ内でプラズマを発生させて基板Ｓの表面に付着した膜原料物質の反応物を生成させるプラズマ発生手段６０と、を備え、スパッタ手段２０は、中心軸線Ｘａ−Ｘｂを中心に回転可能な円筒状ターゲット８１と、円筒状ターゲット８１の表面に漏洩磁界を形成する磁性体ユニット８８と、磁性体ユニット８８に対して円筒状ターゲット８１を回転させるターゲット回転モータ９３と、を備えた。ターゲットの表面に非エロージョン領域が生じにくいため、絶縁物が蓄積しにくく、異常放電の発生を防止できる。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング時にスパッタリングターゲット部のクラック不良や割れ不良およびスパッタリングターゲット部の膨張によって回転時にスパッタリングターゲット部が空転する現象を防ぐことができる回転式ターゲットアセンブリを提供する。
【解決手段】中空状の回転ローラと、回転ローラの外周に形成されたスパッタリングターゲット部と、回転ローラとスパッタリングターゲット部との間に介在され、熱伝導率がスパッタリングターゲット部より大きい冷却挿入部材とを備える回転式ターゲットアセンブリ。 （もっと読む）