本発明は、管状ターゲットであって、円筒形の１つの支持管及び該支持管の外周面上に配置された少なくとも１つのターゲット管を備えていて、前記ターゲット管と前記支持管との間に結合層を配置してある形式のものに関し、本発明に基づき、結合層は導電性でかつ９０％より大きな濡れ度を有している。
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【課題】固定装置及び／又は管端部カバーが、材料接続的又は形状接続的に支持体ボディと結合されていることによって、さもなければ必要なスパッタ材料と支持体管との間のろう接過程を生ぜしめる問題を回避する。
【解決手段】固定装置及び／又は管端部カバーが、材料接続的又は形状接続的にターゲットボディと結合されているようにした。 （もっと読む）

【課題】ターゲット材料を損傷させることなく成膜速度を上げることができる円筒状ターゲット及び成膜方法を提供する。
【解決手段】実施の形態の円筒状ターゲットによれば、まず、バッキングチューブ１８とターゲット材料２０を接合する接合材を、カーボンシート２２又はインジウム金属とする。次に、ＪＩＳ Ｒ１６１８の規定による２０〜６００℃での平均線膨張率がターゲット材料２０よりも高く、且つ１２×１０^-6／Ｋ以下の材料、例えばチタンによってバッキングチューブ１８を製作する。ターゲット材料２０は、前記平均線膨張率が３．５〜５．５×１０^-6／ＫのＳｉ含浸ＳｉＣで製作されている。 （もっと読む）

【課題】支持軸およびターゲット管の高度でかつ高負荷可能な同軸性と、水および真空に対する高い信頼度のシールと、前記支持軸とターゲット管との簡単な、頻繁に繰返し可能な、磨耗の少ない結合部および分離部とが、必須の操作のための広い自由空間および長い時間を必要とすることなく同時に実現可能であるようなものを提供する。
【解決手段】少なくとも駆動可能な支持軸６とターゲット管１２との間に、これらに対して同軸的なスペーサ部材１５，６７と、解離可能な２つの分離箇所３２／５３；６０／６１とが配置されており、該分離箇所３２／５３；６０／６１によって、一方では支持軸６とスペーサ部材１５，６７との間の、他方ではスペーサ部材１５，６７とターゲット管１２との間の、相対回動不能でかつ形状剛性的な結合部が、解離可能および再形成可能であるようにした。 （もっと読む）

【課題】 スパッタリング成膜においてプラズマダメージを低減させて、ターゲット材の利用効率良くする。
【解決手段】 円筒状のカソード電極（ターゲットを含む）を用い、又、円板状のアノード電極及び、リング状マグネットをスムージングさせる。更には電場・磁場の形成を自由に形成可能にする。 （もっと読む）

【課題】ケーブル、帯、柱状材などの被処理材を長手方向に移動させながら、その表面に厚み２μｍ以上の厚い薄膜を作製することが可能な薄膜作製方法及び装置を提供すること。
【解決手段】直径よりも軸方向長さの方が２倍以上長い管状材１を一方の電極とし、もう片方の電極を管状材１中を通過するケーブル、帯、柱状材などの長尺の被処理材２そのものとする筒状スパッタ装置４を構成する。この筒状スパッタ装置又はこれと二極平板型のスパッタ装置を総計で２以上配置し、これら２以上のスパッタ装置のそれぞれの電極間にプラズマを発生させ、このプラズマ中に被処理材を長手方向に順次に通過させ、被処理材２の表面にスパッタによる金属、半導体、絶縁体などの各種薄膜を作製する。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング用の回転ターゲットの冷却システムにおいて、回転軸、マグネットの冷却を効果的に行い、また同時にターゲットの不均一冷却に起因する熱膨張破損を防止する。
【解決手段】ターゲットバッキングチューブ205と、ターゲットバッキングチューブの外面と接触しておりかつ電気伝導性であり非熱伝導性であるバッキング層210と、バッキング層と接触している複数の非接着式ターゲット円筒体215と、を含むターゲットアセンブリ200。 （もっと読む）

本発明は、プラズマ場を発生させるための陽電荷源としての役割も果たすガス供給装置を用いたマグネトロンスパッタリング装置を提供する。前記スパッタリング装置は、真空チャンバ、スパッタ可能な物質の陰極ターゲット、正および負の電荷を供給する電源、並びに、ガス供給装置を備えている。前記ガス供給装置は、シンプルな穴あきガス供給部材を備えていてもよいし、導電性陽極表面が付与された穴あきガス供給部材を備えていてもよい。前記ガス供給部材は、また、スパッタリングガスの流れを調節する役割を果たす、更に多くの穴のあいた内部導管を備えていてもよい。ガス流は、前記ガス供給装置の個別の部分の内部で調節してもよい。前記ガス供給装置の陽極表面は、プラズマおよびガス流の作用により清浄化され、より安定したプラズマを発生させ、メンテナンスの必要性を低減させる。
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【課題】 円筒部材（正確には複数の扇型に湾曲された湾曲部材からなる略円筒の部材）の一部をターゲットとして使用した上で、この円筒部材を用いてプラズマ重合の機能を付加することを意図した真空成膜装置を提供する。
【解決手段】 真空成膜装置１００は、内部空間を有する導電性の真空槽１３と、前記内部空間１０に複数の扇型に湾曲された湾曲部材３１、３２を並べて配置することにより、略円筒形をなすように構成された枠体１５と、前記枠体１５に囲まれた内部に配置され、前記枠体１５の周方向に沿うように磁界を形成する磁界形成手段３３と、を備え、前記湾曲部材１５、１６のうちの少なくとも一つはスパッタリングに使用するターゲットであり、かつ前記ターゲットを除いた前記枠体の領域が、プラズマ重合に使用される装置である。 （もっと読む）

【課題】 基板、特にガラス基板をコーティングするための装置のコーティングチャンバ２に少なくとも１つのスクリーン９を装着するための保持装置１２を提供する。
【解決手段】 保持装置１２は、当該保持装置１２によって保持されるスクリーン９が、当該保持装置１２の動きにより少なくともコーティングチャンバ２内における第１の位置から第２の位置に動かされ得るように構成される。保持装置１２は、スクリーン９が第１の位置から第２の位置に移動する途中に障害物を避けることを可能にするような手段１３を有する。特に、第１の位置から第２の位置への移動中に、スクリーン９は保持装置１２上に回転可能に装着される。 （もっと読む）

円筒状マグネトロンは、高電流レベルおよび高電圧レベルで動作することができ、中央部においてだけでなく端部においても自浄式のターゲット管を有している。ターゲット管の端部をスパッタすることによって、実質的に、端部での凝縮物およびこれにともなうアーク放電の集積が取り除かれ、修理の必要性が少なく信頼性が高いマグネトロンおよびより高い一貫性を備えた被覆物を生成するマグネトロンがもたらされる。低スパッタ率の鍔は、ターンアラウンド領域でターゲット管に取り付けられている。
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【課題】
特に少なくとも１つの真空チャンバを備え、複合膜を基板上に成膜するためのマグネトロンスパッタリング装置のシステムコストを削減する。
【解決手段】
真空成膜システムにおいて、長手方向軸線を中心として回転可能に取り付けられた円筒陰極１が設けられるとともに、円筒陰極１の内側に配置された磁気システムが更に設けられる。円筒陰極１は、異なるターゲット材を有する少なくとも２つの部分２、３、４、５を含む。そしてマグネトロン同時スパッタリングによって複合膜を基板上に成膜する。 （もっと読む）

いくつかの実施例においては、本発明は、略円筒形のターゲットと、スパッタリング工程において、ターゲットをその軸を中心として回転させる手段と、ターゲットの外部においてこれに隣接してプラズマを閉じ込める磁界を生成するべくターゲット内に保持されている細長い磁石と、ターゲット内において回転に抗して磁石を支持するフレーム構造と、磁石を同期することなしにターゲット内においてその軸方向に振動させることにより、その長さに沿って略均一なターゲットの利用を促進するパワートレインと、を有する基板上にターゲット材料をスパッタリングする際に使用される円筒形の陰極ターゲットアセンブリと、その使用法と、を含んでいる。いくつかの実施例においては、磁石は、ターゲットの回転に応答して振動している。
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【課題】良好なＸ線コントラスト、生体適合性、および耐腐食性を付与する十分な厚みの放射線不透過性コーティングを有する医療装置を提供すること。
【解決手段】医療装置であって、剥離することなくこの医療装置の使用に固有の大きな歪みに耐えることができる多孔性の放射線不透過性コーティングを備えている。ステントなどの医療装置の熱機械特性に悪影響を及ぼさないように、蒸着により医療装置にＴａコーティングを施す。このようなコーティングは、高い放射率を有するのが好ましい。 （もっと読む）

シリコンスパッタターゲット（２）と被成膜基板（Ｓ）を設置した成膜室（１０）内に水素ガスを導入し、該ガスに高周波電力を印加することで該成膜室内にＨα／ＳｉＨ^＊が０．３〜１．３であるプラズマを発生させ、該プラズマにてシリコンスパッタターゲット（２）をケミカルスパッタリングして基板（Ｓ）上に結晶性シリコン薄膜を形成する。比較的低温下で、安価に、安全に、良質の結晶性シリコン薄膜を形成できる。 （もっと読む）

【課題】良好なＸ線コントラスト、生体適合性、および耐腐食性を付与する十分な厚みの放射線不透過性コーティングを有する医療装置を提供すること。
【解決手段】医療装置であって、剥離することなくこの医療装置の使用に固有の大きな歪みに耐えることができる放射線不透過性コーティングを備えている。ステントなどの医療装置の熱機械特性に悪影響を及ぼさないように、蒸着によりステントにＴａコーティングを施す。 （もっと読む）

ホローカソード型スパッタリングターゲットにおいて、該ターゲットの空間部を覆う大きさの蓋を設置し、該蓋に１又は複数の貫通孔を設け、これらの上に樹脂の袋を被せて、内部を真空吸引することを特徴とするホローカソード型スパッタリングターゲットの包装装置及び方法。ホローカソード型スパッタリングターゲットにおいて、樹脂製の袋で覆った中空部の内部までも真空吸引できるホローカソード型スパッタリングターゲットの包装装置及び包装方法を提供することを課題とする。 （もっと読む）

例えば、マグネトロン蒸着装置に用いられるターゲット組立体が、主張される。ターゲット組立体は、管の軸受、管の回転、電気接点、冷媒シール、及び真空シールのような機能の少なくとも１つが管自体の内部に一体化されていることを特徴としている。このような組立体は、エンドブロックが内蔵される容積を低減させることによって、真空空間をさらに有効に用いるという利点を有している。組立体の小形化によって、現在、平面ターゲット組立体のみしか使用できない小型の設備にも、用いることができる。 （もっと読む）

プラズマを用いて基板を処理するための処理システム（１０）は、両端が開口した円筒型のターゲット（３２）と、中空陰極マグネトロン（ＨＣＭ）を形成する米国特許５，４８２，６１１に開示されたタイプのマグネットアレイ（３４）とを用いて提供される。その円筒型ターゲットの開口端部の１つには、米国特許６，０８０，２８７や６，２８７，４３５に記載されているように誘導結合ＲＦエネルギーソース（４０）が配置される。その円筒型ターゲットの一端の誘電体窓（４１）は、外気と処理システムの間にシールを形成するように作用し、真空空間内に位置する蒸着バッフルシールド（４４）によって蒸着から保護され、チャンバー内にコイルからのＲＦエネルギーの供給を可能にするように設計される。ＲＦソースに対向するその円筒型のターゲットの開口端部（１３）は、真空チャンバー（１１）内の処理空間に面する。
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