【課題】可視光透過率が減少せず、コーティングの色に悪影響を与えず、耐久性が高い、赤外放射の反射率が高い低放射率コーティングの提供。
【解決手段】前記コーティングは、３つの赤外反射フィルム領域を備え、それぞれ銀を含む。また、本発明によれば、対向する第１および第２主面を有するコーティングされた透明窓板であって、前記コーティングされた窓板は第２の窓板を含む複層断熱グレージングユニットの一部であって、前記断熱グレージングユニットは、窓板間のスペースを有し、前記コーティングされた窓板の前記第２主面はこの窓板間のスペースに曝されており、前記第２主面は、前記低放射率コーティングを備え、前記コーティングされた窓板の可視光透過率は、０．６０を超えることを特徴とする。 （もっと読む）

本発明は、５０μｇ／ｇ未満の酸素含量と、理論密度で９９％を上回る密度と、１００μｍ未満の平均粒径とを有するＭｏ又はＭｏ合金を含み、支持管に接続される管状ターゲットを製造する方法に関し、フィッシャー法で測定して０．５〜１０μｍの平均粒径を有するＭｏ又はＭｏ合金からなる金属粉末の製造、１００ＭＰａ＜ｐ＜５００ＭＰａの圧力ｐで、コアを使って可撓性の型で金属粉末を冷間等方加圧することによる管素材の形での圧粉体の製造、減圧又は真空中で、１６００℃＜Ｔ＜２５００℃の温度Ｔで前記圧粉体を焼結することによる管素材の製造、前記管素材を、ＤＢＴＴ＜Ｔ＜（Ｔｓ−８００℃）の成形温度Ｔで加熱し且つ心棒上での押出しによる管の製造、前記支持管への前記管の接合および機械加工の各工程を含む。 （もっと読む）

【課題】比較的低温下で、安価に、安全に結晶性シリコン薄膜を得て、該結晶性シリコン薄膜から容易に終端処理された結晶性シリコン薄膜を得ることができる結晶性シリコン薄膜の形成方法及び装置を提供する。
【解決手段】シリコンスパッタターゲットＴと被成膜物品Ｓを設置した成膜室１内に水素ガスを導入し、高周波電力を印加して、プラズマ発光における波長６５６ｎｍでの水素原子ラジカルの発光スペクトル強度Ｈα及び波長４１４ｎｍでのシランラジカルの発光スペクトル強度ＳｉＨ^* との比（Ｈα／ＳｉＨ^* ）が０．３〜１．３であるプラズマを発生させ、該プラズマにてシリコンスパッタターゲットＴをケミカルスパッタリングして被成膜物品Ｓ上に結晶性シリコン薄膜を形成し、次いで、終端処理室１０において、終端処理用ガスに高周波電力を印加することで発生させた終端処理用プラズマのもとで該結晶性シリコン薄膜の表面を終端処理する。 （もっと読む）

【課題】 有機ＥＬ素子のバリア膜製膜時のダメージを低減しつつ、バリア膜を形成する際に、ターゲットにエロージョンの発生しにくいスパッタ装置を提供することにある。
【解決手段】 基板上に形成した有機エレクトロルミネッセンス素子上に保護膜を形成するスパッタ装置において、ターゲットの形状が円筒形であって、円筒形の内側でスパッタリングが行われることを特徴とするスパッタ装置。 （もっと読む）

【課題】ロータリーカソードの揺動を補償する真空コーティング機械を提供する。
【解決手段】真空コーティング機械（１）において、駆動ユニット（６）は、上記駆動ユニットがロータリーカソード（１０）によって加えられる揺動に追従できるように、弾性中間プレート（１４）を用いてチャンバ筐体（３）に追従的に取り付けられるので、ロータリーカソードの自由端（１８）のサポートベアリング（１９）は剛性支持として堅牢設計が可能である。 （もっと読む）

【課題】溶解インゴットを出発原料として、清浄なマクロ組織、微細なミクロ組織を備え、表層欠陥が少なく、良好な据え込み鍛造性を具備するスパッタリング用チタン材を提供。
【解決手段】最終形状として円柱状に仕上鍛伸され、スパッタリングターゲットに用いられるチタン材の製造方法であって、溶解インゴットを出発原料として温間鍛造で平金型を用いた角柱鍛伸からなる１次鍛造を行い、次いで温間鍛造で丸金型を用いた円柱鍛伸からなる２次鍛造を経て、最終の円柱形状に鍛伸されることを特徴とするスパッタリング用チタン材の製造方法である。温間鍛造を５００℃以上、β変態点以下の温度範囲で行うのが望ましい。また、スパッタリングターゲットに用いられるため、被鍛造材の純度はガス不純物を除いて９９．９８％以上とするのが望ましい。 （もっと読む）

【課題】ターゲットキャリア上の単一または多数部品ターゲットの摺動を促進すること。
【解決手段】本発明は、ターゲットキャリアおよびターゲット付き筒状カソードに関する。ターゲットは単一または多数部品からなり、ターゲットキャリアとターゲットの間には、熱伝導物質からなり、複数の細いリングで互いに分離された複数個の環状構成要素がターゲットキャリアの長手方向に沿って置かれている。環状構成要素上で容易に摺動可能になるように、ターゲットは少なくともその一端面側に面取り部分を有する。 （もっと読む）

円筒状ターゲットの端に形成された円形溝は、リテーニングリングおよびフランジをターゲット取り付けることを可能とする。ターゲットは、次いで、エンドブロックに固定することができる。ねじ式取り付けのために構成されたターゲットは、このように固定取り付けのために変更されてもよい。ねじ式ターゲットのために構成されたエンドブロックは、スピンドルの改良または交換およびクランプリングを加えることにより、ターゲットを固定するように改良される。
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マグネトロンスパッタリング源は、複数の電極（１２）とスイッチング回路（１４）とを含む。スイッチング回路（１４）は複数の電極（１２）の各々を接地基準に連続的に接続してそれらをアノードにする一方で、複数の電極の残りをカソードとして接続する。マグネトロンスパッタリング源を動作する方法は、複数のターゲット配列を与えるステップと、複数のターゲット配列をカソードとして作動するようにさせるステップと、複数のカソードの各々を一時的にアノードとして作動するよう連続的にさせるステップとを含む。
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【課題】 装置本体のチャンバー部大きくなるか又は、２室以上の真空槽必要となる為、装置が大型化したり、装置費用が高額になるというコストの問題が発生していた。
【解決手段】 円筒状のターゲットユニットにおいて２種以上の膜形成を行なう為に、円筒状のターゲットを連なって配置し、円筒状のカソード電極及び、アノード電極を共にスムースさせてプラズマを発生させる事により、従来１元ごとに構成していたターゲットユニットを簡略化することで、装置コストを大幅に削減する事が可能になる。 （もっと読む）

【課題】 マグネトロン・スパッタ・カソードに関し、特に１つの管カソードまたはアレイを形成しているいくつかの管カソードの操作方法を提供すること。
【解決手段】 このようなカソードにおいては、ターゲットは磁界を貫通し、それにより誘導電流がターゲット内を流れ、磁界を歪ませる。これにより、基板のコーティングが不均一になる。磁界とターゲット間の相対運動の方向を交互に逆にすることにより、磁界歪みの影響を補償することができる。これにより、コーティングされる基板のコーティングがより均一になる。 （もっと読む）

ライナーを含むスパッタリングチャンバを提供する。ライナーは、チャンバの内部表面からスパッタコーティング（オーバーコート）が剥落することを低減することに適している。ライナーは、チャンバの選択された内部表面に隣接して搭載することができる。ライナーは取り外し可能であることが好ましい。また、本発明のライナーを用いたスパッタリング方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】 極細管内壁面への各種材料のコーティングを低電圧、低気圧下で行うことができるようにして、膜質に優れた被着強度の高い成膜を行うことができるようにする。
【解決手段】 真空容器１内に、内壁面にコーティングがなされる極細管４を配置し、この極細管１内に、同軸的にスパッタターゲット５を配置した状態で、スパッタターゲット５側を負側とする電圧を印加し、極細管４の内壁面とスパッタターゲットとの間のギャップ内に、プラズマソースガスを導入するとともに、マイクロ波導入と磁場印加により、２nd Harmonic ＥＣＲによるプラズマ生成によるスパッタリングを行って、低電圧、低気圧で膜質に優れたコーティングを行う。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴディスプレー被覆用のＡｌ及びＡｌ合金系の一体構造の管状スパッタターゲットを製造することができる工業的にかつ経済的に魅力的な方法を開発すること
【解決手段】スパッタプロセスにおいて利用可能な管状領域に合わせ目又は継ぎ目がないターゲット材料を有する、特にＴＦＴディスプレーを製造するための管状スパッタターゲットにおいて、前記ターゲット材料がＡｌ又はアルミニウム合金からなることを特徴とする管状スパッタターゲット （もっと読む）

【課題】建築用ガラス基板へコーティングを行うスパッタ装置の保守、清掃、及びターゲット交換を簡単に短時間で行え、装置稼動率を向上することが可能なシステムの提供。
【解決手段】コーティングシステム１において、一貫した保守と清掃を必要とするすべての部品は、ユニット化してインサート８上に纏められ、インサート８は引き出しのようにチャンバ壁２ａ内の側面開口部１０を通って、チャンバの内部へ摺動して取り付け、また容易に取り外すことができる。取り外されたインサート８は、点検が完了したインサートと直接交換することが出来るため稼働率が向上する。 （もっと読む）

スパッタ付着プロセスを改良する方法が提供されている。本方法は、下記のステップ、(ａ）真空を設けるステップと、(ｂ）設けられた真空中に電極（１０、３４、３４’、４４、４４’）を設けるステップと(ｃ）、前記電極（１０、３４、３４’、４４、４４’）と接触しない、前記真空中に基板を設けるステップと、（ｄ）真空中に装置（２２、２２’、２４、２４’、２６、２６’、２８、２８’、３０、３６、３６’、４８、４８’）をもたらすステップとを備える。本装置は、電極に対して相対運動状態であり、接触ゾーン全体にわたり電極と接触している。本装置は、電極から固体物質を取り除いたりあるいは電極に固体物を貼付したりする。本方法は、簡単なメカニズムによって行われる。複雑なエレクトロニクスあるいは精巧な制御アルゴニズムを必要としない。本方法は、真空中で行われる、すなわち、真空を破壊する必要なく、そのために機械停止期間が減少される。
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【課題】 本願発明は、簡易な構造で、現在要求される膜厚分布及びカバレージ分布を達成することのできるスパッタ装置を提供する。
【解決手段】 この発明は、基板を保持して自転する基板ホルダと、前記基板に薄膜を形成するためのターゲットが搭載されるスパッタカソード部と、該スパッタカソード部を前記基板に対して円弧状に移動させる駆動アームとを具備し、前記スパッタカソード部が、前記ターゲットに囲設され、前記基板側に開口部を有するノズル部を具備するスパッタ装置において、前記ノズル部の開口部に、前記スパッタカソード部の移動方向の両端から前記開口部の中央方向に延出して、前記スパッタカソード部の移動方向前後におけるスパッタ粒子を制限する延出部を形成することにある。 （もっと読む）

【課題】マグネトロンスパッタリングにおいて、基材の温度上昇を防止して常温に近い低い温度で高能率の薄膜形成を可能にする方法及び装置を提供する。
【解決手段】基材１１の成膜面１２を挟んで、当該成膜面における磁界がゼロとなるように、ターゲット背後の磁石１ａと、これに対向する磁石１ｂとを、その同極同士を対向させて互いに反発するように設置して、スパッタリングを行う。基材の片面に成膜を行うときは、磁界がゼロとなる面Ｐより僅かに反ターゲット５ａ側に偏倚する位置に、成膜面１２を位置させる。シート状の薄い基材の両面に成膜を行うときは、基材を挟む両側にターゲットを配置し、その背後に互いに反発するように一対の磁石１ａ、１ｂを配置する。成膜面１２に到達する高温の二次電子が非常に少なく、従って二次電子による基材温度の上昇が抑えられる。 （もっと読む）

基材上に薄いコーティングをスパッタリングするための改良されたスパッタリングチャンバである。あるスパッタリングチャンバは、チャンバ内部の方向、および、スパッタリングターゲットの方向に内向きかつ上向きに配置されている剥離片シールドを含み、該剥離片シールドは、さもなければ被コーティング基材上に落下する可能性のあるオーバーコーティングされたスパッタリング材料の保持に役立ち得る。別のスパッタリングチャンバは、鉛直線に対して内側に、かつ、互いの方向に向けられているマグネットを有するターゲットを含む。マグネットを内側に回転することにより、より多くの材料をチャンバの開放された底部中心の方向へ、より少ない材料をチャンバの側壁の方向へ蒸着することができる。さらに別のスパッタリングチャンバは、下側の２つのターゲットの間およびそこから上向きに配置されている第３ターゲットを含み、これにより、スパッタリングチャンバ内部の一部を第１および第２ターゲットからスパッタリングされた材料から保護する。いくつかのチャンバは、三角形、例えば、二等辺三角形または正三角形を形成する３つのターゲットを有している。スパッタリングターゲットのそのような三角形構成を有するあるチャンバにおいて、第１および第２ターゲットは、二等辺三角形の底辺を形成し、かつ、鉛直線に対して内向きで互いの方向に向かって設置されているマグネットを有する。提供されるスパッタリングチャンバは、チャンバの内部に堆積するオーバーコーティングスパッタリング材料の量の低減、および／または、さもなければ被コーティング基材上に落下するであろうオーバーコーティングスパッタリング材料の保持に役立ち得る。
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本発明は、円筒形ターゲットと、円筒形ターゲットを揺動させるよう適合されたモータアセンブリと、シールドと、マグネットアセンブリとを含む円筒形揺動シールドターゲットアセンブリに関する。本発明の実施形態はまた、外面が複数の分割された区分を含む円筒形ターゲットを含み、該区分は、ターゲットの周囲に長手方向に配置されて、ターゲットの長手方向にわたって延びる帯状部を形成する。各区分は、ガラスのような基材上に別のコーティングとして施されるよう意図された、銀、チタンまたはニオブのような単一のスパッタリング材料を含む。
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