スパッタ装置
【課題】 有機ＥＬ素子のバリア膜製膜時のダメージを低減しつつ、バリア膜を形成する際に、ターゲットにエロージョンの発生しにくいスパッタ装置を提供することにある。
【解決手段】 基板上に形成した有機エレクトロルミネッセンス素子上に保護膜を形成するスパッタ装置において、ターゲットの形状が円筒形であって、円筒形の内側でスパッタリングが行われることを特徴とするスパッタ装置。
【解決手段】 基板上に形成した有機エレクトロルミネッセンス素子上に保護膜を形成するスパッタ装置において、ターゲットの形状が円筒形であって、円筒形の内側でスパッタリングが行われることを特徴とするスパッタ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子に保護膜を形成するマグネトロンスパッタ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、時発光素子として有機ＥＬ素子が注目されている。有機ＥＬ素子は、ガラス等の基板上に薄膜の有機化合物の発光層を電極で挟持した構成で、電極間に電流を供給すると発光する素子である。
【０００３】
有機ＥＬ素子は、酸素や水分によって劣化しやすく、これらが製品寿命を縮める為、信頼性の観点から有機ＥＬ素子を形成した直後に、その上を安定なバリア膜で覆い、外気と完全に遮断することが望ましい。バリア膜としては金属の窒化膜や酸化膜が挙げられ、有機ＥＬ素子の発光をバリア膜から透過する方向に取り出す所謂トップエミッション構成の場合は透明度の高いバリア膜が要求される。
【０００４】
一方、バリア膜は、電子ビーム法、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、イオンプレーティング法等の薄膜形成方法によって形成される。ここで、スパッタリング法は、高融点材料や化合物でも比較的容易に膜形成が可能であり、カソードの形状によって大面積に付着させることも容易で、その上、低温のプロセスであるためバリア膜の形成に用いられている。例えば、特許文献１においては、対向ターゲット式のスパッタ装置の技術が開示されている。
【特許文献１】特開２００２−３３２５６７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
従来のスパッタ装置においては、ターゲットを箱形に対向させることにより、高いエネルギーをもつ電離した電子やイオン化されたスパッタ粒子等が箱形内部に留まり、箱形の外に配置した基板上の有機ＥＬ素子へ入射する割合が少ない。このため、有機ＥＬ素子を物理的に破壊することが低減されるというアドバンテージがある。しかしながら、ターゲットが箱形に配置されているため、発生するプラズマ分布のバラツキによりターゲットにエロージョン（浸食）が発生する。このため、ターゲットの不均一な消費による使用期間の短縮化が起き、特に生産工程ではこれがコストアップの要因となっていた。
【０００６】
本発明は上記の点に鑑みてなされたもので、その目的は、有機ＥＬ素子のバリア膜製膜時のダメージを低減しつつ、バリア膜を形成する際に、ターゲットにエロージョンの発生しにくいスパッタ装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の上記課題は以下の手段により達成される。
【０００８】
１．基板上に形成した有機エレクトロルミネッセンス素子上に保護膜を形成するスパッタ装置において、ターゲットの形状が円筒形であって、円筒形の内側でスパッタリングが行われることを特徴とするスパッタ装置。
【０００９】
２．円筒形の前記ターゲットの断面形状は、基板側の開口が大きくなるように傾斜していることを特徴とする前記１に記載のスパッタ装置。
【００１０】
３．円筒形の前記ターゲットの直径は、前記基板の対角線の長さ未満であることを特徴とする前記１または２に記載のスパッタ装置。
【００１１】
４．スパッタ装置のマグネットは、前記ターゲットのスパッタリング面と反対側であって、かつ、磁極が磁束線が閉じている向きに配置されていることを特徴とする前記１〜３のいずれか１項に記載のスパッタ装置。
【００１２】
５．前記有機エレクトロルミネッセンス素子は、基板から順に反射電極、有機層、透明電極が積層されてなり、前記保護膜形成前に、スパッタ装置により透明電極を形成することを特徴とする前記１〜４のいずれか１項に記載のスパッタ装置。
【発明の効果】
【００１３】
本発明により、バリア膜を形成する際に有機ＥＬ素子に与えるダメージが低減され、ターゲットにエロージョンの発生しにくいスパッタ装置が提供された。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明を実施するための最良の形態について説明する。
【００１５】
スパッタ装置とは、以下の過程で、基板上に薄膜を形成する装置である。
【００１６】
先ず、装置内にＡｒ、Ｈｅ、Ｎ2、Ｘｅ、Ｋｒ等のスパッタガスを導入し、ターゲットに数百Ｖ〜数ｋＶの電圧を印加してグロー放電をおこし、スパッタガスによるプラズマを発生させる。このプラズマ内の高エネルギーをもった電子、イオンや中性粒子がターゲット表面に衝突して運動量の交換により、ターゲット表面を形成している原子や分子が外部に放出される。この現象をスパッタリングと呼び、スパッタリングにより放出されたターゲット材料の表面原子や分子を、基板上に堆積させて、薄膜を形成させる。
【００１７】
例えば、有機ＥＬ素子が形成された基板上に、ターゲット材料から放出された表面原子や分子を堆積させて、有機ＥＬ素子上に、これを外気と遮断する薄膜、バリア膜を形成させる。
【００１８】
スパッタは、蒸着法のように、熱的過程ではないため、薄膜に形成する材料を溶解する必要がなく、ターゲット材料として、金属の窒化物や酸化物等のガスバリア性が高い高融点の材料でも容易にスパッタ可能となる。
【００１９】
本発明のスパッタ装置とは、上述したスパッタ装置にマグネットを配置してスパッタリングを行う近傍に磁場を印加して、ターゲット表面のイオンや中性粒子の衝突を増加させ、製膜速度を大きくした装置である。
【００２０】
本発明に係わるスパッタ装置の実施の形態について、以下、図面を用いて説明する。
【００２１】
先ず、有機ＥＬ素子について説明する。
【００２２】
図１は、有機ＥＬ素子の模式図である。
図において、有機ＥＬ素子１０は、基板上１１に、陽極１２、有機層１３、陰極１４を積層した素子である。
【００２３】
陽極１２は、インジウムチンオキザイド（ＩＴＯ）、インジウムジンクオキサイド（ＩＺＯ）、金、酸化錫、酸化亜鉛等の仕事関数が４ｅＶ以上で透過率が４０％以上の導電性材料による透明電極である。
【００２４】
有機層１３は、発光する発光層を含む数ｎｍ〜数μｍの有機化合物又は錯体の単層、または複数層、例えば、陽極と接する正孔輸送層、発光材料を備える発光層、陰極と接する電子輸送層の３層等の構成からなる素子で、フッ化リチウム層や無機金属塩の層、またはそれらを含有する層などが任意の位置に配置されていてもよい。
【００２５】
陰極１４は、アルミニウム、ナトリウム、リチウム、マグネシウム、銀、カルシウム等の仕事関数が４ｅＶ未満で、反射率が６０％以上の金属材料からなる反射電極である。
【００２６】
基板１１は、基材としては、ガラス、石英等のソリッド基板用の基材、或いはポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリエーテルイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリフェニレンスルフィド、ポリアリレート、ポリイミド、ポリカーボネート（ＰＣ）、セルローストリアセテート（ＴＡＣ）、セルロースアセテートプロピオネート（ＣＡＰ）等のフレキシブル基板用の基材である。
【００２７】
本発明における有機ＥＬ素子１０は、陽極１２、陰極１４を介して、外部から供給された電流により、有機層１３において電子および正孔が結合し、結合により生じた励起エネルギーを利用した発光を行う素子で、有機層１３からの光は陽極１２を通して取り出される。励起エネルギーを利用する発光としては、１重項エネルギーを発光に利用する蛍光、或いは３重項エネルギーを発光に利用する燐光が挙げられる。特に、燐光は、３重項励起子が発光に寄与するため、蛍光に比べて高い発光効率が得られ流ので、光源として望ましい発光である。
【００２８】
有機ＥＬ素子１０の発光層からの発光は、陽極１２、基板１１を透過して射出されるが（ボトムエミッション）、薄膜の陰極材料と透過率の高い陽極材料を積層した実質的に透明な陰極から光を射出するトップエミッションの構成にしてもよい。
【００２９】
次に、上記有機ＥＬ素子上にバリア膜を形成する本発明のスパッタ装置についてその実施の形態を以下に説明する。
【００３０】
図２は、本発明の第１の実施の形態を示すスパッタ装置の模式図である。
【００３１】
スパッタ装置１００は、真空槽２０、排気口２１、ターゲット３０、カソード３１、マグネット３２、基板１１、電源５０、マッチングユニット５１等からなる。
【００３２】
マッチングユニットは通常、ＲＦマグネトロンスパッタ装置において、プラズマ用高周波電源をもちいるときセットで使用されており、プラズマ用高周波電源から出力する高周波電力を、プラズマを発生させる場所であるチャンバーに効率よく送り込むための機器である。
【００３３】
真空槽２０は、外気と遮断された減圧空間を提供する槽で、排気口２１に接続された図示しない真空ポンプにより槽内が減圧される。
【００３４】
ターゲット３０は、円筒状の形状をしたターゲット材料で、有機ＥＬ素子に形成させるバリア膜の構成材料と同一材料、或いは、スパッタガスとの反応により構成材料と同一となる材料である。
【００３５】
バリア膜は、水、酸素等のガスに対しバリア性の高い、金属の酸化膜、窒化膜、金属薄膜、ダイヤモンドライクカーボン膜を少なくとも１種以上含んでいる膜で、厚みは５０ｎｍ以上、５０μｍ以下の薄膜である。
【００３６】
ターゲット３０は、カソード３１と接続されており、電源５０からカソード３１を介して電圧が印加されてガス供給ポート３３からスパッタガスが導入されると、所定のガス圧の環境下において、ターゲット３０の円筒形の内側の空間にプラズマが発生してスパッタリングが行われる。
【００３７】
本発明のスパッタ装置は、箱型にターゲットを対向させ配置する従来の対向ターゲット式のスパッタ装置と異なり、ターゲット３０の形状が円筒形であるため、円筒形の内側空間４０においては、プラズマの強度が面内で均一化されたプラズマが発生する。このため、ターゲットはスパッタリングされても、不均一に減少する所謂エロージョンの発生が少ない。
【００３８】
また、円筒形の内側空間４０で発生するプラズマは、スパッタリングによるイオンや中性粒子がターゲット３０の間の空間を往復して高密度化されるため、スパッタガスの圧力を低下させることが可能となり、高い真空度を維持でき、酸素や水分による有機ＥＬ素子のダメージを減少させることが出来る。
【００３９】
更に、スパッタガスのガス供給ポート３３は、スパッタリングの行われる円筒状のターゲット３０の直下に設けられており、導入されたスパッタガスを効率よくスパッタリングに利用できる。勿論、従来の対向ターゲット式のスパッタと同様に、電離した電子やイオン化されたスパッタ粒子等が、円筒形状のターゲット３０の側面から基板１１側に飛び出すことがないので、有機ＥＬ素子の物理的なダメージも減少する。
【００４０】
ターゲット３０の大きさは特に限定はしないが、基板上に形成されるバリア膜は、スパッタ材料の入射角に対する膜組成のずれが小さく、適用範囲が広いため、ターゲット３０の内径寸法ｄを基板１１の対角線の長さ未満にしてもよい。即ち、有機ＥＬ素子の発光面積が大きくなり基板が大型化しても、カソードやターゲット材料を基板サイズより小型にすることが可能で装置コストが低減する。
【００４１】
マグネット３２は、例えば、Ｆｅ−Ｎｄ−Ｂや、Ｓｍ−Ｃｏ系の希土類焼結磁石、Ｂａ系やＳｒ系のフェライト焼結磁石、フェライト系等のボンド磁石、アルニコ系等の鋳造磁石等の永久磁石や、電磁石等、所定の磁界を発生する磁界発生手段である。
【００４２】
マグネット３２は、プラズマ発生空間で所定の磁界を発生する位置に配置すればよいが、図示したように、スパッタリングが行われるターゲット材料３０の内側の面とは反対側に配置する構成が、磁界強度と真空槽２０の中での収納効率の観点から好ましい構成である。マグネットの磁極の向きについては後述する。
【００４３】
また、マグネット３２に接するように図示しない冷却手段を設けてスパッタリングによりマグネット３２が高温になり磁力が低下するのを低減させてもよい。
【００４４】
基板１１は、ターゲット３０がスパッタリングされてバリア膜が製膜される基板であり、前述した有機ＥＬ素子１０の基板である。バリア膜の膜厚分布の均一性向上のために回転支持部材４２によりスパッタリング中は基板１１を回転させることが好ましいが、基板回転に限定するものではなく、基板１１を回転せずに固定で支持してもよい。
【００４５】
電源５０は、ターゲット３０に電圧を印加する電源で、材料の導電性により直流、交流、或いは直流バイアスを印加させた交流を発生させる。交流の電圧を印加するときは、マッチングユニット５１によりターゲット３０とのインピーダンス整合をとっている。
【００４６】
次にマグネット３２について説明する。
【００４７】
図３は、第１の実施の形態におけるマグネットの配置を示す（ａ）が断面図、（ｂ）が上面配置図である。
【００４８】
マグネット３２は、ターゲット３０のスパッタリングを行う面（内側）とは反対側の面、即ち、円筒形のターゲットの内側空間４０の反対側に複数個配置されている。図において、マグネット３２は、ターゲット３０の背面に亘って均等に配置され、磁束を均一化しているが、これに限定されるものではない。マグネット３２の磁極の向きは、互いに対向するマグネットが、例えば、ターゲット３０側が、Ｎ極であり、他方がＳ極、また、この逆にターゲット３０側をＳ極として他方をＮ極とした構成となっている。
【００４９】
図４は、本発明の第２の実施の形態におけるマグネットの配置を示す上面図である。
第２の実施の形態において、第１の実施の形態のマグネット３２以外、他の構成は同一であるため、他の構成についての説明は省略する。
【００５０】
第１の実施形態におけるマグネット３２のターゲット３０側の磁極は、ターゲット３０を挟んで互いに向き合う面のマグネットの磁極が反対であるので、この間で発生する磁束線は閉じている。しかしながら、ターゲット３０の側と反対側となるマグネットの磁極の磁束線は閉じることが出来ずに磁束の漏れが生じてしまう。このため、漏れ磁束を低減して有効磁束を増加させる為には、所定の厚みを有する鉄ヨーク等を設置する必要があり、真空槽２０が大型化してしまうため、排気ポンプの容量も増加させる必要が生じる。
【００５１】
そこで、第２の実施の形態においては、ターゲット３０の裏面側に設置したマグネット３２は、隣り合うマグネットが互いに反対磁極をもつように配置している。したがって、マグネット３２のターゲット３０側と、反対側の磁極、いずれも磁束線が閉じている為、漏れ磁束が大幅に低減され、鉄ヨークを設置したとしても、第１の実施の形態と比べると小型化が可能となる。
【００５２】
図５は、本発明の第３の実施の形態を示すターゲットの断面図である。
【００５３】
第３の実施の形態においても、第１の実施の形態におけるものと、ターゲット３０以外の構成は同一であるため、他の構成の説明は省略する。
【００５４】
第３の実施の形態におけるターゲット３０の断面は、基板側の開口４１が他方の開口より大きくなるように傾斜している。このため、ターゲット３０の内径ｄは、第１の実施例より大きくなり、より大きな基板サイズへのバリア膜の製膜が可能となる。
【００５５】
前記請求項３における、円筒形のターゲットの内径とは、この開口部の直径をいう。
【００５６】
傾斜の度合いも任意であるが、カソードの法線にたいし（図５のθ）、４５°以下、好ましくは３０°以下であることが、前記円筒状である故の効果をうる上で好ましい。傾斜は、断面でみたとき、必ずしも直線的に傾斜している必要はない。
【実施例】
【００５７】
以下に、本発明をより具体的に説明するが、これにより限定されるものではない。
【００５８】
有機ＥＬ素子の作製方法の一例として、陽極／正孔輸送層／発光層／陰極からなる有機ＥＬ素子の作製について説明する。
【００５９】
（ボトムエミッションの有機ＥＬ素子の作製）
洗浄したガラス１００ｍｍ角の基板を真空度１０-5Ｐａの圧力の真空環境下の蒸着真空槽に設置する。蒸着真空槽において、陽極用物質であるＩＴＯを１０００Åの膜厚になるように電子ビームにより形成して陽極を作製した。
【００６０】
次に、この上に有機ＥＬ素子材料であるα−ＮＰＤを正孔輸送層として２Å／秒の速度で蒸着して５００Åの厚さで形成した。次にＡｌｑ3を発光層として２Å／秒の速度で蒸着して６００Åの厚さで形成した。これらの層を形成後、その上に陰極用物質であるＡｌを２０００Åの膜厚になるように、３Å／秒の速度で蒸着して陰極を形成した。
【００６１】
【化１】
【００６２】
（トップエミッションの有機ＥＬ素子の作製）
洗浄したガラス１００ｍｍ角の基板を真空度１０-5Ｐａの圧力の真空環境下の蒸着真空槽に設置する。蒸着真空槽において、反射電極として金を１０００Åの膜厚になるように電子ビーム法により形成して陽極を作製した。
【００６３】
次に、この上に有機ＥＬ素子材料であるα−ＮＰＤを正孔輸送層として２Å／秒の速度で蒸着して５００Åの厚さで形成した。次にＡｌｑ3を発光層として２Å／秒の速度で蒸着して６００Åの厚さで形成した。これらの層を形成後、その上に陰極用物質であるＡＬを５０Åの範囲の膜厚になるように、３Å／秒の速度で蒸着した。
【００６４】
（実施例１）
作製したボトムエミッションの有機ＥＬ素子の基板を真空環境を維持したまま、スパッタリングを行う本発明の第１の実施の形態で示されるスパッタ装置に移した。
【００６５】
ターゲット材料として窒化珪素（Ｓｉ3Ｎ4）を用いて、円筒形状のターゲット（開口径１００ｍｍ、厚み２０ｍｍ）の上端と、有機ＥＬ素子の基板との距離を７ｃｍとした。スパッタガスに酸素２体積％を含むアルゴンを用いて、ガス圧力を１．３３×１０-2Ｐａとした。電源は、周波数１３．５６ＭＨｚの交流電源で投入電力が１００Ｗのときの製膜レートを水晶振動子によりモニターすると１Å／秒であった。
【００６６】
この条件で有機ＥＬ素子上に５０００Åの厚さのバリア膜を形成してサンプル１を作製した。
【００６７】
（実施例２）
作製したボトムエミッションの有機ＥＬ素子の基板を、真空環境を維持したまま、スパッタリングを行う本発明の第２の実施の形態で示されるスパッタ装置に移した。
【００６８】
マグネット以外の構成は第１の実施の形態と同一条件としたときの交流電源の投入電力が１００Ｗのときの製膜レートを水晶振動子によりモニターすると１．５Å／秒であった。この条件で有機ＥＬ素子上に５０００Åの厚さのバリア膜を形成してサンプル２を作製した。
【００６９】
（実施例３）
作製したトップエミッションの有機ＥＬ素子の基板を真空環境を維持したまま、スパッタリングを行う本発明の第３の実施の形態で示されるスパッタ装置に移した。
【００７０】
ターゲット材料としてインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）を用いて、円筒形状（ターゲット開口径１００ｍｍ、傾斜角度（カソード法線に対しθ）３０度、厚み２０ｍｍ）のターゲットの上端と、有機ＥＬ素子の基板との距離を７ｃｍとした。スパッタガスに酸素５体積％を含むアルゴンを用いて、ガス圧力を１×１０-4Ｔｏｒｒとした。電源は、交流電源で投入電力が１００Ｗのときの製膜レートを水晶振動子によりモニターすると１Å／秒であった。この条件で有機ＥＬ素子上に１０００Åの厚さのＩＴＯ膜を形成し、実質的に透明な陰極を形成した。
【００７１】
その後、ターゲット材料同じく円筒形状（ターゲット開口径１００ｍｍ、傾斜角度（カソード法線に対しθ）３０度、厚み２０ｍｍ）に形成したＳｉ3Ｎ4を用いて、実施例２と同様に有機ＥＬ素子上に５０００Åの厚さのバリア膜を形成してサンプル３を作製した。
【００７２】
（比較例）
作製したボトムエミッション有機ＥＬ素子の基板を乾燥窒素の雰囲気下において、有機ＥＬ材料が外気と遮断するように、図６に示したようにガラス材料の封止材１５で覆い、ＵＶ硬化の接着剤１６によって封止材を基板に接着してサンプル４を作製した。
接着剤は、紫外線硬化樹脂ナガセケムテック製５５１６ＸＮＲを用いた。
【００７３】
（評価結果）
表１に、実施例で作製した作製直後の各有機ＥＬ素子各サンプルを、２３℃、乾燥窒素ガス雰囲気下で、２．５ｍＡ／ｃｍ2の定電流で駆動し、発光させた。発光を分光放射輝度計ＣＳ−１０００（コニカミノルタ製）を用い測定し、各サンプルそれぞれについて、外部取り出し効率（％）を算出し比較した。また、その際の各素子の駆動電圧を比較した。
【００７４】
作製直後のサンプル１、サンプル２、サンプル３は、外部取りだし効率、駆動電圧共に同等であり、バリア膜の製膜時に有機ＥＬ素子へのダメージが少ないことを示している。更に、サンプル３においては、ＩＴＯの製膜によるダメージが少ないことを示している。
【００７５】
実施例１から実施例３までのそれぞれの条件で、有機ＥＬ素子基板にそれぞれ連続１００枚バリア膜を製膜したときのターゲットの初期との平均表面粗さの差をみたところ、全ての条件で増加量が０．９ｍｍ以下であった。この値はターゲットの初期厚み２０ｍｍに対して５％以下であるのでエロージョンは実用上問題ないレベルである。
【００７６】
尚、上記平均表面粗さは、ＪＩＳ−Ｂ−０６０１により定義される中心線平均粗さＲａであり、ターゲット内部について、ＷＹＫＯ社製 ＲＳＴＰＬＵＳ非接触三次元微小表面形状測定システムを用いて測定したものである。
【００７７】
また、更に、サンプル１、サンプル２、サンプル３、サンプル４について、６０℃、９０％ＲＨの高温高湿において５００ｈｒの保存し、保存後、２．５ｍＡ／ｃｍ2の一定電流で駆動させ、前記同様に外部取り出し効率、駆動電圧を、また、２ｍｍ×２ｍｍ四方の範囲での目視で確認できる非発光点（ダークスポット）の数を各サンプル間で比較したが、サンプル１、サンプル２、サンプル３は、サンプル４（ガラスにより封止した有機ＥＬ素子）と比較しても、外部取り出し効率、駆動電圧、ダークスポットともに同等の保存特性が確認された。
【図面の簡単な説明】
【００７８】
【図１】有機ＥＬ素子の模式図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態を示すスパッタ装置の模式図である。
【図３】第１の実施の形態におけるマグネットの配置を示す断面図および上面配置図である。
【図４】本発明の第２の実施の形態におけるマグネットの配置を示す上面図である。
【図５】本発明の第３の実施の形態を示すターゲットの断面図である。
【図６】ガラス材料の封止材で封止した有機ＥＬ素子の断面を示す概略図である。
【符号の説明】
【００７９】
１０ 有機ＥＬ素子
１１ 基板
１２ 陽極
１３ 有機層
１４ 陰極
２０ 真空槽
２１ 排気口
３０ ターゲット
３１ カソード
３２ マグネット
５０ 電源
５１ マッチングユニット
１００ スパッタ装置
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子に保護膜を形成するマグネトロンスパッタ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、時発光素子として有機ＥＬ素子が注目されている。有機ＥＬ素子は、ガラス等の基板上に薄膜の有機化合物の発光層を電極で挟持した構成で、電極間に電流を供給すると発光する素子である。
【０００３】
有機ＥＬ素子は、酸素や水分によって劣化しやすく、これらが製品寿命を縮める為、信頼性の観点から有機ＥＬ素子を形成した直後に、その上を安定なバリア膜で覆い、外気と完全に遮断することが望ましい。バリア膜としては金属の窒化膜や酸化膜が挙げられ、有機ＥＬ素子の発光をバリア膜から透過する方向に取り出す所謂トップエミッション構成の場合は透明度の高いバリア膜が要求される。
【０００４】
一方、バリア膜は、電子ビーム法、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、イオンプレーティング法等の薄膜形成方法によって形成される。ここで、スパッタリング法は、高融点材料や化合物でも比較的容易に膜形成が可能であり、カソードの形状によって大面積に付着させることも容易で、その上、低温のプロセスであるためバリア膜の形成に用いられている。例えば、特許文献１においては、対向ターゲット式のスパッタ装置の技術が開示されている。
【特許文献１】特開２００２−３３２５６７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
従来のスパッタ装置においては、ターゲットを箱形に対向させることにより、高いエネルギーをもつ電離した電子やイオン化されたスパッタ粒子等が箱形内部に留まり、箱形の外に配置した基板上の有機ＥＬ素子へ入射する割合が少ない。このため、有機ＥＬ素子を物理的に破壊することが低減されるというアドバンテージがある。しかしながら、ターゲットが箱形に配置されているため、発生するプラズマ分布のバラツキによりターゲットにエロージョン（浸食）が発生する。このため、ターゲットの不均一な消費による使用期間の短縮化が起き、特に生産工程ではこれがコストアップの要因となっていた。
【０００６】
本発明は上記の点に鑑みてなされたもので、その目的は、有機ＥＬ素子のバリア膜製膜時のダメージを低減しつつ、バリア膜を形成する際に、ターゲットにエロージョンの発生しにくいスパッタ装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の上記課題は以下の手段により達成される。
【０００８】
１．基板上に形成した有機エレクトロルミネッセンス素子上に保護膜を形成するスパッタ装置において、ターゲットの形状が円筒形であって、円筒形の内側でスパッタリングが行われることを特徴とするスパッタ装置。
【０００９】
２．円筒形の前記ターゲットの断面形状は、基板側の開口が大きくなるように傾斜していることを特徴とする前記１に記載のスパッタ装置。
【００１０】
３．円筒形の前記ターゲットの直径は、前記基板の対角線の長さ未満であることを特徴とする前記１または２に記載のスパッタ装置。
【００１１】
４．スパッタ装置のマグネットは、前記ターゲットのスパッタリング面と反対側であって、かつ、磁極が磁束線が閉じている向きに配置されていることを特徴とする前記１〜３のいずれか１項に記載のスパッタ装置。
【００１２】
５．前記有機エレクトロルミネッセンス素子は、基板から順に反射電極、有機層、透明電極が積層されてなり、前記保護膜形成前に、スパッタ装置により透明電極を形成することを特徴とする前記１〜４のいずれか１項に記載のスパッタ装置。
【発明の効果】
【００１３】
本発明により、バリア膜を形成する際に有機ＥＬ素子に与えるダメージが低減され、ターゲットにエロージョンの発生しにくいスパッタ装置が提供された。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明を実施するための最良の形態について説明する。
【００１５】
スパッタ装置とは、以下の過程で、基板上に薄膜を形成する装置である。
【００１６】
先ず、装置内にＡｒ、Ｈｅ、Ｎ2、Ｘｅ、Ｋｒ等のスパッタガスを導入し、ターゲットに数百Ｖ〜数ｋＶの電圧を印加してグロー放電をおこし、スパッタガスによるプラズマを発生させる。このプラズマ内の高エネルギーをもった電子、イオンや中性粒子がターゲット表面に衝突して運動量の交換により、ターゲット表面を形成している原子や分子が外部に放出される。この現象をスパッタリングと呼び、スパッタリングにより放出されたターゲット材料の表面原子や分子を、基板上に堆積させて、薄膜を形成させる。
【００１７】
例えば、有機ＥＬ素子が形成された基板上に、ターゲット材料から放出された表面原子や分子を堆積させて、有機ＥＬ素子上に、これを外気と遮断する薄膜、バリア膜を形成させる。
【００１８】
スパッタは、蒸着法のように、熱的過程ではないため、薄膜に形成する材料を溶解する必要がなく、ターゲット材料として、金属の窒化物や酸化物等のガスバリア性が高い高融点の材料でも容易にスパッタ可能となる。
【００１９】
本発明のスパッタ装置とは、上述したスパッタ装置にマグネットを配置してスパッタリングを行う近傍に磁場を印加して、ターゲット表面のイオンや中性粒子の衝突を増加させ、製膜速度を大きくした装置である。
【００２０】
本発明に係わるスパッタ装置の実施の形態について、以下、図面を用いて説明する。
【００２１】
先ず、有機ＥＬ素子について説明する。
【００２２】
図１は、有機ＥＬ素子の模式図である。
図において、有機ＥＬ素子１０は、基板上１１に、陽極１２、有機層１３、陰極１４を積層した素子である。
【００２３】
陽極１２は、インジウムチンオキザイド（ＩＴＯ）、インジウムジンクオキサイド（ＩＺＯ）、金、酸化錫、酸化亜鉛等の仕事関数が４ｅＶ以上で透過率が４０％以上の導電性材料による透明電極である。
【００２４】
有機層１３は、発光する発光層を含む数ｎｍ〜数μｍの有機化合物又は錯体の単層、または複数層、例えば、陽極と接する正孔輸送層、発光材料を備える発光層、陰極と接する電子輸送層の３層等の構成からなる素子で、フッ化リチウム層や無機金属塩の層、またはそれらを含有する層などが任意の位置に配置されていてもよい。
【００２５】
陰極１４は、アルミニウム、ナトリウム、リチウム、マグネシウム、銀、カルシウム等の仕事関数が４ｅＶ未満で、反射率が６０％以上の金属材料からなる反射電極である。
【００２６】
基板１１は、基材としては、ガラス、石英等のソリッド基板用の基材、或いはポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリエーテルイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリフェニレンスルフィド、ポリアリレート、ポリイミド、ポリカーボネート（ＰＣ）、セルローストリアセテート（ＴＡＣ）、セルロースアセテートプロピオネート（ＣＡＰ）等のフレキシブル基板用の基材である。
【００２７】
本発明における有機ＥＬ素子１０は、陽極１２、陰極１４を介して、外部から供給された電流により、有機層１３において電子および正孔が結合し、結合により生じた励起エネルギーを利用した発光を行う素子で、有機層１３からの光は陽極１２を通して取り出される。励起エネルギーを利用する発光としては、１重項エネルギーを発光に利用する蛍光、或いは３重項エネルギーを発光に利用する燐光が挙げられる。特に、燐光は、３重項励起子が発光に寄与するため、蛍光に比べて高い発光効率が得られ流ので、光源として望ましい発光である。
【００２８】
有機ＥＬ素子１０の発光層からの発光は、陽極１２、基板１１を透過して射出されるが（ボトムエミッション）、薄膜の陰極材料と透過率の高い陽極材料を積層した実質的に透明な陰極から光を射出するトップエミッションの構成にしてもよい。
【００２９】
次に、上記有機ＥＬ素子上にバリア膜を形成する本発明のスパッタ装置についてその実施の形態を以下に説明する。
【００３０】
図２は、本発明の第１の実施の形態を示すスパッタ装置の模式図である。
【００３１】
スパッタ装置１００は、真空槽２０、排気口２１、ターゲット３０、カソード３１、マグネット３２、基板１１、電源５０、マッチングユニット５１等からなる。
【００３２】
マッチングユニットは通常、ＲＦマグネトロンスパッタ装置において、プラズマ用高周波電源をもちいるときセットで使用されており、プラズマ用高周波電源から出力する高周波電力を、プラズマを発生させる場所であるチャンバーに効率よく送り込むための機器である。
【００３３】
真空槽２０は、外気と遮断された減圧空間を提供する槽で、排気口２１に接続された図示しない真空ポンプにより槽内が減圧される。
【００３４】
ターゲット３０は、円筒状の形状をしたターゲット材料で、有機ＥＬ素子に形成させるバリア膜の構成材料と同一材料、或いは、スパッタガスとの反応により構成材料と同一となる材料である。
【００３５】
バリア膜は、水、酸素等のガスに対しバリア性の高い、金属の酸化膜、窒化膜、金属薄膜、ダイヤモンドライクカーボン膜を少なくとも１種以上含んでいる膜で、厚みは５０ｎｍ以上、５０μｍ以下の薄膜である。
【００３６】
ターゲット３０は、カソード３１と接続されており、電源５０からカソード３１を介して電圧が印加されてガス供給ポート３３からスパッタガスが導入されると、所定のガス圧の環境下において、ターゲット３０の円筒形の内側の空間にプラズマが発生してスパッタリングが行われる。
【００３７】
本発明のスパッタ装置は、箱型にターゲットを対向させ配置する従来の対向ターゲット式のスパッタ装置と異なり、ターゲット３０の形状が円筒形であるため、円筒形の内側空間４０においては、プラズマの強度が面内で均一化されたプラズマが発生する。このため、ターゲットはスパッタリングされても、不均一に減少する所謂エロージョンの発生が少ない。
【００３８】
また、円筒形の内側空間４０で発生するプラズマは、スパッタリングによるイオンや中性粒子がターゲット３０の間の空間を往復して高密度化されるため、スパッタガスの圧力を低下させることが可能となり、高い真空度を維持でき、酸素や水分による有機ＥＬ素子のダメージを減少させることが出来る。
【００３９】
更に、スパッタガスのガス供給ポート３３は、スパッタリングの行われる円筒状のターゲット３０の直下に設けられており、導入されたスパッタガスを効率よくスパッタリングに利用できる。勿論、従来の対向ターゲット式のスパッタと同様に、電離した電子やイオン化されたスパッタ粒子等が、円筒形状のターゲット３０の側面から基板１１側に飛び出すことがないので、有機ＥＬ素子の物理的なダメージも減少する。
【００４０】
ターゲット３０の大きさは特に限定はしないが、基板上に形成されるバリア膜は、スパッタ材料の入射角に対する膜組成のずれが小さく、適用範囲が広いため、ターゲット３０の内径寸法ｄを基板１１の対角線の長さ未満にしてもよい。即ち、有機ＥＬ素子の発光面積が大きくなり基板が大型化しても、カソードやターゲット材料を基板サイズより小型にすることが可能で装置コストが低減する。
【００４１】
マグネット３２は、例えば、Ｆｅ−Ｎｄ−Ｂや、Ｓｍ−Ｃｏ系の希土類焼結磁石、Ｂａ系やＳｒ系のフェライト焼結磁石、フェライト系等のボンド磁石、アルニコ系等の鋳造磁石等の永久磁石や、電磁石等、所定の磁界を発生する磁界発生手段である。
【００４２】
マグネット３２は、プラズマ発生空間で所定の磁界を発生する位置に配置すればよいが、図示したように、スパッタリングが行われるターゲット材料３０の内側の面とは反対側に配置する構成が、磁界強度と真空槽２０の中での収納効率の観点から好ましい構成である。マグネットの磁極の向きについては後述する。
【００４３】
また、マグネット３２に接するように図示しない冷却手段を設けてスパッタリングによりマグネット３２が高温になり磁力が低下するのを低減させてもよい。
【００４４】
基板１１は、ターゲット３０がスパッタリングされてバリア膜が製膜される基板であり、前述した有機ＥＬ素子１０の基板である。バリア膜の膜厚分布の均一性向上のために回転支持部材４２によりスパッタリング中は基板１１を回転させることが好ましいが、基板回転に限定するものではなく、基板１１を回転せずに固定で支持してもよい。
【００４５】
電源５０は、ターゲット３０に電圧を印加する電源で、材料の導電性により直流、交流、或いは直流バイアスを印加させた交流を発生させる。交流の電圧を印加するときは、マッチングユニット５１によりターゲット３０とのインピーダンス整合をとっている。
【００４６】
次にマグネット３２について説明する。
【００４７】
図３は、第１の実施の形態におけるマグネットの配置を示す（ａ）が断面図、（ｂ）が上面配置図である。
【００４８】
マグネット３２は、ターゲット３０のスパッタリングを行う面（内側）とは反対側の面、即ち、円筒形のターゲットの内側空間４０の反対側に複数個配置されている。図において、マグネット３２は、ターゲット３０の背面に亘って均等に配置され、磁束を均一化しているが、これに限定されるものではない。マグネット３２の磁極の向きは、互いに対向するマグネットが、例えば、ターゲット３０側が、Ｎ極であり、他方がＳ極、また、この逆にターゲット３０側をＳ極として他方をＮ極とした構成となっている。
【００４９】
図４は、本発明の第２の実施の形態におけるマグネットの配置を示す上面図である。
第２の実施の形態において、第１の実施の形態のマグネット３２以外、他の構成は同一であるため、他の構成についての説明は省略する。
【００５０】
第１の実施形態におけるマグネット３２のターゲット３０側の磁極は、ターゲット３０を挟んで互いに向き合う面のマグネットの磁極が反対であるので、この間で発生する磁束線は閉じている。しかしながら、ターゲット３０の側と反対側となるマグネットの磁極の磁束線は閉じることが出来ずに磁束の漏れが生じてしまう。このため、漏れ磁束を低減して有効磁束を増加させる為には、所定の厚みを有する鉄ヨーク等を設置する必要があり、真空槽２０が大型化してしまうため、排気ポンプの容量も増加させる必要が生じる。
【００５１】
そこで、第２の実施の形態においては、ターゲット３０の裏面側に設置したマグネット３２は、隣り合うマグネットが互いに反対磁極をもつように配置している。したがって、マグネット３２のターゲット３０側と、反対側の磁極、いずれも磁束線が閉じている為、漏れ磁束が大幅に低減され、鉄ヨークを設置したとしても、第１の実施の形態と比べると小型化が可能となる。
【００５２】
図５は、本発明の第３の実施の形態を示すターゲットの断面図である。
【００５３】
第３の実施の形態においても、第１の実施の形態におけるものと、ターゲット３０以外の構成は同一であるため、他の構成の説明は省略する。
【００５４】
第３の実施の形態におけるターゲット３０の断面は、基板側の開口４１が他方の開口より大きくなるように傾斜している。このため、ターゲット３０の内径ｄは、第１の実施例より大きくなり、より大きな基板サイズへのバリア膜の製膜が可能となる。
【００５５】
前記請求項３における、円筒形のターゲットの内径とは、この開口部の直径をいう。
【００５６】
傾斜の度合いも任意であるが、カソードの法線にたいし（図５のθ）、４５°以下、好ましくは３０°以下であることが、前記円筒状である故の効果をうる上で好ましい。傾斜は、断面でみたとき、必ずしも直線的に傾斜している必要はない。
【実施例】
【００５７】
以下に、本発明をより具体的に説明するが、これにより限定されるものではない。
【００５８】
有機ＥＬ素子の作製方法の一例として、陽極／正孔輸送層／発光層／陰極からなる有機ＥＬ素子の作製について説明する。
【００５９】
（ボトムエミッションの有機ＥＬ素子の作製）
洗浄したガラス１００ｍｍ角の基板を真空度１０-5Ｐａの圧力の真空環境下の蒸着真空槽に設置する。蒸着真空槽において、陽極用物質であるＩＴＯを１０００Åの膜厚になるように電子ビームにより形成して陽極を作製した。
【００６０】
次に、この上に有機ＥＬ素子材料であるα−ＮＰＤを正孔輸送層として２Å／秒の速度で蒸着して５００Åの厚さで形成した。次にＡｌｑ3を発光層として２Å／秒の速度で蒸着して６００Åの厚さで形成した。これらの層を形成後、その上に陰極用物質であるＡｌを２０００Åの膜厚になるように、３Å／秒の速度で蒸着して陰極を形成した。
【００６１】
【化１】
【００６２】
（トップエミッションの有機ＥＬ素子の作製）
洗浄したガラス１００ｍｍ角の基板を真空度１０-5Ｐａの圧力の真空環境下の蒸着真空槽に設置する。蒸着真空槽において、反射電極として金を１０００Åの膜厚になるように電子ビーム法により形成して陽極を作製した。
【００６３】
次に、この上に有機ＥＬ素子材料であるα−ＮＰＤを正孔輸送層として２Å／秒の速度で蒸着して５００Åの厚さで形成した。次にＡｌｑ3を発光層として２Å／秒の速度で蒸着して６００Åの厚さで形成した。これらの層を形成後、その上に陰極用物質であるＡＬを５０Åの範囲の膜厚になるように、３Å／秒の速度で蒸着した。
【００６４】
（実施例１）
作製したボトムエミッションの有機ＥＬ素子の基板を真空環境を維持したまま、スパッタリングを行う本発明の第１の実施の形態で示されるスパッタ装置に移した。
【００６５】
ターゲット材料として窒化珪素（Ｓｉ3Ｎ4）を用いて、円筒形状のターゲット（開口径１００ｍｍ、厚み２０ｍｍ）の上端と、有機ＥＬ素子の基板との距離を７ｃｍとした。スパッタガスに酸素２体積％を含むアルゴンを用いて、ガス圧力を１．３３×１０-2Ｐａとした。電源は、周波数１３．５６ＭＨｚの交流電源で投入電力が１００Ｗのときの製膜レートを水晶振動子によりモニターすると１Å／秒であった。
【００６６】
この条件で有機ＥＬ素子上に５０００Åの厚さのバリア膜を形成してサンプル１を作製した。
【００６７】
（実施例２）
作製したボトムエミッションの有機ＥＬ素子の基板を、真空環境を維持したまま、スパッタリングを行う本発明の第２の実施の形態で示されるスパッタ装置に移した。
【００６８】
マグネット以外の構成は第１の実施の形態と同一条件としたときの交流電源の投入電力が１００Ｗのときの製膜レートを水晶振動子によりモニターすると１．５Å／秒であった。この条件で有機ＥＬ素子上に５０００Åの厚さのバリア膜を形成してサンプル２を作製した。
【００６９】
（実施例３）
作製したトップエミッションの有機ＥＬ素子の基板を真空環境を維持したまま、スパッタリングを行う本発明の第３の実施の形態で示されるスパッタ装置に移した。
【００７０】
ターゲット材料としてインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）を用いて、円筒形状（ターゲット開口径１００ｍｍ、傾斜角度（カソード法線に対しθ）３０度、厚み２０ｍｍ）のターゲットの上端と、有機ＥＬ素子の基板との距離を７ｃｍとした。スパッタガスに酸素５体積％を含むアルゴンを用いて、ガス圧力を１×１０-4Ｔｏｒｒとした。電源は、交流電源で投入電力が１００Ｗのときの製膜レートを水晶振動子によりモニターすると１Å／秒であった。この条件で有機ＥＬ素子上に１０００Åの厚さのＩＴＯ膜を形成し、実質的に透明な陰極を形成した。
【００７１】
その後、ターゲット材料同じく円筒形状（ターゲット開口径１００ｍｍ、傾斜角度（カソード法線に対しθ）３０度、厚み２０ｍｍ）に形成したＳｉ3Ｎ4を用いて、実施例２と同様に有機ＥＬ素子上に５０００Åの厚さのバリア膜を形成してサンプル３を作製した。
【００７２】
（比較例）
作製したボトムエミッション有機ＥＬ素子の基板を乾燥窒素の雰囲気下において、有機ＥＬ材料が外気と遮断するように、図６に示したようにガラス材料の封止材１５で覆い、ＵＶ硬化の接着剤１６によって封止材を基板に接着してサンプル４を作製した。
接着剤は、紫外線硬化樹脂ナガセケムテック製５５１６ＸＮＲを用いた。
【００７３】
（評価結果）
表１に、実施例で作製した作製直後の各有機ＥＬ素子各サンプルを、２３℃、乾燥窒素ガス雰囲気下で、２．５ｍＡ／ｃｍ2の定電流で駆動し、発光させた。発光を分光放射輝度計ＣＳ−１０００（コニカミノルタ製）を用い測定し、各サンプルそれぞれについて、外部取り出し効率（％）を算出し比較した。また、その際の各素子の駆動電圧を比較した。
【００７４】
作製直後のサンプル１、サンプル２、サンプル３は、外部取りだし効率、駆動電圧共に同等であり、バリア膜の製膜時に有機ＥＬ素子へのダメージが少ないことを示している。更に、サンプル３においては、ＩＴＯの製膜によるダメージが少ないことを示している。
【００７５】
実施例１から実施例３までのそれぞれの条件で、有機ＥＬ素子基板にそれぞれ連続１００枚バリア膜を製膜したときのターゲットの初期との平均表面粗さの差をみたところ、全ての条件で増加量が０．９ｍｍ以下であった。この値はターゲットの初期厚み２０ｍｍに対して５％以下であるのでエロージョンは実用上問題ないレベルである。
【００７６】
尚、上記平均表面粗さは、ＪＩＳ−Ｂ−０６０１により定義される中心線平均粗さＲａであり、ターゲット内部について、ＷＹＫＯ社製 ＲＳＴＰＬＵＳ非接触三次元微小表面形状測定システムを用いて測定したものである。
【００７７】
また、更に、サンプル１、サンプル２、サンプル３、サンプル４について、６０℃、９０％ＲＨの高温高湿において５００ｈｒの保存し、保存後、２．５ｍＡ／ｃｍ2の一定電流で駆動させ、前記同様に外部取り出し効率、駆動電圧を、また、２ｍｍ×２ｍｍ四方の範囲での目視で確認できる非発光点（ダークスポット）の数を各サンプル間で比較したが、サンプル１、サンプル２、サンプル３は、サンプル４（ガラスにより封止した有機ＥＬ素子）と比較しても、外部取り出し効率、駆動電圧、ダークスポットともに同等の保存特性が確認された。
【図面の簡単な説明】
【００７８】
【図１】有機ＥＬ素子の模式図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態を示すスパッタ装置の模式図である。
【図３】第１の実施の形態におけるマグネットの配置を示す断面図および上面配置図である。
【図４】本発明の第２の実施の形態におけるマグネットの配置を示す上面図である。
【図５】本発明の第３の実施の形態を示すターゲットの断面図である。
【図６】ガラス材料の封止材で封止した有機ＥＬ素子の断面を示す概略図である。
【符号の説明】
【００７９】
１０ 有機ＥＬ素子
１１ 基板
１２ 陽極
１３ 有機層
１４ 陰極
２０ 真空槽
２１ 排気口
３０ ターゲット
３１ カソード
３２ マグネット
５０ 電源
５１ マッチングユニット
１００ スパッタ装置
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成した有機エレクトロルミネッセンス素子上に保護膜を形成するスパッタ装置において、ターゲットの形状が円筒形であって、円筒形の内側でスパッタリングが行われることを特徴とするスパッタ装置。
【請求項２】
円筒形の前記ターゲットの断面形状は、基板側の開口が大きくなるように傾斜していることを特徴とする請求項１に記載のスパッタ装置。
【請求項３】
円筒形の前記ターゲットの直径は、前記基板の対角線の長さ未満であることを特徴とする請求項１または２に記載のスパッタ装置。
【請求項４】
スパッタ装置のマグネットは、前記ターゲットのスパッタリング面と反対側であって、かつ、磁極が磁束線が閉じている向きに配置されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載のスパッタ装置。
【請求項５】
前記有機エレクトロルミネッセンス素子は、基板から順に反射電極、有機層、透明電極が積層されてなり、前記保護膜形成前に、スパッタ装置により透明電極を形成することを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載のスパッタ装置。
【請求項１】
基板上に形成した有機エレクトロルミネッセンス素子上に保護膜を形成するスパッタ装置において、ターゲットの形状が円筒形であって、円筒形の内側でスパッタリングが行われることを特徴とするスパッタ装置。
【請求項２】
円筒形の前記ターゲットの断面形状は、基板側の開口が大きくなるように傾斜していることを特徴とする請求項１に記載のスパッタ装置。
【請求項３】
円筒形の前記ターゲットの直径は、前記基板の対角線の長さ未満であることを特徴とする請求項１または２に記載のスパッタ装置。
【請求項４】
スパッタ装置のマグネットは、前記ターゲットのスパッタリング面と反対側であって、かつ、磁極が磁束線が閉じている向きに配置されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載のスパッタ装置。
【請求項５】
前記有機エレクトロルミネッセンス素子は、基板から順に反射電極、有機層、透明電極が積層されてなり、前記保護膜形成前に、スパッタ装置により透明電極を形成することを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載のスパッタ装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【公開番号】特開２００７−７３４０４（Ｐ２００７−７３４０４Ａ）
【公開日】平成１９年３月２２日（２００７．３．２２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００５−２６０４２９（Ｐ２００５−２６０４２９）
【出願日】平成１７年９月８日（２００５．９．８）
【出願人】（０００００１２７０）コニカミノルタホールディングス株式会社 (4,463)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１９年３月２２日（２００７．３．２２）
【国際特許分類】
【出願日】平成１７年９月８日（２００５．９．８）
【出願人】（０００００１２７０）コニカミノルタホールディングス株式会社 (4,463)
【Ｆターム（参考）】
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