真空室内で回転するマグネトロンを用いて基板に成膜する方法であって、基板の運搬方向にマグネトロンに沿って基板を通過させて、マグネトロンと接続されたターゲットから放出される材料を用いて、場合によっては、その材料を真空室内に有る反応ガスと反応させて、成膜する方法に関し、ターゲットの回転に対して動作点を安定化させることによって、基板上の膜の均質性を改善することを課題とする。本課題は、ターゲットの回転によって引き起こされる第一のプロセスパラメータの周期的な変化を第二のプロセスパラメータの所定の大きさの周期的な変化によって補正することと、回転数の異なる二つのマグネトロンを配備することの一方又は両方によって解決される。
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【課題】種々の成膜法が利用可能な連続成膜装置を提供する。
【解決手段】真空中で搬送される基材Ｓの表面に成膜粒子を供給して皮膜を形成する連続成膜装置であって、真空チャンバ−１と、真空チャンバー１内に回転自在に支持され、基材Ｓを巻き掛けて搬送する成膜ロール４と、前記基材Ｓを成膜域に供給する巻出ロール５および成膜後の基材を巻き取る巻取ロール６と、前記成膜ロール４に対向して配置されたスパッタ蒸発源７１，７２，７３を備える。さらに前記成膜ロール４の下部に一対の回転円筒状電極１１，１２をそれぞれ成膜ロール４と平行に備える。前記一対の回転円筒状電極の少なくとも一方は円筒状ターゲット１３を備える。 （もっと読む）

本発明は、少なくとも１つのモリブデン系化合物を含む公称厚さのターゲットであって、ラメラ微細構造、１０００ｐｐｍ未満、好ましくは６００ｐｐｍ未満、特に好ましくは４５０ｐｐｍ未満の酸素量、及び前記化合物の理論電気抵抗率の５倍未満、好ましくは３倍未満、特に好ましくは２倍未満の電気抵抗率を有することを特徴とするターゲットに関する。 （もっと読む）

【課題】
大掛かりな装置を必要とせず、高速かつ低コストで実施できる管体内面への透明導電膜成膜方法を提供する。
【解決手段】 管体内面への透明導電膜成膜方法は、非酸化金属からなる蒸着物質を管体とほぼ同じ長さにして管体内に挿通する工程と、蒸着物質が挿通された管体を真空チャンバ内に配置する工程と、真空蒸着法あるいはスパッタ法によって管体内面に蒸着物質からなる金属膜を形成する工程と、金属膜を酸化することで透明導電膜とする工程と含んでいる。 （もっと読む）

本発明は、特に光学的応用のためのセラミック層のマグネトロンスパッタリングの新しい基礎技術に関する。この新しいコンセプトは、反応性ＤＣ，ＭＦ若しくはＲＦマグネトロンスパッタリング、又はセラミックターゲットのマグネトロンスパッタリングのような周知の方法と比べて、厳密に定められた速度、均質性及び極めて良好な再現性を有するセラミック層の析出において、極めて精度を向上させたマグネトロンスパッタソースの形成を可能にする。 （もっと読む）

【課題】腫瘍細胞を選択的に破壊する等、種々の用途に効果的に利用可能な新規な形状の磁性微粒子、その製造方法及びその製造装置を提供する。
【解決手段】コア部１とそのコア部２の周りにある多数のヒゲ状突起３とからなり、そのヒゲ状突起３を含む粒子径Ｄに対するヒゲ状突起３の長さＬの割合が５％以上３０％以下である磁性微粒子１により、上記課題を解決する。このとき、ヒゲ状突起３を含む粒子径Ｄの平均が１００ｎｍ以上３００ｎｍ以下の範囲内である磁性微粒子１は、ガスフロースパッタ法で形成された鉄微粒子として好ましく得ることができ、腫瘍細胞内に貪食又はエンドサイトーシスされて外部から加わる変換磁場により該腫瘍細胞を破壊する磁性微粒子として利用できる。 （もっと読む）

【課題】機械の運転時における材料経費が低減されるコーティング機及びコーティング機の動作方法を提供すること。
【解決手段】スパッタリングによって基板をコーティングするためのコーティング機はプロセスチャンバを備えており、プロセスチャンバ内では、基板をコーティングするために、ターゲット３，３’からターゲット材料を基板の方向にスパッタ可能である。コーティング機は、ターゲットをプレスパッタするためにスパッタ方向Ｓから離れるように向く方向にスパッタ方向Ｓを合わせるとともに、ターゲットから材料をスパッタすることによって基板をコーティングするために基板に向く方向にスパッタ方向Ｓを合わせるための手段を特徴としている。アライメントの変化は、例えば、フラットカソード２，２’の長軸を中心に９０°又は１８０°の角度にわたってカソードを回転させることにより行なわれてもよい。 （もっと読む）

【課題】生産性の低下を抑えつつ組成の異なる合金薄膜を形成可能なスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】スパッタリング装置１０は、外部より低圧な雰囲気に維持可能なチャンバ１２と、チャンバ１２内で基材１４を保持する保持部１６と、保持部１６で保持された基材１４に周面が対向するように設けられた回転可能な回転陰極１８であって、表面のターゲット材料をスパッタリングするための電力が供給される筒状の回転陰極１８と、回転陰極１８の表面に金属材料を供給可能な複数の補助陰極３２０，３３０と、を備える。複数の補助陰極３２０，３３０は、互いに異なる金属材料を回転陰極１８の表面に供給する。 （もっと読む）

【課題】金属化合物薄膜の生産性を向上するスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】スパッタリング装置１０は、チャンバ１２と、基材１４を保持する保持部１６と、保持部１６で保持された基材に周面が対向するように設けられた回転陰極１８と、回転陰極１８の表面に金属材料を供給可能な補助陰極２０と、保持部１６が設けられた成膜室２２と金属材料供給室２４との間のガスの移動を規制するガス遮蔽部材３０と、成膜室２２に接続され、スパッタリングされたターゲット材料と反応して金属化合物を形成する反応性ガスを供給する反応性ガス供給路３２と、を備える。補助陰極２０は、スパッタリングされた回転陰極１８の表面にターゲット材料と同種の金属材料を新たに供給する。 （もっと読む）

【課題】使用率を向上させ、Ｉｎ等の半田材の注入を容易にし、半田等の割れやクラック、剥離を著しく低減できる円筒形スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】ＩＴＯまたはＡＺＯ等のセラミックス焼結体からなる複数個の円筒形ターゲットの、少なくとも一方の端部に、内周に向かってテーパ状及び／又は段状の形状を形状とし、円筒形ターゲットと円筒形基材との間隙にＩｎ等の接合材（半田材）を容易にかつ円滑に注入して接合し、スパッタリングターゲットと成した後、使用効率が高く、割れやクラック、剥離のないことを特徴とする、円筒形スパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】複数の円筒形ターゲット材からなる長尺の円筒形スパッタリングターゲットを用いてスパッタ成膜した場合においても、成膜工程の製造歩留まりの高い円筒形スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】円筒形基材と複数の円筒形ターゲット材とを接合材を用いて接合してなる多分割の円筒形スパッタリングターゲットにおいて、隣り合う円筒形ターゲット材が間隔を有して配置されている分割部を有し、かつ分割部において隣り合う円筒形ターゲット材の外周面の段差が０．５ｍｍ以下であることを特徴とする。このようなターゲットは、円筒形基材を基準として円筒形ターゲット材を配置する際に、円筒形ターゲット材の外周面を基準にして円筒形ターゲット材を固定して製造することにより得られる。 （もっと読む）

上部に固体ターゲットシリンダを受け入れるようにされた、スパッタリング装置のための回転可能なターゲットベース装置を提供し、この回転可能なターゲットベース装置は、側面（３）と、中間部（１２）と、第１の端部領域（７）と、第１の端部領域に対向する第２の端部領域（９）とを有するターゲットベースシリンダ（４）を含み、第１及び第２の端部領域の少なくとも一方は、実質的に中間部の外径以下の最大外径を有する。 （もっと読む）

【課題】 安価な方法で高密度かつ均一な組織の円筒型の酸化物焼結ターゲット材を得ることが可能な製造方法を提供する。
【解決手段】 酸化物粉末を含むスラリーを円筒形状の吸水型に注入した後、前記吸水型の円筒内壁にスラリーを沈降させながら吸水型の中心線を回転軸心として回転速度３０ｒｐｍ以下で回転させことにより円筒形状の酸化物成形体を得、次いで前記酸化物成形体を焼結して円筒型酸化物焼結体を得る円筒型酸化物焼結ターゲット材の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】本発明の課題は、接合材を密に充填でき、且つ製造時の割れ、欠けの発生を著しく低減することができる円筒形スパッタリングターゲットの製造方法を提供することである。
【解決手段】円筒形スパッタリングターゲットの製造時に、円筒形ターゲット内側面、及び円筒形基材外側面によって形成される空間と接合材との圧力差により接合材を前記空間に充填した場合に、接合材を密に充填できるとともに、製造時の割れ、欠けの発生が著しく低減できる。 （もっと読む）

【課題】アーキングの抑制とクリーニング頻度の低減により、欠点の少ない膜を生産性よく製造する。
【解決手段】陽極部(30)の内部又はその近傍に補正磁気回路(32)を設け、ターゲット(18)を貫通する磁力線の一部が防着板(27)を迂回して陽極部(30)の一部を貫通する磁界を形成する。防着板(27)は、補正磁気回路(32)単独の磁力線が陽極部(30)表面の法線と最も平行に近くなる点のうち、該法線方向の前記陽極の一部を貫通する磁界の貫通位置に近い方の点における法線の方向(48)とのなす角度が１０度以下の着膜側表面(27Ａ)を有する。 （もっと読む）

【課題】割れ、欠け、異常放電、ノジュールの発生を著しく低減させたセラミックス円筒形スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】セラミックス円筒形ターゲット材と円筒形基材とにより形成されたキャビティに、溶融状態の接合材を充填し、円筒軸方向の一端より冷却を開始し他端に向けて順次冷却し、冷却中にさらに溶融状態の接合材をキャビティに供給することにより、接合材のＸ線透過写真で、接合材が存在しない箇所の合計面積がＸ線透過写真面積５０ｃｍ^２あたり１０ｃｍ^２以下、かつ接合材が存在しない箇所の最大面積が９ｃｍ^２以下であることを特徴とセラミックス円筒形スパッタリングターゲットを製造する。 （もっと読む）

本発明は、酸化物スパッタターゲットの製造方法に関する。その方法は、ターゲットホルダーを供給するステップと；少なくとも１種の酸化物と少なくとも１種の金属とを同時に噴霧することによってスパッタ可能材料の外層をそのターゲットホルダー上に形成するステップとを含む。スパッタ可能材料の外層は第１の相と第２の相とを含む。第１の相は少なくとも第１の金属および第２の金属の酸化物を含み；第２の相はその金属相中に金属を含む。その金属相中の金属は第１の相の酸化物中または酸化物間に配置された不連続ボリュームを形成する。スパッタ可能材料の外層はその金属相中に０．１〜２０重量％の金属を含む。本発明はさらに、酸化物スパッタターゲットに関する。
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回転可能なターゲット内に挿入可能なスパッタリングマグネトロン（３００）が記載されている。このマグネトロンは、全長に亘って延在する複数の区画（３１６，３１６’，３１８，３１８’）を有する内部多壁構造の単体チューブ（１０２，２０２）に基づいて設計されている。このような多壁構造のチューブは、先行技術のマグネトロンと比較して、著しく高い剛性を有するマグネトロン支持構造をもたらす。その結果、磁場発生器を区画の内側に取り付け可能であり、磁石とターゲット表面との間の距離は、チューブが発生器よりも高い剛性を有することで、容易に調整可能である。加えて、チューブ内側の外壁近くに冷媒通路を形成でき、これにより、冷媒を磁場発生器の近傍に供給できる。マグネトロンの増大した剛性によって、ターゲット管は、ターゲットの耐用期間の少なくとも一部においてマグネトロンによって支持され（これと逆の関係ではない）、それにより、薄肉のターゲットキャリア管を利用可能となる。このキャリア管はマグネトロンを支持する必要がないからである。その結果、ターゲットの長期使用がもたらされる。
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開示された発明は、ＰＶＤ又はＩＰＶＤにおいてイオン化を高めるために同軸マイクロ波アンテナを使用する。同軸マイクロ波アンテナは、電源に従属しているスパッタリングカソード又はターゲットに隣接するプラズマ密度を均一に増加させる。同軸マイクロ波源は電磁波を横電磁波（ＴＥＭ）モードで生成する。また、本発明はスパッタリングを更に高めるためにスパッタリングカソード又はターゲットの近傍にマグネトロンを使用する。更に、高価なターゲット材料の高い収率を得るために、ターゲットは収率を改善するために回転可能とする。ターゲットは誘電体材料、金属、又は半導体を含む。またターゲットは、ターゲットが回転する中心軸周りに実質的に対称な断面を有する。ターゲットは実質的に円形又は環状の断面を有していてもよい。
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【課題】装置を大型かつ複雑にすることなく、経済的課題を解消し、被成膜体表面に効率よく同時に均一な膜を成膜することができるスパッタリングカソード及びそれを用いたスパッタ装置を提供する。
【解決手段】スパッタリングカソード１１は、互いに極性が異なる一対のリング状磁石１２Ａ、１２Ｂ、リング状スパッタリングターゲット１５、磁気ヨーク１６、冷却ジャケット１４、グラファイトシート１７から構成される。スパッタリングカソード１１はスパッタ装置に設置され、内側にリング状のスパッタリングターゲット１５を収容した状態で、被成膜体をスパッタリングターゲット１５の内側に固定配置して、又は一定速度でリング軸方向に移動させながら、被成膜体に成膜を行う。 （もっと読む）