硬質材料被覆が単相でかつ結晶質の構造を有する、基材上の多機能性硬質材料被覆。課題は、金属性硬質材料膜の利点とイオン性硬質材料膜の利点とを併せ持つ硬質材料被覆を提案することである。前記課題は、少なくとも２の相互に溶解し得ない硬質材料からなる準安定混晶を材料成分として含み、その際、材料成分は少なくとも１の金属性硬質材料（４）及びイオン性硬質材料（６）を含むことを特徴とする前記硬質材料被覆により解決される。 （もっと読む）

【課題】半導体基板上の絶縁膜に設けられた凹部にＣｕ合金が埋め込まれた半導体配線を製造するに当たり、凹部にＣｕ合金を埋め込むことができ、しかも配線の電気抵抗率を上げることなく絶縁膜とＣｕ配線の界面にバリア層を形成することができる配線の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板上の絶縁膜に設けられた、最小幅が０．１５μｍ以下で、該最小幅に対する深さの比［深さ／最小幅比］が１以上である凹部の表面に、Ｔｉを０．５〜３原子％とＮを０．４〜２．０原子％含有するＣｕ合金を形成した後、２００℃以上、５０ＭＰａ以上に加熱加圧して前記凹部内に前記Ｃｕ合金を埋め込むことによって半導体配線を形成すればよい。 （もっと読む）

【要 約】
【課題】ＩＴＯ膜との接触抵抗が低い金属膜を形成する。
【解決手段】アルミニウムを主成分とする金属膜２５中にインジウム又は錫のいずれか一方又は両方を添加物として含有させ、アニールし、金属膜２５内部の表面及び裏面付近に添加物の高濃度層２５Ｉを形成する。金属膜２５表面に形成されたＩＴＯ膜から酸素が遊離しても、導電性を有するインジウム酸化物や錫酸化物が形成され、絶縁性のアルミニウム酸化物は形成されにくいので、接触抵抗が増大しない。 （もっと読む）

【課題】 処理基板の成膜する側の面とターゲットプレートとを、平行に対向させ、マグネトロンスパッタ方式でスパッタを行うスパッタ装置で、ノジュールの発生をなくし、スパッタ処理においてターゲットプレートを効率的に利用でき、エロージョン部分全面を均一に堀り込むことができるスパッタ装置を提供する。
【解決手段】 ターゲットプレートの処理基板面側でない裏面側にマグネットを１以上配し、該１以上のマグネットを揺動させ、ターゲットプレートの前記処理基板面側全体をエロージョン部分とする、もしくは、該ターゲットプレートの処理基板面側を、その天地方向または水平方向のいずれか１方向の対向する周辺部を非エロージョン部分として残してそれ以外をエロージョン部分とするもので、前記ターゲットプレートの処理基板面側の周辺部がエロージョン部分となる外周に、近接して、外側に、処理基板面側をターゲットプレート面に沿う平面にして、少なくとも前記処理基板面側の表面部を焼結したＩＴＯとする補助部材を配設している。 （もっと読む）

【課題】熱処理後でもヒロックなどの熱欠陥が発生せず、電気抵抗が低く、さらに、透明導電膜との直接積層が可能な配線材料を提供するとともに、該配線材料からなる配線を具備した大型・高精細の生産性に優れた液晶ディスプレイパネル、及び、本配線を形成するためのスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】配線の少なくともひとつが、添加元素として希土類元素の中から選ばれる少なくとも１種以上の元素を０．０１〜１原子％含有し、残部がＣｕ及び不可避的不純物であるＣｕ合金薄膜からなり、かつ、透明導電膜と直接積層した配線構造を有する液晶ディスプレイパネルとする。 （もっと読む）

【課題】 同一または異なる真空チャンバ内に配置したターゲット相互間でその投入電力を迅速に切換えることができ、十分な耐久性を有し、その上、低コストなスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】 複数の真空チャンバ４１ａ、４１ｂに配置した複数の一対のターゲット４１ａ、４１ｂ、４１ｃ、４１ｄと交流電源とを備え、この交流電源を、電力供給部６及び発振用スイッチ回路７２を有する複数の発振部７に分けて構成する。そして、各発振用スイッチ回路の作動を制御する制御手段と、前記複数の一対のターゲット相互間で交流電圧を印加されるものを切り換える切換信号を制御手段に入力する切換手段９とを設け、切換信号が入力されている制御手段によって、いずれかの一対のターゲットに所定の周波数で交互に極性をかえて電圧を印加できるようにする。 （もっと読む）

【課題】ノジュールの発生を抑制し、成膜の均一性を高め、生産効率を上げることができる、相変化型光ディスク保護膜形成に有用であるカルコゲン化物と珪酸化物の複合体からなるスパッタリングターゲット及び該ターゲットを使用して相変化型光ディスク保護膜を形成した光記録媒体を得る。
【解決手段】カルコゲン化物と珪酸化物の複合体からなる相変化型光ディスク保護膜形成用スパッタリングターゲットであって、少なくともエロージョンの部位において、スパッタ面の法線方向に対して−３０°〜＋３０°の範囲にある面に存在する珪酸化物の法線方向の平均長さをＡ、該法線に対して垂直方向の平均長さをＢとしたとき、０．３≦Ａ／Ｂ≦０．９５となる組織を有することを特徴とする相変化型光ディスク保護膜形成用スパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】磁気データ記録層の結晶化度と磁気結晶異方性を高めることにより、垂直磁気記録媒体に要求される熱安定性と雑音特性を達成することを目的とする。
【解決手段】磁気記録媒体のシード層を、タンタル(Ｔａ)と、体心立方のタンタル(Ｔａ)相に対する溶解度が室温で１０原子パーセント以下であり且つ１．５×１０^-7ｍ³/ｋｇ以下の質量磁化率を有する合金化元素とからなるスパッタターゲットで基板上に形成する。合金化元素は、ホウ素(Ｂ)、炭素(Ｃ)、アルミニウム(Ａｌ)、ケイ素(Ｓｉ)、チタン(Ｔｉ)、バナジウム(Ｖ)、マンガン(Ｍｎ)、クロム(Ｃｒ)、ジルコニウム(Ｚｒ)、ニオブ(Ｎｂ)、モリブデン(Ｍｏ)、イッテルビウム(Ｙｂ)、ルテチウム(Ｌｕ)、ハフニウム(Ｈｆ)、ビスマス(Ｂｉ)及びタングステン(Ｗ)から選択される。同磁気記録媒体の製造方法と使用するスパッタターゲットとの構成を特定構成とした。 （もっと読む）

【課題】熱による微量の遊離ハロゲンとの反応による反射率の低下を抑制し且つ耐熱性を改善しつつ、高い反射率および低い電気抵抗を有し、しかも熱や湿度に対しても高い安定性を有する反射膜、配線用または電極用薄膜及び半反射型半透過膜、ならびにかかる膜の製造に有用なスパッタリングターゲット材および蒸着材料を提供すること。
【解決手段】Ａｇに、特定少量のＣｕとＴｅ、Ｓｅ、Ｐの少なくとも１種とＭｎを添加し、さらに必要に応じてＩｎ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、ＲｕおよびＩｒの少なくとも１種および／またはＮｉ、Ｆｅ、ＢｉおよびＣｒの少なくとも１種を少量追加添加してなるＡｇ基合金から構成された、スパッタリングターゲット材または蒸着材料ならびに反射膜、配線用膜、電極用膜または半反射型半透過膜。 （もっと読む）

【課題】この発明は、基板上の膜厚分布を向上させる新しい構成を有するスパッタ装置を提供する。
【解決手段】この発明は、真空容器と、該真空容器内に配置される基板ホルダーと、該基板ホルダー上に載置された基板に対してスパッタを行うターゲットを有する複数のスパッタリングカソードを具備するスパッタ装置において、前記複数のスパッタリングカソードは、それぞれのスパッタリングカソードに装着されるターゲットの中心軸が、前記基板ホルダーに載置される基板の中心軸に対して、所定の角度で傾斜するように配設されると共に、該複数のスパッタリングカソードによって構成されるスパッタリングカソードユニットが、前記真空容器に対して前記基板の中心軸を中心として回転自在に保持されることにある。 （もっと読む）

【課題】 スループットを低下させることなく、所定の温度まで基板温度を低下させた状態で成膜可能な磁気記録ディスクの製造方法およびその製造装置を提供すること。
【解決手段】 垂直磁気記録方式の磁気記録ディスクの記録層１６をスパッタ法により形成するにあたっては、真空チャンバー２３０内の成膜部１００に磁気記録ディスク用基板１０とターゲット１１０とが対向する空間１５０の周りを囲むように筒状の陰極シールド体１６０を配置しておき、陰極シールド体１６０の内側に冷却ガスを供給して磁気記録ディスク用基板１０を冷却する強制冷却工程と、１００℃以下まで冷却された磁気記録ディスク用基板１０にスパッタ成膜を行うスパッタ成膜工程とを行う。強制冷却工程を行う際、磁気記録ディスク用基板１０に向かう冷却ガスの流れを磁気記録ディスク用基板１０に垂直な方向とする整流部材１８０を磁気記録ディスク用基板１０に対向配置させておく。 （もっと読む）

【課題】結晶性が制御されて高い配向性を有し優れた圧電特性を有し、圧電体膜と電極との密着性が高く、膜剥がれが抑制されて耐久性が高い圧電体及び、作動環境の温度が変化しても圧電特性が劣化しない圧電体を得て、これを用いた圧電体、圧電素子、液体吐出ヘッド、液体吐出装置を提供する。
【解決手段】特定のＡＢＯ₃ペロブスカイト型酸化物の積層構造を有し、積層構造が、第１の結晶相の層と、該第１の結晶相と異なる結晶相を有する第２の結晶相の層と、第１の結晶相の層と第２の結晶相の層との間に設けられる境界層とを有し、第１の結晶相と第２の結晶相が特定の結晶相を有し、境界層が結晶相が層の厚さ方向において漸次に変化するものであり、積層構造全体として、単結晶構造または一軸配向結晶構造を有する。 （もっと読む）

【課題】３５０℃以上の高温でもヒロックなどの熱欠陥が発生せず、電気抵抗が低い電子デバイスの高密度化に適した電極配線材料、及び、スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】Ｎｄ、Ｓｍ、Ｈｆ、Ｈｏ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｄｙから選ばれる少なくとも１種以上の元素を０．０１〜５原子％含有し、残部がＣｕ及び不可避的不純物であるＣｕ合金とすることにより耐熱性に優れた低抵抗の電極配線材料が得られる。また、該電極配線材料はＮｄ、Ｓｍ、Ｈｆ、Ｈｏ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｄｙから選ばれる少なくとも１種以上の元素を０．０１〜５原子％含有し、残部がＣｕ及び不可避的不純物であるＣｕ合金からなるスパッタリングターゲットを用いて、容易に安定に形成することができる。 （もっと読む）

【課題】結晶性が制御されて高い配向性を有し優れた圧電特性を有し、圧電体膜と電極との密着性が高く、膜剥がれが抑制されて耐久性が高い圧電体を提供することにある。また、作動環境の温度が変化しても圧電特性が劣化しない圧電体を得て、これを用いた圧電体、圧電素子、液体吐出ヘッド、液体吐出装置を提供することにある。
【解決手段】一般式ＡＢＯ₃で表される特定のペロブスカイト型酸化物を含む積層構造を有する圧電体であって、該積層構造は、正方晶、菱面体晶、擬似立方晶、斜方晶および単斜晶のいずれかから選択された結晶相を有する層状の第１の結晶相と、これと異なる結晶相で上記結晶相のいずれかから選択された結晶相を有する層状の第２の結晶相と、第１の結晶相と前記第２の結晶相の間に、結晶相が層の厚さ方向において漸次に変化する境界相とを有し、全体として単結晶構造または一軸配向結晶構造を有する。 （もっと読む）

【課題】 高い保磁力を有する磁性薄膜を提供すること。
【解決手段】 ３２．５〜６５at%のPt、３２．５〜６５at%のFeおよび０．５〜２．５at%のInを含有する磁性薄膜。 （もっと読む）

【課題】摩擦係数の一層の低減を図ると共に、簡便なプロセスで製造することができ、効果の発揮される潤滑剤の種類の制約も少ない硬質炭素被膜摺動部材を提供すること。
【解決手段】摺動部位に備える硬質炭素被膜に、セリウムを１．５〜３４原子％、ニッケル／コバルトを合計で２〜４０原子％、これらの含有量が４５原子％以下であるように含有する硬質炭素被膜摺動部材である。被膜中の水素の含有量が６原子％以下である。潤滑剤中で使用される。潤滑剤が自動車用エンジン油である。 （もっと読む）

【課題】 低い駆動電圧で、赤色、緑色、青色を、高輝度でかつ安定的に発光するナノシリコン発光素子と、その製造方法を提供する。
【解決手段】 粒子サイズ１．５〜２．０ｎｍ、２．０〜２．５ｎｍ、２．５〜３．５ｎｍの何れかのナノシリコンを多数内包する半導体基板上の酸化ケイ素膜に、フッ酸水溶液処理とブロワー処理を施すことにより形成され、かつ、室温で、低い駆動電圧にて、青色、緑色、赤色の何れかを高輝度で発光することを特徴とする高輝度・低駆動電圧型ナノシリコン発光素子であって、半導体基板上に、酸化ケイ素膜が存在しない領域と、ナノシリコンを多数含むフッ酸水溶液が残留する領域を形成した後、該フッ酸水溶液残留領域にブロワー処理を施し、隣接する酸化ケイ素膜が存在しない領域に、多数のナノシリコンを凝集状態で露出せしめて製造する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、成膜装置並びに成膜方法に関するものである。特に、波長１３ｎｍ帯の極端紫外線を用いたリソグラフィ用反射型マスクブランク多層膜の無欠陥成膜に用いて有用である。マスクブランク多層膜の成膜では、サイズ３０ｎｍ以上の欠陥密度零が要求され、これまでの成膜技術では達成困難であった。
【解決手段】 本発明の成膜装置は、真空容器と、この真空容器に、成膜材料源と、イオンビーム発生部と、成膜を施す基板の保持手段と、前記成膜材料源から発生する粒子の飛行速度を検出する手段とを、有する。粒子の飛行速度の計測に基づいて、形成中の膜面を、大きな粒子をエッチングするか、所望の膜を堆積するかを判定する。 （もっと読む）

【課題】 ターゲットとバッキングプレートとをボンディング材を介して接合して構成されるターゲット組立体を用いスパッタリングする場合に、ターゲットとバッキングプレートとの接合面がプラズマに曝されることがなく、ひいては、スパッタリングの際の異常放電の誘発が防止できるようにする。
【解決手段】 所定形状を有するスパッタリング用のターゲット３１ａ〜３１ｆとのバッキングプレート３２ａ〜３２ｆのの接合面の面積を、ターゲットの最大横断面積より小さく設定する。 （もっと読む）

【課題】ディスク基板上に、内周側と外周側とで組成の異なる膜を形成するために、従来の全体が均一組成の円盤状ターゲットに用いられるものと同じスパッタ装置が使用でき、かつ作成が容易であるスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】複数の異なる組成領域１０ａ，１０ｂが組み合わされて円盤形状となったスパッタリングターゲット１０において、前記組成領域１０ａ，１０ｂそれぞれは少なくとも当該円盤外周の一部を構成し、該円盤主面上の円盤中心を同心とする複数の円周（半径位置（１）〜（３）の円周）ごとで、前記組成領域１０ａ，１０ｂそれぞれの組成及び該組成領域１０ａ，１０ｂそれぞれが占める割合から決まる平均組成が異なる。 （もっと読む）