【課題】高反射率を有すると共に、この高反射率を長期間に亘り維持できる優れた耐久性を示す反射膜積層体を提供すること。
【解決手段】本発明の反射膜積層体は、基体上に、第１層として、純Ａｇ膜、またはＢｉを含むＡｇ基合金膜を有し、かつ前記第１層上に、第２層として、ＢｉとＧｅを含有し、さらにＡｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｈの１種以上を含有するＡｇ基合金膜を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング法により成膜された場合に純Ａｌ膜よりも高い反射率を有すると共に、優れた耐アルカリ性、耐酸性および耐湿性を有し、これにより、保護被膜なしでも反射率低下が起り難いＡｌ合金反射膜、このようなＡｌ合金反射膜を有する反射膜積層体、及び、自動車用灯具、照明具、ならびに、このようなＡｌ合金反射膜を形成することができるＡｌ合金スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】(1) Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｌｕの１種以上の元素を合計で０．４〜２．５ａｔ％含有し、残部がＡｌおよび不可避的不純物からなり、原子間力顕微鏡で測定した膜表面の粗さが４ｎｍ以下であることを特徴とするＡｌ合金反射膜、(2) この反射膜を有している自動車用灯具、照明具、 (3) この反射膜を形成するためのＡｌ合金スパッタリングターゲット等。 （もっと読む）

【課題】導電性、耐熱性、耐硫化性又は耐セレン化性に優れた電極材料、あるいは、製造工程のいずれかの段階において硫化雰囲気又はセレン化雰囲気に曝される素子の電極として用いることが可能な電極材料、このような電極材料を用いた電極、及び、このような電極材料を用いた素子を提供すること。
【解決手段】少なくともＳｉを含有し、Ｍｏを７０ａｔ％以上含む電極材料、このような電極材料を用いた電極、及び、このような電極材料を電極に用いた素子。Ｓｉ含有量は、１０ａｔ％以下が好ましい。 （もっと読む）

【課題】安価な酸化亜鉛材料を光電変換装置の透光性導電膜として用いることのできる技術を提供する。
【解決手段】第１電極と第２電極との間に、一導電型である第１不純物半導体層と、半導体層と、第１不純物半導体層と逆導電型である第２不純物半導体層とが順に積層されて半導体接合を構成するユニットセルを１つ以上含み、第１の電極または第２の電極は、亜鉛及びアルミニウムを含む導電性酸窒化物で形成される光電変換装置である。亜鉛及びアルミニウムを含む導電性酸窒化物は、亜鉛の組成比が４７原子％以下であり且つ前記アルミニウムの組成比より大きく、アルミニウムの組成比は窒素の組成比より大きく、二次イオン質量分析法により測定される窒素の濃度は、５．０×１０^２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上である。 （もっと読む）

【課題】ＤＬＣ並みの潤滑特性を有し且つ高硬度、高耐熱性の硬質皮膜を被覆した多層皮膜被覆部材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】
基材表面に組成が異なる硬質皮膜を２層以上被覆した多層皮膜被覆部材であって、硬質皮膜１の組成は、ＳｉａＢｕＣｖＮｗＯｚで表され、該硬質皮膜１の下部層である該硬質皮膜２の組成は、金属成分がＡｌ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｗ、Ｓｉ、Ｖ、Ｚｒ、およびＭｏから選択される２種以上と、非金属成分がＮとＢ、Ｃ、Ｏ、およびＳから選択される少なくとも１種を有し、該硬質皮膜１はラマン分光分析において１３００から１６００ｃｍ^−１の間に検出される最大強度のピーク強度Ｉｘを有し、１９００から２２００ｃｍ^−１の間に検出される最大強度のピーク強度Ｉｙを有し、３．２≦Ｉｘ／Ｉｙ≦８．０であることを特徴とする多層皮膜被覆部材である。 （もっと読む）

【課題】良好な透明性及び導電性を有する透明導電膜を低コストで提供することを課題の一とする。また、亜鉛及びアルミニウムを含む導電性酸窒化物からなる透明導電膜の抵抗率を低減することを課題の一とする。また、亜鉛及びアルミニウムを含む導電性酸窒化物からなる透明導電膜を提供することを課題の一とする。
【解決手段】亜鉛を含む酸化物からなる透明導電膜において、アルミニウム及び窒素を含ませ、亜鉛及びアルミニウムを含む導電性酸窒化物からなる透明導電膜を形成することで、該透明導電膜の抵抗率を低減することができる。また、亜鉛及びアルミニウムを含む導電性酸窒化物からなる透明導電膜の成膜後に加熱処理を行うことにより、該透明導電膜の抵抗率を低減することができる。 （もっと読む）

本発明は、化学組成Ｃ_ａＳｉ_ｂＢ_ｄＮ_ｅＯ_ｇＨ_ｌＭｅ_ｍ（Ｍｅは、Ａｌ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｙ、Ｓｃ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｐｒ、Ｍｇ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｍｎからなる群の少なくとも１つの金属であり、ａ＋ｂ＋ｄ＋ｅ＋ｇ＋ｌ＋ｍ＝１である）を有する保護コーティングに関する。本発明によれば、０．４５≦ａ≦０．９８、０．０１≦ｂ≦０．４０、０．０１≦ｄ≦０．３０、０≦ｅ≦０．３５、０≦ｇ≦０．２０、０≦ｌ≦０．３５、０≦ｍ≦０．２０の条件が満たされる。本発明は、また、保護コーティングを有するコーティング部材、並びに部材のための保護コーティング、特に多層膜を製造するための方法に関する。
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【課題】被スパッタリング面が平面状に形成されたターゲットを用いる場合に比べて、ターゲットの有効利用率を高めることができる技術を提供する。
【解決手段】本発明に係るスパッタリング装置１は、成膜対象となる基板３を支持するステージ４と、一方の面を被スパッタリング面５ａとし、ステージ４に支持される基板３に被スパッタリング面５ａを対向させた状態で設けられたターゲット５とを備え、ターゲット５の被スパッタリング面５ａがすり鉢状に形成されている。 （もっと読む）

本発明は、超硬、サーメット、セラミックス、高速度鋼（ＨＳＳ）、多結晶ダイヤモンド（ＰＣＤ）又は多結晶立方晶窒化ホウ素（ＰＣＢＮ）の本体を含み、硬質でかつ耐摩耗性のコーティングが適用されて、陰極アーク蒸発又はマグネトロンスパッタリングなどの物理気相成長（ＰＶＤ）によって成長される切削工具インサートに関する。このコーティングは、（Ｚｒ_xＡｌ_1-x）Ｎ_yの少なくとも１つの層を含み、０．４５＜ｘ＜０．８５及び０．９０＜ｙ＜１．３０であり、０．５〜１０μｍの厚さを有する。当該層は、単一立方晶相又は六方晶相と立方晶相の混合物からなるナノ結晶微細構造を有する。このインサートは、高温を生じる金属切削用途において特に有用であり、改善されたクレーター摩耗抵抗性を有する。
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【課題】200℃程度でも高いプロトン伝導性を有し、厚さを数十〜数百ｎｍの範囲にすることができ、かつこの範囲の厚みであってもガスリークがないアモルファス酸化膜、及びこれを用いた電気化学セルを提供する。
【解決手段】アモルファス構造を有するタングステン酸化物系複合酸化物からなり、かつプロトン伝導性を示すプロトン伝導性膜であり、タングステン系合金の部材の少なくとも一部をアノード酸化して、アノード酸化用の電解液と接する表面にアモルファス構造を有するタングステン酸化物系複合酸化物層を形成し、形成した酸化物層からプロトン伝導性膜が製造される。さらに、プロトン伝導性電解質として、上記のプロトン伝導性膜を用い、アノード、カソードと積層することにより電気化学セルを構成する。 （もっと読む）

【課題】保護膜がなくても優れた耐アルカリ性（アルカリに対する耐食性）、耐酸性（酸に対する耐食性）および耐湿性（高温多湿環境での耐性）を有して、保護膜が不要となるＡｌ合金反射膜、及び、このようなＡｌ合金反射膜を有する自動車用灯具、照明具、装飾部品、ならびに、このようなＡｌ合金反射膜を形成することができるＡｌ合金スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】(1) Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｌｕの１種以上の元素（以下、Ｓｃ等という）を合計で２．５〜２０ａｔ％含有し、残部がＡｌおよび不可避的不純物からなることを特徴とするＡｌ合金反射膜、(2) この反射膜を有している自動車用灯具、照明具、装飾部品、(3) Ｓｃ等を合計で２．５〜３５ａｔ％含有し、残部がＡｌおよび不可避的不純物からなることを特徴とするＡｌ合金スパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】例えばＵＬＳＩ（超大規模集積回路）等に代表されるＳｉ半導体デバイス等の半導体装置において、高性能（低電気抵抗率）かつ高信頼性（高ＥＭ耐性）を示すＣｕ系配線を提供する。
【解決手段】半導体基板上の絶縁膜に設けられた凹部にＣｕ−Ｔｉ合金が直接埋め込まれてなる半導体装置のＣｕ系配線の製造方法であって、前記Ｃｕ−Ｔｉ合金が、Ｔｉを０．５原子％以上３．０原子％以下含むものであり、かつ、前記Ｃｕ−Ｔｉ合金をスパッタリング法で形成し、該Ｃｕ−Ｔｉ合金を前記凹部に埋め込む時または埋め込み後に、該Ｃｕ−Ｔｉ合金を下記加熱条件で加熱する工程を含むことを特徴とする半導体装置のＣｕ系配線の製造方法。
（加熱条件）
加熱温度：３５０〜６００℃
加熱時間：１０〜１２０ｍｉｎ.
室温から上記加熱温度までの昇温速度：１０℃／ｍｉｎ.以上
加熱雰囲気における酸素分圧：１×１０^−７〜１×１０^−４ａｔｍ （もっと読む）

【課題】高い結晶性をもった物を製造することが可能なドライプロセス装置を提供する。
【解決手段】基板保持部１０ａに保持された基板１４の温度を所望の温度に保つ温度調整器と、前記基板保持部１０ａとターゲット保持部１０ｂとにそれぞれ配置された高周波電極１１ａ、１１ｂと、両電極の陰陽を切り替える陰陽切替器と、前記チャンバー内の気体を外部の排出するあたりその排気速度を調整する排気調整器と、前記チャンバー内へ供給する気体の供給速度を調整する給気調整器と、この給気調整器を介して前記チャンバーに供給する気体の種類を変更する気体切替器とからなり、前記基板保持部１０ａに保持された基板１４に対しスパッタリング法、イオン注入法、ＣＶＤ法等の異なった複数のドライプロセスを選択して連続実行する。 （もっと読む）

【課題】成膜性に優れる金属酸化物の大型スパッタリングターゲット及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の一形態に係るスパッタリングターゲットの製造方法は、第１の組成を有する金属酸化物焼結体からなる、被スパッタ面を有する複数の板状のターゲット片を準備することを含む。これらの複数のターゲット片は、各々の被スパッタ面が面一となるように並べられる。これらの複数のターゲット片は、その境界部分に、第１の組成と構成原子種が同一である第２の組成を有する合金材料を充填されることで連結される。境界部分は、被スパッタ面に合わせて平滑化される。
これにより、成膜性に優れる金属酸化物の大型スパッタリングターゲットを得ることができる。 （もっと読む）

【課題】周期表ＩＢ族、ＩＩＩＢ族、ＶＩＢ族の元素を用いるスパッタリング法により、所望の組成のスパッタリング膜が効率よく形成可能なスパッタリング方法等を提供する。
【解決手段】不活性ガスＡｒの雰囲気下において、高周波電源ＩＩに接続したターゲット電極２１ａ，２２ａ，２３ａ上に載置した周期表ＩＢ族、ＩＩＩＢ族、ＶＩＢ族から選ばれる複数の元素から構成される複合ターゲット２１，２２，２３と被成膜体としての基板１１とを対向配置し、ターゲット電極２１ａ，２２ａ，２３ａに高電圧を印加し複合ターゲット２１，２２，２３の表面をスパッタリングすることにより基板１１上に薄膜を成膜することを特徴とするスパッタリング方法。基板１１を複数の複合ターゲット２１，２２，２３の前を移動させることにより基板１１上に薄膜の積層体が成膜される。 （もっと読む）

分散した金属原子を含む酸化セリウムの膜を形成するために、酸化セリウム及び金属物質は、共に、アルゴン大気下で少なくとも一つのターゲットから基板にスパッタされることを特徴とし、酸化セリウム及び、金、白金、パラジウム、スズ、ルテニウムまたはニッケルからなる群より選出される金属を有する酸化触媒を、酸化セリウム及び金属をターゲットから基板までスパッタリングすることによって、調製する方法。特定のＡｕ−ＣｅＯ_２及びＰｔ−ＣｅＯ_２触媒はこの方法を使用することにより調製される。 （もっと読む）

【課題】製造時に必要とされる光透過性を確保しつつ、十分高い反射率を有し、かつ、光情報記録媒体に用いた場合に再生安定性に優れると共に耐久性にも優れる反射膜を備えた、青色レーザーを使用する読み出し専用の光情報記録媒体（例えば２層ＢＤ−ＲＯＭ）を提供する。
【解決手段】基板上に反射膜および光透過層の積層が複数形成された構造を含み、青色レーザーにより情報の再生が行われる読み出し専用の光情報記録媒体であって、前記反射膜のうち基板に最も近い反射膜が、Ｔｉを０．５〜３．０％（特記しない限り、成分において、％は原子％を意味する。以下同じ。）含有するＡｌ基合金からなり、且つその膜厚が１０ｎｍ以上３０ｎｍ以下であることを特徴とする読み出し専用の光情報記録媒体。 （もっと読む）

【課題】反射膜表面が基板に形成されたグルーブやピット等を精度よく再現して光情報記録媒体のノイズの低減を図れると共に、高い反射率を有するＡｌ基合金反射膜、およびこうした反射膜を形成するために有用なスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】本発明の光情報記録媒体用反射膜は、光情報記録媒体に用いられる反射膜であって、この反射膜は、希土類元素を２．０〜１５．０％含むＡｌ基合金からなり、反射膜の厚み方向における結晶子サイズが３０ｎｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】酸化亜鉛系ターゲットを使用し、酸素ガス、水素ガス、水蒸気の群から選択される２種または３種を含む反応性ガス中の各々のガスの比を変化させてスパッタすることにより、屈折率の異なる複数の屈折率層を積層し、所望の反射防止性能を得ることが可能な酸化亜鉛系の反射防止膜の成膜方法及び反射防止膜並びに成膜装置を提供する。
【解決手段】本発明の反射防止膜の成膜方法は、ガス導入手段３５を用いて、成膜室２３内を酸素ガス、水素ガス、水蒸気の群から選択される２種または３種を含む第１の反応性ガス雰囲気として第１の酸化亜鉛系薄膜を成膜し、次いで、この成膜室２３内を酸素ガス、水素ガス、水蒸気の群から選択される２種または３種を含みかつ第１の反応性ガスと異なる組成の第２の反応性ガス雰囲気として第１の酸化亜鉛系薄膜上に第２の酸化亜鉛系薄膜を成膜する。 （もっと読む）

【課題】均質性が期待でき、耐湿性の高い、新規導電体または新規透明導電薄膜を提供する。
【解決手段】ホウ素のドープ量を１×１０^１９ｃｍ^−３〜５×１０^２２ｃｍ^−３としたアナターゼ型酸化チタンである。また、ホウ素のドープ量を５×１０²⁰ｃｍ^−３〜５×１０^２２ｃｍ^−３としたアナターゼ型酸化チタンを用いた透明導電薄膜である。これらは、ターゲットを直径１００ｍｍの酸化チタンとし、この上に５ｍｍ角のホウ素（Ｂ）チップを均一に配置し、ＲＦマグネトロンスパッタ法により得ることができる。 （もっと読む）