【課題】 高い耐欠損性と耐摩耗性を有する表面被覆部材を提供する。
【解決手段】 硬質相２を結合相３で結合したサーメット基体４と、その表面を被覆する被覆層５とからなり、硬質相２が第１硬質相２ａと第２硬質相２ｂとからなり、サーメット基体４の表面について、第１硬質相２ａの平均粒径をａ_ｓと第２硬質相２ｂの平均粒径をｂ_ｓとの比率（ｂ_ｓ／ａ_ｓ）が２〜１０、表面における硬質相２全体に対する第１硬質相２ａが占める平均面積をＡ_ｓと第２硬質相２ｂが占める平均面積をＢ_ｓとの比率（Ｂ_ｓ／Ａ_ｓ）が２〜１０であり、被覆層５は、層厚が３．５〜１０μｍで、Ｔｉ_{１−ａ−ｂ−ｃ−ｄ}Ａｌ_ａＷ_ｂＳｉ_ｃＭ_ｄ（Ｃ_ｘＮ_１−ｘ）（ただし、ＭはＮｂ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｈｆ、Ｙから選ばれる少なくとも１種、０．４５≦ａ≦０．５５、０．０１≦ｂ≦０．１、０．０１≦ｃ≦０．０５、０≦ｄ≦０．１、０≦ｘ≦１）からなる切削工具１等の表面被覆部材である。 （もっと読む）

【課題】安定した一定量の酸素欠陥を導入することができ、光透過率が良好であり、低い電気抵抗及び良好な導電性を有する透明導電膜を形成するスパッタリング複合ターゲット、これを用いた透明導電膜の製造方法及び透明導電膜付基材を提供する。
【解決手段】スパッタリング複合ターゲット１は、酸化インジウムを含む酸化物系成分２と、炭素系成分３ａ〜３ｄとを有し、酸化物系成分２と炭素系成分３ａ〜３ｄが各々別体の場合は、酸化物系成分２の表面の少なくとも一部に炭素系成分３ａ〜３ｄを積層して用いる。透明導電膜の製造方法は、酸化インジウムを含む酸化物系成分と、炭素系成分とを有するスパッタリング複合ターゲットを用いて、基板上に透明導電膜を形成する。透明導電膜付基材はプラスチックのシート又はフィルムに透明導電膜を形成して成る。 （もっと読む）

【課題】発光強度が、粒径によらず、ほぼ均一で高い発光が得られる半導体ナノ粒子含有膜及び半導体ナノ粒子を提供する。また、当該半導体ナノ粒子を用いた生体物質標識剤を提供する。
【解決手段】スパッタ法により形成された半導体ナノ粒子含有膜であって、膜厚が０．５〜１０μｍであり、当該膜内に、結晶化した半導体ナノ粒子が、５．０×１０^６〜１．０×１０^８個／μｍ^３含有されていることを特徴とする半導体ナノ粒子含有膜及びそれから分取り出された半導体ナノ粒子。 （もっと読む）

【課題】例えば、スパッタリング法を用いて薄膜を形成する際の生産性を向上させる。
【解決手段】形成すべき一方の薄膜が、Ａｌ／Ｎｄ薄膜である場合には、出力パワーは、５．０〜３０．０Ｗ／ｃｍ□に設定され、チャンバ内の圧力は、０．１〜１．０Ｐａに設定される（スパッタ条件Ａ）。続く、スパッタ条件Ａ下で薄膜を形成する際、Ａｒガスのプラズマ及びＡｌイオンが第１ターゲット部材（９１）及び第２ターゲット部材（９２）の両方に衝突し、Ａｌ原子及びＮｄ原子の夫々がターゲット（３）から叩き出され、基板に付着する。これにより、基板にＡｌ／Ｎｄ合金からなる薄膜が形成される。一方、形成すべき一方の薄膜が、Ａｌ薄膜である場合には、出力パワーは、２．０〜５．０Ｗ／ｃｍ□に設定され、チャンバ内の圧力は、１．０〜２．０Ｐａに設定される（スパッタ条件Ｂ）。 （もっと読む）

【課題】複合材料からなるスパッタリングターゲットを用いたカルーセル型スパッタ装置による基板への成膜において、成膜される膜の組成比のバラツキを低減し、シート抵抗のバラツキを改善することが可能なスパッタリングターゲット及びこれを用いたスパッタリング方法を提供する。
【解決手段】スパッタリングターゲット２０３は、カルーセル型スパッタ装置１０において用いられるスパッタリングターゲットであって、長方形の長手方向に三分割された第１〜第３のターゲット構成部材２０３ａ〜２０３ｃを有し、第１〜第３のターゲット構成部材はそれぞれ第１（Ｔａ）及び第２の材料（ＳｉＣ）を含み、第１及び第３のターゲット構成部材における第１及び第２の材料の組成比が第２のターゲット構成部材における第１及び第２の材料の組成比と異なるように構成されている。 （もっと読む）

【課題】安価な材料から成り、しかも光輝性、高電気抵抗、及び高電波透過性を有し、ミリ波対応型の樹脂成型品に適用可能な高抵抗金属薄膜被覆樹脂材料及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】樹脂基材と、前記樹脂基材の表面に形成されたＡｌ及びＭｇを含む高抵抗金属薄膜とを備え、前記高抵抗金属薄膜は、前記樹脂基材表面に層状に形成された酸化物層と、前記酸化物層の表面に孤立した島状に形成された金属粒子と、前記金属粒子の表面及び粒子間に形成された酸化物被膜とを備えた高抵抗金属薄膜被覆樹脂材料。金属Ａｌ領域と金属Ｍｇ領域に分割されたターゲットを用いて、パルスレーザーデポジション法により、樹脂基材表面にＡｌ及びＭｇを含む高抵抗金属薄膜を形成する薄膜形成工程を備えた高抵抗金属薄膜被覆樹脂材料の製造方法。 （もっと読む）

【課題】耐候性、耐食性に優れたフレキシブル透明膜を簡易に形成することができる多層膜の形成方法及び多層膜を提供すること。
【解決手段】一つのスパッタリング用電極上に、異種成分からなる複数の素材を張り合わせて取り付け、前記複数の素材同士の境界の上方に分離板を設けておき、放電行いながら基板を前記ターゲット上を移動させて該基板上に多層膜を形成すること特徴とする多層膜の形成方法。 （もっと読む）

【課題】 ターゲット材ピース同士を摩擦攪拌接合する際に生じる虞のあった接合不良の発生を低減または解消して、確実に接合されることを可能としたスパッタリングターゲット材を提供する。
【解決手段】 このスパッタリングターゲット材は、複数枚のターゲット材ピース１（１ａ、１ｂ）同士を突き合わせて当該突き合わせ部を摩擦攪拌接合２により接合して１枚板状に形成してなるスパッタリングターゲット材であって、前記ターゲット材ピース１ａ、１ｂ同士の突き合わせ部がそれぞれ、当該ターゲット材ピース１ａ、１ｂの厚さ方向に凹凸した形状で互いに噛み合うように嵌合する噛み合わせ構造３ａ、３ｂを備えている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、太陽光の可視光および紫外光を吸収し、高効率に水素を生成させる手段として、ナノスケールのＧｅ粒子と主にマトリクスであるアナタース型Ｔｉ酸化物結晶相を同時に含む複合構造薄膜材料の製造方法を新規に提供することにある。
【解決手段】１原子分率以上１５原子分率以下のＧｅと、その他が主にＴｉおよびＯから構成されるアモルファス薄膜を、高周波スパッタリング法により成膜し、これを熱処理することにより、ナノスケールのＧｅ粒子と主にマトリクスであるアナタース型Ｔｉ酸化物結晶相を同時に含む複合構造を形成する光電子素子用薄膜材料を製造する。好ましくは、該薄膜製造の際、酸素流量分率０．５以下の酸素含有雰囲気中で成膜し、当該熱処理の雰囲気、温度および時間を、それぞれ、真空中、４００〜８００℃および１５〜９０分とすることにより製造する。 （もっと読む）

【課題】安定した一定量の酸素欠陥を導入することができ、光透過率が良好であり、低い電気抵抗及び良好な導電性を有する透明導電膜を形成するスパッタリング複合ターゲット及びこれを用いた透明導電膜の製造方法を提供する。
【解決手段】スパッタリング複合ターゲット１は、酸化亜鉛を含む酸化物系成分２と、炭素系成分３ａ〜３ｄとを有し、酸化物系成分２と炭素系成分３ａ〜３ｄが各々別体の場合は、酸化物系成分２の表面の少なくとも一部に炭素系成分３ａ〜３ｄを積層して用いる。
透明導電膜の製造方法は、酸化亜鉛を含む酸化物系成分と、炭素系成分とを有するスパッタリング複合ターゲットを用いて、基板上に透明導電膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】高い疲労強度を維持したままで優れた摩擦特性を付与する表面改質方法と、それにより作製されるパワートレイン系部品を提供する。
【解決手段】第１工程として基材１１に急速高周波焼入れを行い、１．５ｍｍ以下の深さだけ硬化処理が施され、第２工程として、中間層１２と被膜層１３とを順に堆積させる。成膜時の基材温度を４７３Ｋ以下とする。中間層１２として、カーボンターゲットのスパッタリング電力を一定とし、タングステンターゲットのスパッタリング電力を徐々に低下させてＭｅ-ＤＬＣ膜を基材１１に堆積させ、深さが浅くなるに従い硬度が徐々に増加させる。被膜層１３として、Ｗを所定の割合含んだＭｅ−ＤＬＣ膜１３ａとＤＬＣ膜１３ｂとをそれぞれ所定の厚みで交互に繰り返し堆積させ、硬度の異なる膜を互い違いに積層する。 （もっと読む）

【課題】高速、無潤滑切削に用いられる切削工具に適した、耐酸化性、耐熱性に優れたZr-Al-Si-N系の皮膜をPVD処理により基板上に形成するために、製作工程における金属間化合物形成による脆化やジルコニウム粉末の酸化による発火や爆発の危険性を防止して容易にかつ低コストで製造したPVD処理用のZr-Al-Si系ターゲット材を提供する。
【解決手段】必要数のプラグ嵌合用の孔を加工したジルコニウム板材に、Al-Si合金で製作したプラグを嵌合し、ＰＶＤ処理用のZr-Al-Si系ターゲット材を製作する。 （もっと読む）

【課題】Al合金の配線を用いた画像表示装置において、ヒロックが発生せず、かつ、配線内にボイドが形成されないAl合金の配線を形成する。
【解決手段】下部電極１１２とトンネル絶縁膜１１５と薄膜電極１１７によってMIM電子源１１４が形成される。トンネル絶縁膜１１５は下部電極１１２を陽極酸化することによって形成する。下部電極１１２は信号線１３１の上に形成される。信号線１３１はヒロックを防止するために、Ndを添加するが、Ndの添加量を基板１１１側から連続的に減少させる。その結果トンネル絶縁膜は純Alを陽極酸化した質の良い絶縁膜とすることが出来る。また、本発明では信号線１３１膜内に界面は形成されず、界面に起因したボイドの発生も無い。 （もっと読む）

【課題】反射率（初期反射率）が高く、しかも初期のジッター値は低く且つ連続再生によりこれが著しく増加（劣化）し、有限時間で再生不能となる特性を備えた光情報記録媒体用記録層（記録膜）、該記録層を備えた光記録媒体及び該光情報記録媒体の記録層形成用スパッタリングターゲットを提供すること。
【解決手段】レーザー光を用いた追記型光情報記録媒体用記録層であって、Ｉｎを３０原子％以上、かつＣｏを３０原子％以上５０原子％以下、かつ、Ｂｉを１９原子％超え４５原子％以下含有するＩｎ-Ｃｏ-Ｂｉ合金からなることを特徴とする記録層、光情報記録媒体及び記録層形成用スパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】裏打ち部材による熱伝導性の低下がないとともに、アーキングの発生を確実に防止することができるスパッタリングターゲットを提供し、また、そのようなスパッタリングターゲットとバッキングプレートとの間にボンディング材を密着させることができるターゲット組み立て体を提供する。
【解決手段】複数のターゲット部材４ａ〜４bの側面どうしを継ぎ合わせてなるスパッタリングターゲット２において、ターゲット部材４ａ〜４bの継ぎ目Ｔに裏打ち部材５が設けられるとともに、該裏打ち部材５は、前記継ぎ目Ｔを塞ぐ金属製テープ１１と、該金属製テープ１１の両側部をターゲット部材４ａ〜４bに固定する接着テープ１２とから構成されている。 （もっと読む）

【課題】 本発明の課題は、炭素などの粒子状母材の表面に安定的に粒径が２ｎｍ以上１０ｎｍ以下の微粒子元素を担持させた合金粒子を得る合金微粒子担持装置を提供することである。
【解決手段】 粒子状母材を収容する容器と、この容器と対峙して配置され、白金を含有する矩形状の第１のスパッタ源と、この第１のスパッタ源に隣接して配置され、前記第１のスパッタ源と異なる元素を含有する第２のスパッタ源と、前記第１のスパッタ源の前記容器と対峙する側とは反対側に配置された第１の磁石と、前記第２のスパッタ源の前記容器と対峙する側とは反対側に配置された第２の磁石と、を具備する合金微粒子担持装置において、前記第１或いは第２のスパッタ源とこれに応じた前記第１或いは第２の磁石間の距離、または、前記第１或いは第２の磁石の磁力を調整することにより、前記第１或いは第２のスパッタ源の表面近傍の磁場の磁束密度を変化させることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高い磁気抵抗変化率(ＭＲ比)と低い層間結合磁界(Ｈｉｎ)を両立するスピンバルブ型巨大磁気抵抗薄膜を製造することができるマルチチャンバ成膜装置を提供する。
【解決手段】第１成膜室１３Ａでの反強磁性層の成膜、プラズマ処理室１４でのプラズマ処理、第１成膜室１３Ａでの磁化固定層の成膜、プラズマ処理室１４でのプラズマ処理、第２成膜室１３Ｂでの非磁性伝導層または酸化物層の成膜の順に基板を移動させる基板搬送ロボットを備えたマルチチャンバ成膜装置とする。 （もっと読む）

【課題】 バリアメタル膜とＣｕ膜との密着性を向上させた薄膜形成方法を提供する。
【解決手段】 被処理物表面にＰＶＤ法によりバリアメタル膜を形成する工程と、このバリアメタル膜表面にＣＶＤ法によりＣｕ膜を形成する工程と、前記バリア膜及びＣｕ膜を積層したものを所定温度で熱処理する工程とを実施する。前記バリアメタル膜としてＴｉ及びＲｕを含むものを用い、当該バリアメタル膜中のＴｉの組成比を５〜２５原子％の範囲とする （もっと読む）

【課題】ターゲット材料を成形又は焼成することなく、緻密な結晶構造を有するターゲット材料を形成することにより、スパッタリングの際にパーティクルが発生し難いスパッタリング用ターゲットを提供する。
【解決手段】このターゲット製造方法は、スパッタリングによって無機物の膜を形成する際に用いられるターゲットを製造する方法において、金属製の基材及びターゲット材料の粉末を用意する工程（ａ）と、ターゲット材料の粉末をガス中に分散させることによりエアロゾルを生成し、生成されたエアロゾルをノズルから基材に向けて噴射することにより基材上にターゲット材料を堆積させる工程（ｂ）とを具備する。 （もっと読む）

【課題】面内方向に組成分布を有する膜を簡易に低コストに成膜することが可能な成膜技術を提供する。
【解決手段】無機膜５３は、面内方向に組成分布を有するスパッタリングターゲットを用いて、スパッタリング法により成膜されたものである。スパッタリングターゲットの好適な態様としては、組成が略均一なターゲットの表面の所定箇所に、該ターゲットより面積が小さく、かつ該ターゲットの組成とは異なる単数又は複数のターゲットチップが取り付けられたものが挙げられる。他の好適な態様としては、互いに接合する形状に加工された組成の異なる複数のターゲットが接合されたものが挙げられる。 （もっと読む）