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Fターム[4K029DC15]の内容

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Fターム[4K029DC15]に分類される特許

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【課題】 再生専用型光ディスクにおけるレーザーマーキングが容易にできる光情報記録媒体用Ag合金反射膜、この反射膜を備えた光情報記録媒体、及び、この反射膜の形成用のスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】 (1) 光情報記録媒体に用いられるAg合金反射膜であって、Agを主成分とし、希土類元素の1種以上を合計で1〜10原子%含有すると共にIn,Sn,Al,Mgの1種以上を合計で1〜15原子%含有し、且つ、前記希土類元素の1種以上の含有量と前記In,Sn,Al,Mgの1種以上の含有量との合計含有量が5原子%以上であることを特徴とする光情報記録媒体用Ag合金反射膜、(2) 前記Ag合金反射膜においてBi,Sbの1種以上を0.01〜3原子%含有しているもの、(3) 前記(1) のAg合金反射膜と同様の組成を有するAg合金製のスパッタリングターゲット等。 (もっと読む)


【課題】本発明の実施例は一般的に材料のスパッタリングに関する。特に、本発明はアーク発生を防ぐために大面積基板の物理気相蒸着処理の間に使用されるスパッタリング電圧に関する。
【解決手段】発明の一実施例は、400ボルトより低い電圧で四角形基板上で材料をスパッタリングするための装置を記述し、この装置は、四角形基板上で材料をスパッタリングする間に400ボルトより低い電圧でバイアスされるスパッタリングターゲットと、スパッタリングターゲットを囲む接地シールドを備え、接地シールドとスパッタリングターゲットの間の最短距離がプラズマ暗部の厚さより小さく、スパッタリングターゲットの背面のマグネトロンを備え、マグネトロンの端部は接地シールドに重なり合わなず、スパッタリングターゲットと基板との間に配置され、スパッタリング処理の間に接地されたアンテナ構造体を備えている。 (もっと読む)


【課題】 密着力の高い導電性回路を安価に且つ生産性高く形成することが可能になる導電性回路形成方法を提供する。
【解決手段】 カソード電極1に設けたターゲット2からスパッタさせた金属原子を基板3の表面に堆積させるスパッタリング法で、基板3に回路形成用の導体膜4を形成する工程を有する導電性回路形成方法に関する。ターゲット1として、回路形成用の金属からなる回路形成用金属ターゲット5と、回路形成用金属よりも基板3に対する密着性の高い金属からなる高密着性金属ターゲット6を用い、各ターゲット5,6から同時に金属をスパッタさせて両金属からなる導体膜4を基板3に形成する。 (もっと読む)


【課題】高信頼性の半導体素子を得るために高融点金属、高融点金属からなる合金、高融点金属の珪化物、Ti,Ta,W,Ti−W合金の窒化物からなる膜をコンタクトバリアー層またはゲート電極などに用い、半導体素子のリーク電流を抑える。
【解決手段】ソース−ドレイン領域の接合深さが0.1〜0.3μmである半導体素子のTi−Wから成るコンタクトバリアー層のAl含有量を原子数で1×1018個/cm以下、Al,Ti,W以外の重金属元素の含有量が5×1016個/cm以下およびアルカリ金属の含有量が5×1016個/cm以下に形成することが可能であり、Al濃度が1ppm以下であることを特徴とするマグネトロンスパッタリング装置用高純度Ti−W材である。 (もっと読む)


【課題】還元環境下において耐久性のある透明電極膜及びその製造方法を提供する。
【解決手段】In−Sn酸化物と、Al,Mg,Zn,Liから選ばれる少なくとも1種の金属とを含有してなり、25℃の飽和KCl水溶液中に浸漬したときのAg/AgCl参照電極を基準とする電極電位Vが、−0.42≦V≦−0.35(V)を満たすことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 磁性材料薄膜の表面を粗雑にすることなく、垂直磁気異方性を増加させることができる磁性材料薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】 磁性材料薄膜の製造方法は、磁性材料薄膜を成膜した後、それを試料3として、垂直磁気異方性定数の値がイオンビーム2の照射によって正となるような数値範囲の電流密度でイオンビーム2を試料3に照射する。イオンビーム2の電流密度は、65μA/cm2以下であることが好ましく、磁性材料薄膜を成膜中にイオンビームを照射してもよい。 (もっと読む)


【課題】長尺物にスパッタリングで成膜を行うに際し、目的物性を有し、かつ、密着性に優れ、表面性状が良好な薄膜を、高い生産性で成膜できる成膜方法を提供する。
【解決手段】電気的にフローティングな状態とグラウンド電位になっている状態とを選択して切り換え可能な円筒状のドラム、および、ターゲットを保持し直流のパルス電源によってターゲットに電圧を印可するカソードを用い、ドラムをフローティング状態もしくはグラウンド電位状態として、ドラムの側面で基板を保持して長手方向に搬送しつつ、カソードにおけるターゲットへの電圧印加を所定のタイミングでon/offして、前記基板の表面にスパッタリングで成膜を行うことにより、前記課題を解決する。 (もっと読む)


【課題】再生専用光ディスクにおけるレーザーマーキングが容易にできる光情報記録用Ag合金反射膜の形成用のスパッタリングターゲットを提供を提供する。
【解決手段】(1) Agを主成分とし、Nd,Sn,Gd,Inの少なくとも1種を合計で3.0 原子%超10原子%以下含有すると共にBiを0.03〜10原子%含有することを特徴とする光情報記録用Ag合金反射膜の形成用のAg合金スパッタリングターゲット、(2) Agを主成分とし、Nd,Sn,Gd,Inの少なくとも1種を合計で3.0 原子%超10原子%以下含有すると共にSbを0.01〜3原子%含有することを特徴とする光情報記録用Ag合金反射膜の形成用のAg合金スパッタリングターゲット、(3) 前記Ag合金スパッタリングターゲットにおいてMn,Cu,La,Znの少なくとも1種を20原子%以下含有するもの等。 (もっと読む)


【課題】高容量で、かつハイレート充放電特性とサイクル特性に優れたリチウムイオン二次電池用負極およびその負極を用いたリチウムイオン二次電池を提供する。
【解決手段】集電体2と、前記集電体上に担持された活物質層1を含み、活物質層が、その厚さ方向に交互に積層された第1層1aと第2層1bを含み、第1層がシリコンまたはシリコンと少量の酸素とを含み、第2層がシリコンと第1層よりも多量の酸素を含むリチウムイオン二次電池用負極およびその負極を用いたリチウムイオン二次電池。 (もっと読む)


【課題】 ナノ狭窄スペーサを有する磁気抵抗(MR)センサのスピンバルブ内に使用する薄膜の生成方法を提供する。
【解決手段】 スピンバルブのボトムをピン層まで蒸着し、蒸着室を用意し、スペーサ層をその上にスパッタリングする。主イオンビームが磁性チップと絶縁材を含む合成面上にイオンを生成する。同時に、支援イオンビームが基板に直接イオンを供給し、かくしてスペーサ層の柔軟度と平滑度を改善する。中和器もまた配設し、イオン反発を防止し、イオンビーム合焦を改善する。その結果、薄膜スペーサを形成することができ、低保磁力とフリー層とピン層の間の低層間結合とを有するナノ狭窄MRスピンバルブが形成される。 (もっと読む)


【課題】 潤滑油を介在させなくても円滑な作動を維持できるボールトランスファを提供する。
【解決手段】 軸受面12を有するケース11と、この軸受面12上に配置される複数の小ボール15と、軸受面12に対してこの小ボール15を介して回転可能に支持される大ボール16とを備え、大ボール16が回転することにより大ボール16に載せられた搬送物が移動する構成としたボールトランスファ10において、ケース11の軸受面12の表面に炭素を主成分としたアモルファス構造体からなるDLCコーティング膜20を形成した。 (もっと読む)


【課題】ハードディスクの高密度磁気記録媒体に適用される磁気記録膜、特に垂直磁気記録媒体に適用されるCoCrPt−SiOグラニュラ磁気記録膜を形成するための微細な組織を有するCoCrPt−SiOスパッタリングターゲットの製造方法を提供する。
【解決手段】Pt粉末およびSiO粉末を配合した混合してPt−SiO混合粉末を作製し、このPt−SiO混合粉末にさらにCr粉末およびCo粉末を添加して混合して目標成分組成を有する混合粉末を作製し、この目標成分組成を有する混合粉末を加圧焼結することを特徴とする磁気記録膜形成用CoCrPt−SiOスパッタリングターゲットの製造方法。 (もっと読む)


本発明は、円筒形ターゲットと、円筒形ターゲットを揺動させるよう適合されたモータアセンブリと、シールドと、マグネットアセンブリとを含む円筒形揺動シールドターゲットアセンブリに関する。本発明の実施形態はまた、外面が複数の分割された区分を含む円筒形ターゲットを含み、該区分は、ターゲットの周囲に長手方向に配置されて、ターゲットの長手方向にわたって延びる帯状部を形成する。各区分は、ガラスのような基材上に別のコーティングとして施されるよう意図された、銀、チタンまたはニオブのような単一のスパッタリング材料を含む。
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【課題】電気抵抗率が低く、電子デバイスの高密度化、特に液晶ディスプレイ等の平面表示素子の大型化、高精細化に適した配線・電極、及びその製造に用いられる放電安定性の高いスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】Alに元素周期律表第3族から選ばれる1種以上の金属を総含有量で0.5原子%未満含有し、かつ、酸素含有量が100ppm以下のAl系合金薄膜により配線・電極を形成することにより、同一条件で作製した純Al薄膜の電気抵抗率と同等の低い電気抵抗率を有し、かつ、ヒロック耐性の高い配線・電極が得られる。このような配線・電極は、元素周期律表第3族から選ばれる1種以上の金属を総含有量で0.5原子%未満含有し、かつ、酸素含有量が100ppm以下であるAl系合金からなるスパッタリングターゲットを用い形成することができる。 (もっと読む)


【課題】
反射率の低下が小さい多層膜反射鏡、その製造装置(成膜装置)等を提供すること。
【解決手段】
イオントラップ9は、側壁に波板状の散乱板11を有するとともに、開口部10を有する箱状のものである。標的材料6の表面で散乱したイオン14a、14bはイオントラップ9の散乱板11に入射する。イオントラップ9の散乱板11は波板状となっているので、散乱板11に入射するイオンの一部はその入射角が浅くなり、散乱板11はスパッタされにくくなる。一方、散乱板11に対する入射角が深いイオンは散乱板11をスパッタするが、イオントラップ9の基板5の方向は閉じていて、スパッタされた粒子は基板5の方向には飛散しないため、基板5に成膜される多層膜中に取り込まれることはない。 (もっと読む)


【課題】ハードディスクの高密度磁気記録媒体に適用される磁気記録膜、特に垂直磁気記録媒体に適用されるCoCrPt−SiOグラニュラ磁気記録膜を形成するための微細組織を有するCoCrPt−SiOスパッタリングターゲットの製造方法を提供する。
【解決手段】Pt粉末と微細なSiO粉末を混合して得られた混合粉末を仮焼処理することにより、Pt−SiO仮焼処理粉末を作製し、このPt−SiO仮焼処理粉末にCr粉末およびCo粉末を配合し混合して得られた混合粉末を加圧焼結することを特徴とする磁気記録膜形成用CoCrPt−SiOスパッタリングターゲットの製造方法。 (もっと読む)


【課題】潤滑油中において特に低い摩擦係数を示し、相対的に簡便なプロセスで製造することができ、潤滑剤・潤滑油の選択の制約が少なく、相手攻撃性も低い硬質炭素被膜摺動部材を提供する。
【解決手段】少なくとも相手材との摺動部位に硬質炭素被膜を備えた摺動部材の上記硬質炭素被膜中に、コバルト及びニッケルの一方又は両方を含有させ、その含有量を合計で1.4原子%以上39原子%以下の範囲とする。 (もっと読む)


【課題】従来試みられることのなかった新規な方法で担体に触媒材料を担持してなる水素貯蔵及び発生用触媒構造体、並びに該触媒構造体を用いた水素の貯蔵及び発生方法を提供する。
【解決手段】担体表面に反応性スパッタリング法により触媒材料をコーティングしてなる水素貯蔵及び発生用触媒構造体、並びに、該触媒構造体と、芳香族炭化水素とを用いることを特徴とする水素の貯蔵方法、及び上記触媒構造体と、芳香族炭化水素の水素化誘導体とを用いることを特徴とする水素の発生方法である。 (もっと読む)


【課題】異なる化学構造を持つ複数種類のポリマーをターゲット材料とすることで、高周波スパッタ法による一つのプロセスによって、分子レベルで構造が混合された新たな複合ポリマー材料を提供する。
【解決手段】固体のポリマーAの上に、Aと異なる分子構造を有するポリマーB溶液を展開し乾燥させた複合材料をターゲットとして用い、高周波スパッタで基板上に、微細なグレインが高密度に凝縮した構造を形成する。 (もっと読む)


【課題】エンジン油やトランスミッショシ油等の潤滑油中においても低い摩擦係数が得られ、簡便なプロセスで製造でき、かつ潤滑油の種類の制約が少ない硬質炭素被膜摺動部材を提供する。
【解決手段】少なくとも相手材との摺動部位に硬質炭素被膜を備えた摺動部材の上記硬質炭素被膜中にマグネシウムを含有させ、その含有量を2原子%以上41原子%以下の範囲とする。 (もっと読む)


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