【課題】 スパッタリング時にパーティクル発生を抑制可能なＣｒ−Ｔｉ合金ターゲット材を提供することである。
【解決手段】 Ｔｉを４０〜６０原子％含有し、残部Ｃｒおよび不可避的不純物からなるＣｒ−Ｔｉ合金ターゲット材であって、スパッタ面のＸ線回折におけるＣｒ相の（１１０）面の回折ピーク強度をＡ、ＴｉＣｌ_２化合物相の（３１１）面の回折ピーク強度をＢとするとき、相対強度比Ｂ／Ａが１０％以下であるＣｒ−Ｔｉ合金ターゲット材である。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング法による透明導電膜の製膜時のノジュールの発生を抑止して安定性よく製膜することのできるスパッタリングターゲットおよびその製造法を提供する。
【解決手段】酸化インジウムと酸化ガリウムおよび酸化亜鉛からなる金属酸化物の焼結体であって、該金属酸化物がＩｎ_２Ｏ_３（ＺｎＯ）_ｍ〔ただし、ｍは２〜１０の整数である。〕、Ｉｎ_２Ｇａ_２ＺｎＯ_７、ＩｎＧａＺｎＯ_４、ＩｎＧａＺｎ_２Ｏ_５、ＩｎＧａＺｎ_３Ｏ_６、ＩｎＧａＺｎ_４Ｏ_７、ＩｎＧａＺｎ_５Ｏ_８、ＩｎＧａＺｎ_６Ｏ_９およびＩｎＧａＺｎ_７Ｏ_１０の群から選択される１種または２種以上の六方晶層状化合物を含有し、かつ、酸化インジウム９０〜９９質量％、酸化ガリウムと酸化亜鉛の合計１〜１０質量％の組成を有する焼結体からなるスパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】Ａｇ膜の凝集が抑えられ、車両灯具用反射板に要求される種々の諸特性、すなわち、高い反射率を有することは勿論のこと、耐光性、耐熱サイクル性、耐湿性、耐硫化性について優れた耐久性を兼ね備えた、新規な積層反射膜を備えた車両灯具用反射板を提供する。
【解決手段】車両灯具用反射板は、基体上に、基体側から、Ａｇ合金の第１層と、Ｓｉ酸化物の第２層と、透明樹脂の第３層とが順次積層されており、前記第１層は、Ｂｉを０．０２〜０．２原子％、Ｇｅを０．０２〜０．５原子％、Ａｕを０．１〜３．０原子％含有し、残部はＡｇおよび不可避不純物であるＡｇ合金膜で構成され、前記第３層は、シリコーン変性アクリル樹脂で構成されている。 （もっと読む）

【課題】回路パターンを良好なファインピッチで形成することができるプリント配線板用回路基板の形成方法を提供する。
【解決手段】プリント配線板用回路基板の形成方法は、白金、パラジウム、及び、金のいずれか１種以上を含み、白金の付着量が１０５０μｇ／ｄｍ²以下、パラジウムの付着量が６００μｇ／ｄｍ²以下、金の付着量が１０００μｇ／ｄｍ²以下である被覆層を表面に備えた銅箔又は銅層と、樹脂基板との積層体を準備する工程と、積層体の被覆層表面にレジストパターンを形成する工程と、レジストパターンを形成した積層体の被覆層表面を、ＣｕＣｌ₂を１．５〜４．１ｍｏｌ／Ｌ、及び、ＨＣｌを１．３〜５．０ｍｏｌ／Ｌ含むエッチング液を用いてエッチングする工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】Ａｕの付着量を低減しつつ、Ａｕを含む層をステンレス上に強固かつ均一に形成させることができ、さらに導電性、耐食性及び耐摩耗性を向上させた表面処理ステンレス鋼材料及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ステンレス鋼基材２の表面にＡｕとＣｒとを含む表面層６が形成され、表面層とステンレス鋼基材との間に、Ｃｒを２０原子％以上含み、Ｏを２０原子％以上５０原子％未満含む中間層２ａが１ｎｍ以上存在し、Ａｕの付着量が４０００ｎｇ／ｃｍ^２以上７００００ｎｇ／ｃｍ^２未満であり、表面層と中間層の合計厚みに対し、Ｃｒを２０原子％以上含む厚み部分が３０％以上を占める表面処理ステンレス鋼材料である。 （もっと読む）

【課題】熱処理工程時の温度ムラによる特性のバラつきを抑制し、かつ、高抵抗率に制御可能とする。
【解決手段】Ｉｎ、Ｇａ及びＺｎを含有し、Ｉｎ及びＧａの合計に対するＧａのモル比率が０.５０＜Ｇａ／（Ｉｎ＋Ｇａ）の関係を満たす非晶質酸化物薄膜を基板上に成膜する成膜工程と、非晶質酸化物薄膜のＧａのモル比率が０.５０＜Ｇａ／（Ｉｎ＋Ｇａ）＜０．７５の関係を満たす場合には、成膜工程後に１００℃以上１５０℃以下又は３５０℃以上６００℃以下の温度で非晶質酸化物薄膜を熱処理し、非晶質酸化物薄膜のＧａのモル比率が０．７５≦Ｇａ／（Ｉｎ＋Ｇａ）の関係を満たす場合には、成膜工程後に１００℃以上２００℃以下又は３５０℃以上６００℃以下の温度で非晶質酸化物薄膜を熱処理する熱処理工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】凹凸構造を有する基板表面の膜厚分布の改善を図ることができる成膜装置及び成膜方法を提供すること。
【解決手段】本発明の成膜装置１は、被成膜面上の一方向である第１の方向に沿って形成された凹凸構造を有する基板Ｗを成膜対象とし、ステージ３と、成膜源４と、検出部１０と、成膜源制御部１６とを具備する。成膜源４は、成膜材料Ｔから成膜粒子を生成させ、ステージ３に支持された基板Ｗに第２の方向から成膜粒子を照射する。検出部１０は、ステージ３の回転角度を検出する。成膜源制御部１６は、検出部１０の検出結果に基づいて、第１の方向と、第２の方向を被成膜面に投影した第３の方向とが平行となる回転角度のときは、成膜速度が第１の成膜速度となり、第１の方向と第３の方向とが垂直となる回転角度のときは、成膜速度が第１の成膜速度より小さい第２の成膜速度となるように成膜源４を制御する。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング法を用いて酸化物半導体薄膜を成膜する際に発生する異常放電を抑制し、酸化物半導体薄膜を安定且つ再現性よく得ることができる酸化物焼結体を提供する。
【解決手段】インジウム及びアルミニウムの酸化物を含有し、原子比Ａｌ／（Ａｌ＋Ｉｎ）が０．０１〜０．０８である酸化物焼結体。 （もっと読む）

【課題】ステンレス鋼基材表面にＡｕを含む層を強固かつ均一に形成可能で、燃料電池用セパレータに要求される密着性及び耐食性を確保できる燃料電池用セパレータ材料を提供する。
【解決手段】ステンレス鋼基材２の表面にＡｕとＣｒとを含む表面層６が形成され、表面層６とステンレス鋼基材２との間に、Ｃｒを２０原子％以上含み、Ｏを２０原子％以上５０原子％未満含む中間層２ａが１ｎｍ以上存在し、Ａｕ濃度６５原子％以上の領域の厚みが１．５ｎｍ以上存在し、かつＡｕの最大濃度が８０原子％以上であり、Ｃｒを５０原子％以上含む金属層が存在しない燃料電池用セパレータ材料である。 （もっと読む）

【課題】補助記録層としての機能を維持しつつ薄膜化を図り、ＳＮＲの向上を図ることを目的とする。
【解決手段】本発明にかかる垂直磁気ディスク１００の構成は、基板１１０上に、グラニュラ磁性層１６０と、グラニュラ磁性層より上方に配置された補助記録層１８０とを備え、グラニュラ磁性層は柱状に成長したＣｏＣｒＰｔ合金を主成分とする磁性粒子の周囲に酸化物を主成分とする非磁性物質が偏析して粒界部が形成されたグラニュラ構造を有し、補助記録層はＣｏＣｒＰｔＲｕ合金を主成分とし、さらに副成分として不動態を形成しかつ反強磁性体ではない金属を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】被処理材のプラズマダメージを低減できるプラズマ雰囲気下で、被処理材上に成膜原料を効率的に成膜できる成膜方法及び成膜装置を提供することにある。特にガスバリア膜の成膜方法及び成膜装置を提供する。
【解決手段】プラズマ雰囲気下でイオン化した成膜原料を被処理材１上に堆積させる成膜方法であって、磁力線２が被処理材１の成膜面３から離れる方向９に向く磁場環境を形成し、その磁場環境で被処理材１の成膜面３に成膜原料を堆積させる。このときの磁力線２の向きは、磁石のＮ極からＳ極に向かう磁力線の向きであって、プラズマを構成する荷電粒子４を成膜面３から離れる方向９にはね返す向きである。そうした磁力線２は、永久磁石又は電磁石のＮ極を成膜原料が供給される側に近い側に配置し、Ｓ極を遠い側に配置する等して実現できる。 （もっと読む）

【課題】信頼性および再現性が優れるとともに、歩留まりが高く生産性が優れた薄膜トランジスタおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタの製造方法は、基板上にゲート電極を形成する工程と、ゲート電極を覆って基板上に第１の絶縁膜を形成し、第１の絶縁膜上に酸化物半導体膜を形成し、酸化物半導体膜上に第２の絶縁膜を形成して、第１の絶縁膜、酸化物半導体膜および第２の絶縁膜からなる積層体を得る工程と、積層体の第１の絶縁膜、酸化物半導体膜および第２の絶縁膜をパターニングして、それぞれゲート絶縁層、活性層およびチャネル保護層を形成する工程と、ソース電極およびドレイン電極を形成する工程とを有する。第１の絶縁膜、酸化物半導体膜および第２の絶縁膜は、大気に曝されることなく連続して形成される。 （もっと読む）

【課題】高信頼性を備え且つより安定的に長期間使用可能な燃料電池セパレータ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】燃料電池セパレータ１は、基材３と基材３上に形成されるアモルファス合金層５とを備えたことを特徴とする。基材３は、金属又は導電性樹脂からなる。導電性樹脂は導電性プラスチックでもよい。アモルファス合金層５は積層された膜からなり、主成分は、ニッケル、鉄、クロム及びコバルトの何れかである。アモルファス合金層５の材料は、３つ以上の元素からなる金属ガラスでもよい。 （もっと読む）

【課題】補助記録層としての機能を維持しつつ薄膜化を図り、ＳＮＲの向上の向上を図る。
【解決手段】本発明にかかる垂直磁気ディスクの代表的な構成は、基板１１０上に、複数のグラニュラ構造の磁性層からなる第１グラニュラ磁性層群（下群１６０）と、ＲｕまたはＲｕ合金を主成分とする非磁性層１７０と、複数のグラニュラ構造の磁性層からなる第２グラニュラ磁性層群（上群１８０）と、ＣｏＣｒＰｔＲｕ合金を主成分とする補助記録層２００とをこの順に備え、第１グラニュラ磁性層群に含まれる複数の磁性層は、表面に近い層ほどＰｔの含有量が同じかまたは少なくなり、酸化物の含有量が同じかまたは多くなり、第２グラニュラ磁性層群に含まれる複数の磁性層は、表面に近い層ほどＰｔの含有量が同じかまたは少なくなり、酸化物の含有量が同じかまたは多くなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング方法および装置において、低温プロセスで高品質な膜を形成するとともに、膜の性質を自由に制御可能な成膜方法を提供する。
【解決手段】スパッタリング法を用いる真空成膜装置による成膜方法であって、ターゲット材料を分解するためにスパッタリング用プラズマを用い、かつ前記スパッタリング用プラズマとは個別に制御可能な表面改質用プラズマを用いて成膜中の成膜表面にイオンを照射することを特徴とする成膜方法を用いた。 （もっと読む）

【課題】ステンレス鋼基材表面にＡｕの付着量を低減しつつ、Ａｕを含む層を強固かつ均一に形成可能で、燃料電池用セパレータに要求される密着性及び耐食性を確保できる燃料電池用セパレータ材料を提供する。
【解決手段】 ステンレス鋼基材２の表面にＡｕとＣｒとを含む表面層６が形成され、表面層とステンレス鋼基材との間に、Ｃｒを２０原子％以上含み、Ｏを２０原子％以上５０原子％未満含む中間層２ａが１ｎｍ以上存在し、Ａｕの付着量が４０００〜４００００ｎｇ／ｃｍ^２であり、表面層の（最小厚み／最大厚み）で表される比が０．７５以上の燃料電池用セパレータ材料である。 （もっと読む）

【課題】ガスバリア性を高めたガスバリア性シート及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基材２と、その基材２上に設けられたガスバリア膜３とを少なくとも有し、ガスバリア膜３の基材２側の界面Ｓに強磁性元素が存在するように構成したガスバリア性シート１により、上記課題を解決した。この強磁性元素を、界面Ｓに散布状若しくは島状又は薄膜状に存在させることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】タッチパネルに用いた際のペン摺動耐久性、高温高湿条件下での抵抗安定性に優れる透明導電性フィルムの製造方法を提供すること。
【解決手段】透明プラスチックフィルム基材上の少なくとも一方の面に結晶質の酸化インジウムを主とした透明導電膜が１０ｎｍ以上積層された透明導電性フィルムの製造方法であって、透明プラスチックフィルム基材上の少なくとも一方の面に結晶質の酸化インジウムを主とした透明導電膜を成膜する際、透明導電膜の膜厚が１０ｎｍ以上のときの成膜雰囲気の酸素ガス分圧に対する質量数２８のガス分圧の比が、１．０×１０^−４〜１．０×１０^−１になるように、ガス分析装置でインライン観測を行うことで、酸素流量を制御して成膜する透明導電性フィルムの製造方法。 （もっと読む）

【課題】電力が供給されない状況でも記憶内容の保持が可能で、かつ、書き込み回数にも制限が無い、新たな構造の半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】ワイドギャップ半導体、例えば酸化物半導体を含むメモリセルを用いて構成された半導体装置であって、メモリセルに書き込み用のトランジスタ、読み出し用のトランジスタおよび選択用のトランジスタを備えた半導体装置とする。ワイドギャップ半導体を用いることで、メモリセルを構成するトランジスタのオフ電流を十分に小さくすることができ、長期間にわたって情報を保持することが可能な半導体装置を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】搬送式両面スパッタリング装置による基板への熱ストレスを抑制し、基板品質を劣化させない搬送式両面スパッタリング装置に用いる被処理物保持装置、いわゆる基板ホルダーを提供する。
【解決手段】複数の開口を備え、対向配置される第１遮蔽板と第２遮蔽板と、前記第１遮蔽板と前記第２遮蔽板とに対向し、前記第１遮蔽板と前記第２遮蔽板とに挟まれ配置され、前記被処理物を保持し処理面を開放する開口部を有する保持部を備える保持部材と、を備え前記保持部材は、前記第１遮蔽板および第２遮蔽板とは相対的に移動可能に保持され、前記保持部材の前記保持部と前記第１遮蔽板の前記開口部が、平面視で重なる第１処理位置と、前記保持部材が前記第１および第２遮蔽板に対して相対的に移動し、前記保持部材の前記保持部と前記第２遮蔽板の前記開口部とが平面視で重なる第２処理位置と、を備える搬送式両面スパッタリング装置用の被処理物保持装置。 （もっと読む）