【課題】高品質なＣｕ−Ｇａ合金粉末を容易に製造することができるＣｕ−Ｇａ合金粉末の製造方法及びＣｕ−Ｇａ合金粉末、並びにＣｕ−Ｇａ合金スパッタリングターゲットの製造方法及びＣｕ−Ｇａ合金スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】Ｃｕ粉末とＧａとが質量比で８５：１５〜５５：４５の割合で配合された混合粉末を、不活性雰囲気中で３０〜７００℃の温度で攪拌して合金化することにより、Ｃｕ−Ｇａ合金粉末を得る。また、このＣｕ−Ｇａ合金粉末を成型し、焼結することにより、Ｃｕ−Ｇａ合金スパッタリングターゲットを得る。 （もっと読む）

【課題】余分な工程を追加することなく、コンタクト抵抗の増加を抑制する半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法では、Ｃｕ配線上の第２層間絶縁膜内に設けたコンタクトホール内に第1のＴｉ膜、ＴｉＮ膜、第２のＴｉ膜、第1のＡｌ膜、及び第２のＡｌ膜をこの順に形成する。第1のＴｉ膜を成膜する際には、コンタクトホール底面上の第１の部分と第２層間絶縁膜上の第２の部分の膜厚の比（第1の部分）／（第２の部分）を０．０５以下とする。また、第２のＡｌ膜はアルミ・リフロー法を用いて形成し、この際に第２のＴｉ膜及び第1のＡｌ膜をアルミニウム・チタン合金膜とする。 （もっと読む）

【課題】高い光散乱能を達成し、製造プロセスの温度を低く抑えるために、表面テクスチャの微細構造を精密に制御した透明導電膜およびその製造方法を提供する。
【解決手段】酸化亜鉛系ターゲットを用いて、加熱した基板上にスパッタリングし、表面処理を施すことにより、ＴｉとＡｌを原子比で、０．００１≦Ｔｉ／（Ｚｎ＋Ａｌ＋Ｔｉ）≦０．０７９、かつ０．００１≦Ａｌ／（Ｚｎ＋Ａｌ＋Ｔｉ）≦０．０７９、ただし、０．０１≦（Ｔｉ＋Ａｌ）／（Ｚｎ＋Ａｌ＋Ｔｉ）≦０．０８の割合で含有し、中心線平均表面粗さが３０ｎｍ以上２００ｎｍ以下で、表面にサイズの異なる凹型レンズ状テクスチャを有し、そのテクスチャ幅の平均値が１００ｎｍ〜１０μｍである酸化亜鉛系透明導電膜を製造し、電子素子、光学素子又は太陽電池に利用する。 （もっと読む）

【課題】１つのチャンバで組成の異なる膜をスパッタリングする場合であっても、基板面内のビアホールにおけるボトムカバレッジの均一性を確保することができるスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】同一の形状であり、かつ異種の材料からなるターゲットを、それぞれ複数のスパッタリングカソード２０３ａ，２０３ｂ，２０４ａ，２０４ｂに取り付け、さらに、ターゲットにおける同種のものを、スパッタリング対象の基板８の回転中心を対称とした位置に設けられたスパッタリングカソード２０３ａ，２０３ｂ，２０４ａ，２０４ｂに搭載する。これにより、基板８における内周と外周との両方において、基板８上方に異種のターゲットが対称位置に配置され、回転時の基板８面内に対するスパッタ粒子の入射角度を小さくすることができる。 （もっと読む）

【課題】 ブランクマスク、フォトマスク及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 透明基板、金属膜、ハードマスク膜及びレジスト膜が順次に積層されてなるブランクマスク。ここで、金属膜及びハードマスク膜のうち少なくとも一つは、膜を構成する元素のうち少なくとも一つの元素の組成比が膜の深さ方向に連続的に変わる区間である成分変化区間を持つ。これにより、既存の深さ方向に元素の組成比が均一な薄膜と比較する時、光学密度の均一性、反射率の均一性、表面粗度、耐化学性、耐露光性などを向上させ、成長性欠陥と残留応力の問題を低減させることができる。 （もっと読む）

【課題】不純物が混入しない酸化物半導体膜を成膜する成膜装置を提供することを課題とする。不純物が混入しない酸化物半導体膜を含む半導体装置の作製方法を提供することを課題とする。
【解決手段】成膜装置を含む環境から不純物を排除することにより、成膜装置の外部から成膜装置内へ不純物を含む気体が漏洩（リーク）する現象を防げばよい。また、当該装置を用いて成膜した、不純物が低減された酸化物半導体層を半導体装置に適用すればよい。 （もっと読む）

【課題】欠陥レベルの低い、予想される厚さ分布を有する膜形成に用いるマグネトロン・スパッタリング・デバイスを提供する。
【解決手段】リング・カソードの位置は、遊星ドライブ・システムの中心点に関してオフセットする。アノード２０または反応性ガス供給源３６は、リング・カソードの内側半径内に配置される。カソード１２における低電力密度によって低欠陥率が得られ、低電力密度は、アーク放電を抑制し、一方、マスクを使用することなく、遊星幾何形状に対するランオフがカソードによって最小になる。 （もっと読む）

【課題】厚さの増加を図りながらも、アーキングの発生が抑制されうるスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】ターゲット材１０には、その側面１３の途中から裏面１２に向かって当該ターゲット材１０を徐々に小径または幅狭にするような傾斜面１４が形成されている。側面１３と傾斜面１４との境界線をなす稜線部１５の表面粗さＲａおよび裏面１２を基準とした高さｈの組み合わせを表わすＲａ−ｈ平面におけるプロットが、第１範囲Ｓ１又は第１範囲Ｓ１の一部である第２範囲Ｓ２に含まれるようにターゲット材１０が形成されている。 （もっと読む）

【課題】優れた耐薬品性およびＡｒＦ照射耐性を有するマスクブランク、転写マスク等を
提供する。
【解決手段】転写用マスクを作製するために用
いられるものであり、透光性基板上１に遮光膜３０を備えるマスクブランクであって、
前記遮光膜３０は、タンタルを主な金属成分として含有する材料からなり、
前記遮光膜３０の透光性基板側とは反対側の表層に層中の酸素含有量が６０ａｔ％以上
である高酸化層４が形成されていることを特徴としたマスクブランク。 （もっと読む）

【課題】 皮膜密着性に優れた表面被覆部材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 母材の表面に物理蒸着によって硬質皮膜が被覆された被覆部材であって、前記硬質皮膜は、ダイヤモンドライクカーボン皮膜と、該ダイヤモンドライクカーボン皮膜と母材との間にあって、母材側から前記ダイヤモンドライクカーボン皮膜に向かってチタンの含有量が減少していくチタンと炭素の混合傾斜皮膜とからなり、該混合傾斜皮膜中のチタン量と炭素量は、膜厚方向のグロー放電発光分光分析によるそれぞれの最大ピーク強度をＩ_Ｔｉ、Ｉ_ｃとした時に、１．２＜Ｉ_ｃ／（Ｉ_Ｔｉ×１０）＜２．０の関係を満たす皮膜密着性に優れた被覆部材である。１．３＜Ｉ_ｃ／（Ｉ_Ｔｉ×１０）＜１．５であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】トランジスタ特性が大幅に改善した酸化物半導体の製造方法を提供する。
【解決手段】系内の水分圧３×１０^−４〜５×１０^−２Ｐａで、スパッタリングターゲットをＤＣスパッタリングして成膜体を成膜し、前記成膜体を結晶化する酸化物半導体の成膜方法。 （もっと読む）

【課題】補助記録層としての機能を維持しつつ薄膜化を図り、ＳＮＲの向上の向上を図ることを目的とする。
【解決手段】本発明にかかる垂直磁気ディスク１００の製造方法の構成は、基板１１０上に、柱状に成長したＣｏＣｒＰｔ合金を主成分とする磁性粒子の周囲に酸化物を主成分とする非磁性物質が偏析して粒界部が形成されたグラニュラ磁性層１６０を成膜するグラニュラ磁性層成膜工程と、グラニュラ磁性層より上方に、ＣｏＣｒＰｔＲｕ合金を主成分とし膜厚が１．５〜４ｎｍである補助記録層１８０を成膜する補助記録層成膜工程と、補助記録層を成膜した基板を２１０〜２５０℃に加熱する加熱工程と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 スパッタ法により良好にＮａ添加されたＣｕ−Ｇａ膜を成膜可能なスパッタリングターゲット及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】 Ｇａ：２０〜４０ａｔ％を含有し、
さらに、Ｎａ：０．０５〜２ａｔ％およびＳ：０．０２５〜１．０ａｔ％を含有し、残部がＣｕ及び不可避不純物からなる成分組成を有する。また、このスパッタリングターゲットを作製する方法は、Ｎａ_２Ｓ粉末とＣｕ−Ｇａ合金粉末との混合粉末、又はＮａ_２Ｓ粉末とＣｕ−Ｇａ合金粉末と純Ｃｕ粉末との混合粉末を、真空または不活性ガス雰囲気中でホットプレスする工程、または、熱間静水圧法で焼結する工程を有している。 （もっと読む）

【課題】ＩＴＯがアモルファスとなる成膜温度で、低抵抗で表面が平坦なＩＴＯ透明導電膜を、膜剥がれを起こさずに安定して形成するための形成方法、それによって形成されたＩＴＯ透明導電膜、およびそれを形成するための形成装置を提供する。
【解決手段】ＩＴＯ透明導電膜の形成装置１００は、レーザー光Ｌの照射機構を備えており、真空チャンバー１内で、スパッタリング法によりＩＴＯの薄膜を形成する成膜工程と、薄膜にレーザー光Ｌを照射するレーザー光照射工程とを繰り返えすことによりＩＴＯ透明導電膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】低温度の環境下で被加工材の表面に、良好かつ高品位な炭素膜を形成することを目的とする。
【解決手段】所定の真空度に減圧可能とされる真空チャンバ１内に、被加工材４を保持し、基板電圧印加手段３により所定の電圧に印加される基板２と、上記基板２に対向配置される炭素原料基板５上で、真空チャンバ１内に導入される放電発生用の媒体ガスをパルス電源７より炭素原料基板５に出力される調整電力に基づきプラズマ化し、炭素原料基板５から上記基板２に保持される被加工材４に向けて炭素原料とともに放電するプラズマ発生源を備える。これにより被加工材４の表面に放電されるプラズマにより炭素膜を加工形成する。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング法を用いて形成されるタングステン膜の比抵抗を低下させることができる成膜方法及びこの成膜方法の実施に用いられるタングステンターゲットを提供する。
【解決手段】
タングステンを含有するターゲットＴを希ガスによりスパッタしてタングステン膜を基板Ｓに形成する成膜方法において、ターゲットＴとしてニッケルを含有するものを用いることで、成膜されたタングステン膜はニッケル酸化物を含有する。また、成膜されたタングステン膜におけるニッケルの濃度が、０．００１質量％以上且つ１質量％以下となるようにする。 （もっと読む）

【課題】ＬａＢ_６膜の結晶性を更に改善でき、剥離も少ないスパッタ形成方法を提供する。
【解決手段】タングステン又はモリブデンと、希土類元素の酸化物を含む材料からなる基体にスパッタリングによってＬａＢ_６膜を成膜する際、アルゴンに窒素ガスを０．０１〜５体積％添加した雰囲気でＬａＢ_６ターゲットのスパッタリングを行うことにより、結晶性の優れたＬａＢ_６膜が得られる。 （もっと読む）

【課題】 ＦｅＰｔ合金の素地にＳｉＯ_２等の酸化物を含む高密度の磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供すること。
【解決手段】 一般式：（Ｆｅ_ｘＰｔ_{（１００−ｘ）}）_{（１００−ｙ）}（ＳｉＯ_２）_ｙ、ここで４０≦ｘ≦６０（単位：モル％）、５≦ｙ≦３０（単位：モル％）で表される組成を有する焼結体からなるターゲットであって、その組織が、ＳｉＯ_２相と、ＦｅとＰｔとの固溶体からなるＦｅＰｔ合金相と、ＳｉＯ_２相とＦｅＰｔ合金相との界面において、Ｓｉ、Ｏ、ＦｅおよびＰｔの各元素が相互に拡散することによって形成するＳｉ、Ｏ、ＦｅおよびＰｔを含有する相互拡散相と、で構成されている。 （もっと読む）

【課題】優れた導電性と化学的耐久性とを兼ね備えた酸化亜鉛系透明導電膜の成膜を可能にする酸化亜鉛系透明導電膜形成材料、その製造方法、それを用いたターゲットおよび酸化亜鉛系透明導電膜の形成方法を提供する。
【解決手段】 実質的に亜鉛、チタン、酸素および窒素からなる酸化亜鉛系透明導電膜形成材料であって、該透明導電膜形成材料は、チタンが原子数比でＴｉ／（Ｚｎ＋Ｔｉ）＝０．０２超０．１以下、窒素とチタンが原子数比でＮ／Ｔｉ＝０．１〜０．６となるよう含有されている酸化物混合体または酸化物焼結体であり、前記酸化物混合体が、酸化亜鉛相、低原子価酸化チタン相および窒化チタン相から構成され、前記酸化物焼結体が、酸化亜鉛相、チタン酸亜鉛相、窒化チタン相から構成される。 （もっと読む）

【課題】回路パターン形成の際のエッチング性が良好でファインピッチ化に適し、磁性が良好に抑制されたプリント配線板用銅箔及びそれを用いた積層体を提供する。
【解決手段】プリント配線板用銅箔は、銅箔基材と、銅箔基材の表面の少なくとも一部を被覆し、且つ、白金、パラジウム、及び、金のいずれか１種以上を含む被覆層とを備え、被覆層における白金の付着量が１０５０μｇ／ｄｍ²以下、パラジウムの付着量が６００μｇ／ｄｍ²以下、金の付着量が１０００μｇ／ｄｍ²以下である。 （もっと読む）