【課題】
優れたガスバリア性と透明導電性を有し、高温高湿度環境下においてもシート抵抗値が低く、耐折り曲げ性及び導電性に優れる透明導電性フィルム、その製造方法、この透明導電性フィルムからなる電子デバイス用部材、並びに電子デバイスを提供する。
【解決手段】
基材層、ガスバリア層及び透明導電体層を有する透明導電性フィルムであって、前記ガスバリア層が、少なくとも、酸素原子、炭素原子及びケイ素原子を含む材料から構成されてなり、表面から深さ方向に向かって、層中における酸素原子の存在割合が漸次減少し、炭素原子の存在割合が漸次増加する領域（Ａ）を有し、前記領域（Ａ）が、酸素原子、炭素原子及びケイ素原子の存在量全体に対する、酸素原子の存在割合が２０〜５５％、炭素原子の存在割合が２５〜７０％、ケイ素原子の存在割合が５〜２０％である部分領域（Ａ１）と、酸素原子の存在割合が１〜１５％、炭素原子の存在割合が７２〜８７％、ケイ素原子の存在割合が７〜１８％である部分領域（Ａ２）とを含むものであることを特徴とする透明導電性フィルム；その製造方法；この透明導電性フィルムからなる電子デバイス用部材；並びに電子デバイス。 （もっと読む）

【課題】安定した電気的特性と高い信頼性を有する半導体装置を実現する成膜装置を提供することを課題の一とする。また、マザーガラスのような大きな基板を用いて、信頼性の高い半導体装置の大量生産を行うことの出来る成膜装置を提供することを課題の一とする。また、上記成膜装置を用いて安定した電気的特性と高い信頼性を有する半導体装置の作製方法を提供することを課題の一とする。
【解決手段】基板の搬送機構と、搬送機構が送る基板の進行方向に沿って、酸化物半導体を成膜する第１の成膜室と、第１の熱処理を行う第１の加熱室とを有し、基板は、該基板の成膜面と鉛直方向との成す角が１°以上３０°以内に収まるよう保持され、大気に曝すことなく、基板に第１の膜を成膜した後に第１の熱処理を施すことのできる成膜装置を用いて、酸化物半導体層を形成する。 （もっと読む）

【課題】平滑面で高密度かつ大きな強度を有し、バンドギャップについて、シリコンのナノ結晶によるワイドギャップと、シリサイドナノ結晶によるナローギャップで、広範の波長に対応可能な、半導体材料を、低コストで形成する。
【解決手段】金属（Ｍ）とシリコン（Ｓｉ）の合金を、熱処理によってシリコンナノ結晶と金属シリサイド化合物ナノ結晶に相分離させ、直径１０ｎｍ以下のシリコンナノ結晶と金属シリサイドのナノ結晶が凝集しているシリコンナノ結晶と金属シリサイドナノ結晶凝集半導体材料を製造する。 （もっと読む）

【課題】酸化亜鉛を主成分とする透明導電性酸化物は湿熱耐久性に劣り、湿熱耐久性を向上しようとすると抵抗率が高くなる、すなわち導電性が悪くなるという課題があった。
【解決手段】基板上に形成された透明電極であって、この透明電極が酸化亜鉛を主成分とする透明導電性酸化物を有し、かつ当該透明導電性酸化物は、さらに酸化ケイ素および１３族元素の酸化物を透明導電性酸化物に対してそれぞれ１〜４重量％含有することを特徴とする透明電極。
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【課題】平面性に優れ且つ生産性にも優れる両面金属ベース層付耐熱性樹脂フィルムを効率よく製造できるスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】巻出ロール１１１から巻き出された耐熱性樹脂フィルム１１２は駆動ロール１１８、１１９、１２０、１２１、１２２、１２３により折り返された間で、耐熱性樹脂フィルム１１２方向に開口部がある２つの開口部を有する少なくとも４ユニットの対向スパッタリングユニット１２９、１３０、１３１，１３２により、耐熱性樹脂フィルム１１２の第１成膜面と第２成膜面に同時に成膜が進行する。両端の対向スパッタリングユニット１２９、１３２の片側は片面成膜である。 （もっと読む）

【課題】５００℃以下の低温で、カーボンナノ構造体を製造できるカーボンナノ構造体形成用基板、およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基材表面に、Ｆｅ、Ｃｏ、およびＮｉよりなる群から選ばれる少なくとも１種の元素を含有するＡｌ合金膜を有し、前記Ａｌ合金膜に含まれる前記元素の合計量は０．１０〜２０原子％であり、前記基材側とは反対側のＡｌ合金膜表面に、前記元素の少なくとも一部を含む析出物を有しており、その析出物の平均粒径が５〜１００ｎｍであるカーボンナノ構造体形成用基板。 （もっと読む）

【課題】高精度に膜厚を均一化することができるカソードユニットおよび成膜装置を提供する。
【解決手段】スパッタ室１３内に配置されたターゲット材１７と、ターゲット材が取り付けられる裏板１９と、裏板の裏面側に所定距離離間して配置された磁石２９と、を備えたカソードユニット１５において、磁場強度調整機構１００を有している。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板とモリブデン層との密着力の向上が図られた成膜基板を製造する方法、成膜基板、及び成膜装置を提供すること。
【解決手段】所定量の酸素を含有する第１の雰囲気中で、ガラス基板２の表面に第１のモリブデン層３ａを成膜し、第１の雰囲気よりも酸素の含有率が低い第２の雰囲気中で、第１のモリブデン層３ａの表面に第２のモリブデン層３ｂを成膜する。これにより、酸化モリブデンを含む密着層３ａをガラス基板２上に成膜し、この密着層３ａの上にモリブデン層３ｂを成膜することができる。 （もっと読む）

【課題】薄い膜厚（２００ｎｍ以下）で抵抗率が低いＺｎＯ系薄膜を、安定したＤＣスパッタで得られるＺｎＯ系ターゲットを提供すること、およびそれを用いて形成される抵抗の低いＺｎＯ系透明導電膜を提供すること。
【解決手段】Ｚｎを含む酸化物相と、ＡｌおよびＴｉを含む金属間化合物相と、を備え、前記酸化物相中に前記金属間化合物相が分散していることを特徴とするＺｎＯ系スパッタリングターゲットにより、前記課題を解決したものである。 （もっと読む）

【課題】電力が供給されない状況でも記憶内容の保持が可能で、かつ、書き込み回数にも制限が無い、新たな駆動方法を提供する。また、新たな駆動方法により、メモリ素子への書き込み電位のばらつきを低減し、信頼性を向上させる。
【解決手段】半導体装置の駆動方法において、書き込み電位を段階的に上昇させて、同時に読み出し電流を確認し、読み出し電流の結果を書き込み電位に利用して書き込みを行う。つまり、正しい電位で書き込みが行われたか確認しながら書き込みを行うことで、信頼性の高い書き込みを行うことが可能である。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体膜を成膜する成膜技術を提供することを課題の一とする。また、その酸化物半導体膜を用いた信頼性の高い半導体素子を作製する方法を提供することを課題の一とする。
【解決手段】成膜に用いるスパッタリングターゲットの中の不純物であるアルカリ金属、アルカリ土類金属、及び水素を排除することにより得られる新規なスパッタリングターゲットを用いれば、これらの不純物の含有量の少ない酸化物半導体膜を成膜することができる。 （もっと読む）

【課題】酸素含有量が少ないＣｕ−Ｇａ合金スパッタリングターゲットを作製する。
【解決手段】Ｃｕ粉末とＧａとが質量比で８５：１５〜５５：４５の割合で配合され、酸素含有量が０．２ｗｔ％以下である混合粉末を酸素分圧が２０Ｐａ以下の雰囲気中で合金化し、得られたＣｕ−Ｇａ合金粉末をホットプレス法により焼結する。 （もっと読む）

【課題】 ボイド等の発生を防止できるように凹部内に金属膜の成膜を施すことができる成膜方法である。
【解決手段】 処理容器２２内でプラズマにより金属のターゲット７６から金属イオンを発生させてバイアスにより引き込んで凹部４が形成されている被処理体に金属の薄膜を堆積させる成膜方法において、ターゲットから金属イオンを生成し、その金属イオンをバイアスにより引き込んで凹部内に下地膜９０を形成する下地膜形成工程と、金属イオンを発生させない状態でバイアスにより希ガスをイオン化させると共に発生したイオンを引き込んで下地膜をエッチングするエッチング工程と、ターゲットをプラズマスパッタリングして金属イオンを生成し、その金属イオンをバイアス電力により引き込んで金属膜よりなる本膜９２を堆積しつつ、その本膜を加熱リフローさせる成膜リフロー工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】硬度、耐酸化性、また、靭性を向上させることで、耐摩耗性に優れる硬質皮膜およびこの硬質皮膜を用いて形成された硬質皮膜被覆工具を提供する。
【解決手段】工具の表面に被覆される硬質皮膜であって、硬質皮膜の組成がＡｌ_{１−ａ−ｂ−ｃ}Ｓｉ_ａＭｇ_ｂＭ_ｃ（Ｂ_ｘＣ_ｙＮ_ｚ）からなり、Ｍは、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｃｒ、ＣｕおよびＹから選ばれる少なくとも１種以上の元素であり、ａ、ｂ、ｃ、ｘ、ｙ、ｚが原子比であるときに、０≦ａ≦０．３５、０≦ｂ≦０．２、０．０３≦ａ＋ｂ≦０．５、０≦ｃ≦０．１、かつ、原子比で、０．９≦Ａｌ＋Ｓｉ＋Ｍｇ、０≦ｘ≦０．２、０≦ｙ≦０．４、０．５≦ｚ≦１、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１を満足することを特徴とする。
また、硬質皮膜を用いて形成される硬質皮膜工具であって、この硬質皮膜が、前記記載の硬質皮膜であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】粉末焼結法で作製されたＣｕ−Ｇａ合金スパッタリングターゲットにおいて、大きなスパッタ電力を投入しても、スパッタ膜にパーティクルが発生することを抑制することができる高品質なＣｕ−Ｇａ合金ターゲットを提供する。
【解決手段】Ｃｕ粉末及びＧａが質量比で８５：１５〜５５：４５の割合で配合された混合粉末を、不活性雰囲気中で加熱しながら撹拌し合金化して得られた平均粒径が１５０μｍ以下のＣｕ−Ｇａ合金粉末を、ホットプレス焼結することにより、断面組織に平均結晶粒径４０μｍ以下の粒子が含有されたＣｕ−Ｇａ合金スパッタリングターゲットを製造する。 （もっと読む）

【課題】表示装置用酸化物半導体膜の成膜に好適に用いられる酸化物焼結体およびスパッタリングターゲットであって、高い導電性と相対密度を兼ね備えた酸化物焼結体およびスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】本発明の酸化物焼結体は、酸化亜鉛と；酸化スズと；Ａｌ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｍｇ、Ｇａおよび希土類元素よりなる群から選択される少なくとも一種の金属（Ｍ金属）の酸化物の各粉末と、を混合および焼結して得られる酸化物焼結体であって、酸化物焼結体をＸ線回折したとき、Ｚｎ₂ＳｎＯ₄化合物は検出されるが、スピネル型化合物であるＺｎＭ_XＯ_y相およびＭ_XＯ_y相（ｘ、ｙは任意の整数である）は検出されないものである。 （もっと読む）

【課題】絶縁性酸化物の量産性を高めこと、また、そのような絶縁性酸化物を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与すること、信頼性の高い半導体装置を作製する。
【解決手段】亜鉛のように４００〜７００℃で加熱した際にガリウムよりも揮発しやすい材料を酸化ガリウムに添加したターゲットを用いて、ＤＣスパッタリング、パルスＤＣスパッタリング等の大きな基板に適用できる量産性の高いスパッタリング方法で成膜し、これを４００〜７００℃で加熱することにより、添加された材料を膜の表面近傍に偏析させる。膜のその他の部分は添加された材料の濃度が低下し、十分な絶縁性を呈するため、半導体装置のゲート絶縁物等に利用できる。 （もっと読む）

【課題】基材への接着を促進するような中間層を使用しないで硬質被覆層をかみそり刃先基材に被覆する方法を提供する。
【解決手段】金属でドープ塗装されたグラファイトを有するターゲットをスパッタリングすることにより、金属ドープされたダイヤモンド状炭素からなる被覆層１６をかみそり刃の研がれた刃先ならびにその近接部の基材１２に直接蒸着形成し、次いでポリ四フッ化エチレンからなる外側層１８を前記金属でドープ塗装されたダイヤモンド状炭素の被覆層上へ被覆形成する。 （もっと読む）

【課題】対向して配置されるターゲットを有するスパッタ装置において、その対向するターゲットの間に形成される空間内への反応ガスの流入防止を図ること。
【解決手段】本発明は、対向配置されるターゲット５、６を備えるスパッタ源１と、スパッタ源１と連通され処理対象である基板Ｗが収容される成膜室２と、を備えている。スパッタ源１の開口部３には、成膜室２の反応ガスがスパッタ源１内へ侵入するのを防止する括れ部２０が形成されている。括れ部２０は、開口部３の対向する内壁３１、３２からそれぞれ突出する突出部２２、２４により形成されている。 （もっと読む）

【課題】装置サイズの小型化を図りつつ、効率的に冷却可能なロータリージョイントを提供する。
【解決手段】
本発明ロータリージョイント２００は、挿通孔を有し、かつ外部から流体を導入するための導入口２１５を有する筐体２０４と、回転軸に対して筐体と相対回転可能とされるべく、筐体の挿通孔に挿通された軸体ユニット２０１と、軸体ユニット内に回転軸方向に沿って形成され、導入口と連通させるための第一軸体ユニット導入路及び第二軸体ユニット導入路の途中に設けられ、該流体の流量を切り替えるための切替部材２０８とを備える。切替部材は、第１穴２０９と、第１穴の径より小さく、第一軸体ユニット導入路及び第二軸体ユニット導入路の径より小さい第２穴２１０と有する。切替部材により、第一軸体ユニット導入路を流れる流体の流量及び第二軸体ユニット導入路を流れる流体の流量を変更可能である。 （もっと読む）