【課題】酸化亜鉛系薄膜をパターニングする際のエッチングレートが充分に低く、エッチングレートを容易かつ確実に制御することが可能であり、良好なパターン形状を有するとともに導電性も高い酸化亜鉛系薄膜を得ることができるパターニング方法を提供する。
【解決手段】本発明のパターニング方法は、酸化亜鉛系薄膜を酸によりエッチングしてパターニングする方法であって、前記酸化亜鉛系薄膜が、酸化亜鉛を主成分とし、亜鉛とチタンとの合計に対するチタンの原子数比Ｔｉ／（Ｚｎ＋Ｔｉ）が０．０２を超え０．１以下の薄膜である。前記酸化亜鉛系薄膜は、実質的に亜鉛、チタンおよび酸素からなる酸化物焼結体または酸化物混合体を加工して得られるターゲットを膜形成材料として成膜されたものであることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】高温で成膜される低融点金属の凝集を防止し、十分なバリア性及びぬれ性を有するバリア層を形成して、凹部に低融点金属を付け回り良く充填する。
【解決手段】電子部品の製造方法が、４Ｐａ以上２０Ｐａ以下の圧力下で、被処理体３０６と接する電極３０１に第１のバイアス電力を印加し、プラズマ処理により被処理体３０６の上にＴｉＮｘからなる第１のバリア層４０４を成膜する手順と、４Ｐａ以上２０Ｐａ以下の圧力下で、電極３０１に第１のバイアス電力よりも小さいイオン入射エネルギーを与える第２のバイアス電力を印加し、またはバイアス電力を印加しないで、プラズマ処理により第１のバリア層の上にＴｉＮｘからなる第２のバリア層４０５を成膜する手順と、第２のバリア層４０５の上に、Ｔｉからなる第３のバリア層４０９を成膜する手順と、第３のバリア層４０９の上に低融点金属４０６を充填する手順と、を有する。 （もっと読む）

【課題】実用に耐えうる導電性を保ちながら、かつ耐候性を備え、パターニングの際に適当なエッチングレートを有する透明導電膜を成膜するためのターゲットに用いることができる酸化亜鉛系透明導電膜形成材料の製造方法を提供する。
【解決手段】酸化亜鉛を主成分とし、酸化チタンを含む酸化亜鉛系透明導電膜形成材料であり、チタンの原子数の全金属原子数に対する割合が２％超１０％以下であり、かつチタン源として、原子価が４価であるチタン元素を用いて、還元性雰囲気中にて加圧焼結して作製された酸化物焼結体である。 （もっと読む）

【課題】複数のターゲットの同時放電による反応性スパッタリングにおいて、堆積された膜の組成をコントロールすることを目的とする。
【解決手段】各ターゲットへの反応性ガスの供給量を異ならせることで、一方のターゲットからは反応性ガスとの反応生成物がスパッタされ、他のターゲットからはターゲット材質がスパッタリングされる。これにより、堆積される膜の組成をコントロールすることが可能となる。また、一方のターゲットをポイズンモードとし、他のターゲットをメタルモードとしてスパッタリングを行うことで、反応生成物と金属からなる化合物が成膜される。 （もっと読む）

【課題】低抵抗で、可視光領域、赤外領域の透過性に優れ、耐久性に優れた酸化物透明導電膜を成膜するための、スパッタリング中の異常放電現象を低減できる酸化物焼結体及び光電変換効率の高い太陽電池を提供する。
【解決手段】主としてＩｎ、Ｓｎ、Ｓｒ及びＯから構成される酸化物焼結体で、実質的にビックスバイト型酸化物相及びペロブスカイト型酸化物相から構成されるか、又は実質的にビックスバイト型酸化物相のみから構成され、Ｓｎ及びＳｒの含有量が原子比で
Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｓｒ）＝０．０１〜０．１１
Ｓｒ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｓｒ）＝０．０００５〜０．００４
である焼結体を製造し、それを用いてターゲットを作製し、スパッタリングにより酸化物透明導電膜を得る。またその膜を用いて、基板上に酸化物透明導電膜および光電変換層を積層した太陽電池を得る。 （もっと読む）

【課題】機械加工が難しい高融点金属合金、高融点金属珪化物、高融点金属炭化物、高融点金属窒化物あるいは高融点金属ホウ化物の難焼結体からなるターゲットを比較的容易に製造できるようにすると共に、ターゲット製造時及びハイパワースパッタリング時の割れの発生を効果的に抑制し、またターゲット原料のホットプレス時におけるダイスとの反応を抑制し、さらにターゲットの反りを低減できるターゲット及びその製造方法を提供する。
【解決手段】高融点金属合金、高融点金属珪化物、高融点金属炭化物、高融点金属窒化物あるいは高融点金属ホウ化物の難焼結体からなるターゲット材３とターゲット材以外の高融点金属板２，２’とが接合された構造を備えていることを特徴とする高融点金属合金、高融点金属珪化物、高融点金属炭化物、高融点金属窒化物あるいは高融点金属ホウ化物の難焼結体からなるターゲット。 （もっと読む）

【課題】ターゲットの製造時およびスパッタリング時に割れを生じることのない高強度な酸化亜鉛焼結体および高抵抗な酸化亜鉛薄膜を提供する。
【解決手段】ジルコニウムを１０〜１０００ｐｐｍ含有し、抵抗率が１０^５Ω・ｃｍ以下である円筒形状の酸化亜鉛焼結体から成るスパッタリングターゲットを作製する。
またジルコニウムを１０〜２０００ｐｐｍ含有し、抵抗率が１０Ω・ｃｍ以上であり、膜厚１００ｎｍのとき、波長５００ｎｍの透過率が７５％以上の酸化亜鉛薄膜を製造する。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い無機配向膜を低コストで形成する。
【解決手段】プラズマ生成領域を挟むように対向配置された２つのターゲット５を備えるスパッタ粒子放出部３と、基板１０を水平方向に搬送する搬送手段６ａを収容する成膜室２と、を備えるスパッタ装置１を用いて、搬送される基板１０にスパッタ粒子２７を入射させて、１０基板に接する下層配向膜１３２と液晶分子３７に接し液晶分子３７の配向を制御する上層配向膜１３１を含む無機配向膜３１を形成する方法であって、スパッタ粒子２７の基板１０に対する入射角の範囲を入射角範囲と定義した場合において、下層配向膜１３２を形成する工程である第１の工程における入射角範囲である第１の入射角範囲が、上層配向膜１３１を形成する工程である第２の工程における入射角範囲である第２の入射角範囲に比べて広いことを特徴とする無機配向膜３１の形成方法。 （もっと読む）

【課題】電気抵抗率が低く耐熱性に優れた配線材料として汎用されているＡｌ−Ｎｄ／Ｌａ合金の耐アルカリ腐食性を向上させることが可能なＡｌ基合金スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】本発明のスパッタリングターゲットは、Ｎｄおよび／またはＬａを０．１〜３原子％含有するＡｌ基合金からなり、Ａｌ基合金中に含まれるＦｅ量が、Ｎｄおよび／またはＬａの合計量の１／７６以下に制御されている。 （もっと読む）

【課題】 真空チャンバー内へのガス漏れを抑制しつつキャンロールの外周面と長尺基板との間に形成される隙間にガスを導入する方法及び装置を提供する。
【解決手段】 冷媒循環部１１と、周方向に略均等な間隔をあけて全周に亘って配設された複数のガス導入路１４と、これら複数のガス導入路１４の各々に真空チャンバー５１外部のガスを供給するロータリージョイント２０とを備え、搬送される長尺基板Ｆを外周面に部分的に巻き付けて冷却するキャンロール５６であって、各ガス導入路１４は、キャンロール５６の回転軸方向に沿って外周面側に開口する複数のガス放出孔１５を有しており、ロータリージョイント２０は、各ガス導入路１４に対して長尺基板Ｆを巻き付ける角度範囲内に位置しているか否かに応じて当該ガス導入路１４にガスを供給するか否か制御する。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体膜をチャネルに用いたトランジスタに安定した電気的特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を作製する。
【解決手段】加熱処理により第１の結晶構造となりうる酸化物半導体膜と、加熱処理により第２の結晶構造となりうる酸化物半導体膜を積層して形成し、その後加熱処理を行うことによって、第２の結晶構造を有する酸化物半導体膜を種として第１の結晶構造を有する酸化物半導体膜へ結晶成長する。このようにして形成した酸化物半導体膜を、トランジスタの活性層に用いる。 （もっと読む）

【課題】優れた導電性と化学的耐久性とを兼ね備えた酸化亜鉛系透明導電膜の成膜を可能にする酸化物焼結体および酸化物混合体を提供する。
【解決手段】酸化物焼結体は、実質的に亜鉛、チタンおよび酸素からなり、亜鉛とチタンとの合計に対するチタンの原子数比Ｔｉ／（Ｚｎ＋Ｔｉ）が０．０２を超え０．１以下である。酸化物混合体は、実質的に酸化亜鉛と酸化チタンとからなり、亜鉛とチタンとの合計に対するチタンの原子数比Ｔｉ／（Ｚｎ＋Ｔｉ）が０．０２を超え０．１以下である。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の製造コストを低減させ、信頼性を向上させる。
【解決手段】半導体ウエハＳＷを支持するステージ５３と、半導体ウエハＳＷに対向するターゲット５４と、半導体ウエハＳＷとターゲット５４との間に配置されたコリメータ６１と、半導体ウエハＳＷとターゲット５４との間の空間とコリメータ６１とを囲むロアーシールド６２及びダークスペースシールド６３とを備える成膜装置を用い、スパッタリング法によって半導体ウエハＳＷにＮｉ−Ｐｔ合金膜を形成する。この際、ロアーシールド６２およびダークスペースシールド６３の内面のうち、コリメータ６１の下面６１ｂより上に位置する領域にＡｌ膜７１を予め形成しておくが、コリメータ６１の下面６１ｂより下に位置する領域にはＡｌ膜７１を形成しない。ロアーシールド６２及びダークスペースシールド６３を取り外して洗浄する際に、アルカリ溶液によってＡｌ膜７１を溶解する。 （もっと読む）

【課題】高いガスバリア性能、折り曲げ耐性、断裁加工適性に優れたガスバリア性フィルムを提供する。
【解決手段】
基材の少なくとも一方の面に蒸着法で形成された第１のバリア層を有し、該第１のバリア層上に、ポリシラザン含有液を塗布してポリシラザン層を形成した後、該ポリシラザン層を真空紫外光により第２のバリア層を形成したガスバリア性フィルムにおいて、該第１バリア層はＸＲＤ解析においてハロー図形を示し、そのピークのθ値から算出される原子間距離の平均値が６．５Å以下であることを特徴とするガスバリア性フィルム。 （もっと読む）

【課題】液晶表示装置、エレクトロルミネッセンス表示装置、帯電防止導電膜コーティング、ガスセンサーなどに用いられる透明導電膜を形成するためのスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】本発明の透明導電膜形成用スパッタリングターゲットは、Ｇａ：０．１〜３０質量％を含有し、残部がＺｎからなる組成を有するＺｎ−Ｇａ合金結晶粒をＺｎ−Ｇａ複合酸化物が包囲している組織を有する。 （もっと読む）

【課題】 優れた導電性と化学的耐久性とを兼ね備えた酸化亜鉛系透明導電膜の形成方
法を提供する。
【解決手段】 本発明の酸化亜鉛系透明導電膜の形成方法は、スパッタリング法により酸化亜鉛系透明導電膜を形成する方法であって、実質的に亜鉛、チタンおよび酸素からなり、亜鉛とチタンとの合計に対するチタンの原子数比Ｔｉ／（Ｚｎ＋Ｔｉ）が０．０２を超え０．１以下である酸化物焼結体または酸化物混合体を加工して得られるターゲットを用いる方法である。この形成方法により成膜された透明導電膜は、該透明導電膜中に含まれる亜鉛とチタンとの合計に対するチタンの原子数比Ｔｉ／（Ｚｎ＋Ｔｉ）が０．０２を超え０．１以下である。 （もっと読む）

【課題】苛酷な使用環境下で使用される切削工具や金型や自動車部品等の部材において、耐摩耗性と摺動特性が優れる被覆部材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】スパッタリング法によって被覆した硬質皮膜を表面に有する被覆部材であって、該硬質皮膜は原子比でＳｉよりもＣが多いＳｉＣ皮膜であり、該硬質皮膜の組織は六方晶構造相を含有し、Ｘ線光電子分光分析において、炭素と珪素の結合に帰属する結合エネルギー２８３〜２８５ｅＶのピークと、炭素と炭素の結合に帰属する２８２〜２８４ｅＶのピークが存在する摺動特性に優れた被覆部材である。 （もっと読む）

【課題】耐湿熱性に優れ、可視光領域だけでなく近赤外線領域においても透過性に優れ、しかも低抵抗値を有する希少金属を使用しない安価な酸化物透明電極膜からなる太陽電池用透明電極膜、およびそれを設けた太陽電池を提供することである。
【解決手段】
本発明の太陽電池用透明電極膜は、酸化亜鉛にドーパントとして低原子価金属酸化物をドープした酸化物透明電極膜からなる。該酸化物透明電極膜は、酸化亜鉛を主成分とし、低原子価金属酸化物をドープしたターゲットまたはタブレットを用いて、スパッタリング法、イオンプレーティング法、パルスレーザ堆積法（ＰＬＤ法）またはエレクトロンビーム（ＥＢ）蒸着法にて成膜されたものであり、低原子価金属酸化物が、低原子価金属と亜鉛との原子数比で０．０２〜０．１の割合となるようにドープされ、そして酸化物透明導電膜の比抵抗が２．０×１０^-3Ω・ｃｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】ＥＬデバイス（特にＯＬＥＤ）、光電池、および半導体デバイス（有機電界効果トランジスタ、薄膜トランジスタ、および集積回路一般など）を含む、電子または光電子デバイス（特に導電ポリマーを含むデバイス）の製造において、基板、特に可撓性基板として使用するのに適した、改善されたバリア特性を有するフィルムを提供すること。
【解決手段】ポリマー基板、平坦化被覆層、および無機バリア層を含む複合フィルムであって、前記バリア層は、２ｎｍから１０００ｎｍの厚さを有し、マイクロ波で活性化された反応性マグネトロンスパッタリングによって得ることができる前記複合フィルム。 （もっと読む）

【課題】高結晶性のＩＴＯ薄膜を成膜できる、低い酸化スズ含有量のＩＴＯ焼結体からなり、かつ、長時間にわたり安定した成膜を可能とする、高密度のＩＴＯスパッタリングターゲットを得る。
【解決手段】原料粉末として、比表面積値が３〜１５ｍ²／ｇ、平均粒径が０．１〜０．５μｍである酸化インジウム粉末と、比表面積値が１０〜１５ｍ²／ｇ、平均粒径が０．１〜１．５μｍである酸化スズ粉末とを用い、酸化スズの含有量を２．５〜５．２質量％に調整し、混合および粉砕し、１９６ＭＰａ以上の圧力で加圧成形し、常圧の酸素雰囲気中で、１０００℃以上の領域における昇温速度を１．０℃／分以上５．０℃／分以下、保持温度を１５００℃以上１６００℃以下、保持時間を２０時間以上３０時間以下として焼成して、得られるＩＴＯスパッタリングターゲットの平均密度を７．１ｇ／ｃｍ³以上、平均結晶粒径を３μｍ以上１０μｍ未満とする。 （もっと読む）