【課題】 規則化温度の低い膜を成膜することができると共にパーティクルの発生が抑制可能な磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供すること。
【解決手段】 磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットが、一般式：｛（Ｆｅ_ｘＰｔ_{１００−ｘ}）_{（１００−ｙ）}Ａｇ_ｙ｝_{（１００−ｚ）}Ｃ_ｚ、ここで原子比により３０≦ｘ≦８０、１≦ｙ≦３０、３≦ｚ≦６３で表される組成を有した焼結体からなる。また、このスパッタリングターゲットの製造方法は、ＡｇＰｔ合金粉と、ＦｅＰｔ合金粉と、Ｐｔ粉と、グラファイト粉またはカーボンブラック粉と、の混合粉末を、真空または不活性ガス雰囲気中でホットプレスする工程を有している。 （もっと読む）

【課題】スパッタリングによる複数材料の薄膜形成における装置機構の複雑化を抑えて簡素化し、装置コストの上昇を抑制することが可能な成膜装置及び成膜方法を提供する。
【解決手段】スパッタリング装置１は、真空チャンバ２と、基板３１を保持する基板ホルダ３２と、真空チャンバ２内で基板３１に対向可能な状態にターゲット１１，１２をそれぞれ支持するカソード機構２１，２２と、互いに材質の異なるターゲット１１，１２と基板３１との間に個別に進退してターゲット１１，１２で発生した成膜粒子を遮蔽又は開放するシャッタ４１，４２とを備えている。これらシャッタ４１，４２の少なくとも１つ、例えばシャッタ４２を、ターゲット１１，１２の材料とは異なるターゲット材料で形成してターゲット兼用シャッタとして構成した。 （もっと読む）

【課題】同一の材料を使用して透明導電膜の積層を行い、可撓性、高透過率を有した透明導電性積層体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】透明基材の少なくとも一方の面に、非晶性の第一透明導電膜と、結晶性の第二透明導電膜を積層してなる透明導電性積層体であって、前記第一透明導電膜と前記第二透明導電膜が同一組成のスパッタリングターゲットを使用して形成され、かつ、前記第一透明導電膜が成膜時の水分圧を５．０×１０^-4Ｐａ以上として形成され、前記第二透明導電膜が成膜時の水分圧を５．０×１０^-4Ｐａ未満として形成されることを特徴とする透明導電性積層体である。 （もっと読む）

【課題】低抵抗な透明導電膜を得ることが可能で、耐異常放電性を有する焼結密度の高いＺｎＯ系焼結ターゲットを提供すること。
【解決手段】
Ｇａ_２Ｏ_３及び／又はＡｌ_２Ｏ_３を含むＺｎＯ系粉体に、Ｂ_２Ｏ_３を０．４ｗｔ％以下を添加したことを特徴とするＺｎＯ系ターゲット。Ｇａ_２Ｏ_３及び／又はＡｌ_２Ｏ_３を含むＺｎＯ粉体にＢ_２Ｏ_３粉体を混合した後、７００〜１０００℃で仮焼結し、仮焼結体を粉砕後プレス成形した後、１２００℃超の温度で焼結することを特徴とするＺｎＯ系焼結ターゲットの製造方法。 （もっと読む）

【課題】ファインピッチ化に適した、裾引きが小さい断面形状の回路を良好な製造効率で製造可能なプリント配線板用銅箔及び電子回路の形成方法を提供する。
【解決手段】銅箔基材と、該銅箔基材表面の少なくとも一部を被覆する被覆層とを備えたプリント配線板用銅箔であって、前記被覆層が、Ｐｔ、Ｐｄ、及び、Ａｕの少なくともいずれか１種を含み、前記被覆層には、Ａｕが２００〜２０００μｇ／ｄｍ²、Ｐｔが２００〜２０００μｇ／ｄｍ²、Ｐｄが１２０〜１２００μｇ／ｄｍ²の付着量で存在し、ＣＣＬ製造工程の熱履歴を受けると、ＸＰＳによる該被覆面表面からの深さ方向分析から得られた深さ方向（ｘ：単位ｎｍ）のＰｔ、Ｐｄ、及びＡｕのいずれか１種以上の原子濃度（％）をｆ(x)、銅の原子濃度をｇ(x)としたとき、区間［０、５］において０．１≦∫ｆ(x)ｄｘ／∫ｇ(x)ｄｘ≦０．７を満たすプリント配線板用銅箔。 （もっと読む）

【課題】微細なトレンチまたはホール等の凹部にボイドを発生させずに確実にＣｕを埋め込むことができ、かつ低抵抗のＣｕ配線を形成すること。
【解決手段】ウエハＷに形成されたトレンチ２０３を有する層間絶縁膜２０２において、トレンチ２０３の表面にバリア膜２０４を形成する工程と、バリア膜２０４の上にＲｕ膜２０５を形成する工程と、Ｒｕ膜２０５の上に、加熱しつつ、ＰＶＤによりＣｕがマイグレーションするようにＣｕ膜２０６を形成してトレンチ２０３を埋める工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】ワークピースの配置場所を画成する蒸着装置において長期の高出力作動が可能となるシールド組立体を提供する。
【解決手段】複合シールド組立体１０は、ワークピースの配置場所の周囲に置かれる第１シールド要素１３と、第１シールド要素１３の周りに延在して第１シールド要素１３を保持する第２シールド要素１４であって、第１シールド要素１３の熱伝導率が当該第２シールド要素１４の熱伝導率よりも大きく、第１シールド要素１３及び当該第２シールド要素１４が、熱的接触を密接にするように配置される、第２シールド要素１４とを含む。 （もっと読む）

【課題】光記録媒体保護膜形成用として、割れやＩｎの溶出がなく製造工程を簡素化でき、高密度が得られる酸化物スパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】ＺｒＯ_２，Ｉｎ_２Ｏ_３，Ｇａ_２Ｏ_３およびＺｎＯを含有し、ＺｒＯ_２相の周囲がＩｎとＺｎとＧａとの酸化物からなる複合酸化物相を含む相で囲まれた組織を有する。好ましくは、不可避不純物を除いた全金属成分量に対する原子比で、Ｚｒ：Ａ％，Ｉｎ：Ｂ％，Ｇａ：Ｃ％およびＺｎ：Ｄ％とされており、これらの成分組成が、０＜Ａ≦４５．５、９．１≦Ｂ≦３１．０、９．１≦Ｃ≦３１．０、Ｂ＋Ｃ≦２Ｄ、Ａ＋Ｂ＋Ｃ＋Ｄ＝１００の関係を満たす。 （もっと読む）

【課題】少ない処理室で効率よくバリア層及び埋込層を形成する小型の真空処理装置を提供する。
【解決手段】バリア層は、Ｔｉ製のターゲットと希ガスを導入してプラズマ雰囲気を形成し、ターゲットをスパッタリングして第１金属層を形成し、処理室内に酸素ガス及び窒素ガスを含むガスを導入して、第１金属層の表面およびターゲット表面を酸窒化処理する。更にターゲットをスパッタリングして酸窒化処理された表面に第２金属層を形成する。他方、埋込層は、Ａｌ含有の金属製のターゲットを用い、スパッタ粒子をプラズマ中の荷電粒子と衝突するように所定圧力に調節すると共に、当初投入したバイアス電力を、成膜中に停止し、処理室の圧力も低下させると共に、加熱手段により処理対象物Ｗを、処理対象物表面に付着、堆積した金属粒子が流動する温度に加熱する。 （もっと読む）

【課題】ロウ材を使用することなく、円筒形スパッタリングターゲットを製造する方法を提供する。
【解決手段】円筒形ターゲット材３の内径側に、該円筒形ターゲット材３の内径よりも小さい外径を有するバッキングチューブ２を挿入し、この状態で、たとえば棒状の芯金４を挿通して、該バッキングチューブ２を拡管することにより、ロウ材を使用することなく、該円筒形ターゲット材３を該バッキングチューブ２に接合する。円筒形ターゲット材３とバッキングチューブ２の間に、溶融および凝固した後に塑性加工された低融点金属の緩衝材を介在させてもよい。 （もっと読む）

【課題】Ａｌ基合金スパッタリングターゲットやＣｕ基合金スパッタリングターゲットを用いたときのプレスパッタリング時、及び続いて行われる基板等へのスパッタリング時の成膜速度が高められ、且つスプラッシュなどのスパッタリング不良を抑制し得る技術を提供すること。
【解決手段】Ａｌ基合金またはＣｕ基合金スパッタリングターゲットの最表面から１ｍｍ以内の深さのスパッタリング面法線方向の結晶方位＜００１＞±１５°と、＜０１１＞±１５°と、＜１１１＞±１５°と、＜１１２＞±１５°と、＜０１２＞±１５°との合計面積率をＰ値としたとき、下記（１）および／または（２）の要件を満足するスパッタリングターゲット。
（１）前記Ｐ値に対する、＜０１１＞±１５°の面積率ＰＡ：４０％以下、
（２）前記Ｐ値に対する、＜００１＞±１５°と＜１１１＞±１５°との合計面積率ＰＢ：２０％以上 （もっと読む）

【課題】本発明の主な目的は、相変化材料層を形成する方法を提供することにより、従来の技術でのウエハの表面の汚染、歩留まりの減少という問題を克服することができる。
【解決手段】ケイ素又は他の半導体、或いは、ケイ素系や他の半導体系の添加剤を有する相変化材料層が、ケイ素や他の半導体及び相変化材料を含む複合スパッタターゲットを使用することによって形成される。その複合スパッタターゲットのケイ素または他の半導体の濃度は、形成される前記層におけるケイ素または他の半導体の特定された濃度よりも５倍以上大きい。GST型の相変化材料のケイ素系添加剤に対し、スパッタターゲットは４０原子％以上のケイ素を含むことができる。ケイ素系又は他の半導体系の添加剤は、成膜時のスパッタチャンバー内に、酸素や窒素のような反応ガスの流れを伴なう複合スパッタターゲットを用いて形成され得る。 （もっと読む）

【課題】優れた導電性と化学的耐久性及び近赤外領域の高透過性を有する透明導電膜の成膜を可能にする酸化亜鉛系透明導電膜形成材料、その製造方法、それを用いたターゲット、および酸化亜鉛系透明導電膜の形成方法を提供する。
【解決手段】本発明の酸化亜鉛系透明導電膜形成材料は、実質的に亜鉛、チタン、酸素および窒素からなる酸化物焼結体であって、原子数比でＴｉ／（Ｚｎ＋Ｔｉ）＝０．０２超０．１以下となるよう含有されている。 （もっと読む）

【課題】イオン液体代替の、より環境負荷が小さく安定的に金属微粒子を製造する方法を提供する。
【解決手段】微粒子の製造方法は、液体高分子ポリエチレングリコールに貴金属、Ｓｉ及びＣｄの少なくともいずれかをスパッタリングする。また、この手段において、貴金属は、金、銀、銅、白金の少なくともいずれかを含むことが好ましい。また、この手段において、高分子ポリエチレングリコールの数平均分子量は、２００以上８００以下の範囲にあることが好ましい。また、本手段において、スパッタリングの後、加熱処理を行うことが好ましい。 （もっと読む）

【課題】耐食性及びガスバリア性を高めたガスバリア性シート及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基材２と、その基材２上に設けられたガスバリア膜３とを少なくとも有し、基材２とガスバリア膜３との間に耐食合金又は耐食合金の化合物４が存在するように構成したガスバリア性シート１により、上記課題を解決した。耐食合金が、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｖ、Ｃｕ、Ｎｂ、Ｔａ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｓｉ、Ｚｒ、及びＭｎの少なくとも１種の元素を含有することが好ましく、耐食合金又は耐食合金の化合物４が、基材２上に散布状若しくは島状又は薄膜状に存在させることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】電源電圧の供給が停止した後もデータ保持可能な記憶素子を提供する。消費電力の低減可能な信号処理回路を提供する。
【解決手段】クロック信号に同期してデータを保持する記憶素子において、酸化物半導体層にチャネルが形成されるトランジスタ及び容量素子を用いることより、電源電圧の供給が停止した間もデータ保持ができる。ここで、電源電圧の供給を停止する前に、クロック信号のレベルを一定に保った状態で当該トランジスタをオフ状態とすることにより、データを正確に容量素子に保持させることができる。また、このような記憶素子を、ＣＰＵ、メモリ、及び周辺制御装置のそれぞれに用いることによって、ＣＰＵを用いたシステム全体で、電源電圧の供給停止を可能とし、当該システム全体の消費電力を削減することができる。 （もっと読む）

【課題】光散乱効果を持つＺｎＯ系膜を高い成膜速度で成膜できる生産性のよい成膜方法を提供する。
【解決手段】本発明では、成膜室１内に処理すべき基板ＷとＺｎＯを主成分とするターゲット３１とを配置し、真空雰囲気の成膜室１内に希ガス等のスパッタガスを導入し、ターゲット３１に所定電力を投入し、プラズマ雰囲気を形成してターゲットをスパッタリングすることで、基板Ｗ表面にＺｎＯを主成分とする薄膜を成膜する。スパッタリングによる成膜中、前記プラズマに基板Ｗが曝されるようにし、成膜室１内の圧力を２Ｐａ未満に保持する。 （もっと読む）

【課題】表示装置用酸化物半導体膜の製造に好適に用いられる酸化物焼結体であって、高い導電性と相対密度を兼ね備えており、高いキャリア移動度を有する酸化物半導体膜を成膜可能な酸化物焼結体を提供する。
【解決手段】本発明の酸化物焼結体は、酸化亜鉛と、酸化スズと、酸化インジウムの各粉末を混合および焼結して得られる酸化物焼結体であって、
前記酸化物焼結体をＸ線回折したとき、Ｚｎ₂ＳｎＯ₄相を主相とし、ビックスバイト型結晶構造であるＺｎ_XＳｎ_XＩｎ_YＯ_m相（Ｘ、Ｙ、ｍは任意の整数）を有すると共に、前記酸化物焼結体に含まれる金属元素の含有量（原子％）をそれぞれ、［Ｚｎ］、［Ｓｎ］、［Ｉｎ］としたとき、［Ｚｎ］＋［Ｓｎ］＋［Ｉｎ］に対する［Ｉｎ］の比、［Ｚｎ］＋［Ｓｎ］に対する［Ｚｎ］の比、［Ｓｎ］の比は、それぞれ下式を満足するものである。
［Ｉｎ］／（［Ｚｎ］＋［Ｓｎ］＋［Ｉｎ］）＝０．０１〜０．２５未満
［Ｚｎ］／（［Ｚｎ］＋［Ｓｎ］）＝０．５０〜０．８０
［Ｓｎ］／（［Ｚｎ］＋［Ｓｎ］）＝０．２０〜０．５０ （もっと読む）

【課題】配線形成時に配線形成用溝の間口を閉塞させないで配線形成用溝内に連続したＣｕ膜を形成できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】配線形成用溝形成工程では、層間絶縁膜１０に配線形成用溝３１を形成する。バリアメタル膜形成工程では、配線形成用溝３１が形成された層間絶縁膜１０上の全面にバリアメタル膜１４を形成する。Ｃｕ膜形成工程では、配線形成用溝３１間の層間絶縁膜１０上の膜厚に比して配線形成用溝３１内の底部の方が厚くなるように、バリアメタル膜１４上にＣｕ膜１５を形成する。リフロー工程では、バリアメタル膜１４上のＣｕ膜１５をリフローさせ、配線形成用溝３１内に埋め込む。そして、除去工程では、少なくとも配線形成用溝３１間の層間絶縁膜１０上のバリアメタル膜１４をＣＭＰ法によって除去する。 （もっと読む）

【課題】ダクタイル鋳鉄などのフェライト相が多く析出した被削材の高速連続切削加工および断続切削加工で、すぐれた耐摩耗性、耐欠損性、耐溶着性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】ｃＢＮ基超高圧焼結材料製工具基体の表面に、平均層厚０．１〜０．３μｍの非晶質ＢＮからなる下部層、平均層厚０．１〜０．３μｍのＴｉＢＮからなる中間層、平均層厚１．０〜２．０μｍのＴｉＡｌＮからなる上部層を順次蒸着形成し、すくい面とホーニング面の上部層を除去することによって、前記課題を解決する。 （もっと読む）