【課題】スパッタリング成膜時の発塵を抑制して高品質な珪素含有薄膜の成膜を可能とするスパッタリング成膜用珪素ターゲットを提供すること。
【解決手段】ｎ型の珪素ターゲット材１０と金属性バッキングプレート２０はボンディング層４０を介して貼り合わされている。珪素ターゲット材１０のボンディング層４０側の面には、珪素ターゲット材１０よりも仕事関数の小さな材料からなる導電性層３０が設けられている。つまり、珪素ターゲット材１０は、導電性層３０とボンディング層４０を介して、金属性バッキングプレート２０に貼り合わされる構成となっている。珪素が単結晶の場合、ｎ型珪素の仕事関数は一般に４．０５ｅＶであるとされているから、導電性層３０の材料の仕事関数は４．０５ｅＶよりも小さい必要がある。このような材料としては、ランタノイド元素、希土類元素、アルカリ金属元素、およびアルカリ土類金属元素を主成分とするものがある。 （もっと読む）

【課題】 苛酷な使用環境下で使用される切削工具や金型や自動車部品等の部材において、耐摩耗性と摺動特性が優れる被覆部材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 スパッタリング法によって被覆した硬質皮膜を表面に有する被覆部材であって、該硬質皮膜は原子比でＳｉよりもＣが多いＳｉＣ皮膜であり、該硬質皮膜の組織は六方晶の結晶構造相を含む耐摩耗性と摺動特性に優れた被覆部材である。
そして、スパッタリング法によって被覆した硬質皮膜を表面に有する被覆部材の製造方法であって、０を超え２５体積％以下のＣ相を含んだＳｉＣ複合ターゲットを用い、該ＳｉＣ複合ターゲットに印加する平均電力を２ｋＷ以上でスパッタし、原子比でＳｉよりもＣが多く、六方晶の結晶構造相を含むＳｉＣ皮膜を被覆する耐摩耗性と摺動特性に優れた被覆部材の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタの半導体層に酸化物半導体を用いたとき、薄膜トランジスタのスイッチング特性およびストレス耐性が良好な薄膜トランジスタの半導体層用酸化物を提供する。
【解決手段】本発明に係る薄膜トランジスタの半導体層用酸化物は、薄膜トランジスタの半導体層に用いられる酸化物であって、前記酸化物は、Ｉｎ、Ｇａ、およびＺｎよりなる群から選択される少なくとも一種の元素と；Ａｌ、Ｓｉ、Ｎｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｈｆ、Ｔａ、およびＷよりなるＸ群から選択される少なくとも一種の元素と、を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、向上した防食性を有するマグネシウム部品に関する。
【解決手段】この部品は、Ｘが元素周期律表の第ＩＩＩ族主族の元素、第ＩＩＩ族の遷移元素、または希土類元素からなる群から選ばれた元素であり、Ｙが元素周期律表の第ＩＩＩ族または第ＩＶ族主族の元素、第ＩＩＩ族または第ＩＶ族の遷移元素、または希土類元素からなる群から選ばれた元素である、ガラス質の二元系Ｍｇ−Ｘ合金またはガラス質の三元系Ｍｇ−Ｘ−Ｙ合金が塗布されたものである。塗膜は、陰極線アトマイゼーションのような物理蒸着法により作製される。 （もっと読む）

【課題】表示装置用酸化物半導体膜の製造に好適に用いられる酸化物焼結体であって、高い導電性と相対密度を兼ね備えており、高いキャリア移動度を有する酸化物半導体膜を成膜可能な酸化物焼結体を提供する。
【解決手段】本発明の酸化物焼結体は、酸化亜鉛と、酸化スズと、酸化インジウムの各粉末と、を混合および焼結して得られる酸化物焼結体であって、酸化物焼結体をＸ線回折したとき、Ｚｎ₂ＳｎＯ₄相を主相とし、ＺｎＳｎＯ₃にＩｎおよび／またはＩｎ₂Ｏ₃が固溶したＩｎ／Ｉｎ₂Ｏ₃−ＺｎＳｎＯ₃固溶体を有し、Ｚｎ_xＩｎ_yＯ_z相（ｘ、ｙ、ｚは任意の正の整数である）は検出されないものである。 （もっと読む）

【課題】基板上に成膜したＷ膜の膜厚面内均一性を向上させることが可能であり、さらにはパーティクルの発生を減少させることが可能なＷスパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】Ｗスパッタリングターゲットは、スパッタリングされる面のＸ線回折により求められた結晶面（１１０）及び（２００）の結晶方位比率（１１０）／（２００）が０．１〜６．５であることを特徴とする。また、本発明の高純度Ｗスパッタリングターゲットの製造方法は、高純度Ｗ粉末を加圧焼結後、得られた焼結体をターゲット形状に加工後、ロータリー研磨およびポリッシングの少なくとも１種の研磨を施し、さらにエッチングおよび逆スパッタリングの少なくとも１種の研磨を施すことにより仕上げ加工することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】垂直配向型及び平行配向型以外の配向を有するウルツ鉱圧電体薄膜であって、その配向により従来にない特性が得られるウルツ鉱圧電体薄膜を提供する。
【解決手段】ウルツ鉱型の結晶構造を有する材料から成る薄膜であって、該薄膜に対する法線とc軸が成す角である傾斜角が、縦波に関する圧電定数e₃₃がゼロになる臨界傾斜角よりも大きく、且つ90°未満であることを特徴とする。この薄膜は、垂直配向のウルツ鉱型結晶薄膜とは逆位相の縦波振動が生じるという、従来にない特性を有する薄膜共振子に用いることができる。この薄膜は、ウルツ鉱型の結晶構造を有する材料Ｍを基板Ｓの表面に堆積させつつ、基板Ｓの表面に対して10°を超え40°以下の角度αで入射するようにイオンビームＩＢを照射することにより製造することができる。 （もっと読む）

【課題】基板上に成膜したＷ膜の膜厚面内均一性を向上させることが可能であり、さらにはパーティクルの発生を減少させることが可能なＷスパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】Ｗスパッタリングターゲットは、スパッタリングされる面のＸ線回折により得られた結晶面（１１０）のピークの半値幅が０．３５以下であることを特徴とする。また、本発明の高純度Ｗスパッタリングターゲットの製造方法は、高純度Ｗ粉末を加圧焼結後、得られた焼結体をターゲット形状に加工後、ロータリー研磨およびポリッシングの少なくとも１種の研磨を施し、さらにエッチングおよび逆スパッタリングの少なくとも１種の研磨を施すことにより仕上げ加工することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｅ四元系合金膜を形成するための積層膜として、スパッタ法により十分にＳｅを含有した膜を成膜可能なスパッタリングターゲット及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】 スパッタリングターゲットが、Ｇａ，Ｉｎ，Ｓｅのうち１種または２種以上とＣｕとからなる合金相と、純Ｓｅ相とで構成されている。このスパッタリングターゲットの製造方法は、Ｇａ，Ｉｎ，Ｓｅのうち１種または２種以上とＣｕとからなる合金粉と、純Ｓｅ粉との混合粉末を、真空または不活性ガス雰囲気中で加圧焼結する工程を有している。 （もっと読む）

【課題】優れた耐摩耗性及び耐溶着性を兼ね備えた切削工具用硬質被膜及び硬質被膜被覆切削工具を提供する。
【解決手段】Ｔｉ_aＣｒ_bＡｌ_cＭｏ_1-a-b-cの窒化物又は炭窒化物から成る第１被膜層２２と、Ｔｉ_dＣｒ_eＡｌ_1-d-eの窒化物又は炭窒化物から成る第２被膜層２４とが、交互に２層以上積層した多層膜であり、原子比ａは０．２以上０．７以下の範囲内、ｂは０．０１以上０．２以下の範囲内、ｃは０．０１以上０．２以下の範囲内、１−ａ−ｂ−ｃは０．１以上、ｄは０．１以上０．７以下の範囲内、ｅは０．０１以上０．２以下の範囲内であり、且つ、第１被膜層２２の膜厚Ｄ１は０．１μｍ以上５．０μｍ以下の範囲内、第２被膜層２４の膜厚Ｄ２は０．１μｍ以上５．０μｍ以下の範囲内、総膜厚Ｄは０．２μｍ以上１０．０μｍ以下の範囲内であることから、耐摩耗性と耐溶着性を両立させることができる。 （もっと読む）

【課題】良好な導電性と表面平滑性、加工性を併せ持つ酸化亜鉛系の透明導電膜を提供する。
【解決手段】基材１上に形成される透明導電性積層膜であり、該透明導電性積層膜は、周期表第III族又は第IV族の元素の化合物を含む下地膜１１と、該下地膜１１上に形成される酸化亜鉛を含む導電膜１２とを含むものであり、該導電膜１２は、ＣｕＫα線を用いたＸ線回折法により検出される酸化亜鉛の（００２）面の回折線のうち、回折角２θが３３．００°≦２θ≦３５．００°である回折線の強度Ｉが１０００（ｃｐｓ）以下であり、該強度Ｉと該導電膜の膜厚ｔとのＩ／ｔが０〜１５．０（ｃｐｓ／ｎｍ）であることを特徴とする透明導電性積層膜。 （もっと読む）

【課題】 真空チャンバー内へのガス漏れを抑制しつつキャンロールの外周面と長尺基板との間に形成される隙間にガスを導入する装置を提供する。
【解決手段】 真空チャンバー５１内においてロールツーロールで搬送される長尺基板Ｆを冷媒で冷却された外周面に巻き付けて冷却するキャンロール５６であって、周方向に略均等な間隔をあけて全周に亘って配設された複数のガス導入路１４を有しており、これら複数のガス導入路１４の各々はキャンロール５６の回転軸５６ａ方向に沿って略均等な間隔をあけて外周面側に開口する複数のガス導入孔１５を有しており且つ長尺基板Ｆが外周面に巻き付けられる領域であるか否かに対応して設けられた永久磁石などの磁力付与手段６５によって開閉するガス導入バルブ２０に接続している。 （もっと読む）

【課題】 製造工程の増加を招くことなく、タングステン配線の低抵抗化できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明は、基板表面に、微細形状を有する絶縁層を形成した後、この微細形状を含む絶縁層表面に、Ｔａ膜またはＴａＮ膜からなる下地層を形成する工程と、下地層の表面に、タングステンから膜なる配線層を形成する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】大型のサイズであっても真直度に優れ、表面が平滑である高品質な円筒状ターゲット材を提供することを目的とするとともに、たとえ大型の円筒状ターゲット材を製造する場合であっても、曲がりや歪が発生することがなく、表面に疵が発生することのない円筒状ターゲット材の製造方法、及び、円筒状ターゲット材のシート被覆方法を提供することを目的とする。
【解決手段】無酸素銅からなるターゲット材料に対して調質処理を施すターゲット材料調質処理工程Ｓ１０と、該工程により形成した調質処理済ターゲット材に対して追加工を施す調質処理済ターゲット材追加工工程Ｓ２０とを行い円筒状ターゲット材を製造する製造方法において、前記ターゲット材料調質処理工程Ｓ１０では、所定の焼鈍工程、及び、引抜き抽伸工程を行った後、ターゲット材料仕上げ工程Ｓ１５を行い、該ターゲット材料仕上げ工程Ｓ１５において、仕上げ焼鈍工程Ｓ１５Ａを行い、その後、仕上げ引抜き抽伸工程Ｓ１５Ｂを行うことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】成膜方法および成膜装置において、ターゲットの使用効率を向上することができ、組成や膜厚の調整が容易であり、異なる膜構成を有する薄膜の成膜の効率を向上できるようにする。
【解決手段】スパッタ装置１を用いて、複数の膜構成に応じた材料のターゲット片を、第１電源１１、第２電源１２の陰極に接続されたバッキングプレート７上に設置するとともにターゲット片のいずれかの近傍に配置され第１電源１１、第２電源１２の陽極に接続可能に設けられた電極Ｅ_１〜Ｅ_ｎを設置し、被処理体Ｗをターゲット片を横断する移動経路に沿って時間差を設けて２個以上移動させ、膜構成と移動位置との情報に基づいて、電極Ｅ_１〜Ｅ_ｎの少なくともいずれかに選択的に電力を供給し、ターゲット片から選択的にターゲット粒子を放出させて、被処理体Ｗの各表面にそれぞれに応じた膜構成の成膜を行う成膜方法とする。 （もっと読む）

【課題】成膜方法および成膜装置において、成膜に用いる真空槽を大型化することなく、効率よく容易に多元系の薄膜の成膜を行うことができるようにする。
【解決手段】真空槽２内で被処理体３上に多元系の薄膜を成膜する成膜方法であって、構成元素あるいは組成が異なる２種類以上のターゲット片を有するターゲット組立体６を、独立に出力調整可能な複数の電源１０ａ、１０ｂ、１０ｃ、１０ｄの陰極に電気的に接続されたバッキングプレート７上に設置し、２種類以上のターゲット片のそれぞれに対して電圧印加するため、電源１０ａ、１０ｂ、１０ｃ、１０ｄの陽極に個別の配線を介して電気的に接続された電極を配置して、電源１０ａ、１０ｂ、１０ｃ、１０ｄの各出力電力をそれぞれ０％〜１００％の範囲で個別に調整して、ターゲット片からの原子または分子の放出量を変化させて、前記被処理体上に多元系の薄膜を成膜する方法を用いる。 （もっと読む）

【課題】結晶化時間を短縮化することができる透明導電性フィルムの製造方法を提供すること。
【解決手段】透明なフィルム基材の少なくとも一方の面に、透明導電層を有する透明導電性フィルムの製法方法であって、前記透明はフィルム基材上に、４価金属元素の酸化物の割合が３〜３５重量％以下のインジウム系複合酸化物をスパッタリングにて堆積させる工程（Ａ１）と、酸化インジウムまたは前記４価金属元素の酸化物の割合が０を超え６重量％以下であって、工程（Ａ１）で用いたインジウム系複合酸化物よりも、前記４価金属元素の酸化物の割合が小さいインジウム系複合酸化物をスパッタリングにて堆積させる工程（Ａ２）を順次に施すことを含む、インジウム系複合酸化物の非晶質層を形成する工程（Ａ）、および、前記非晶質層を加熱することにより結晶化させて、インジウム系複合酸化物の結晶質の透明導電層を形成する工程（Ｂ）を有する。 （もっと読む）

【課題】基材表面の選択的領域に気相から堆積層を形成するための蒸着マスクを用いる薄膜パターン形成工程において、薄膜パターンの位置ズレやパターンエッヂのボケがなく、基材表面へのキズ等の欠陥を与えることのない蒸着マスクおよびそれを用いた薄膜パターン形成方法を提供すること。
【解決手段】非堆積領域とすべき部分を被覆して基材表面と密着させる材料が可撓性フィルム１１１からなる可撓性貼付フィルム１１０を用いた蒸着マスク１１を使用し、可撓性貼付フィルムを基材１０の成膜側全表面に密着させた後、所望の堆積層１３を形成すべき領域を覆う可撓性貼付フィルムを選択的に除去し、しかる後に堆積層を形成する成膜工程を実施し、最後に基材表面上に残された可撓性貼付フィルムを除去する。 （もっと読む）

【課題】成膜方法および成膜装置において、ターゲットの使用効率を向上することができ、組成や膜厚の調整が容易であり、成膜の効率を向上することができるようにする。
【解決手段】スパッタ装置１を用いて、ターゲット片を、独立に出力設定可能な第１電源１１、第２電源１２の陰極に電気的に接続されたバッキングプレート７上に設置するとともに、ターゲット片のいずれかの近傍に配置され第１電源１１、第２電源１２の陽極にそれぞれ電気的に接続可能に設けられた電極Ｅ_１〜Ｅ_ｎを設置し、被処理体Ｗを、ターゲット片を横断する移動経路に沿って移動させ、被処理体Ｗの移動位置に基づいて、電極Ｅ_１〜Ｅ_ｎの少なくともいずれかに選択的に電力を供給し、ターゲット片のうち少なくともいずれかから、選択的にターゲット粒子を放出させて、被処理体Ｗの表面に予め定められた一定の膜構成の成膜を行う成膜方法とする。 （もっと読む）

【課題】優れた導電性と成膜時に異常放電を抑制した透明導電膜の成膜を可能にするチタン（低原子価）ドープ酸化亜鉛系透明導電膜形成材料を提供する。
【解決手段】低原子価酸化チタン粉と酸化亜鉛粉もしくは水酸化亜鉛粉との混合粉、またはチタン酸亜鉛化合物粉を含み、チタンの原子数の全金属原子数に対する割合が２％超１０％以下である原料粉末を用いて、真空中または不活性雰囲気中にて７００℃以上１２００℃以下の焼結温度で放電プラズマ焼結を行う。 （もっと読む）