【課題】電力が供給されない状況でも記憶内容の保持が可能で、かつ、書き込み回数にも制限が無い、新たな駆動方法を提供する。また、新たな駆動方法により、メモリ素子への書き込み電位のばらつきを低減し、信頼性を向上させる。
【解決手段】半導体装置の駆動方法において、書き込み電位を段階的に上昇させて、同時に読み出し電流を確認し、読み出し電流の結果を書き込み電位に利用して書き込みを行う。つまり、正しい電位で書き込みが行われたか確認しながら書き込みを行うことで、信頼性の高い書き込みを行うことが可能である。 （もっと読む）

【課題】ＩＧＢＴ等においては、ドリフト領域やフィールドストップ領域における少数キャリアのライフタイムを制御して、スイッチング特性を改善するため、ウエハへの電子線照射が行われている。この電子線照射によって、デバイスの閾値電圧がシフトするため、電子線照射後に水素アニールを施すことにより、閾値電圧の回復を図っている。しかし、ボンディングダメージ等を低減するため、デバイス表面のモリブデン系バリアメタルをＴｉＷ系バリアメタルに変更すると、水素アニールによる閾値電圧の回復率が低下する問題が発生した。
【解決手段】本願発明はシリコン系半導体ウエハのデバイス主面側にパワー系絶縁ゲート型トランジスタの主要部を形成する半導体装置の製造方法において、デバイス主面上にＴｉＷ系のバリアメタルをスパッタリングにより形成するに際して、ＴｉＷターゲットのチタン濃度を、８重量％以下で、且つ、２重量％以上とするものである。 （もっと読む）

【課題】フッ素グリースを封入した転がり軸受において、内・外輪軌道面などに形成されたＤＬＣ膜の耐剥離性を向上させ、該膜によりフッ素と鋼との反応の抑制を図れるとともに、耐焼き付き性、耐摩耗性、および耐腐食性に優れる転がり軸受を提供する。
【解決手段】転がり軸受１は、内輪２と外輪３と複数の転動体４と保持器５とを備え、フッ素グリース７が転動体４の周囲に封入される軸受であり、曲面である内輪軌道面２ａや外輪軌道面３ａなどに硬質膜８が成膜されてなり、この硬質膜８は、該表面に直接成膜されるＣｒを主体とする下地層と、該層の上に成膜されるＷＣとＤＬＣとを主体とする混合層と、該混合層の上に成膜されるＤＬＣを主体とする表面層とからなる構造の膜であり、混合層は、下地層側から表面層側へ向けて連続的または段階的に、ＷＣの含有率が小さくなり、ＤＬＣの含有率が高くなる層である。 （もっと読む）

【課題】Ｎｉ基合金、Ｃｏ基合金などの耐熱合金の高速切削条件下で、硬質被覆層がすぐれた耐摩耗性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】工具基体表面に、１〜５０ｎｍの層厚の薄層Ａと１〜５０ｎｍの層厚の薄層Ｂとが交互に積層された１００〜５００ｎｍの層厚の複層領域と、１００〜５００ｎｍの層厚の単一層にて構成された単層領域との交互積層構造からなる硬質被覆層を蒸着形成した表面被覆切削工具において、薄層Ａは、［Ｔｉ_１−ｘＶ_ｘ］Ｎ（ｘは原子比で０．２５〜０．７５）層、薄層Ｂは、［Ｔｉ_１−ｙＳｉ_ｙ］Ｎ（ｙは原子比で０．０１〜０．３０）層であって、単一層は、前記薄層Ａと同一種の層で構成するとともに、硬質被覆層の表面近傍に前記薄層Ｂと同一組成・成分で０．３〜１μｍの層厚の単一層からなる中間層を設けたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】Ｎｉ基合金、Ｃｏ基合金などの耐熱合金の高速切削条件下で、硬質被覆層がすぐれた耐摩耗性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】工具基体表面に、１〜５０ｎｍの層厚の薄層Ａと１〜５０ｎｍの層厚の薄層Ｂとが交互に積層された１００〜５００ｎｍの層厚の複層領域と、１００〜５００ｎｍの層厚の単一層にて構成された単層領域との交互積層構造からなる硬質被覆層を蒸着形成した表面被覆切削工具において、薄層Ａは、［Ｔｉ_１−ＸＶ_Ｘ］Ｎ（Ｘは原子比で０．２５〜０．７５）層、薄層Ｂは、［Ａｌ_{１−Ｙ−Ｚ}Ｔｉ_ＹＳｉ_Ｚ］Ｎ（Ｙは原子比で０．１５〜０．９４、Ｚは原子比で０．０１〜０．１５）層であって、単一層は、前記薄層Ａと同一種の層で構成するとともに、硬質被覆層の表面近傍に前記薄層Ｂと同一組成・成分で０．３〜１μｍの層厚の単一層からなる中間層を設けたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】長期の使用に亘って、すぐれた仕上げ面精度を維持しつつ、同時にすぐれた耐摩耗性を発揮し得るＣＢＮインサートを提供する。
【解決手段】逃げ面に溝と被膜が形成されたＣＢＮインサートにおいて、
（ａ）その被膜後の溝形状が溝の凹凸を含む断面を見た時、溝幅Ｗ１とテラス幅Ｗ２はＷ１が１〜２５μｍ、Ｗ２が３〜２５μｍ、表面から溝の最も低い位置までの高さＨが１．５〜１５μｍであり、１つのテラスと溝の組み合わせを１周期とした時、２周期以上で構成される形状であり、
（ｂ）溝が形成される逃げ面内の領域が、チャンファーホーニング面と逃げ面の交線から逃げ面側に５〜３００μｍの範囲であり、
（ｃ）溝を形成する方向が、刃先稜線と平行な線と溝形成方向の成す角θ（刃先先端と反対方向）が
−１０°≦θ≦１０°の範囲であることを特徴とするＣＢＮインサート。 （もっと読む）

【課題】従来の方式では不十分であった、密着性、ガスバリア性を改善するため、ガスバリア性能と密着性を有した下地層、セラミック層、ガスバリア性能を有した保護層を減圧環境下におけるインライン成膜で形成することで、従来よりも密着性、ガスバリア性に優れたガスバリアフィルムを高い生産効率で提供すること。
【解決手段】プラスチックフィルム１の片面または両面に、下地層２を形成する工程と、前記下地層２の表面にセラミック層３を形成する工程と、前記セラミック層３の表面に保護層４を形成する工程とを具備し、全工程が減圧環境下におけるインライン成膜で各層を形成することを特徴とするガスバリアフィルムの製造方法。 （もっと読む）

【課題】圧電体薄膜を短時間に精度よく微細加工することを可能とした圧電体薄膜ウェハの製造方法、圧電体薄膜素子、及び圧電体薄膜デバイスを提供する。
【解決手段】圧電薄膜ウェハ１は、基板上に形成された組成式（Ｋ_１−ｘＮａ_ｘ）ＮｂＯ_３（０．４≦ｘ≦０．７）で表されるアルカリニオブ酸化物系ペロブスカイト構造の圧電体薄膜４に、Ａｒを含むガスを用いてドライエッチングを行うエッチング工程と、放出されるイオンプラズマ中のＮａの発光ピーク強度の変化を検出してエッチング速度を変更する工程とにより製造される。 （もっと読む）

【課題】作製時の技術閾値が低く、アンテナの電波特性を良好に保ちつつ、耐環境性能にも優れる平面アンテナ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の平面アンテナは、誘電体で構成される基板１と、基板１上に形成された所定のパターンと、上記所定のパターン以外の基板１の表面を被覆する導体膜２と、保護膜６とを備える平面アンテナ１００であって、上記所定のパターンは、放射用スロットパターン３を含み、放射用スロットパターン３は、基板１の一方の主面に形成され、保護膜６は、放射用スロットパターン３、放射用スロットパターン３が形成された基板１の一方の主面を被覆する導体膜２、及び基板１の側面を被覆する導体膜２のそれぞれの上に形成されており、保護膜６は、膜厚が１〜２００ｎｍである。また、本発明の平面アンテナの製造方法は、スパッタリング法で導体膜２を形成する工程と、スパッタリング法で保護膜６を形成する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】１平方センチあたり１テラビット以上の面記録密度を実現するのに十分な垂直磁気異方性エネルギーと結晶粒径を有し、量産性に優れた垂直磁気記録媒体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板１上に基板温度制御層２、下地層３、磁気記録層４を順次形成する。磁気記録層は、基板を加熱チャンバで加熱する第１工程と、Ｃ，Ｓｉ酸化物からなる群から選ばれた少なくとも一種の非磁性材料を添加したＦｅＰｔを主とする合金からなる磁気記録層を製膜チャンバで製膜する第２工程とからなる磁性層積層工程をＮ回（Ｎ≧２）繰り返して形成する。 （もっと読む）

【課題】 連続加工におけるクレータ摩耗の抑制と断続加工における耐チッピング性の向上を両立する切削工具を提供する。
【解決手段】 立方晶窒化硼素質焼結体の基体６からなり、切刃４にはすくい面２側からチャンファホーニング９およびＲホーニング１０が順に形成されており、すくい面２およびチャンファホーニング９の表面には被覆層７が形成されており、Ｒホーニング１０の表面では基体６が露出している切削工具１である。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成により、均一な膜厚で成膜することができる枚葉式成膜装置及び枚葉式成膜方法を提供する。
【解決手段】成膜物質Ｇを収容した射出源１２の上方に1枚の基板１８を水平に保持して回転させる基板保持部材１６と、射出源１２と基板保持部材１６との間に出没可能に設けられ、基板１８に成膜される膜厚を制御するための膜厚補正部材２０と、射出源１２と基板保持部材１６との間で成膜物質Ｇを遮断して基板１８に対する付着を阻止しあるいは成膜物質Ｇの基板１８に対する付着を許容する遮断部材１４と、を有する枚葉式成膜装置１０であって、膜厚補正部材２０は、成膜物質Ｇが通過する開口部２０Ａと、成膜物質Ｇの通過を阻止する遮蔽部２０Ｂと、を有し、射出源１２と基板１８の中心とを結んだ軸線からの半径距離に応じて、開口部２０Ａの開口率が変化している。 （もっと読む）

【課題】性能低下が抑制される干渉フィルターを提供すること。
【解決手段】干渉フィルター５は、ギャップＧを介して対向する２つの反射膜５６，５７と、反射膜５６，５７を支持する基板５１，５２と、を備え、反射膜５６，５７は、純銀膜５６１，５７１と銀合金膜５６２，５７２とを含み、基板５１，５２には、基板５１，５２側から順に純銀膜５６１，５７１、及び銀合金膜５６２，５７２が設けられ、銀合金膜５６２，５７２は、銀（Ａｇ）、サマリウム（Ｓｍ）、及び銅（Ｃｕ）を含有するＡｇ−Ｓｍ−Ｃｕ合金膜、又は銀（Ａｇ）、ビスマス（Ｂｉ）、及びネオジム（Ｎｄ）を含有するＡｇ−Ｂｉ−Ｎｄ合金膜であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】Ｎｉ基合金、Ｃｏ基合金などの耐熱合金の高速切削条件下で、硬質被覆層がすぐれた耐摩耗性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】工具基体表面に、１〜５０ｎｍの層厚の薄層Ａと１〜５０ｎｍの層厚の薄層Ｂとが交互に積層された１００〜５００ｎｍの層厚の複層領域と、１００〜５００ｎｍの層厚の単一層にて構成された単層領域との交互積層構造からなる硬質被覆層を蒸着形成した表面被覆切削工具において、薄層Ａは、Ｔｉの窒化物層、薄層Ｂは、［Ｔｉ_１−ＸＳｉ_Ｘ］Ｎ（Ｘは原子比で０．０１〜０．３０）層であって、単一層は、前記薄層Ａと同一種の層で構成するとともに、硬質被覆層の表面近傍に前記薄層Ｂと同一組成・成分で０．３〜１μｍの層厚の単一層からなる中間層を設けたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】被削材の高硬度化などの厳しい切削加工条件において長寿命を実現できる被覆部材の提供を目的とする。
【解決手段】基材と基材の表面に被覆された被膜とからなり、被膜の少なくとも１層はＰＶＤ法により被覆された（Ｍ_AＬ_D）Ｘ_R（但し、ＭはＣｒ，Ａｌ，Ｔｉ，Ｈｆ，Ｖ，Ｚｒ，Ｔａ，Ｍｏ，Ｗ，Ｙ，Ｎｂの中から選ばれた２種以上の金属元素を表し、ＬはＭｎ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ｃｏ，Ｂ，Ｓｉ，Ｓの中から選ばれた少なくとも１種の添加元素を表し、ＸはＣ，Ｎ，Ｏの中から選ばれた少なくとも１種の非金属元素を表し、ＡはＭとＬの合計に対するＭの原子比を表し、ＤはＭとＬの合計に対するＬの原子比を表し、ＲはＭとＬの合計に対するＸの原子比を表し、０．９０≦Ａ≦０．９９、０．０１≦Ｄ≦０．１０、Ａ＋Ｄ＝１、０．９５≦Ｒ≦１．１０を満足する。）で表される硬質膜であり、硬質膜はＸ線回折における最高ピーク強度を（２２０）面に示す被覆部材。 （もっと読む）

【課題】Ｎｉ基合金、Ｃｏ基合金などの耐熱合金の高速切削条件下で、硬質被覆層がすぐれた耐摩耗性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】工具基体表面に、１〜５０ｎｍの層厚の薄層Ａと１〜５０ｎｍの層厚の薄層Ｂとが交互に積層された１００〜５００ｎｍの層厚の複層領域と、１００〜５００ｎｍの層厚の単一層にて構成された単層領域との交互積層構造からなる硬質被覆層を蒸着形成した表面被覆切削工具において、薄層Ａは、ＴｉＮ層、薄層Ｂは、［Ａｌ_{１−Ｘ−Ｙ}Ｔｉ_ＸＳｉ_Ｙ］Ｎ（Ｘは原子比で０．１５〜０．９４、Ｙは原子比で０．０１〜０．１５）層であって、単一層は、前記薄層Ａと同一種の層で構成するとともに、硬質被覆層の表面近傍に前記薄層Ｂと同一組成・成分で０．３〜１μｍの層厚の単一層からなる中間層を設けたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】Ｎｉ基合金、Ｃｏ基合金などの耐熱合金の高速切削条件下で、硬質被覆層がすぐれた耐摩耗性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】工具基体表面に、１〜５０ｎｍの層厚の薄層Ａと１〜５０ｎｍの層厚の薄層Ｂとが交互に積層された１００〜５００ｎｍの層厚の複層領域と、１００〜５００ｎｍの層厚の単一層にて構成された単層領域との交互積層構造からなる硬質被覆層を蒸着形成した表面被覆切削工具において、薄層Ａは、［Ａｌ_１−ＸＴｉ_Ｘ］Ｎ（Ｘは原子比で０．３０〜０．８０）層、薄層Ｂは、［Ａｌ_{１−Ｙ−Ｚ}Ｔｉ_ＹＳｉ_Ｚ］Ｎ（Ｙは原子比で０．１５〜０．９４、Ｚは原子比で０．０１〜０．１５）層であって、単一層は、前記薄層Ａと同一種の層で構成するとともに、硬質被覆層の表面近傍に前記薄層Ｂと同一組成・成分で０．３〜１μｍの層厚の単一層からなる中間層を設けたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】
光学薄膜の成膜において、膜厚、屈折率が設計値からずれた場合でも、最終的に得られる光学性能が目的とする光学性能に近づけることができる技術を提供する。
【解決手段】
光学的膜厚がλ／４以上の層で光量の極値が判明した時点で、それ以前に成膜した光学的膜厚がλ／４以下の薄い層の屈折率と膜厚を推定し、最適化手法を用いて成膜中の層および成膜中の層以降の層の膜厚を補正することによって目的とする光学性能を得る。 （もっと読む）

【課題】高送り・乾式の深穴用ドリル加工条件においても硬質被覆層がすぐれた耐摩耗性と切屑排出性を発揮する表面被覆ドリルを提供する。
【解決手段】ドリル基体の上に直接または中間層を介して、最表面に、（Ｔｉ_１−ｘＡｌ_ｘ）Ｎ（ｘ＝０〜０．６）の成分系からなる粒径制御層が存在する表面被覆ドリルであって、前記ドリルの切屑排出溝のうち、先端からドリル基体の長さに沿って直径の５倍の長さまでの領域において、被膜断面の結晶粒形状を観察した際、粒径制御層を構成する結晶粒の平均アスペクト比が、ドリル先端から後方に向けて、１〜１００の範囲で漸次減少している。 （もっと読む）

【課題】プレス成形において、曇りのない光学素子を得ることができ、歩留まりの向上、生産性の向上に寄与する光学素子の成形方法を提供する。
【解決手段】光学素子の成形面とされた一対の上型２及び下型３の成形面に、耐熱性及び易酸化性を有する保護膜６が形成された光学素子用成形型に、ビスマス系のガラス素材を収容し、光学素子用成形型を加熱してガラス素材を軟化させる加熱工程と、軟化したガラス素材を、プレス手段を用いて光学素子用成形型により加圧して光学素子形状を付与するプレス工程と、プレス工程後、光学素子用成形型を冷却し、光学素子形状を付与したガラス素材を固化させる冷却工程と、を有する光学素子の成形方法。 （もっと読む）