【課題】硬質難削材の断続切削加工で硬質被覆層がすぐれた耐剥離性とすぐれた耐チッピング性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】炭化タングステン基超硬合金または炭窒化チタン基サーメットからなる工具基体の最表面に、少なくとも、０．５〜５μｍの平均層厚を有するＮｂ硼化物層を被覆してなる切削工具であって、前記Ｎｂ硼化物層は、複数の平均粒径を有する結晶粒組織の複合組織として構成され、該複合組織は、５〜２０ｎｍの平均粒径を有する一次結晶粒の集合体からなる平均粒径４０〜８０ｎｍの二次結晶粒と、該二次結晶粒の集合体からなる平均粒径１５０〜８００ｎｍの三次結晶粒とから構成されている。 （もっと読む）

【課題】良好な結晶品質を有するＧａＮ層のようなＩＩＩ族−窒化物が得られる方法で形成されたＩＩＩ族−窒化物／基板構造と、少なくとも１つのそのような構造を含む半導体デバイスを提供する。
【解決手段】基板１の上に、例えばＧａＮ層５のような、ＩＩＩ族−窒化物層の堆積または成長を行う方法であり、基板１は、少なくともＧｅ表面３、好適には六方対称を有する。この方法は、基板１を４００℃と９４０℃の間の窒化温度に加熱するとともに、基板１を窒化ガスの流れに露出させる工程と、続いて、１００℃と９４０℃の間の堆積温度で、Ｇｅ表面３の上に、例えばＧａＮ層５のようなＩＩＩ族−窒化物を堆積する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】優れた耐摩耗性及び耐溶着性を兼ね備えた切削工具用硬質被膜及び硬質被膜被覆切削工具を提供する。
【解決手段】Ｔｉ_aＣｒ_bＡｌ_cＭｏ_1-a-b-cの窒化物又は炭窒化物から成る第１被膜層２２と、Ｔｉ_dＣｒ_eＡｌ_1-d-eの窒化物又は炭窒化物から成る第２被膜層２４とが、交互に２層以上積層した多層膜であり、原子比ａは０．２以上０．７以下の範囲内、ｂは０．０１以上０．２以下の範囲内、ｃは０．０１以上０．２以下の範囲内、１−ａ−ｂ−ｃは０．１以上、ｄは０．１以上０．７以下の範囲内、ｅは０．０１以上０．２以下の範囲内であり、且つ、第１被膜層２２の膜厚Ｄ１は０．１μｍ以上５．０μｍ以下の範囲内、第２被膜層２４の膜厚Ｄ２は０．１μｍ以上５．０μｍ以下の範囲内、総膜厚Ｄは０．２μｍ以上１０．０μｍ以下の範囲内であることから、耐摩耗性と耐溶着性を両立させることができる。 （もっと読む）

【課題】精度よく、成膜対象物に均一な膜を成膜することができる成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜材料を加熱し、前記成膜材料の蒸気を放出させるための成膜源と、前記成膜源を、所定の成膜待機位置と成膜位置との間で成膜対象物に対して相対的に移動させる移動手段と、前記成膜源から放出される前記成膜材料の放出量を測定するための測定用水晶振動子と、前記測定用水晶振動子を校正するための前記校正用水晶振動子と、を備える成膜装置であって、前記測定用水晶振動子は、前記移動手段内に設けられ、前記校正用水晶振動子は、前記移動手段が前記成膜待機位置にあるときの前記移動手段の上方に設けられることを特徴とする成膜装置、及びこの成膜装置を用いた成膜方法。 （もっと読む）

【課題】蒸着レートを正確に計測し、より高精度の膜厚制御を行うことを可能にする真空蒸着装置を提供する。
【解決手段】真空チャンバー５０と、基板保持機構と、蒸着源３０と、モニタ用膜厚センサー２０と、校正用膜厚センサー１０と、制御系６０と、を有し、蒸着源３０の開口部３２の中心から校正用膜厚センサー１０までの距離Ｌ₁と、蒸着源３０の開口部３２の中心からモニタ用膜厚センサー２０までの距離Ｌ₂との間にＬ₁≦Ｌ₂の関係が成り立ち、かつ、蒸着源３０の開口部３２の中心から基板４０の成膜面に下ろした垂線と、蒸着源３０の開口部３２の中心と校正用膜厚センサー１０とを結ぶ直線とでなす角度θ₁と、蒸着源３０の開口部３２の中心から基板４０の成膜面に下ろした垂線と、蒸着源３０の開口部３２の中心とモニタ用膜厚センサー２０とを結ぶ直線とでなす角度θ₂との間にθ₁≦θ₂の関係が成り立つ。 （もっと読む）

【課題】成膜方法および成膜装置において、成膜に用いる真空槽を大型化することなく、効率よく容易に多元系の薄膜の成膜を行うことができるようにする。
【解決手段】真空槽２内で被処理体３上に多元系の薄膜を成膜する成膜方法であって、構成元素あるいは組成が異なる２種類以上のターゲット片を有するターゲット組立体６を、独立に出力調整可能な複数の電源１０ａ、１０ｂ、１０ｃ、１０ｄの陰極に電気的に接続されたバッキングプレート７上に設置し、２種類以上のターゲット片のそれぞれに対して電圧印加するため、電源１０ａ、１０ｂ、１０ｃ、１０ｄの陽極に個別の配線を介して電気的に接続された電極を配置して、電源１０ａ、１０ｂ、１０ｃ、１０ｄの各出力電力をそれぞれ０％〜１００％の範囲で個別に調整して、ターゲット片からの原子または分子の放出量を変化させて、前記被処理体上に多元系の薄膜を成膜する方法を用いる。 （もっと読む）

【課題】精度よく、成膜対象物に均一な膜を成膜することができる成膜装置及び成膜方法を提供する。
【解決手段】成膜材料を加熱し、前記成膜材料の蒸気を放出させるための成膜源２１と、前記成膜源を、所定の成膜待機位置と成膜位置との間で成膜対象物に対して相対的に移動させる移動手段と、前記蒸着源から放出される前記成膜材料の放出量を測定するための測定用水晶振動子２２と、前記測定用水晶振動子を校正するための校正用水晶振動子２３と、を備える成膜装置であって、前記測定用水晶振動子及び前記校正用水晶振動子が、前記成膜源の所定の成膜待機位置の上方に固定されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】蒸着レートを正確に計測し、より高精度の膜厚制御を行うことを可能にする真空蒸着装置を提供する。
【解決手段】真空チャンバー５０と、基板保持機構と、蒸着源３０と、モニタ用膜厚センサー２０と、制御系６０と、校正用膜厚センサー１０と、を有し、モニタ用膜厚センサー２０と校正用膜厚センサー１０のうち計測精度を高める方の膜厚センサーから前記蒸着源の開口部の中心までの距離が、他方の膜厚センサーから前記蒸着源の開口部の中心までの距離よりも短いことを特徴とする、真空蒸着装置１。 （もっと読む）

【課題】結晶化時間を短縮化することができる透明導電性フィルムの製造方法を提供すること。
【解決手段】透明なフィルム基材の少なくとも一方の面に、透明導電層を有する透明導電性フィルムの製法方法であって、前記透明はフィルム基材上に、４価金属元素の酸化物の割合が３〜３５重量％以下のインジウム系複合酸化物をスパッタリングにて堆積させる工程（Ａ１）と、酸化インジウムまたは前記４価金属元素の酸化物の割合が０を超え６重量％以下であって、工程（Ａ１）で用いたインジウム系複合酸化物よりも、前記４価金属元素の酸化物の割合が小さいインジウム系複合酸化物をスパッタリングにて堆積させる工程（Ａ２）を順次に施すことを含む、インジウム系複合酸化物の非晶質層を形成する工程（Ａ）、および、前記非晶質層を加熱することにより結晶化させて、インジウム系複合酸化物の結晶質の透明導電層を形成する工程（Ｂ）を有する。 （もっと読む）

【課題】タッチパネルに用いた際の高温高湿条件下での抵抗値安定性、およびペン入力耐久性に優れる透明導電性フィルム及びその効率的な製造方法を提供すること。
【解決手段】透明プラスチックフィルム基材の少なくとも一方の面に透明導電膜が積層された透明導電性フィルムであって、透明導電膜が、透明導電膜成膜時の基板温度を−６０〜５０℃とし、かつ成膜用の反応性ガスとして酸素を用い、酸素分圧を１．０×１０^−３〜４０×１０^−３Ｐａにしてスパッタリング法にて成膜されてなり、酸化インジウムの他、酸化スズを平均で０．１〜５質量％、及び特定の物質群のなかから選択した物質を平均で０．１〜５質量％少なくとも含み、かつ、透明導電膜の比抵抗が４×１０^−４〜２．５×１０^−３Ω・ｃｍである透明導電性フィルム。 （もっと読む）

【課題】高硬度鋼の高速切削加工でＲａが０．５〜１．３μｍの優れた仕上げ面精度を長期にわたって発揮する表面被覆立方晶窒化ほう素基超高圧焼結材料製切削工具を提供する。
【解決手段】窒化チタン１３〜３０％、アルミニウムおよび／または酸化アルミニウム６．５〜１８％、残部窒化ほう素（以上、いずれも質量％）からなる圧粉体の超高圧焼結材料で構成され、分散相を形成する立方晶窒化ほう素相と連続相を形成する窒化チタン相との界面に超高圧焼結反応生成物が介在した組織を有する切削チップ本体の表面に硬質被覆層を蒸着形成した表面被覆立方晶窒化ほう素基超高圧焼結材料製切削工具において、（ａ）硬質被覆層は、１．５〜３μｍの平均層厚を有する下部層と０．３〜３μｍの平均層厚を有する上部層とからなり、（ｂ）下部層は、組成式：［Ｔｉ_１−ＸＡｌ_Ｘ］Ｎ（ただし、原子比で、Ｘは０．４０〜０．６０）を満足するＴｉとＡｌの複合窒化物層からなり、（ｃ）上部層は、一層平均層厚がそれぞれ０．０５〜０．３μｍの薄層Ａと薄層Ｂの交互積層構造を有し、薄層Ａは、組成式：［Ｔｉ_１−ＸＡｌ_Ｘ］Ｎ（ただし、原子比で、Ｘは０．４０〜０．６０）を満足するＴｉとＡｌの複合窒化物層、薄層Ｂは、Ｔｉ窒化物（ＴｉＮ）層からなる。 （もっと読む）

【課題】ダイヤモンドの剥離プロセスで必要なイオン注入工程を改善してより安価に剥離を実現するダイヤモンドの剥離方法を提供すること。
【解決手段】 ダイヤモンド基板（０３）の主面にイオンを注入してダイヤモンド基板にイオン注入層を形成するイオン注入工程と、該イオン注入層（０４）を形成した側の基板表面にダイヤモンド膜（０２）を成長させて、イオン注入層が、ダイヤモンド層（０２、０３）に挟まれた構造を有する構造体を形成する工程とを含む工程によって得られた前記構造体をエッチング液に浸漬して電圧を印加し、イオン注入層を電気化学的にエッチングすることで、該ダイヤモンド層を分離する剥離工程を含むダイヤモンドの剥離方法であって、該イオン注入工程において、該イオン注入層として注入エネルギー１０ｋｅＶ以上１ＭｅＶ未満且つ２段以上の多段注入で９．０μｍ未満の層厚を形成することを特徴とするダイヤモンドの剥離方法。 （もっと読む）

【課題】高硬度鋼などを切削する場合において、硬質被覆層がすぐれた潤滑性と耐摩耗性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】ＷＣ基超硬合金またはＴｉＣＮ基サーメットで構成された工具基体の表面に、硬質被覆層として、立方晶構造のＮｂＮと六方晶構造のＮｂＮの交互積層構造からなり、かつ、該交互積層構造について電子線回折分析により、各層を判別したとき、全膜中の六方晶構造のＮｂＮの割合が６０〜８５％であることを特徴とする表面被覆切削工具。 （もっと読む）

【課題】 テスト成膜による成膜の無駄を省き、成膜効率を向上させることが可能な薄膜形成方法を提供する。
【解決手段】 ターゲット（２９ａ，２９ｂ）をスパッタして回転ドラム（１３）に保持され回転する基板（Ｓ）及びモニタ基板（Ｓ０）に、第１薄膜であるＡ膜を目標膜厚Ｔ１で形成した後、Ａ膜の形成に使用したターゲット（２９ａ，２９ｂ）をさらにスパッタし、Ａ膜と同一組成の別薄膜である第２薄膜であるＣ膜を目標膜厚Ｔ３で形成するための方法であって、膜厚監視工程Ｓ４，Ｓ５と、停止工程Ｓ７と、実時間取得工程Ｓ８と、実速度算出工程Ｓ９と、必要時間算出工程Ｓ２４とを有する。 （もっと読む）

【課題】結晶層の結晶性や均一性を向上させることができるIII族窒化物半導体素子製造用基板の製造方法を提供する。
【解決手段】成長用下地基板１０上に、クロム層２０を形成する成膜工程と、該クロム層２０を、所定の条件で窒化することによりクロム窒化物層３０とする窒化工程と、該クロム窒化物層３０上に、バッファ層４０を介して、少なくとも１層のIII族窒化物半導体層５０をエピタキシャル成長させる結晶層成長工程とを具えるIII族窒化物半導体素子製造用基板９０の製造方法であって、前記クロム層２０は、スパッタリング法により、スパッタリング粒子飛程領域における成膜速度が７〜65Å/秒の範囲で、厚さが50〜300Åの範囲となるよう成膜され、前記クロム窒化物層３０は、炉内圧力6.666kPa以上66.66kPa以下の、温度1000℃以上のMOCVD成長炉内において、アンモニアガスを含むガス雰囲気中で形成される。 （もっと読む）

【課題】５００℃以下の低温で、カーボンナノ構造体を製造できるカーボンナノ構造体形成用基板、およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基材表面に、Ｆｅ、Ｃｏ、およびＮｉよりなる群から選ばれる少なくとも１種の元素を含有するＡｌ合金膜を有し、前記Ａｌ合金膜に含まれる前記元素の合計量は０．１０〜２０原子％であり、前記基材側とは反対側のＡｌ合金膜表面に、前記元素の少なくとも一部を含む析出物を有しており、その析出物の平均粒径が５〜１００ｎｍであるカーボンナノ構造体形成用基板。 （もっと読む）

【課題】波長400〜700nmで製造ばらつきを考慮しても最大反射率が0.1％以下の反射防止特性を有し、製造の際にも安定した分光反射特性が得られる反射防止膜を提供する。
【解決手段】波長400〜700nmの光において1.45〜2.12の屈折率を有する基板上に、前記基板から順に第１層〜第４層を形成してなる４層構成の反射防止膜であって、前記第１層〜第４層が、それぞれ独立に100〜150nmの光学膜厚を有し、前記基板の屈折率N0、及び前記第１層〜第４層の屈折率N1〜N4が、(0.78×N0+0.40)≦N1≦(0.78×N0+0.62)、(0.30×N0+1.20)≦N2≦(0.30×N0+1.73)、1.48≦N3≦1.94、及び1.15≦N4≦1.27を満たすことを特徴とする反射防止膜。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板とモリブデン層との密着力の向上が図られた成膜基板を製造する方法、成膜基板、及び成膜装置を提供すること。
【解決手段】所定量の酸素を含有する第１の雰囲気中で、ガラス基板２の表面に第１のモリブデン層３ａを成膜し、第１の雰囲気よりも酸素の含有率が低い第２の雰囲気中で、第１のモリブデン層３ａの表面に第２のモリブデン層３ｂを成膜する。これにより、酸化モリブデンを含む密着層３ａをガラス基板２上に成膜し、この密着層３ａの上にモリブデン層３ｂを成膜することができる。 （もっと読む）

【課題】硬度、耐酸化性、また、靭性を向上させることで、耐摩耗性に優れる硬質皮膜およびこの硬質皮膜を用いて形成された硬質皮膜被覆工具を提供する。
【解決手段】工具の表面に被覆される硬質皮膜であって、硬質皮膜の組成がＡｌ_{１−ａ−ｂ−ｃ}Ｓｉ_ａＭｇ_ｂＭ_ｃ（Ｂ_ｘＣ_ｙＮ_ｚ）からなり、Ｍは、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｃｒ、ＣｕおよびＹから選ばれる少なくとも１種以上の元素であり、ａ、ｂ、ｃ、ｘ、ｙ、ｚが原子比であるときに、０≦ａ≦０．３５、０≦ｂ≦０．２、０．０３≦ａ＋ｂ≦０．５、０≦ｃ≦０．１、かつ、原子比で、０．９≦Ａｌ＋Ｓｉ＋Ｍｇ、０≦ｘ≦０．２、０≦ｙ≦０．４、０．５≦ｚ≦１、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１を満足することを特徴とする。
また、硬質皮膜を用いて形成される硬質皮膜工具であって、この硬質皮膜が、前記記載の硬質皮膜であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】電力が供給されない状況でも記憶内容の保持が可能で、かつ、書き込み回数にも制限が無い、新たな駆動方法を提供する。また、新たな駆動方法により、メモリ素子への書き込み電位のばらつきを低減し、信頼性を向上させる。
【解決手段】半導体装置の駆動方法において、書き込み電位を段階的に上昇させて、同時に読み出し電流を確認し、読み出し電流の結果を書き込み電位に利用して書き込みを行う。つまり、正しい電位で書き込みが行われたか確認しながら書き込みを行うことで、信頼性の高い書き込みを行うことが可能である。 （もっと読む）