【課題】耐摩耗性、耐欠損性、および密着性を兼ね備えた被覆膜を表面に有する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】本発明の表面被覆切削工具は、基材とその上に形成された被覆膜とを備え、該被覆膜は、Ａｌ_aＴｉ_bＭ_cＮ_dＯ_eからなるＡ層と、Ａｌ_fＣｒ_gＭｅ_hＮ_dＯ_eからなるＢ層とが交互に各２層以上積層された積層体を含み、式中ＭおよびＭｅは、それぞれ独立してＶ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、およびＳｉからなる群より選ばれる１種以上の元素を示し、被覆膜の表面から被覆膜の厚み方向に被覆膜全体の厚みの１０％以上５０％以下の領域が、酸素を含有する酸素含有領域となっており、該酸素含有領域において、Ａ層およびＢ層は、ｅ＞０であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】膜厚の面内ばらつきを抑制でき、圧電特性に優れ、高品質な圧電膜付き基板、圧電膜付き基板の製造方法、及び成膜装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る圧電膜付き基板１０は、平面視にて円形を有し、直径が４インチ以上の基板３と、前記基板３上に設けられた下地層と、前記下地層上に設けられたニオブ酸化物系ペロブスカイト構造を有する圧電材料を用いて構成される圧電膜１とを備え、前記圧電膜１が、０．３μｍ以上１０μｍ以下の厚さを有し、前記圧電膜１の面内における前記圧電膜１の膜厚の標準偏差と前記膜厚の平均値とが、標準偏差／平均値≦０．０３の関係式を満たす。 （もっと読む）

【課題】高送り・乾式の深穴用ドリル加工条件においても硬質被覆層がすぐれた耐摩耗性と切屑排出性を発揮する表面被覆ドリルを提供する。
【解決手段】ドリル先端部の逃げ面の皮膜断面の結晶粒形状を観察したとき、粒径制御層を構成する結晶粒が幅１０〜１００ｎｍ、高さ０．２〜６．０μｍの柱状晶からなり、かつ、ドリルの切屑排出溝のうち、ドリル先端部からドリル基体の長さに沿ってドリル径の５倍の長さまでの領域において、粒径制御層を構成する切れ刃の皮膜断面の結晶粒形状を観察したとき、粒径制御層を構成する結晶粒の平均アスペクト比が、ドリル先端から後方に向けて、１〜１００の範囲で漸次減少し、かつ、ドリル先端部から直径の０．０１倍の位置における平均アスペクト比が直径の５倍の位置における平均アスペクト比の２倍以上である。 （もっと読む）

【課題】 リニアソースに好適な水晶発振式膜厚モニタ装置と共に、膜厚モニタを用いたＥＬ材料の蒸発源装置や薄膜形成装置を提供する。
【解決手段】 外周端に沿って複数の水晶振動子５０を保持する円盤状の水晶振動子ホルダ１０と、その表面を覆い、かつ、その一個に対応した位置にだけ開口部２１を設けたカバー２０を備えたヘッダと、ヘッダの裏面に設けられた回転機構と、ホルダの回転に伴って開口部から表面を外部に露出する一の水晶振動子の共振周波数を検出する共振周波数検出手段を備えた水晶発振式膜厚モニタ装置では、ヘッダを構成する円盤状のホルダの外周部を円錐状に、内側に角度θだけ窪ませて水晶振動子表面から延長した垂線を円盤状のホルダの回転軸に対して角θだけ傾斜させ、ホルダを回転する駆動部５５０を含む回転機構を、水晶振動子ホルダの回転軸に対して垂直に伸びた方向に設ける。 （もっと読む）

【課題】プラズマを発生させて成膜する際に膜厚の測定精度を高めることを目的とする。
【解決手段】成膜装置１は、真空チャンバ２と成膜基体支持体２１とを備える。成膜基体支持体２１に支持された成膜基体７とスパッタリングターゲット４との間にはプラズマ３が発生する。また、真空チャンバ２内には、成膜基体７と成膜レートが異なる位置にモニタ基板３０が配置される。モニタ基板３０には、モニタ光照射器２５からモニタ光が照射される。モニタ光がモニタ基板３０の表面に形成されたモニタ膜で反射した反射光およびプラズマ３が発光してモニタ膜を透過した透過光は受光器２６で受光される。制御器９は、プラズマ光測定器８が測定したプラズマ３の発光強度に基づいて、受光器２６が受光した光のうち反射光の強度を補正して求める。反射光の強度に基づいて、モニタ膜の厚さ、およびそれに比例する成膜基体７上の膜厚が求められる。 （もっと読む）

【課題】耐摩耗性および潤滑性を高度に両立した表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】本発明の表面被覆切削工具は、基材と、該基材上に形成された被膜とを備えるものであって、該被膜は、２以上の層を含み、該２以上の層のうち少なくとも一層は、ＴａＮからなる第１化合物層であり、該第１化合物層は、基材側から厚み方向に非晶質領域と結晶質領域とをこの順に有し、非晶質領域は、非晶質からなり、結晶質領域は、六方晶構造からなり、第１化合物層の直下の層は、Ｍ_1-xＴａ_xＮ_y（０．０１≦ｘ≦０．３、０．９５≦ｙ≦１．０５）からなる第２化合物層であり、Ｍは、Ｓｉ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｈｆ、およびＶからなる群より選ばれる１種以上の元素であり、第２化合物層は、立方晶構造を含む結晶構造からなり、かつ４２００ｍｇｆ／μｍ²以上の硬度を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】耐摩耗性および潤滑性を高度に両立した表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】本発明の表面被覆切削工具は、基材と、該基材上に形成された被膜とを備えるものであって、該被膜は、２以上の層を含み、該２以上の層のうち少なくとも一層は、ＭｏＮからなる第１化合物層であり、該第１化合物層は、基材側から厚み方向に非晶質領域と結晶質領域とをこの順に有し、非晶質領域は、非晶質からなり、結晶質領域は、六方晶構造からなり、第１化合物層の直下の層は、Ｍ_1-xＭｏ_xＮ_y（０．０１≦ｘ≦０．３、０．９５≦ｙ≦１．０５）からなる第２化合物層であり、Ｍは、Ｓｉ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｈｆ、およびＶからなる群より選ばれる１種以上の元素であり、第２化合物層は、立方晶構造を含む結晶構造からなり、かつ４２００ｍｇｆ／μｍ²以上の硬度を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】耐摩耗性および潤滑性を高度に両立した表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】本発明の表面被覆切削工具は、基材と、該基材上に形成された被膜とを備えるものであって、該被膜は、２以上の層を含み、該２以上の層のうち少なくとも一層は、ＮｂＮからなる第１化合物層であり、該第１化合物層は、基材側から厚み方向に非晶質領域と結晶質領域とをこの順に有し、非晶質領域は、非晶質からなり、結晶質領域は、六方晶構造からなり、第１化合物層の直下の層は、Ｍ_1-xＮｂ_xＮ_y（０．０１≦ｘ≦０．３、０．９５≦ｙ≦１．０５）からなる第２化合物層であり、Ｍは、Ｓｉ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｈｆ、およびＶからなる群より選ばれる１種以上の元素であり、第２化合物層は、立方晶構造を含む結晶構造からなり、かつ４２００ｍｇｆ／μｍ²以上の硬度を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】耐摩耗性、耐欠損性、および密着性を兼ね備えた被覆膜を表面に有する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】本発明の表面被覆切削工具は、基材とその上に形成された被覆膜とを備えるものであって、該被覆膜は、Ａｌ_aＴｉ_bＳｉ_cＭ_dＮからなるＡ層と、Ｔｉ_eＡｌ_fＳｉ_gＭｅ_hＮからなるＢ層とが交互に各２層以上積層された積層体を含み、Ａ層およびＢ層はそれぞれ、２０ｎｍ以下の層厚であり、刃先稜線部に形成された被覆膜の表面は、急峻な形状の凸部と、隣接する凸部の間の距離が２μｍ以上であって、かつその間をなだらかな曲面で結ぶ第１凹部と、隣接する凸部の距離が２μｍ未満であって、かつその間をなだらかな曲面で結ぶ第２凹部とが不規則に形成された凹凸を有するむしれ面であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】配線形成時に配線形成用溝の間口を閉塞させないで配線形成用溝内に連続したＣｕ膜を形成できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】配線形成用溝形成工程では、層間絶縁膜１０に配線形成用溝３１を形成する。バリアメタル膜形成工程では、配線形成用溝３１が形成された層間絶縁膜１０上の全面にバリアメタル膜１４を形成する。Ｃｕ膜形成工程では、配線形成用溝３１間の層間絶縁膜１０上の膜厚に比して配線形成用溝３１内の底部の方が厚くなるように、バリアメタル膜１４上にＣｕ膜１５を形成する。リフロー工程では、バリアメタル膜１４上のＣｕ膜１５をリフローさせ、配線形成用溝３１内に埋め込む。そして、除去工程では、少なくとも配線形成用溝３１間の層間絶縁膜１０上のバリアメタル膜１４をＣＭＰ法によって除去する。 （もっと読む）

【課題】高温で成膜される低融点金属の凝集を防止し、十分なバリア性及びぬれ性を有するバリア層を形成して、凹部に低融点金属を付け回り良く充填する。
【解決手段】電子部品の製造方法が、４Ｐａ以上２０Ｐａ以下の圧力下で、被処理体３０６と接する電極３０１に第１のバイアス電力を印加し、プラズマ処理により被処理体３０６の上にＴｉＮｘからなる第１のバリア層４０４を成膜する手順と、４Ｐａ以上２０Ｐａ以下の圧力下で、電極３０１に第１のバイアス電力よりも小さいイオン入射エネルギーを与える第２のバイアス電力を印加し、またはバイアス電力を印加しないで、プラズマ処理により第１のバリア層の上にＴｉＮｘからなる第２のバリア層４０５を成膜する手順と、第２のバリア層４０５の上に、Ｔｉからなる第３のバリア層４０９を成膜する手順と、第３のバリア層４０９の上に低融点金属４０６を充填する手順と、を有する。 （もっと読む）

【課題】銀を含む金属薄膜からなり、抵抗率が低く且つ透過率が高い透明導電薄膜を提供する。
【解決手段】厚さ５〜２０ｎｍの銀を含む金属薄膜からなり、体積抵抗率が１０^−４Ω・ｃｍ以下であり、波長３００ｎｍと波長５００ｎｍとピーク波長のいずれかの光の透過率が７０％以上である。波長７００ｎｍおよび８００ｎｍの少なくとも一方の光の透過率が６０％以上であるのが好ましく、ピーク波長の光の透過率が８０％以上であるのが好ましい。金属薄膜は、銅、亜鉛およびインジウムからなる群から選ばれる１種以上を含むのが好ましく、金属薄膜中の銅、亜鉛およびインジウムからなる群から選ばれる１種以上の含有量が１０体積％以下であるのが好ましい。 （もっと読む）

【課題】透明基材上に低抵抗のＩｎ・Ｓｎ複合酸化物（ＩＴＯ）からなる透明導電層が形成された透明導電性フィルムおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】透明基材上にＩｎ・Ｓｎ複合酸化物からなる透明導電層を有し、透明基材の透明導電層が形成されている側の表面の算術平均粗さＲａが１．０ｎｍ以下であり、透明導電層中のＳｎ原子の量が、Ｉｎ原子とＳｎ原子とを加えた重さに対し、６重量％を超え１５重量％以下であり、前記透明導電層のホール移動度が１０〜３５ｃｍ^２／Ｖ・ｓであり、キャリア密度が６×１０^２０〜１５×１０^２０／ｃｍ^３である、透明導電性フィルム。当該透明導電性フィルムは、水の分圧が小さい雰囲気下において１００℃を超え２００℃以下の基材温度でアモルファス透明導電層をスパッタ製膜し、アモルファス透明導電層を加熱して結晶性透明導電層に転化することによって得られうる。 （もっと読む）

【課題】ＥＬデバイス（特にＯＬＥＤ）、光電池、および半導体デバイス（有機電界効果トランジスタ、薄膜トランジスタ、および集積回路一般など）を含む、電子または光電子デバイス（特に導電ポリマーを含むデバイス）の製造において、基板、特に可撓性基板として使用するのに適した、改善されたバリア特性を有するフィルムを提供すること。
【解決手段】ポリマー基板、平坦化被覆層、および無機バリア層を含む複合フィルムであって、前記バリア層は、２ｎｍから１０００ｎｍの厚さを有し、マイクロ波で活性化された反応性マグネトロンスパッタリングによって得ることができる前記複合フィルム。 （もっと読む）

【課題】物理蒸着法による酸化物の上層と窒酸化物の下層との密着性及び上層の耐焼き付き性及び耐かじり性に優れた硬質被膜被覆金型を提供することである。
【解決手段】金型基体直上に、金属元素としてＡｌとＣｒを必須構成元素とする窒酸化物の下層と、金属元素としてＡｌとＣｒを必須構成元素とする酸化物の上層とを、物理蒸着法により被覆した硬質被膜被覆金型において、該酸化物の上層はα型結晶構造を有し、Ｘ線回折強度比ＴＣ（００６）が１．３以上であることを特徴とする硬質被膜被覆金型。 （もっと読む）

【課題】膜厚センサの使用寿命が長い真空蒸着装置及び薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】
真空槽２１と、真空槽２１内を真空排気する真空排気装置２７と、真空槽２１内に露出する放出口１１ａ、１１ｂから蒸着材料の蒸気を放出する放出装置１２ａ、１２ｂと、放出口１１ａ、１１ｂと対面する位置に基板２６を保持する基板保持部２５と、放出された蒸気が入射する位置に配置され、付着した蒸気からなる付着膜の膜厚を測定する膜厚センサ１５ａ、１５ｂとを有し、基板保持部２５に保持された基板２６に薄膜を形成する真空蒸着装置２であって、膜厚センサ１５ａ、１５ｂに向けてレーザーを照射するレーザー照射装置１８ａ、１８ｂを有し、膜厚センサ１５ａ、１５ｂに付着した付着膜にレーザーが照射されると、膜厚センサ１５ａ、１５ｂから付着膜が除去される。 （もっと読む）

【課題】真空槽内の真空雰囲気を維持しながら振動子から付着膜を除去できる真空蒸着装置及び薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】
真空排気された真空槽１１内に蒸着材料の蒸気を放出させ、ホルダ３２ａ、３２ｂに接触して保持された振動子３１ａ、３１ｂの表面に蒸気を付着させ、付着膜の膜厚を測定しながら、基板１６に薄膜を形成する薄膜形成方法であって、付着膜の蒸発温度より融点の高い振動子３１ａ、３１ｂとホルダ３２ａ、３２ｂと、ホルダ加熱装置３３ａ、３３ｂとを用いて、真空槽１１内の真空雰囲気を維持しながら、ホルダ３２ａ、３２ｂの融点と振動子３１ａ、３１ｂの融点の両方より低い温度でかつ付着膜の蒸発温度以上の温度にホルダ３２ａ、３２ｂを加熱し、ホルダ３２ａ、３２ｂからの熱伝導により振動子３１ａ、３１ｂを加熱し、振動子３１ａ、３１ｂから付着膜を気化させて除去する。 （もっと読む）

【課題】耐水性等の諸性能が良好な反射防止層、および反射防止層を備えたレンズなどの光学物品を提供する。
【解決手段】レンズ１０は、ｎ＋１層の低屈折率層３１とｎ層（ｎは２以上の整数）の高屈折率層３２から構成される反射防止層３を含む。低屈折率層３１と高屈折率層３２とが交互に積層され、複数の高屈折率層３２のうちの少なくとも１層は酸化ジルコニウムを主成分とする第１の蒸着源のみを用いて蒸着形成された第１タイプの層であり、その他の高屈折率層３２は酸化チタンを主成分とする第２の蒸着源のみを用いて蒸着形成された第２タイプの層である。複数の低屈折率層３１はそれぞれ酸化シリコンを主成分とする第３の蒸着源のみを用いて蒸着形成された第３タイプの層である。 （もっと読む）

【課題】ＺｎＯ系半導体層の新規な製造方法を提供する。
【解決手段】（ａ）基板上方に、（Ｍｇ_ｘＺｎ_１−ｘ）_３Ｎ_２（０≦ｘ≦０．６）単結晶膜を成長させる工程と、（ｂ）前記の（Ｍｇ_ｘＺｎ_１−ｘ）_３Ｎ_２（０≦ｘ≦０．６）単結晶膜を、４００℃以下で、活性酸素により酸化して、Ｍｇ_ｙＺｎ_１−ｙＯ（０≦ｙ≦０．６）単結晶膜を形成する工程と、（ｃ）工程（ａ）及び（ｂ）を繰り返して、Ｍｇ_ｙＺｎ_１−ｙＯ（０≦ｙ≦０．６）単結晶膜を積層する工程とを有するＺｎＯ系半導体層の製造方法とする。 （もっと読む）

【課題】良好な導電性と表面平滑性、加工性を併せ持つ酸化亜鉛系の透明導電膜を提供する。
【解決手段】基材１上に形成される透明導電性積層膜であり、該透明導電性積層膜は、周期表第III族又は第IV族の元素の化合物を含む下地膜１１と、該下地膜１１上に形成される酸化亜鉛を含む導電膜１２とを含むものであり、該導電膜１２は、ＣｕＫα線を用いたＸ線回折法により検出される酸化亜鉛の（００２）面の回折線のうち、回折角２θが３３．００°≦２θ≦３５．００°である回折線の強度Ｉが１０００（ｃｐｓ）以下であり、該強度Ｉと該導電膜の膜厚ｔとのＩ／ｔが０〜１５．０（ｃｐｓ／ｎｍ）であることを特徴とする透明導電性積層膜。 （もっと読む）