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Fターム[4K029GA02]の内容

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Fターム[4K029GA02]に分類される特許

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【課題】耐熱性に優れるとともに、耐酸化性に優れた耐熱耐酸化性炭素膜及びその形成方並びに耐熱耐酸化性炭素膜被覆物品及びその製造方法を提供する。
【解決手段】(1) 炭素を主成分とし、シリコンを含有しており、表面層として酸化シリコン含有層を有する耐熱耐酸化性炭素膜F、(2) 該膜で被覆された耐熱耐酸化性炭素膜被覆物品W、(3) シリコン含有炭素膜f1を形成する工程と、該工程で形成された炭素膜f1の表面を酸化処理して、酸化シリコン含有層f2を形成する工程とを含む耐熱耐酸化性炭素膜Fの形成方法及び(4) 耐熱耐酸化性炭素膜被覆対象物品を準備し、該物品の表面の少なくとも一部に(3) の方法により耐熱耐酸化性炭素膜Fを形成して耐熱耐酸化性炭素膜被覆物品Wを得る物品製造方法。 (もっと読む)


【課題】抵抗変化型メモリ素子の抵抗変化の安定性と抵抗変化比を向上させた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板11を酸化物チャンバF3に搬入し、チタンを主成分とする第一ターゲットを酸素雰囲気の下でスパッタさせてチタン酸化物からなる酸化物層を形成し、酸化物層を有する基板11を照射チャンバF4に搬入し、酸化物層の表面にさらに酸素ラジカルを照射して可変抵抗体を形成した。 (もっと読む)


【課題】洗浄後にパーティクルが発生する虞がなく、短時間かつ低コストでの構成部材の洗浄を可能とする。
【解決手段】成膜装置の処理雰囲気に設置された成膜装置の構成部材の表面から付着物を除去するための洗浄方法であって、上記付着物と上記構成部材との密着力を低減させるプラズマエッチング処理と、上記プラズマエッチング処理によって上記構成部材との密着力が低減した上記付着物を水にて洗い流す水洗処理とを有する。 (もっと読む)


【課題】高度の耐熱性、耐久性を備えた透明導電膜付きフィルムの提供。
【解決手段】基材の厚みが50〜500μmである高分子基材10および透明導電膜11からなり、この透明導電膜が、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物およびアルミナ添加酸化亜鉛の少なくとも一種からなり、10〜700回の薄膜形成工程を経ることから形成されたものであって、25℃35RH環境下での上記透明導電膜の膜応力が50MPa以下であり、150℃1時間の耐熱試験後における上記透明導電膜の膜応力が50MPa以下であることを特徴とする、透明導電膜付きフィルム。 (もっと読む)


【課題】ガスバリア性、耐熱性、引裂き性に優れるガスバリア性積層フィルムを提供する。
【解決手段】基材フィルム10、炭素含有酸化珪素の蒸着膜20、ガスバリア性塗布膜30、ポリウレタン系樹脂組成物によるコーティング薄膜40とを有するガスバリア性積層フィルムであり、前記炭素含有酸化珪素の蒸着膜20は、化学気相成長法により有機珪素化合物を蒸着用モノマーとして供給して基材フィルムの一方の面に炭素含有酸化珪素の蒸着膜であり、前記ガスバリア性塗布膜30は、金属アルコキシドと、ポリビニルアルコール系樹脂及び/又はエチレン・ビニルアルコール共重合体とを含有し、更に、ゾルゲル法によって重縮合して得られるガスバリア性組成物によるガスバリア性塗布膜である。該ガスバリア性積層フィルムは、耐レトルト・ボイル性に優れる。 (もっと読む)


【課題】ガスバリア性、機械的強度、引裂き性に優れる液体用小袋および液体小袋包装体を提供する。
【解決手段】基材フィルム、炭素含有酸化珪素の蒸着膜の薄膜およびコーティング層からなるガスバリア性積層フィルムの前記コーティング層に、アンカーコート剤によるアンカーコート層および/またはラミネート用接着剤によるラミネート用接着剤層、およびヒートシール性樹脂層を順次積層させた積層材からなる液体用小袋である。引裂き性、機械的強度、ガスバリア性に優れ、かつ透明性が確保される。 (もっと読む)


【課題】薄膜と基板における密着性、光学特性、生産性に優れ、各種機能を有する薄膜付きの基板を提供すること。
【解決手段】以下の工程(1)〜(3)を含む薄膜形成方法により薄膜を形成させる薄膜付き基板の製造方法であって、基板としてアクリル系樹脂(a)及び脂肪族ポリエステル系樹脂(b)を含む樹脂組成物の成形体を用いる薄膜付き基板の製造方法;
(1)円筒状支持体上に基板を据え付け、該円筒状支持体を回転させる工程、
(2)前記円筒状支持体の回転中に、該円筒状支持体の周辺に設けられたスパッター装置を操作して、前記基板に物質を堆積させる工程、
(3)前記基板に物質を堆積させる工程と同時に、前記円筒状支持体の周辺に沿って前記スパッター装置から離間して設けられたイオン源装置を操作して、反応性ガスのガスプラズマを形成し、前記基板に堆積した物質と前記反応性ガスとを反応させる工程。 (もっと読む)


【課題】薄膜と基板における密着性、光学特性、生産性に優れ、各種機能を有する薄膜付きの基板を提供すること。
【解決手段】少なくとも以下の(ア)〜(ウ)を有する薄膜形成装置を用いて、基板上にスパッタリング手段により蒸着膜を形成後、該蒸着膜とプラズマ発生手段により発生させたプラズマとを反応させて薄膜を形成する薄膜付き基板の製造方法であって、基板としてアクリル系樹脂(a)及び脂肪族ポリエステル系樹脂(b)を含む樹脂組成物の成形体を用いる薄膜付き基板の製造方法;
(ア)基板搬送手段、
(イ)基板搬送手段の周辺に沿って設けられたスパッタリング手段、
(ウ)基板搬送手段の周辺に沿って、スパッタリング手段から離間して設けられた、プラズマ発生手段。 (もっと読む)


【課題】ロール・ツー・ロールの積層体製造装置およびその製造装置を用いて成膜された積層体と、この積層体を前面に用いた光学機能性フィルタおよび光学表示装置に関する。
【解決手段】
プラスチック・フィルム上に薄膜層を成膜するために、少なくとも1つ以上のマグネトロン電極を有し、該マグネトロン電極毎に個別に真空度を設定でき、該マグネトロン電極に対し十分に大きな成膜ローラーを備えているロール・ツー・ロール型のマグネトロン・スパッタ装置において、前記成膜ローラーの直前および直後に、該成膜ローラーと比較して小さなローラーを設置し、該小さなローラーを搬送中に、該マグネトロン電極において発生するカソード−とアノード間のプラズマ流により、膜質を緻密化することが可能であることを特徴とするロール・ツー・ロール型のマグネトロン・スパッタ装置。 (もっと読む)


【課題】 カソード近傍に発生する異常放電を防止してパーティクルやスプラッシュの発生を抑制するためのイオンビーム源及びこれを備えた成膜装置を提供する。
【解決手段】 金属製の筐体に、カソードと、磁気ギャップと、前記筐体内に磁場を生じさせる磁場発生手段と、前記筐体内に反応性ガスを導入するための反応性ガス導入手段と、前記磁気ギャップの近傍に配置されるアノードとを備えるイオンビーム源であって、前記カソード表面に膜厚が100μm〜200μmとなるように絶縁被膜を形成したことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 生産性の高い複合処理を行う。
【解決手段】 一方向に長いフィルム状基板を、フィルム状基板の長さ方向に搬送する搬送装置と、フィルム状基板上に、成膜を行う成膜装置と、成膜装置で成膜が行われ、搬送装置で搬送されたフィルム状基板にレーザビームを入射させて、フィルム状基板上に成膜された膜のアニールを行う第1のレーザ処理装置と、第1のレーザ処理装置でアニールが行われ、搬送装置で搬送されたフィルム状基板にレーザビームを入射させて、フィルム状基板上に成膜された膜の一部を除去する第2のレーザ処理装置とを有する複合処理装置を提供する。 (もっと読む)


【課題】 カソード近傍に発生する異常放電を防止してパーティクルやスプラッシュの発生を抑制するためのイオンビーム源及びこれを備えた成膜装置を提供する。
【解決手段】 金属製の筐体に、カソードと、磁気ギャップと、前記筐体内に磁場を生じさせる磁場発生手段と、前記筐体内に反応性ガスを導入するための反応性ガス導入手段と、前記磁気ギャップの近傍に配置されるアノードとを備えるイオンビーム源であって、前記カソードを接地電位から電気的に絶縁したことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】試料が焼損することのないイオンガン処理方法を提供すること。
【解決手段】試料台上に、絶縁体およびイオンガン処理を施す試料をこの順に配置した状態で、前記試料にイオンガン処理を施すことを特徴とするイオンガン処理方法。 (もっと読む)


【課題】高S/N比をもった垂直磁気記録媒体を提供する。
【解決手段】基板1と、該基板1上に形成された密着層2と、該密着層2上に形成された、非磁性体を含む軟磁性裏打ち層3と、該軟磁性裏打ち層3上に形成された非磁性下地層4と、該非磁性下地層4上に形成された磁気記録層とを備え、該磁気記録層は、第一の強磁性層5と、該第一の強磁性層5上に形成された第二の強磁性層9とからなり、第一の強磁性層5上の少なくとも一部に非金属膜8が形成されている垂直磁気記録媒体である。 (もっと読む)


【課題】 電子デバイス及びその製造方法に関し、カーボンナノチューブの特性を生かすとともに、よりに良好な電気伝導特性をもつ配線構造を提供する。
【解決手段】 カーボンナノチューブ束3の間隙を重合フラーレン6で埋め込んだカーボンベース配線を設ける。 (もっと読む)


【課題】 高度なガスバリア性を有するガスバリア性積層フィルムを提供する。
【解決手段】 基材フィルムの一方の面に、無機酸化物の蒸着膜を設け、更に、該無機酸化物の蒸着膜の上に、一般式R1 n M(OR2 m (ただし、式中、R1 、R2 、M、n、m、n+mの意味は略す。)で表される少なくとも1種以上のアルコキシドと、鱗片形状二酸化ケイ素粒子と、ポリビニルアルコ−ル系樹脂及び/又はエチレン・ビニルアルコ−ル共重合体とを含有し、更に、ゾルゲル法によって重縮合して得られるガスバリア性組成物によるガスバリア性塗布膜を設けたことを特徴とするガスバリア性積層フィルムに関するものである。 (もっと読む)


【課題】高度なガスバリア性を有するガスバリア性積層フィルムを提供する。
【解決手段】基材フィルム1の一方の面に、第1の無機酸化物の蒸着膜2を設け、更に、該第1の無機酸化物の蒸着膜の上に、一般式R1 n M(OR2 m (ただし、式中、R1 、R2 、M、n、m、n+mの意味は略す。)で表される少なくとも1種以上のアルコキシドと、鱗片形状二酸化ケイ素粒子と、ポリビニルアルコ−ル系樹脂及び/又はエチレン・ビニルアルコ−ル共重合体とを含有し、更に、ゾルゲル法によって重縮合して得られるガスバリア性組成物による第1のガスバリア性塗布膜を設け、更にまた、上記と同様にして、該第1のガスバリア性塗布膜3の上に、第2の無機酸化物の蒸着膜4と第2ガスバリア性塗布膜5とを順次に設けたことを特徴とするガスバリア性積層フィルムA。 (もっと読む)


【課題】ターゲット表面での絶縁物の蓄積による異常放電の発生を防止し、膜質を向上させることが可能なスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】成膜プロセス領域20Aと反応プロセス領域60Aとが内部に形成された真空容器11と、成膜プロセス領域20A内でスパッタリングを行い基板Sの表面に膜原料物質を付着させるスパッタ手段20と、反応プロセス領域60A内でプラズマを発生させて基板Sの表面に付着した膜原料物質の反応物を生成させるプラズマ発生手段60と、を備え、スパッタ手段20は、中心軸線Xa−Xbを中心に回転可能な円筒状ターゲット81と、円筒状ターゲット81の表面に漏洩磁界を形成する磁性体ユニット88と、磁性体ユニット88に対して円筒状ターゲット81を回転させるターゲット回転モータ93と、を備えた。ターゲットの表面に非エロージョン領域が生じにくいため、絶縁物が蓄積しにくく、異常放電の発生を防止できる。 (もっと読む)


【課題】 耐熱性、耐圧性、耐水性等の諸物性に優れ、特に、酸素ガス等の透過を阻止するバリア性に優れ、かつ、レトルト処理等の加工に伴う熱処理に耐えるレトルト用パウチ。
【解決手段】 基材フィルムの一方の面に、アクリルポリオ−ルとイソシアネ−ト系化合物とを含むアンカ−コ−ト剤によるアンカ−コ−ト剤層を設け、更に、該アンカ−コ−ト剤層の上に、無機酸化物の蒸着膜を設け、次に、該無機酸化物の蒸着膜の面上に、一般式R1 n M(OR2 m (式中、R1 、R2 、M、n、m、n+mの意味は略す。)で表される1種以上のアルコキシドと、ポリビニルアルコ−ル系樹脂及び/又はエチレン・ビニルアルコ−ル共重合体とを含有するゾルゲル法によって重縮合して得られるガスバリア性組成物によるガスバリア性塗布膜を設けたバリア性フィルムと、ヒ−トシ−ル性樹脂層とを積層した積層材を使用し、これを製袋してなるレトルト用パウチに関するもの。 (もっと読む)


【課題】 耐酸性に優れ、熱処理による抵抗変化が小さい、透明導電膜付き基板の提供を目的とする。
【解決手段】 基板上にスパッタリング法によりSn含有酸化インジウム膜が形成され、プラズマ処理された透明導電膜付き基板において、前記Sn含有酸化インジウム膜は、JIS K 7194(1994)で定義される4探針法により求められる比抵抗が450μΩ・cm以下であり、かつJIS B 0601(2001) で定義される表面粗さRaが2nm以下であることを特徴とする透明導電膜付き基板である。 (もっと読む)


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