【課題】ダイヤモンド半導体の不純物の新しい混入状態を実現する。
【解決手段】ダイヤモンド半導体は、ダイヤモンド１０とダイヤモンド１０内にドーピングされる不純物で構成される。不純物のドーピングにより、ダイヤモンド１０内に複数の高濃度ドープ領域２０が形成される。各高濃度ドープ領域２０は、ダイヤモンド１０内において空間的に局在化されており、そして、ダイヤモンド１０内において複数の高濃度ドープ領域２０が分散的に配置されている。不純物のドーピングによりキャリア生成のための活性化エネルギーを低下させつつ、各高濃度ドープ領域２０の局在化によりキャリア移動度の低下を抑えることが可能になる。 （もっと読む）

【課題】圧電体薄膜を短時間で微細加工することができるとともに、選択的に加工を停止させることができる圧電体薄膜ウェハの製造方法、圧電体薄膜素子、及び圧電体薄膜デバイスを提供する。
【解決手段】基板２上に圧電体薄膜４を備えた圧電体薄膜ウェハ１は、Ａｒを含むガスを用いてイオンエッチングを行う第１の加工工程と、反応性ガスとＡｒとを混合した混合エッチングガスを用いて反応性イオンエッチングを行う第２の加工工程とにより製造される。圧電体薄膜４だけを短時間でエッチングすることが可能である。 （もっと読む）

【課題】 下層との密着性の優れた防汚層を形成するための成膜方法を提供することにある。
【解決手段】 被処理基板上にフッ素含有樹脂からなる有機層を形成する成膜方法であって、酸素原子（Ｏ）を含有するプラズマ生成ガス雰囲気中で生成したプラズマに被処理基板を曝し、次いで前記有機層を形成する。 （もっと読む）

【課題】帯電防止性およびその耐久性の良好な第１の層を含む光学物品を提供する。
【解決手段】光学物品は、光学基材と、光学基材の上に直にまたは他の層を介して形成された、ＴｉＯｘ（０＜ｘ≦２）を含む透光性の第１の層とを有する。この光学物品においては、第１の層の表層域のアルゴン濃度は第１の層の深部のアルゴン濃度よりも高い。この光学物品の一例は、第１の層を表面から深さ方向に二次イオン質量分析した際のスペクトルにおいてアルゴンのピークが表層域にあるものである。この光学物品は、たとえば、眼鏡レンズに好適である。 （もっと読む）

【課題】保護膜の膜質を損なうことなく処理時間の短縮を図ることができる磁気記録媒体の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一実施形態に係る磁気記録媒体の製造方法は、磁性層１２を磁気分離するためのイオン注入工程に際して使用されるレジストパターン１３のアッシング工程において、基板１１を保護膜１４の成膜に適した温度にまで昇温させ、上記アッシング工程後はその基板温度を利用して保護膜１４の成膜処理を実施する。これにより、保護膜１４の膜質および成膜効率を損なうことなく、保護膜１４の成膜のための処理時間を短縮することができる。 （もっと読む）

【課題】 光の反射率を低下させることなく反りの発生を抑制できるハーフミラー基板の製造方法、およびハーフミラー基板を提供する。
【解決手段】 本実施例のハーフミラー基板１は、ＰＭＭＡ基板１０と、ＰＭＭＡ基板１０の裏面に形成される反射膜層３０と、を有する。反射膜層３０は、ＰＭＭＡ基板１０表面に形成されてなる金属反射膜（Ｓｎ膜３１）と、Ｓｎ膜３１を覆うように形成される保護膜（ＳｉＯ膜３２）と、からなる。Ｓｎ膜３１の表面には、ＳｎＯ₂を主たる成分とする酸化Ｓｎ層３３が形成されている。また、ＳｉＯ膜３２は、低い水蒸気バリア性を有する。 （もっと読む）

【課題】イオン注入の際にマスクとして用いたレジストを効率よく除去することができる磁気記録媒体の製造方法を提供する。
【解決手段】イオン注入処理の終了後、レジストパターンをアッシングする前に、レジストパターンをフッ素処理する。上記フッ素処理によって、イオンの照射により変質したレジストパターンは、上記アッシングによる除去処理に適した物質へ変換される。これにより、アッシング工程において効率よくレジストパターンを除去することが可能となる。また、レジストの残渣量が低減されることで、表面平坦度の高い磁気記録媒体を安定して製造することができる。 （もっと読む）

【課題】パターンマスクの除去効率を損なうことなく処理時間の短縮を図ることができる磁気記録媒体の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一実施形態に係る磁気記録媒体の製造方法は、磁性層１２を磁気分離するためのイオン注入工程に際して基板１１をレジストパターン１３の除去反応温度域にまで昇温させ、イオン注入後はその基板温度を利用してレジストパターン１３のアッシング処理を実施する。これにより、レジストパターンの除去効率を損なうことなく、レジストパターン除去のための処理時間を短縮することができる。 （もっと読む）

【課題】金属配線膜のドライエッチングレートの低下やエッチング残渣を発生させることがなく、また該金属配線膜のヒロック耐性や電気抵抗率が抑制され、更に該金属配線膜と直接接続する透明導電膜や酸化物半導体層とのコンタクト抵抗率が抑制された薄膜トランジスタ基板、及び該薄膜トランジスタ基板を備えた表示デバイスを提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタ基板であって、金属配線膜は、ドライエッチング法によるパターニングで形成された、Ｎｉ：０．０５〜１．０原子％、Ｇｅ：０．３〜１．２原子％、Ｌａおよび／またはＮｄ：０．１〜０．６原子％を含有するＡｌ合金膜とＴｉ膜とからなる積層膜あって、該Ｔｉ膜が、該酸化物半導体層と直接接続していると共に、該Ａｌ合金膜が、該透明導電膜と直接接続している。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化することを目的の一とする。
【解決手段】トランジスタのチャネル形成領域となる酸化物半導体膜を、２００℃を超える温度のスパッタリング法で形成することにより、昇温脱離分析において、前記酸化物半導体膜から脱離する水分子の数を０．５個／ｎｍ^３以下とすることができる。酸化物半導体を用いたトランジスタにとって電気的特性の変動要因となる水素、水、水酸基または水素化物などの水素原子を含む物質が、酸化物半導体膜へ混入するのを防止することにより、酸化物半導体膜を高純度化および電気的にｉ型（真性）化することができる。 （もっと読む）

【課題】有機シロキサン系絶縁膜を用いて電気的特性に優れた半導体装置を製造する方法を提供する。
【解決手段】下層配線の上にこの順で形成された第１〜第３の絶縁膜をドライエッチングして該下層配線に至る開口部を形成し、該開口部の内面と該第３の絶縁膜の上にバリアメタル膜を形成し、該バリアメタル膜の上に該開口部を埋める導電層を形成し、該第３の絶縁膜上の該導電層と該バリアメタル膜、及び該第２、第３の絶縁膜の一部を除去し該下層配線に電気的に接続する上層配線を形成し、露出した該第２の絶縁膜と該導電層の表面を還元性プラズマ処理し、
該第２の絶縁膜は下記式で表されるアルキルアルコキシシランと非酸化性ガスとを用い、５００Ｐａ以下でプラズマＣＶＤ法により形成する
ＲｗＳｉｘＯｙ（ＯＲ´）ｚ
Ｒ及びＲ´はＣＨ_３、ｗｘｚは正の整数、ｙは０または正の整数、（ｗ／ｘ）＝２である。 （もっと読む）

【課題】不純物が混入しない酸化物半導体膜を成膜する成膜装置を提供することを課題とする。不純物が混入しない酸化物半導体膜を含む半導体装置の作製方法を提供することを課題とする。
【解決手段】成膜装置を含む環境から不純物を排除することにより、成膜装置の外部から成膜装置内へ不純物を含む気体が漏洩（リーク）する現象を防げばよい。また、当該装置を用いて成膜した、不純物が低減された酸化物半導体層を半導体装置に適用すればよい。 （もっと読む）

【課題】バリアメタル層を有する半導体装置を製造するに際し、パーティクルの発生を抑制可能な製造方法、及びこの製造方法を用いる半導体装置の製造装置を提供する。
【解決手段】
２つの金属層の間に金属化合物層が挟まれてなるバリアメタル層を有する半導体装置を製造するに際し、チタン及びタンタルのいずれか一方の金属元素から構成されるターゲットを希ガスの雰囲気でスパッタして、複数の金属層を下地配線上に積層する過程において最下層となる第１金属層に酸化処理を施す。次いで、最下層となる第１金属層の表面に第１金属酸化物層を形成した後に、層間において構成元素が異なるように、一つ以上の金属層を含む下地の表面に対して酸化処理、窒化処理、及び酸窒化処理のいずれかの処理を施す。こうした処理より第２金属化合物層を形成する。上記金属化合物層は、金属酸化物層の他、金属窒化物層や金属酸窒化物層であってもよい。 （もっと読む）

【課題】Ｒｏｌｌ Ｔｏ Ｒｏｌｌ方式で、基材の搬送速度を非常に速い条件に設定しても、基材上に絶縁性の高品質な薄膜を成膜することが可能なプラズマアシスト付きの真空成膜装置を提供する。
【解決手段】真空容器内の上部に、成膜用ドラム１３に巻き掛けられた基材１１がその被成膜面１１０を下向きにして配設されるとともに、上記真空容器内の底部には、蒸着材料２を蒸発させる蒸着源１７と、この蒸着源から蒸発した上記蒸着材料に向けてプラズマを照射するプラズマガンとが、上記被成膜面の下方に配置されており、上記プラズマガンは、上記基材の流れ方向に対して直交する方向から、上記被成膜面に向けて配置されている。これにより、薄膜形成前の基材の被成膜面に対してプラズマを照射する前処理、プラズマアシストによる成膜、基材に形成された薄膜に対してプラズマを照射する後処理が１台で逐次連続的に行える。 （もっと読む）

【課題】イオンプレーティング法を用いた成膜、特に酸化物膜の成膜において、膜組成および膜厚の均一性を図る。圧電特性の優れた酸化物膜を製造する。
【解決手段】真空容器内に置かれた成膜材料を蒸発させるとともに、前記真空容器内に反応ガス及びプラズマ電子流を導入し、成膜材料のカチオンをプラズマで活性化して基板に堆積させる際に、１種の薄膜を形成する複数の成膜材料をそれぞれ独立した蒸発源として配置し、これら蒸発源と対向する位置で基材を回転させながら、基材上に、複数の成膜材料を順次蒸着させる工程を繰り返す。 （もっと読む）

【課題】不純物が混入しない酸化物半導体を用いた半導体素子の作製に用いる連続成膜装置を提供することを課題とする。
【解決手段】１０^−６Ｐａ以下に真空排気する手段と接続するロードロック室と、基板を加熱する第１の加熱手段が設けられた基板保持部と、少なくとも基板保持部周辺の壁面を加熱する第２の加熱手段と、スパッタリング用ターゲットを固定するターゲット保持部とが備えられ、それぞれが１０^−８Ｐａ以下に真空排気する手段と接続する複数の成膜室と、１０^−８Ｐａ以下に真空排気する手段と接続する加熱室と、ロードロック室、加熱室、及び成膜室のそれぞれとゲートバルブを介して連結され、１０^−６Ｐａ以下に真空排気する手段と接続する搬送室とを少なくとも有し、ロードロック室、加熱室、成膜室及び搬送室のそれぞれと接続する真空排気する手段は、吸着型のポンプである成膜装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】多くの製造工程を経ることなく低コストで製造可能であって、薄層で高レベルの防湿性能を発揮でき、かつ、吸湿量の制御が容易である防湿性積層体を提供する。
【解決手段】少なくとも２層の蒸着フィルム１を有し、その層間に少なくとも１層の吸湿層２が挟持されてなる防湿性積層体１０である。吸湿層２が、含水率が１％以下のバインダ樹脂と、水分吸着性物質とからなる。蒸着フィルム１が、基材の一方の面に、物理気相成長法による無機酸化物の蒸着膜と、ガスバリア性組成物による第１のガスバリア性塗布膜と、物理気相成長法または化学気相成長法による無機酸化物の蒸着膜と、ガスバリア性組成物による第２のガスバリア性塗布膜と、が順次形成されてなる。 （もっと読む）

【課題】膜表面に発現した光触媒作用を速やかに消失させることができる光触媒性薄膜を表層に有する太陽電池モジュール用カバーを提供する。
【解決手段】太陽電池カバー１００は、透光性基板１０２と、発熱層としての透明導電膜１０４と、光触媒性薄膜１０６とを積層して構成され、光触媒性薄膜１０６は、成膜プロセス領域で、チタンで構成されたターゲットをスパッタし、膜原料物質を付着させるスパッタ工程と、反応プロセス領域で、少なくとも反応性ガスのプラズマを膜原料物質に接触させ第１の薄膜を生成する反応工程と、成膜プロセス領域と反応プロセス領域の間で第１の薄膜が形成された基板を移動させ、スパッタ工程及び反応工程を複数回繰り返し第２の薄膜を形成する薄膜堆積工程と、第２の薄膜に対し、不活性ガスを反応性ガスの導入流量と少なくとも同一流量で積極的に混合した混合ガスのプラズマを接触させるプラズマ後処理工程によって形成される。 （もっと読む）

【課題】実質的なリーク電流を生じることなく膜厚を減少させることができる高品質で均一な酸化膜、窒化膜あるいは酸窒化膜の形成方法を提供する。
【解決手段】基板上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜をＫｒあるいはＡｒを不活性ガスとしたプラズマに伴い生成された原子状酸素Ｏ*あるいは原子状窒化水素ＮＨ*に曝し、膜質を改変する工程とよりなる絶縁膜の形成方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】生産性に優れかつ高温高湿環境下においても光学特性の変化が起こり難い吸収型多層膜ＮＤフィルターとその製造方法を提供すること。
【解決手段】ＰＥＴ（ポリエステル）フィルム等のフレキシブル基板の少なくとも片面にＳｉＯｘ等から成る誘電体膜層と吸収膜層とを交互に積層させて成る吸収型多層膜を備える吸収型多層膜ＮＤフィルターであって、上記吸収膜層が金属膜（Ｎｉ-Ｔｉ合金膜）と、この金属膜の誘電体膜層と接する少なくとも一方の界面を窒化して形成された窒化金属膜とで構成されていることを特徴とする。このＮＤフィルターでは吸収膜層が金属膜で構成されるため生産性に優れ、かつ、金属膜の少なくとも片面に形成された窒化金属膜の作用により金属膜の酸化が抑制されるため高温高湿環境下においても光学特性の変化が起こり難い利点を有している。 （もっと読む）