【課題】半導体基板に対し簡易な手法により均質な絶縁膜を高速に形成できるようにする。
【解決手段】絶縁膜形成装置１は、堆積部１０の電子ビーム蒸着源１２からハフニウム金属の原子線を照射して、基板７０のシリコン酸化膜７２上に液体状のハフニウム微粒子７３を堆積させて堆積状態とし、照射部２０のプラズマ源２２から窒素原子、活性窒素分子及び窒素イオンでなる活性粒子７４を照射することにより、表面に窒化ハフニウムシリケート膜７６を形成すると共にシリコン酸化膜７２をシリコン酸窒化膜７５に変化させ、基板７０を成膜状態とする。この結果絶縁膜形成装置１は、基板７０へのハフニウム微粒子７３の堆積処理及び窒素プラズマでなる活性粒子７４の照射処理を行うことにより、高誘電率ゲート絶縁膜として機能し得る窒化ハフニウムシリケート膜７６を短時間で容易に形成することができる。 （もっと読む）

【課題】十分に結晶化された多結晶薄膜を提供する。
【解決手段】インジウム元素及び酸素元素を含有した非晶質膜をスパッタリング装置で成膜し加熱することで、Ｘ線回折測定において２θが２５ｄｅｇ〜３５ｄｅｇの範囲に観測される（２２２）配向のロッキングカーブの半値全幅が０．４ｄｅｇ以下である多結晶薄膜を形成する。又、金属酸化物をスパッタリングによって成膜するに際し、プラズマの照射を２〜５秒間隔として成膜しその後結晶化する。 （もっと読む）

【課題】高い光触媒特性を有する光触媒酸化チタン薄膜を、低温で高速且つ安価に提供する。
【解決手段】ガラスやプラスチックなどの基体の表面に形成された非晶質金属化合物薄膜からなるシード層と、該シード層上に柱状に成長して形成された結晶質金属化合物薄膜とからなり、この薄膜の作成に当たり、スパッタ法によって活性ガスのプラズマによる前処理又は後処理、更には加熱処理を行なうことなく、低温且つ高速の成膜によって光触媒酸化チタン薄膜を安価に作成する。 （もっと読む）

【課題】アスペクト比の高いホール内に、被覆性の良好な、コンタクト抵抗の低いバリア層を形成する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】タンタルまたはタンタルナイトライド等のライナー材料をホール内にスパッタ堆積する。ロングスロースパッタリング、自己イオン化プラズマ（ＳＩＰ）スパッタリング、誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）再スパッタリング及びコイルスパッタリングを１つのチャンバ内で組み合わせたリアクタ１５０を使う。ロングスローＳＩＰスパッタリングは、ホール被覆を促進する。ＩＣＰ再スパッタリングは、ホール底部のライナー膜の厚さを低減して、第１のメタル層との接触抵抗を低減する。ＩＣＰコイルスパッタリングは、ＩＣＰ再スパッタリングの間、再スパッタリングによる薄膜化は好ましくないホール開口部に隣接しているような領域上に、保護層を堆積する。 （もっと読む）

【課題】種々の成膜法が利用可能な連続成膜装置を提供する。
【解決手段】真空中で搬送される基材Ｓの表面に成膜粒子を供給して皮膜を形成する連続成膜装置であって、真空チャンバ−１と、真空チャンバー１内に回転自在に支持され、基材Ｓを巻き掛けて搬送する成膜ロール４と、前記基材Ｓを成膜域に供給する巻出ロール５および成膜後の基材を巻き取る巻取ロール６と、前記成膜ロール４に対向して配置されたスパッタ蒸発源７１，７２，７３を備える。さらに前記成膜ロール４の下部に一対の回転円筒状電極１１，１２をそれぞれ成膜ロール４と平行に備える。前記一対の回転円筒状電極の少なくとも一方は円筒状ターゲット１３を備える。 （もっと読む）

【課題】加工時や使用時に生じる熱による寸法変化が起こりにくく、且つ変質しにくく、したがって、長期にわたり高く安定したガスバリア性を保持することができる透明ガスバリア性フィルムを提供する。
【解決手段】プラスチックフィルムを加熱処理し、特定の熱収縮率となるように収縮させてプラスチック基材フィルムとし、該プラスチック基材フィルムの少なくとも一方の面に蒸着膜を設けて蒸着フィルムとし、該蒸着フィルムを加熱処理して、特定の熱収縮率となるように収縮させ、該収縮させた蒸着フィルムの蒸着膜が設けられた面に、さらに、ガスバリア性塗布膜、蒸着膜、ガスバリア性塗布膜、をこの順序で設けることを特徴とする透明ガスバリア性フィルム。 （もっと読む）

【課題】低温で結晶半導体を形成可能な結晶半導体の製造方法を提供する。
【解決手段】８０〜２４０ｎｍの膜厚を有するａ−Ｇｅ膜２が基板１上に形成される（工程（ｂ）参照）。そして、約１０ｎｍの膜厚を有するＳｉＯ_２膜３がａ−Ｇｅ膜２上に形成される（工程（ｃ）参照）。その後、約９０ｎｍの膜厚を有するＰｔ薄膜４がスパッタリングまたは蒸着によってＳｉＯ_２膜３上に形成される（工程（ｄ）参照）。そして、Ｐｔ薄膜４は、水素リモートプラズマによって処理される（工程（ｅ）参照）。 （もっと読む）

【課題】フィルム基材の帯電現象による問題を回避しながら、電子ビーム加熱による蒸発物質の蒸着を可能にし、巻取り走行されるフィルム基材に損傷のないバリア性薄膜を安定に成膜できるようにした巻取り式蒸着装置及び巻取り式蒸着方法並びにバリアフィルムを提供する。
【解決手段】電子ビーム１９により加熱されて蒸発する蒸発物質を、巻取り走行されるフィルム基材１２に蒸着してガスバリア性の薄膜を形成する巻取り蒸着装置において、表面にガスバリア性薄膜を蒸着させたフィルム基材１２を、成膜ロール１５から剥離直前に加熱する加熱手段と、成膜ロール１５に正の電位を印加して、巻出し・巻取り室２０内でフィルム基材１２が成膜ロール１５から剥離された後の、フィルム基材１２と成膜ロール１５との間にプラズマ２７を発生させる電位印加手段とを備える。 （もっと読む）

【課題】膜表面に発現した光触媒作用を速やかに消失させることができる光触媒性薄膜を基板の表面に成膜することができる成膜方法を提供する。
【解決手段】真空容器１１の内部に形成された成膜プロセス領域２０Ａで、少なくともチタン、亜鉛及びタンタルを含む群から選択される金属で構成されたターゲット２２ａ，２２ｂをスパッタし、基板Ｓに金属で構成される膜原料物質を付着させるスパッタ工程と、成膜プロセス領域２０Ａとは離間して形成された反応プロセス領域６０Ａで、少なくとも反応性ガスのプラズマを膜原料物質に接触させて膜原料物質で構成される第１の薄膜を生成させる反応工程と、スパッタ工程及び反応工程を複数回繰り返し、第１の薄膜を複数回堆積させて第２の薄膜を形成する薄膜堆積工程とを有する成膜方法であって、第２の薄膜に対し、反応性ガスとともに不活性ガスを積極的に含む混合ガスのプラズマを第２の薄膜に接触させる。 （もっと読む）

【課題】複数の成膜バッチを連続して安定に行うことができる成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜装置は、ターゲットのスパッタ物質を基板に付着させる成膜プロセス領域と、成膜プロセス領域とは分離して配置され基板に反応性ガスを接触させてスパッタ物質の組成を変換させる反応プロセス領域と、成膜プロセス領域と反応プロセス領域の間で基板を繰り返し移動させる基板保持移動手段とを有する。成膜プロセス領域及び反応プロセス領域が配置される成膜室に対し、開閉可能な隔絶手段１１ｂを介して接続されたロードロック室１１Ｂを含む。ロードロック室１１Ｂには、ロードロック室１１Ｂの内部を加熱可能な加熱装置９０が設けられ、ロードロック室１１Ｂ内を排気可能な真空ポンプ１５’が接続されている。ロードロック室１１Ｂには、ロードロック室１１Ｂの内部に浮遊する不純物成分としての水分を凝結捕捉可能なガス凝結捕捉装置７０を設ける。 （もっと読む）

【課題】より安定に記憶保持が行えるメモリ装置が構成できるなど、金属酸化物を用いて安定した動作が得られる素子を提供できるようにする。
【解決手段】強誘電体層（１０４）を下部電極層（１０３）と上部電極（１０５）とで挾み、下部電極層（１０３）と上部電極（１０５）との間に所定の電圧（ＤＣ，パルス）を印加して強誘電体層（１０４）の抵抗値を変化させ、安定な高抵抗モードと低抵抗モードを切り替えれば、メモリ動作が得られる。読み出しは、上部電極（１０５）に、所定の電圧を印加したときの電流値を読み取ることで容易に行うことができる。 （もっと読む）

【課題】安定したプラズマを高効率に発生させて成膜を行うことができる薄膜形成方法を提供する。
【解決手段】内部を真空に維持する真空容器１１と、真空容器に接続されアンテナ収容室８０Ａ内にプラズマを発生させるプラズマ発生手段と、を備える薄膜形成装置を用いた薄膜形成方法である。薄膜形成方法は、前記真空容器の内部を真空状態にするとともに、前記アンテナ収容室の内部を真空容器より低く１０^−３Ｐａ以下の真空状態に減圧する減圧工程と、前記アンテナ８５ａに高周波電圧を印加して前記真空容器の内部にプラズマを発生させて、前記真空容器内で形成された薄膜をプラズマ処理する工程と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】光学損失の少ない多層膜を製造する方法と装置を生産すること。
【解決手段】被覆装置又は反応装置に対して相対的に移動可能な少なくとも１つの基板上で、第一の層の上に、反応性成分を有する第二の層の堆積を行い、かつ少なくとも１つの層の構造および／または化学量論比の変更を反応装置によって行う多層膜を製造する方法において、所定の値以下に多層膜の光学損失を低下させるために、第一の層に隣り合う第二の層の領域内に、厚さｄ₁を有し、かつ反応性成分の不足ＤＥＦがＤＥＦ₁値よりも小さい値を有する境界面の構成を行い、第二の層の瞬間の厚さｄ（ｔ）の値を、有利には第二の層の堆積の間に算出し、かつｄ（ｔ）がｄ₁よりも大きくなり次第、反応性成分の不足ＤＥＦがＤＥＦ₁よりも大きい値を有する第二の層の堆積を行うことを特徴とする、多層膜の製造方法。 （もっと読む）

【課題】その上に圧電体層を堆積させる表面としてふさわしい、しかし、電極層の下の犠牲層および／または直に接する下地（underlay）の研磨を必要としていない、下部電極を堆積させる向上した方法を提供すること。
【解決手段】一つの発明の特徴の音響共振器は、基材、該基材上に直接または該基材上の一層以上の中間層のトップ上に備えられた少なくとも一層のおおむね結晶性のプライマー層、該プライマー層上に備えられたおおむね滑らかなならびにおおむね結晶性の電極層、および該電極層上に備えられた圧電体層を含んでいる。該プライマー層、または該プライマー複数層の少なくとも一層は、第一結晶系に属する結晶学的構造を有しており、そして、該電極層は、第一系に対し異なる第二結晶系に属する結晶学的構造を有している。該プライマー層または前記プライマー複数層の少なくとも一層と該電極層の原子間隔は、約１５％以内にマッチする。 （もっと読む）

【課題】アスペクト比が高くて幅が狭い凹状フィーチャーに誘電層を形成するための新規方法を提供する。
【解決手段】間隙に流動性重合膜をプラズマ強化化学気相成長（ＰＥＣＶＤ）法によって形成した後で、当該膜を誘電材料に変換するためのインサイチュ（ｉｎ−ｓｉｔｕ）処理を実行することを含む。インサイチュ処理は、純粋な熱処理プロセスまたはプラズマ処理プロセス。堆積−インサイチュ処理−堆積−インサイチュ処理というプロセスを実行して、間隙に誘電層を形成する。この一連の手順は、間隙をボトムアップ式に充填するべく必要なだけ繰り返される。エクサイチュ処理後プロセスは、間隙の充填が完了した後で実行される。特定の実施形態によると、誘電率が３．０未満の膜が形成される。上記プロセスは、フロントエンドおよびバックエンドの間隙充填に利用可能である。 （もっと読む）

【課題】アルミニウムが有する特長（優れた導電性・加工性・軽量性・リサイクル性等）を損なうことなく外部環境に対する耐食性・耐久性を付与するとともに内部における局部電池腐食を抑制することにより、電気化学的に厳しい環境下においても電極材料として有用な優れた耐食性と耐久性とを併せ持つアルミニウム材料を提供する。
【解決手段】アルミニウム材料は、アルミニウムまたはアルミニウム合金からなる基材１の外層に防食層３と導電層５とが形成されたアルミニウム材料であって、前記基材１と前記防食層３との間にアルミニウムまたはアルミニウム合金からなり平均厚さが10nm以上200nm以下の接着層２が形成され、前記防食層３は、その自然電位が前記接着層２の自然電位よりも-0.1V乃至1.2V大きく、かつ大気中で不動態被膜を形成しやすい材料である。 （もっと読む）

【課題】紫外線を照射しなくとも親水性を発現する薄膜を成膜する方法を提供する。
【解決手段】基板Ｓの表面に酸化チタンの薄膜を形成する成膜方法であって、真空を維持した状態で、基板Ｓを成膜プロセス領域２０Ａと反応プロセス領域６０Ａの間で繰り返し移動させる工程（Ｓ３）と、チタンターゲット２２ａ，２２ｂのスパッタ物質を成膜プロセス領域２０Ａに導入された基板Ｓに付着させる工程（Ｓ４）と、反応プロセス領域６０Ａに導入された基板Ｓに酸素ガスを接触させ、スパッタ物質の組成を変換させる工程（Ｓ５）とを有し、酸素ガスの導入流量と少なくとも同一流量のアルゴンガスを導入した状態で、酸素ガスを基板Ｓに接触させる。 （もっと読む）

【課題】特別な前処理や後処理を施さずに効率よく、親水性の薄膜をプラスチック基板に成膜することができる成膜方法を提供する。
【解決手段】プラスチック基板Ｓの表面に薄膜を形成する方法であって、真空容器１１の内部に形成された成膜プロセス領域２０Ａでチタンターゲット２２ａ，２２ｂのスパッタ物質を基板Ｓに付着させる工程（Ｓ４）と、真空容器１１の内部に成膜プロセス領域２０Ａとは離間して形成された反応プロセス領域６０Ａで酸素ガスを基板Ｓに接触させ、スパッタ物質の組成を変換させる工程（Ｓ５）とを有し、酸素ガスの導入流量と少なくとも同一流量のアルゴンガスを導入するとともに１ｋＷ以下のプラズマ処理電力を供給した状態で、酸素ガスを基板Ｓに接触させる。 （もっと読む）

【課題】より高い平坦性を有する平坦化物が得られる平坦化物の製造方法、平坦化物、及び被処理面の平坦化方法を提供する。
【解決手段】少なくとも基材１を有する平坦化物の製造方法であって、近接場光４ａ，４ｂ，４ｃを用いて被処理面をエッチングする近接場エッチング処理工程を有する平坦化物の製造方法とする。また、平坦化物は、この平坦化物の製造方法で製造される。さらに、被処理面の平坦化方法は、近接場光を用いて被処理面をエッチングすることにより、この被処理面２の最大突起５ａ，５ｂ，５ｃ長（Ｒｍａｘ）を１０ｎｍ以下とする。 （もっと読む）

【課題】吸湿性に優れる吸湿層を有するガスバリア性シート及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基材２と、基材２の上に設けられた吸湿層３と、を有するガスバリア性シート１Ａであって、吸湿層３がアルカリ金属酸化物又はアルカリ土類金属酸化物を含有し、ガスバリア性シート１Ａの表面の最大高低差（Ｒｍａｘ）を１０００ｎｍ以下とすることにより上記課題を解決する。吸湿層３は、室温（２５℃）よりも低い温度で形成する吸湿層形成工程によって形成される。 （もっと読む）