【課題】巻取り走行されるフィルム基材に損傷のないバリア性薄膜を安定に成膜できるようにした巻取り式蒸着装置及び巻取り式蒸着方法並びにバリアフィルムを提供する。
【解決手段】電子ビームにより加熱されて蒸発する蒸発物質を、巻取り走行されるフィルム基材１２に蒸着してガスバリア性の薄膜を形成する巻取り蒸着装置において、成膜ロール１５に正の電位を印加するプラズマ生成用直流電源２６を設け、この直流電源２６から成膜ロール１５に正の電位を印加して、巻出し・巻取り室内２０でフィルム基材１２が成膜ロール１５から剥離された後の当該フィルム基材１２と成膜ロール１５との間にプラズマ２７を発生させる構成にした。 （もっと読む）

【課題】高誘電率ゲート絶縁膜としての使用に適し、高誘電率窒化金属シリケート膜を含んでなる絶縁膜を形成する。
【解決手段】金属原子及びシリコン原子が酸化反応を生じ難い雰囲気中にてスパッタ法によりシリコン基体１０１上に金属及びシリコンからなる膜１０２を堆積する第１の工程と、膜１０２を窒素プラズマを用いて窒化して窒素、金属及びシリコンからなる膜１０３を形成する第２の工程と、膜１０３を酸素プラズマを用いて酸化して窒化金属シリケート膜１０４を形成する第３の工程とを含む。第１の工程の終了から第２の工程の開始までの間、膜１０２を、その酸化反応が生じ難い雰囲気中に保持する。第３の工程により、膜１０４の下のシリコン基体１０１の表層部を酸化してシリコン酸化膜１０５を形成する。金属は、少なくともハフニウム及びジルコニウムのうちのいずれかを含む。 （もっと読む）

【課題】良好な品質を有する微結晶半導体膜を有する半導体装置及び該半導体装置の作製方法を提供することを課題とする。
【解決手段】微結晶半導体膜を用いて形成される薄膜トランジスタにおいて、成膜初期に形成される微結晶半導体膜の品質を向上するため、ゲート絶縁膜最上層に、蛍石型構造を持つイットリア安定化ジルコニア膜を形成する。その上に微結晶半導体膜を堆積させることにより、特に下地との界面付近は下地の結晶性に影響を受け良好な結晶性が得られる。また、微結晶半導体膜を形成する前に、表面プラズマ処理を行い、下地の結晶性に影響されやすい状態で微結晶半導体膜を堆積する。さらに、下地のイットリア安定化ジルコニアと微結晶半導体膜の結晶が一致しやすいように、微結晶半導体膜にゲルマニウムを添加する。 （もっと読む）

本発明は、プラズマ処理により膜の表面を改質するための方法に関し、前記方法は、前記膜に撥水性および不浸透特性を付与しながら、その蒸気浸透性および弾性特性を維持する。この方法は、とりわけ、炭化水素ガス、フルオロカーボンガス、これらの混合物、フルオロカーボン液体、フルオロカーボン固体から選択される前駆体化合物であって、Ｆ／Ｃ比が２未満であるように選択される前駆体化合物のプラズマで膜を処理するステップと、続いて、前のステップからの基材の同じ表面を、Ｆ／Ｃ比が少なくとも２であるように選択されるフルオロカーボンガスのプラズマで処理するステップとを含む。本発明はまた、得られる膜に関する。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、固体潤滑性や非親和性を付加した耐摩耗性硬質皮膜及び皮膜付き物品を提供する。
【解決手段】固体潤滑性や非親和性を有する複合耐摩耗性硬質皮膜及び皮膜付き物品は、Ｃｒ及びＡｌ、Ｓｉ、Ｙ、Ｂから選択される一種以上の元素と、Ｃ、Ｎから選択される一種以上の元素とによって構成される単層または２種類以上の積層化合物皮膜の上に、当該積層化合物皮膜の構成元素であるＣｒ及びＡｌ、Ｓｉ、Ｙ、Ｂから選択される一種以上の元素の酸化物被膜によって構成される。 （もっと読む）

【課題】ＺｎＯ膜の可視域の透過率を低下させることなく、ＺｎＯ膜の抵抗率を低下させるようにする新たな処理（形成方法）を提供する。
【解決手段】基板１０１の上にＺｎＯ膜１０２が形成された後、ターゲットに対するターゲットバイアスの印加を停止した状態で、ＥＣＲプラズマを生成させた状態とし、この状態でシャッターを開け、ＺｎＯ膜１０２にＡｒプラズマ１０３が照射された状態とする。Ａｒプラズマ１０３の照射を所定時間継続し、この後、シャッターを閉じ、プラズマ生成室に対するマイクロ波と磁場との供給を停止してプラズマ生成を停止し、また、ターゲットバイアス印加を停止するなどにより、ＥＣＲスパッタ装置の動作を停止する。 （もっと読む）

【課題】優れた結晶性を有するＩＩＩ族窒化物半導体層を形成できる製造装置を提供する。
【解決手段】基板１１上にＩＩＩ族窒化物半導体層をスパッタ法によって形成するための製造装置であって、チャンバ４１と、チャンバ４１内に配置されたＩＩＩ族元素を含有するターゲット４７と、ターゲット４７をスパッタして原料粒子を基板１１に供給する第１プラズマを発生させる第１プラズマ発生手段５１と、窒素元素を含む第２プラズマを発生させる第２プラズマ発生手段５２と、第１プラズマ発生手段５１と第２プラズマ発生手段５２とを制御して、チャンバ４１内に第１プラズマと第２プラズマとを交互に発生させる制御手段とを備えるＩＩＩ族窒化物半導体層の製造装置とする。 （もっと読む）

【課題】大きな変形を伴う基材の表面に形成した場合においても、剥離及びクラックが発生しにくく且つ耐蝕性が高い炭素質薄膜を実現できるようにする。
【解決手段】炭素質薄膜は、基材の表面に形成され、炭素同士が結合したＣ−Ｃ成分及び炭素とシリコンとが結合したＳｉＣ成分を含む膜本体を備えている。膜本体の表面における酸化シリコン成分の比率は、０．０５以下である。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理を行う場合であっても、半導体ウェハ上へのパーティクルの付着を抑制し得る半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】
不活性ガスより成る第１のガスを反応室内に導入し、プラズマ生成用の高周波電力を印加することにより、第１のガスのプラズマを反応室内に生成し、第１のガスのプラズマが反応室内に存在している状態で、半導体基板を反応室内に搬入する工程と、高周波電力の印加を中断することなく、分子中に水素と窒素とを含む第２のガスを反応室内に導入し、第２のガスのプラズマを半導体基板に照射する工程と、高周波電力の印加を中断することなく、不活性ガスより成る第３のガスを反応室内に導入し、第３のガスのプラズマが反応室内に存在している状態で、半導体基板を反応室内から搬出する工程とを有している。 （もっと読む）

【課題】これまで存在しなかった超高屈折率の酸化ジルコニウムからなる表面層を備えた耐擦傷性物品の製造方法を提供する。さらに、そのような超高屈折率の酸化ジルコニウム層と低屈折率層とからなる反射防止層を備えた耐擦傷性物品の製造方法を提供する。
【解決手段】基板の上に薄層を形成してなる耐擦傷性物品の製造方法であって、前記薄層は単層膜または多層膜からなり、前記単層膜および多層膜は、少なくとも酸化ジルコニウムからなる層を含み、前記酸化ジルコニウムからなる層を、窒素ガス、アルゴンガス、またはこれらの混合ガスを導入しながらイオンアシスト蒸着により前記基板上に形成する。 （もっと読む）

【課題】被膜内部および被膜表面のマクロ粒子を減少させて、被膜の穴、ボイド、ポアの量を低減することで、クレーター摩耗、逃げ面摩耗、フリッティングを低減し、かつ、フリッティングやスポーリングを生じないで厚いＰＶＤ被膜を堆積させることができる、被膜付き切削工具の製造方法を提供する。
【解決手段】基材を用意する工程と、該基材上に陰極アーク蒸発ＰＶＤ堆積法で被膜を堆積させる工程とを含み、該被膜は窒化物、酸化物、硼化物、炭化物、炭窒化物、炭酸窒化物またはこれらの組合せである、被膜付き切削工具を製造する方法において、
上記堆積工程において、該被膜に別個の中間イオンエッチングを１回以上施す。 （もっと読む）

【課題】被着体に対して、高い寸法精度で強固に、かつ低温下で効率よく接合することができる接合膜を備えた接合膜付き基材、かかる接合膜付き基材と被着体とを、低温下で効率よく接合し得る接合方法、および、接合膜付き基材と被着体とが高い寸法精度で強固に接合してなる信頼性の高い接合体を提供すること。
【解決手段】本発明の接合膜付き基材は、基板２と、接合膜３と、これら基板２と接合膜３との間に介挿された中間層７とを有しており、対向基板（他の被着体）４に対して接合可能なものである。この接合膜付き基材が備える接合膜３は、その少なくとも一部の領域にエネルギーを付与することにより、表面３５付近に存在する脱離基が脱離し、これにより接合膜３の表面３５に、対向基板４との接着性が発現し得るものである。 （もっと読む）

【課題】積極的な加熱処理を伴うことなく、低温で、基材に緻密で均質な結晶質の金属酸化物膜を効果的に形成する技術を提供する。
【解決手段】非晶質を含む金属酸化物膜を、温度１８０℃以下にて、高周波電界中で少なくともアルゴンガスあるいは窒素ガスあるいはそれらを含むガスを励起することにより発生する低温高周波プラズマに曝露することにより、結晶性の金属酸化物薄膜を製造する。好ましい結晶性の金属酸化物薄膜としては、理論密度と比較した相対密度が９０％以上であるものが挙げられる。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイスにおける層間絶縁膜の経時変化を抑制し、デバイスの信頼性を向上する。
【解決手段】成膜終了時にモノマー分解生成物が膜表面に付着することを防ぐために気体分子のチャンバー内滞在時間を短くする。また不活性ガスのプラズマにより表面を処理することで表面に付着したモノマー分解生成物を除去する。 （もっと読む）

【課題】高い磁気抵抗変化率(ＭＲ比)と低い層間結合磁界(Ｈｉｎ)を両立するスピンバルブ型巨大磁気抵抗薄膜を製造することができるマルチチャンバ成膜装置を提供する。
【解決手段】第１成膜室１３Ａでの反強磁性層の成膜、プラズマ処理室１４でのプラズマ処理、第１成膜室１３Ａでの磁化固定層の成膜、プラズマ処理室１４でのプラズマ処理、第２成膜室１３Ｂでの非磁性伝導層または酸化物層の成膜の順に基板を移動させる基板搬送ロボットを備えたマルチチャンバ成膜装置とする。 （もっと読む）

【課題】 高い成膜速度と基材上の段差に対して十分なカバレッジ性を有する成膜方法及び装置構成が簡素で低コストな成膜装置を提供する。
【解決手段】 チャンバ内に、その周面に基材を配置することができるように構成された回転可能な回転ドラムと、前記基材に対向して配置されるマグネトロン磁気回路とを備え、前記マグネトロン磁気回路は、前記回転ドラムの接線方向に移動可能に構成されたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】少なくとも有機コーティング材料（ＯＬＥＤ材料）がその上に堆積されたパターニングデバイスの洗浄方法である。
【解決手段】この方法は、パターニングデバイスからコーティング材料をプラズマエッチング処理により除去するための洗浄プラズマを供給する工程を含む。コーティング材料をパターニングデバイスから除去する工程中、パターニングデバイスの温度はパターニングデバイスに損傷を生じさせる臨界温度を超えず、プラズマエッチング速度は少なくとも０．２μｍ／分、特には０．５μｍ／分、特には１μｍ／分、特には２．５μｍ／分、特には５μｍ／分で維持される。パルス洗浄プラズマを発生させるために、パルスエネルギーを供給する。本方法は直接プラズマエッチング法又は遠隔プラズマエッチング法によって実行することが可能である。異なるエッチング法を組み合わせても、連続的に実行してもよい。 （もっと読む）

本発明に係る燃料電池用ステンレス鋼分離板は、ステンレス鋼板と、前記ステンレス鋼板の表面に形成される金属層／金属窒化物層（Ｍ／ＭＮ_ｘ）からなる第１のコーティング層（このとき、０．５≦ｘ≦１である。）と、前記第１のコーティング層上に形成される金属酸窒化物（ＭＯ_ｙＮ_ｚ）層からなる第２のコーティング層とを含む（このとき、０．０５≦ｙ≦２で、０．２５≦ｚ≦１．０である。）。また、前記燃料電池用ステンレス鋼分離板の製造方法も提供される。 （もっと読む）

【課題】凹部を隙間無く充填する。
【解決手段】本発明は基板１１の表面の凹部１２が形成された面に、金属膜１５を形成する成膜工程と、金属膜にエッチングガスのイオンを入射させるエッチング工程とを交互に繰り返す。成膜工程で凹部１２に突き出すように形成されるオーバーハング部１９はエッチング工程で除去されるので、次の成膜工程の時に凹部１２の開口は塞がれておらず、凹部１２内部の金属膜１５を成長させることができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ガスバリア性能を担保しつつ帯電防止性、耐擦傷性、耐候性等に優れた保護フィルムを生産効率よく形成する製造方法およびそのガスバリアフィルムを提供することを目的とする。
【解決手段】前記高分子樹脂基材（１０１）の少なくとも一方の面に、真空蒸着方法を用いてガスバリア層（１０２）を積層するガスバリア層積層工程と、次に、前記ガスバリア層（１０２）上に活性エネルギー線硬化樹脂Ａ層（Ａ）と活性エネルギー線硬化樹脂Ｂ層（Ｂ）と活性エネルギー線硬化樹脂Ｃ層（Ｃ）とを真空蒸着方法を用いて順次積層する活性エネルギー線硬化樹脂層積層工程と、次に、電子線あるいは紫外線を照射し、活性エネルギー線硬化樹脂Ａ層（Ａ）と活性エネルギー線硬化樹脂Ｂ層（Ｂ）と活性エネルギー線硬化樹脂Ｃ層（Ｃ）とを、まとめて架橋する架橋工程と、を有することを特徴とする積層体の製造方法である。 （もっと読む）