【課題】金属、セラミックス等へ充分な付着性と硬度等において立方晶窒化ホウ素本来の特性を示す立方晶窒化ホウ素被覆膜複合材料を提供する。
【解決手段】基体２と、前記基体表面上に形成された周期律表の第４族金属（Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ）、第５族金属（Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ）、前記第４族金属及び第５族金属の窒化物又はホウ化物或いはホウ窒化物の内から選ばれるいずれか１種以上の成分よりなる中間層３と、前記中間層３の表面に被膜した立方晶窒化ホウ素を主成分とする表面膜４とから形成される立方晶窒化ホウ素被覆膜複合材料であって、前記表面膜４の立方晶窒化ホウ素の光学的縦波モードのフォノンによるラマン散乱又は光学的横波モードのフォノンによるラマン散乱のいずれか一方の半値幅が、５０ｃｍ^−１以下のピークを示すか、Ｘ線解折で立方晶窒化ホウ素の特定結晶面の反射ピークの２θの半価巾が特定値である立方晶窒化ホウ素被覆膜複合材料。 （もっと読む）

本発明は、反転して増大する有機感光性光電子デバイスに関する。本発明の反転型有機感光性光電子デバイスは、反射電極、前記反射電極の上の有機ドナー−アクセプターヘテロ接合、および前記ドナー−アクセプターヘテロ接合上の透明電極を含む。 （もっと読む）

パターンが形成された基板上に金属を堆積させる方法および装置を提供する。金属層が，第１のエネルギーを有する物理蒸着工程で形成される。第２のエネルギーを用いて金属層上に第２の物理蒸着工程が行われ、ここで、堆積層は、脆性および塑性表面修正工程の相互作用を受け、基板上にほぼ同形の金属層が形成される。
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【課題】 実用に耐えうる耐摩耗性を備えた撥油性膜を持つ撥油性基材を製造することができる成膜方法を提供する。
【解決手段】 成膜方法は、基板１０１の表面にエネルギーを持つ粒子を照射する第１の照射工程と、前記第１の照射工程後の基板１０１の表面に乾式法を用いて第１の膜１０３を成膜する第１の成膜工程と、第１の膜１０３の表面に撥油性を有する第２の膜１０５を成膜する第２の成膜工程とを、有する。
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【課題】基材シートとゲルマニウム蒸着層との密着性、耐水性に優れるゲルマニウム蒸着シートを提供する。
【解決手段】基材シートにプラズマ処理を行い、前記プラズマ処理面にゲルマニウムの蒸着層を形成する。更に、前記ゲルマニウム蒸着層にプラズマ処理によるプラズマ処理層を形成してもよい。 （もっと読む）

【課題】耐候性に優れるゲルマニウム蒸着層が形成されたゲルマニウム蒸着シートを提供する。
【解決手段】基材シートにゲルマニウムの蒸着層が形成され、かつ前記ゲルマニウム蒸着膜に水素処理による水素処理層が形成されたことを特徴とする。前記水素処理層によって、ゲルマニウム蒸着膜に水素原子が含有されるため、酸化劣化に対する耐性が向上する。 （もっと読む）

【課題】酸素バリア性および水蒸気バリア性に優れた、透明なガスバリア性積層フィルムを提供すること。
【解決手段】透明なプラスチックフィルムからなる基材層１の少なくとも一方の面上に、ガスバリア層２と被膜層３を順次積層してなり、ガスバリア層２は酸化アルミニウムからなり、かつ、膜厚（厚さＸ）が０．００５μｍ以上０．１５μｍ以下であり、被膜層３は、フラッシュ蒸着法を用いて重合可能なアクリル系のモノマーまたはモノマーとオリゴマーとの混合物を成膜し、紫外線または電子線を照射して硬化させてなり、かつ、膜厚（厚さＹ）が０．１μｍ以上２０μｍ以下であり、ガスバリア層２の厚さＸと被膜層３の厚さＹとの関係が、下記式を満たすガスバリア性積層フィルム。０．００２≦ＸＹ≦０．５ （もっと読む）

【課題】 両面積層基板の生産効率を低下させることなく、第１の金属膜の表面と第２の金属膜の表面とがくっつく不具合や、しわが生じる不具合等を防ぐことができる成膜方法を提案する。
【解決手段】 減圧雰囲気下においてロール・ツー・ロールで搬送される有機樹脂フィルムＦの両面に金属膜を成膜する両面積層基板の成膜方法であって、有機樹脂フィルムＦの一方の面に乾式めっき法である成膜手段１３ａ、１３ｂにより第１の金属膜を成膜し、この第１の金属膜の表面に乾式表面処理手段１１により酸化膜を形成した後、有機樹脂フィルムＦの他方の面に乾式めっき法である成膜手段１３ａ、１３ｂにより第２の金属膜を成膜する。 （もっと読む）

【課題】
印刷速度が高く極めて生産性の高い積層フィルムの製造方法を提供する。
【解決手段】
基材フィルムを送出し、真空容器内で前記フィルムの少なくとも片面に塗液を塗布したのち、同一真空容器内で該塗液の塗布面にグロー放電処理を施すことを特徴とする積層フィルムの製造方法。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、低コストで高度なガスバリア性を有するガスバリア性フィルムの製造方法を提供する。
【解決手段】
本発明のガスバリア性フィルムの製造方法は、 高分子フィルムの少なくとも一方の表面に１層以上の無機物からなる蒸着薄膜層を形成する工程と、
次いで、該無機物からなる蒸着薄膜層の上に、ジメチルポリシロキサンを含むポリマーを加熱気化させてなる未硬化のポリマー薄膜層を形成する工程と、
次いで、該ポリマー薄膜層にプラズマを照射してポリマーを硬化させる工程と、を同一真空容器内で行うものである。 （もっと読む）

【課題】撥水性、滑水性、耐久性に優れた薄膜を提供する。
【解決手段】表面粗さ（Ｒａ）が２ｎｍ以下であり、水に対する接触角が３０°以上であり、水滴転落角が４０°以下である。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスター中間体および薄膜トランジスターを提供する。
【解決手段】ｎ⁻アモルファスＳｉ半導体膜４の上に形成されたｎ^＋アモルファスＳｉオーミック膜４´と、ｎ^＋アモルファスＳｉオーミック膜４´の上に形成されたバリア膜１１と、バリア膜１１の上に形成されたドレイン電極膜５およびソース電極膜６を有する薄膜トランジスター中間体であって、ドレイン電極膜およびソース電極膜は、バリア膜１１に接して形成されているＳｒ：０．２〜２モル％、酸素：１〜２０モル％を含有し、残部がＣｕからなる酸素−ストロンチウム含有銅合金下地層１２と、酸素−ストロンチウム含有銅合金下地層１２の上に形成されたＣｕ層１３とからなる複合銅合金膜１４が形成されている薄膜トランジスター中間体、並びにこの薄膜トランジスター中間体をプラズマ水素処理して得られた薄膜トランジスター。 （もっと読む）

【課題】十分な特性を備えたフッ化物材料の薄膜を効率的に基板上に形成することができる成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜装置１は、蒸着処理領域３０Ａ及びプラズマ処理領域６０Ａの各領域間で、基板Ｓを繰り返し移動させる回転ドラム４及び基板保持板４ａと、フッ化物材料を含む蒸着原料の蒸発物を蒸着処理領域３０Ａに導入された基板Ｓに付着させる蒸着手段３０と、反応性ガスのプラズマをプラズマ処理領域６０Ａに導入された基板Ｓに接触させることにより、基板Ｓに付着した蒸着原料の蒸発物を処理するプラズマ処理手段６０とを真空チャンバ２内に少なくとも有する。この成膜装置１を用いて基板Ｓ上にフッ化物材料の薄膜を形成する。
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【課題】ウェハー外周部から剥離した膜がカラーリングに異物として付着することを抑制できるＣＶＤ装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】高密度プラズマＣＶＤ装置は、成膜とエッチングを同時に又は繰り返して行うことで埋め込み性の高い膜をウェハー上に形成する高密度プラズマＣＶＤ装置であり、、ウェハー２１が保持され、ウェハー２１より径の小さい静電チャック２と、静電チャック２の側壁を囲むように設置されたカラーリング１ｂとを具備し、カラーリング１ｂは、静電チャック２の側壁に対向し且つウェハーの外周部の下方に位置する対向部４０ａを有し、対向部４０ａは静電チャックの側壁を囲むように形成されており、対向部４０ａにおける静電チャック２に対して外側は、前記ウェハーの外周部の最も外側の端部より内側に位置していることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】従来よりも小型化が可能で安定した動作が可能であり、下地との密着性に優れた強誘電体膜、強誘電体膜を用いた半導体装置、その製造方法および強誘電体膜を用いた強誘電体デバイスを提供する。
【解決手段】半導体装置７１は基板５５、絶縁体５６、酸化イットリウム膜６６、強誘電体膜（ＳＴＮ膜）５７、上部電極６２を有している。酸化イットリウム膜６６は強誘電体膜（ＳＴＮ膜）５７を結晶化する際に下地となる。酸化イットリウム膜６６は酸素を含み、格子情報が強誘電体膜（ＳＴＮ膜）５７の結晶と近似している。そのため、酸化イットリウム膜６６上にＳＴＮを結晶化すると、酸素欠損がなく、かつ抗電界が２００ｋＶ／ｃｍ以上の強誘電体膜（ＳＴＮ膜）５７が得られる。 （もっと読む）

本発明は、層状構造を備える傾斜バリア膜であって、前記層状構造は、金属酸化物から構成される第１層と、該第１層上に配置される金属窒化物又は金属酸窒化物から構成される第２層と、該第２層上に配置される金属酸化物から構成される第３層と、を備える傾斜バリア膜に関する。本発明は、更に、この傾斜バリア膜を製造するスパッタリング方法、並びにこの傾斜バリア膜でカプセル化された装置に関する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は上記課題を解決するためになされたものであり、高分子フィルムと無機酸化物層との密着性を改善し、さらに、従来よりもガスバリア性の高いガスバリアフィルムを提供することができる積層体の製造方法および製造装置を提供する。
【解決手段】 本発明の積層体の製造方法及び製造装置は、高分子フィルムの片面もしくは両面上に、無機酸化物層を有する積層体の製造方法において、少なくとも、前記無機酸化物層を成膜する成膜工程と、ＲＩＥ（リアクティブイオンエッチング）によるプラズマ処理を施す処理工程と、を有し、前記成膜工程と処理工程とが、同時に施されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＩＩＩ族窒化物半導体の結晶中におけるドーパント元素としてＳｉのドーピング濃度を容易に最適化でき、スパッタ法を用いて効率よく成膜することができると共に、ドーパント元素であるＳｉの活性化率を高めることが可能なＩＩＩ族窒化物半導体の製造方法、及びＩＩＩ族窒化物半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】チャンバ内に基板及びＩＩＩ族元素を含有するターゲットを配置すると共に、プラズマ形成用のガスを前記チャンバ内に導入し、反応性スパッタ法によって前記基板上に、ドーパントとしてＳｉが添加されたＩＩＩ族窒化物半導体層を製造する方法であって、前記プラズマ形成用のガス中に、Ｓｉ水素化物を添加させることを特徴とするＩＩＩ族窒化物半導体層の製造方法。 （もっと読む）

【課題】有機層と無機層の密着性が十分に高くて、バリア性に優れている有機無機積層型の積層体を簡便な方法で提供する。
【解決手段】少なくとも１層の無機層と少なくとも１層の有機層を含む積層体の製造法であって、無機層の表面に、珪素原子またはチタン原子を含む有機カップリング剤を気相分子堆積法によって吸着させる工程と、珪素原子またはチタン原子を含む有機カップリング剤を吸着させた無機層上に有機層を設置する工程を含む積層体の製造方法。 （もっと読む）

【解決手段】放電の外側の原料（２８）を処理するために、約０．１〜２００Ｗ／ｃｍ^３の電極密度で、大面積で温度制御され、安定した放電（２０）を生成可能であり、運転時のガス温度が５０℃未満の、アークを発生させない大気圧プラズマ生成装置（１０）が記載されている。この装置は、例えば、重合（フリーラジカル誘導性又は脱水素重合）、表面清浄及び改質、エッチング、接着促進、並びに殺菌のために用いられるガス状の準安定分子及びラジカルを含む活性化学種を生成する。本発明は、冷却されるＲＦ駆動電極（１２）若しくは冷却されるグランド電極、又は２つの冷却される電極を含み得、プラズマの活性成分がプラズマから外部の、プラズマの電気誘導及びイオン化成分に同時に晒されることがない加工対象物（２８）へ案内される。 （もっと読む）