本発明の薄膜形成装置（１）は、真空容器（１１）内に反応性ガスを導入するガス導入手段と、真空容器（１１）内に反応性ガスのプラズマを発生させるプラズマ発生手段（６１）を備える。プラズマ発生手段（６１）は、誘電体壁（６３）と渦状のアンテナ（６５ａ，６５ｂ）を有して構成されている。アンテナ（６５ａ，６５ｂ）は、高周波電源（６９）に対して並列に接続され、アンテナ（６５ａ，６５ｂ）の渦を成す面に対する垂線に垂直な方向に隣り合った状態で設けられている。
（もっと読む）

【課題】 ナノ狭窄スペーサを有する磁気抵抗（ＭＲ）センサのスピンバルブ内に使用する薄膜の生成方法を提供する。
【解決手段】 スピンバルブのボトムをピン層まで蒸着し、蒸着室を用意し、スペーサ層をその上にスパッタリングする。主イオンビームが磁性チップと絶縁材を含む合成面上にイオンを生成する。同時に、支援イオンビームが基板に直接イオンを供給し、かくしてスペーサ層の柔軟度と平滑度を改善する。中和器もまた配設し、イオン反発を防止し、イオンビーム合焦を改善する。その結果、薄膜スペーサを形成することができ、低保磁力とフリー層とピン層の間の低層間結合とを有するナノ狭窄ＭＲスピンバルブが形成される。 （もっと読む）

本発明は、異なる音響特性インピーダンスを有する、第１材料からなる第１層と第２材料からなる第２層を交互に積層した積層体をもつ薄膜音響積層反射体の製造方法であって、前記第１および第２層のうちの少なくとも一方の層は、反応性直流パルスマグネトロンスパッタリングプロセスによって蒸着される薄膜音響積層反射体の製造方法に関するものである。本発明は、さらに、この方法によって製造される音響積層反射体と、この方法を実施するための装置に関するものである。
（もっと読む）

【課題】 電気的絶縁性物質を成膜する場合にも対応でき、対象とする基材上に充分安定的に成膜することができ、且つ、安定的に、成膜された基材を得ることができる、圧力勾配型イオンプレーティング方法を用いた真空成膜装置、真空成膜装置を提供する。
【解決手段】 成膜室側には、圧力勾配型プラズマガンを有する圧力勾配型ホローカソード型のイオンプレーティング成膜部を備えたもので、圧力勾配型プラズマガンのプラズマビームは、圧力勾配型プラズマガンと蒸着材料設置部とを結ぶ方向に出射され、前記方向に沿い進行して成膜材料に入射するようになっている。 （もっと読む）

【課題】 電気的絶縁性物質を成膜する場合にも対応でき、対象とする基材上に充分安定的に成膜することができ、且つ、安定的に、成膜された基材を得ることができる、圧力勾配型イオンプレーティング方法を用いた真空成膜装置、真空成膜方法を提供する。
【解決手段】 圧力勾配型プラズマガンを有する圧力勾配型ホローカソード型のイオンプレーティング成膜部を備え、該成膜部により、イオンプレーティング法により基材の一面に薄膜を形成する真空成膜装置であって、マグネットを複数個配置して磁場を制御して、成膜する基材表面に接するようにして放電プラズマを閉じ込めた空間を形成するプラズマ閉じ込め部を、成膜する側でない基材背面に備えている。 （もっと読む）

【課題】 透明性に優れ、かつ、高いガスバリア性を有すると共にボイルやレトルト等の高温熱水殺菌処理適性に優れ、バリア性の劣化、層間剥離（デラミ）等の発生がないボイル耐性、レトルト耐性を有する実用性の高いバリア性フィルムおよびそれを使用した積層材を提供することを目的とするものである。
【解決手段】 基材フィルムの一方の面に、その構造中に２以上のヒドロキシル基を有するポリアクリル系またはポリメタクリル系樹脂と硬化剤とを含む樹脂組成物によるアンカ−コ−ト剤層を設け、更に、該アンカ−コ−ト剤層の上に、無機酸化物からなる蒸着層を設け、更にまた、該無機酸化物からなる蒸着層の上に、ガスバリア性組成物によるガスバリア性塗布膜を設けることを特徴とするバリア性フィルムおよびそれを使用した積層材に関するものである。 （もっと読む）

【課題】包装用の、又は電子機器関連部材用の積層体において、透明性に優れ、内容物の確認が可能で、且つ内容物の劣化の原因となる酸素や水蒸気を遮断する高度なガスバリア性に優れた多層蒸着フィルムを提供すること。
【解決手段】プラスチックフィルムの基材の一方の面に、真空成膜されたポリマー層が２層以上積層され、ポリマー層が、互いに異なる成分であり、基材とポリマー層との間に、無機酸化物蒸着層を設け、基材及び無機酸化物蒸着層及びポリマー層上に、プラズマ処理層を形成し、ポリマー層が、無機酸化物蒸着層上、若しくはポリマー層上に、モノマー、オリゴマー、又はそれらの混合物を真空蒸着により重合したポリマーを硬化させた皮膜層を順次積層し、少なくとも１層のモノマーおよびオリゴマーが、１，３，５−トリアジン誘導体であって、プラズマ処理と無機酸化物蒸着とポリマー蒸着が、同一成膜機にて形成する多層蒸着フィルム。 （もっと読む）

【課題】酸素及び水蒸気の透過防止性を有し、しかも透明性に優れたガスバリア性積層フィルムを提供する。
【解決手段】ガスバリア性積層フィルムは、プラスチックフィルムからなる基材フィルム上に、透明な無機酸化物蒸着層を備え、この無機酸化物蒸着層上に、燐酸イオン含有溶液と金属イオン含有溶液を混合してなる、液中に含まれる金属対燐の原子比が１より小さいコーティング液を塗布し、空気中で乾燥固化してなる金属燐酸塩被覆層を備える。 （もっと読む）

【課題】 高いガスバリア性を安定して維持すると共に、特に、水蒸気バリア性を向上させ、かつ、良好な透明性、および、防湿性、耐衝撃性、耐熱水性、密接着性等を備えたバリア性フィルムおよびそれを使用した積層材を提供することを目的とするものである。
【解決手段】 基材フィルムの一方の面に、無機酸化物の蒸着膜と、一般式Ｒ¹ _n Ｍ（ＯＲ² ）_m （ただし、式中、Ｒ¹ 、Ｒ² は、炭素数１〜８の有機基を表し、Ｍは、金属原子を表し、ｎは、０以上の整数を表し、ｍは、１以上の整数を表し、ｎ＋ｍは、Ｍの原子価を表す。）で表される少なくとも１種以上のアルコキシドと、ポリビニルアルコ−ル系樹脂及び／又はエチレン・ビニルアルコ−ル共重合体とを含有し、更に、ゾルゲル法によって重縮合して得られるガスバリア性組成物によるガスバリア性塗布膜と、無機酸化物の蒸着膜とを順次に積層すること特徴とするガスバリア性積層フィルムに関するものである。 （もっと読む）

【課題】 製膜後の透明導電膜について、煩雑な工程を経ることなく、かつ、廃液処理の必要がない簡便な方法で、表面改質処理を行うことができる透明導電膜の製造方法を提供する。また、透明導電膜と異方導電性フィルム接着剤との間で、高い接着強度及び低い接触抵抗を長期間維持することが可能であり、かつ耐久性に優れた透明導電膜を製造する方法を提供する。
【解決手段】 透明基材上に、スパッタリング法により酸化亜鉛を含有する透明導電膜を製膜するステップと、前記透明導電膜の製膜後、反応性イオンエッチング法により前記透明導電膜の表層部を除去するステップと、を含む透明導電膜の製造方法、及びその製造方法により得られた透明導電膜を含む透明導電基板である。上記方法により、透明導電膜の表面改質処理を行うことで、全体として均一な化学組成を有し、かつ、その表面が粗面化された透明導電膜を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】 プラズマ中のある程度の割合のイオンを薄膜に接触させて成膜の形成を行うことができる薄膜形成装置を提供する。
【解決手段】 薄膜形成装置１は、真空槽１１の前記開口１１ａに対応する位置に設けられ真空槽１１内にプラズマを発生させるプラズマ発生手段８０と、真空槽１１内で基体を保持する基体保持手段１３と、プラズマ発生手段８０と基体保持手段１３との間に設けられたイオン消滅手段９０を備える。プラズマ発生手段８０から基板ホルダ１３を臨んだときの、イオン消滅手段９０がプラズマ発生手段８０に対して基体保持手段１３を遮蔽する面積は、プラズマ発生手段８０から基板ホルダ１３を臨む残余の面積よりも狭く構成されている。 （もっと読む）

スパッタチャンバ（７０）及びそれが可能にするマルチステッププロセス。チャンバ軸と同軸な四重電磁石矩形アレー（７２）はチャンバ内のＲＦコイル（４６）の裏側にあることが好ましい。異なる磁場分布を生成するために、例えば、ターゲット材料をウエハ（３２）上にスパッタするためにスパッタターゲット（３８）が給電されるスパッタ堆積モードとＲＦコイルがアルゴンスパッタリングプラズマをサポートするスパッタエッチングモードとの間でコイル電流を個別に制御できる。ターゲット材料のＲＦコイルにおいては、コイルにＤＣバイアスをかけることができ、コイルアレーがマグネトロンとしての機能を果たす。このようなプラズマスパッタチャンバ内で行なわれるマルチステッププロセスは、様々な条件下でのターゲットからのバリア材料のスパッタ堆積と、基板のアルゴンスパッタエッチングとを含んでいてもよい。ターゲット電力及びウエハバイアスの減少を伴うフラッシュステップが適用される。 （もっと読む）

半導体基板上に形成する絶縁膜を高性能化して、リーク電流の少ない電子デバイスを製造する方法を提供する。高誘電材料金属のみを半導体基板上に金属膜として形成し、その金属膜を２５０〜４５０℃に加熱し、その加熱した金属膜に、クリプトンガス（またはキセノンガス）を酸素ガスと混合させ、その混合ガスをプラズマ化したガスを加えることにより、金属膜を酸化して、半導体基板上に絶縁膜を形成するようにしたことを特徴とする。 （もっと読む）

本発明は、少なくとも一つの薄い誘電体層がコートされた基板（１）、例えばガラス基板に関する。本発明によれば、誘電体層はカソード・スパッタリングによって、例えば、磁界によってたすけられる、好ましくは酸素および／または窒素の存在下で反応性であるカソード・スパッタリングによって、イオン源（４）からの少なくとも一つのイオンビーム（３）への曝露と、堆積される。本発明は、イオンビームに曝露された誘電体層がイオン源のパラメータに基づいて調整できる屈折率を有し、前記イオン源が線状源であることを特徴とする。 （もっと読む）

本発明は、少なくとも一つの薄い誘電体層がコートされた基板（１）、例えばガラス基板、に関する。本発明によれば、誘電体層はカソード・スパッタリングによって、例えば、磁界によってたすけられる、好ましくは酸素および／または窒素の存在下で反応性であるカソード・スパッタリングによって、イオン源（４）からの少なくとも一つのイオンビーム（３）への曝露と、堆積される。本発明は、イオンビームに曝露された誘電体層が結晶化することを特徴とする。
（もっと読む）

プラズマを用いて基板を処理するための処理システム（１０）は、両端が開口した円筒型のターゲット（３２）と、中空陰極マグネトロン（ＨＣＭ）を形成する米国特許５，４８２，６１１に開示されたタイプのマグネットアレイ（３４）とを用いて提供される。その円筒型ターゲットの開口端部の１つには、米国特許６，０８０，２８７や６，２８７，４３５に記載されているように誘導結合ＲＦエネルギーソース（４０）が配置される。その円筒型ターゲットの一端の誘電体窓（４１）は、外気と処理システムの間にシールを形成するように作用し、真空空間内に位置する蒸着バッフルシールド（４４）によって蒸着から保護され、チャンバー内にコイルからのＲＦエネルギーの供給を可能にするように設計される。ＲＦソースに対向するその円筒型のターゲットの開口端部（１３）は、真空チャンバー（１１）内の処理空間に面する。
（もっと読む）