【課題】あらかじめ決められた化合物、たとえば蛍光体の薄膜を基板上に成膜する方法。
【解決手段】その化合物は、３元、４元またはより高次の化合物、特に周期表のグループIIAおよびIIBの少なくとも１つの元素のチオアルミン酸塩、チオ没食子酸塩およびチオインデートからなるグループから選ばれた化合物である。実施例において、この方法は、少なくとも１つの硫化物のペレットを第１のソースの上に置き、少なくとも１つの硫化物のペレットを第２のソースの上に置き、１つのペレットに不純物が含まれているものである。基板への蒸着は各々別の電子ビームを使って実施する。硫化物の蒸発率は各々別に遮断された膜率モニタで監視する。基板上に化合物を生成するためにソースの温度を制御する。この方法は、とくにエレクトロルミネセントディスプレイにおいて、ほぼ不透明の基板上に３元または４元の蛍光体を成膜するために使用される。 （もっと読む）

組み合わせ処理チャンバが提供される。組み合わせ処理チャンバは、基板を支持するよう構成された回転可能な基板支持部の動径部分を隔離するよう構成される。一実施例では、チャンバは、複数の一群のプロセスヘッドを有している。一実施例では、基板支持部とプロセスヘッドとの間に配置されたベースプレートを有する挿入物が、蒸着処理のための閉じ込め領域を規定する。ベースプレートは、蒸着材料が基板にアクセスし得る穴部を有している。基板の回転及び穴部の移動を通して、基板の複数の領域が、１つの基板上に組み合わせ処理を実行するためにアクセス可能である。 （もっと読む）

【課題】 高速歯切加工、高速ミーリング加工、高速ドリル加工等の高速切削加工において、すぐれた耐欠損性、耐摩耗性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】 超硬基体、サーメット基体、高速度工具鋼基体等の工具基体表面に、少なくとも、薄層Ａと薄層Ｂの交互積層構造からなる硬質被覆層を形成した表面被覆切削工具において、薄層Ａは、組成式：［Ａｌ_ＸＣｒ_ＹＳｉ_Ｚ］Ｎ（原子比で、０．２≦Ｘ≦０．４５、０．４≦Ｙ≦０．７５、０．０１≦Ｚ≦０．２、Ｘ＋Ｙ＋Ｚ＝１）を満足する（Ａｌ，Ｃｒ，Ｓｉ）Ｎ層、薄層Ｂは［Ａｌ_ＵＴｉ_ＶＳｉ_Ｗ］Ｎ（原子比で、０．０５≦Ｕ≦０．７５、０．１５≦Ｖ≦０．９４、０．０１≦Ｗ≦０．１、Ｕ＋Ｖ＋Ｗ＝１）を満足する（Ａｌ，Ｔｉ，Ｓｉ）Ｎ層、にて構成する。 （もっと読む）

【課題】スパッタリングによる成膜において、基板２の直径ｄと同等又はこれより小さい直径Ｄのターゲット３を用いて、膜厚分布の小さな成膜を可能とする。
【解決手段】回転可能にセットされた基板２と、ターゲット３とを備えたスパッタリング装置において、前記基板２の法線に対する前記ターゲット３の中心軸線Ａのなす角度をθ、前記ターゲット３の中心軸線Ａと前記基板２の表面を含む平面との交点Ｐと基板２の回転軸線Ｂとの距離をＦ、前記交点Ｐと前記ターゲット３の中心との距離をＬとした時に、前記ターゲット３を、以下の条件を満たすと共に、前記基板２の表面を含む平面への前記ターゲット３の投影面が前記基板２の外側となる位置に設けたスパッタリング装置とする。
ｄ≧Ｄ
１５°≦θ≦４５°
５０ｍｍ≦Ｆ≦４００ｍｍ
５０ｍｍ≦Ｌ≦８００ｍｍ （もっと読む）

【課題】基板保持機構の構成を複雑化、大型化させることなく、大型の基板の姿勢を水平な状態と垂直に起立させた状態との間で変えることが可能な真空成膜装置を提供する。
【解決手段】真空成膜装置は、薄膜が形成される基板３を保持する基板ホルダー１２を備え、真空処理室１内に設置された基板保持機構１１を有する。真空成膜装置は、基板保持機構１１の重心またはその近傍を通る水平軸である第１の軸を中心として基板保持機構１１を回転させる回転機構１５をさらに有する。 （もっと読む）

【課題】ウェハを浮かせた状態で支持することにより、ウェハ面内全体を均一な温度分布に制御し、均一な膜厚の良質な結晶膜を成膜させることができる気相成長装置及び気相成長方法を提供する。
【解決手段】チャンバ１０１内でベルヌーイチャックによってウェハ１０２を浮かせた状態で支持するホルダ１０３と、ウェハ１０２表面に結晶膜を成膜するためのプロセスガスを供給するプロセスガス供給部１０４と、成膜後のプロセスガスを含むチャンバ１０１内のガスをチャンバ１０１外へと排気する排気部１０５とを備えることを特徴とする。これにより、ウェハ１０２面内の温度分布を均一に制御でき、結果としてウェハ１０２表面に成膜される結晶膜の膜厚の分布の均一性を高めることができる。 （もっと読む）

【課題】 従来よりも多くの被処理物を１度に処理する。
【解決手段】 この発明に係る表面処理装置１０によれば、各被処理物２８，２８，…をプラズマ領域６４に送り込むための公転ユニット３２に複数のホルダユニット３４，３４，…が取り付けられ、これら複数のホルダユニット３４，３４，…のそれぞれに複数の被処理物２８，２８，…が取り付けられる。これにより、従来よりも多くの被処理物２８，２８，…を１度に設置することができる。そして、公転ユニット３２内の大回転板，それぞれのホルダユニット３４内の小回転板，およびそれぞれの被処理物２８を保持するホルダ４０、の各回転数が適切に設定されることで、各被処理物２８，２８，…に対して均一に表面処理が施されると共に、個々の被処理物２８に対してもその表面全体にわたって均一に表面処理が施される。 （もっと読む）

【課題】 難削材の重切削加工等で硬質被覆層がすぐれた耐摩耗性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】炭化タングステン基超硬合金または炭窒化チタン系サーメットからなる超硬基体の表面に、（ａ）組成式：（Ｔｉ_１−Ｘ Ａｌ_Ｘ ）Ｎ（ただし、原子比で、Ｘは０．３０〜０．７０を示す）を満足する（Ｔｉ，Ａｌ）Ｎ層からなる下部層、（ｂ）ＣｒＮ層からなる中間層、（ｃ）クロム酸化物層と、マンガン酸化物層またはニオブ酸化物層との交互積層構造として構成される上部層、以上（ａ）〜（ｃ）で構成された硬質被覆層を形成する。 （もっと読む）

【課題】 高硬度材の高速高送り切削加工等で硬質被覆層がすぐれた耐摩耗性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】炭化タングステン基超硬合金または炭窒化チタン系サーメットからなる超硬基体の表面に、（ａ）組成式：（Ｔｉ_１−Ｘ Ａｌ_Ｘ ）Ｎ（ただし、原子比で、Ｘは０．３０〜０．７０を示す）を満足する（Ｔｉ，Ａｌ）Ｎ層からなる下部層、（ｂ）ＣｒＮ層からなる中間層、（ｃ）クロム酸化物層と、モリブデン酸化物層またはタングステン酸化物層との交互積層構造として構成される上部層、以上（ａ）〜（ｃ）で構成された硬質被覆層を形成する。 （もっと読む）

ここに開示している方法は、非平面的形状の表面に材料を成膜する方法である。この方法は、処理チャンバの搬送経路に沿って非平面的形状サブストレートを搬送しているときに、その非平面的形状サブストレートを回転させることにより達成される。従って、非平面的形状サブストレートは回転させられると同時に処理チャンバの中を搬送され、その回転によって、非平面的形状サブストレートの表面領域の全体に成膜が行われるようにすることも、その表面領域のうちの成膜処理を施そうとする任意の目標領域に成膜が行われるようにすることも可能であり、また必要とされる均一な成膜が行われるようにすることができる。或いはまた、非平面的形状サブストレートの表面領域のうちの所定パターンを成す領域に成膜が行われるようにすることもできる。この方法を実施することによって、様々な非平面的形状の半導体デバイスを製造することができ、製造可能な非平面的形状の半導体デバイスには例えば、非平面的形状の発光ダイオードや、非平面的形状の光電池などがあり、またそれらだけに限定されず更にその他の非平面的形状の半導体デバイスも製造可能である。 （もっと読む）

【課題】複雑な外形を有する加工物の全面に所望通りに被覆材料を付着させる装置を提供する。
【解決手段】加工物に真空めっきを施す装置１０は、被覆材料を内包し、高温かつ準大気圧で作用しうるめっきチャンバと；めっきチャンバ内および被覆材料上に電子ビームを照射し、被覆材料を溶解させ溶融被覆材料を気化させるよう作用しうる電子ビーム銃と；めっきチャンバ１４内における加工物１２の支持および操作を行う機構３４とを含む。支持機構３４は、加工物を保持する結合装置５８と；加工物の全方向の移動を可能にする継手と；結合装置５８と継手とを接続する中間部材と；加工物を所定の垂直面６６内において移動させる装置とをさらに含む。支持機構３４は、中間部材に接続し加工物を所定の水平面において移動させる装置９２を含みうる。 （もっと読む）

【課題】超伝導テープを製造するための全工程を同一環境の下で行うことが可能であって、製造コストと製造時間が短縮され、同一の蒸着条件が超伝導テープ全体に適用されることにより超伝導テープの均一性が向上して性能が優れるし、ドラムによる大面積の基板上への蒸着が可能であって蒸着効率および高品質の超伝導テープが得られる、一貫工程による超伝導テープ製造方法および装置の提供。
【解決手段】反応チャンバの内部で、ドラムに巻かれた基板を熱処理させ、蒸着チャンバから供給された超伝導テープを含む緩衝層、超伝導層、接触抵抗低減層、保護層を成す成分を前記基板上に連続的に蒸着させ、熱処理させることを特徴とする、一貫工程による超伝導テープ製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、搬送されてきた基板ホルダーを移動させることなく、基板を受け取り、その場で基板を回転することが可能な基板支持回転装置及び基板支持機構を提供することを目的とする。
【解決手段】中空の円柱状部材と、その中空部に第１のバネにより軸方向の一方に付勢して取り付けられ、一端部にテーパー部が形成された中心軸と、円柱状部材の一端面に設けられた径方向に移動する複数の移動部材であって、その外周側には基板の内周端面を支持するツメが設けられ、第２のバネにより中心軸方向に付勢された径方向移動部材と、からなり、中心軸の軸方向運動を径方向移動部材の径方向運動に変換して基板の支持、解放を行う基板支持機構を用いることを特徴とし、さらに、基板支持機構を軸方向移動及び回転させる機構及び中心軸を軸方向に移動させる機構を設けたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高速切削加工で硬質被覆層がすぐれた耐摩耗性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】炭化タングステン基超硬合金または炭窒化チタン基サーメットからなる工具基体の表面に、１〜５μｍの平均層厚を有し、かつ、層厚方向にそって、Ａｌ−Ｔｉ−Ｓｉ最高含有点とＷ−Ｃ最高含有点とが所定間隔をおいて交互に繰り返し存在する組成変化（Ａｌ，Ｔｉ，Ｓｉ，Ｗ，Ｃ）Ｎ層を被覆した表面被覆切削工具において、Ａｌ−Ｔｉ−Ｓｉ最高含有点におけるＡｌ、Ｔｉ、Ｓｉ、Ｗ、Ｃの含有割合は、それぞれ、０．３〜０．５、０．１〜０．２５、０．０５〜０．１、０．０５〜０．３、０．０５〜０．３であり、また、Ｗ−Ｃ最高含有点におけるＡｌ、Ｔｉ、Ｓｉ、Ｗ、Ｃの含有割合は、それぞれ、０．０５〜０．２５、０．０３〜０．０８、０．０１〜０．０４、０．３５〜０．５、０．３５〜０．５である。 （もっと読む）

【課題】ガスタービンエンジン用のタービン動翼又は静翼等の物品を修復又は再生するシステム及び方法を提供する。
【解決手段】該システムは、堆積チャンバ１０２内で動作可能に位置決めされた第一の陰極１０４及び第二の陰極１０６を含む。第一の陰極１０４は、残存基板の材料と実質的に同じ組成の第一の堆積材料を含む。第二の陰極１０６は、修復／再生した部品上に環境皮膜を形成し得る第二の堆積材料を含む。第一及び第二の陰極は、堆積チャンバ内の真空条件を遮ることなく、連続的に動作させ得る。物品を修復又は再生する方法は、残存基板上に第一の堆積材料の層を堆積させるために第一の陰極１０４を利用する段階と、その後、環境皮膜を付与するために第二の陰極を利用する段階と含む。両堆積では、堆積間に真空条件を中断させることなく、共通の堆積チャンバ１０２を利用する。 （もっと読む）

【課題】高精度のパターン形成を可能にする有機ＴＦＴ製造用蒸着用マスクを提供する。
【解決手段】本発明の有機ＴＦＴ製造用蒸着用マスクは、有機ＴＦＴの、ソース及びドレイン電極と、有機半導体層と、ゲート電極のうちの少なくとも１つのパターンの形成を蒸着によって行う際に用いられる有機ＴＦＴ製造用蒸着用マスクであって、前記蒸着用マスクは、被蒸着基板側に向いた第１表面と、蒸着源側に向いた第２表面とを有し、第１表面は、前記パターンを形成するための少なくとも１つの開口部を有する第１開口窓を有し、第２表面は、第１開口窓の全ての開口部を囲む最短の外郭線からなる形状と実質的に同一形状の第２開口窓を有し、第１表面と第２表面との間の距離Ｄと、第２開口窓のチャネル長方向の開口幅Ｈは、Ｄ＞Ｈの関係であることを特徴とする。 （もっと読む）

本発明は、真空室内における真空下での材料の蒸着を包含する、触媒活性材料による基材の一面的または多面的なコーティング法に関し、その際、以下の工程：（ａ）真空室に少なくとも１つの基材を装入する工程、（ｂ）真空室を密閉および排気する工程、（ｃ）真空室内にガス状還元剤を導入することによって基材を洗浄する工程、（ｄ）基材表面上への蒸気状成分の蒸着によって基材表面積を増大する工程、（ｅ）プラズマコーティング法（ＰＶＤ法）、物理的気相蒸着法、スパッタリング法などの群から選び取られたコーティング法によってコーティングし、その際、１つ以上の金属および／またはアルカリ金属および／またはアルカリ土類金属またはそれらの酸化物を基材の表面上に施与する工程を行う。この方法は、例えば、塩素−アルカリ電気分解に際して使用される電極のコーティングに利用され得る。 （もっと読む）

【課題】 従来よりも大型の被処理物に対応することができ、そのような被処理物に対しても期待通りの表面処理を施すことができる。
【解決手段】 この発明に係る表面処理装置は、熱電子を放出する直線状のフィラメント４０と、当該熱電子を加速させて気体粒子に衝突させることによってプラズマを発生させるアノード４２と、を備えている。このうち、フィラメント４０は、積極的に加熱されるために、熱膨張を生じる。しかし、フィラメント４０には、その一端を支持する可動式支持部２００（張力付与機構２１０）によって張力が付与されているので、当該フィラメント４０は熱膨張しても、変形しない。従って、このフィラメント４０とアノード４２との間に発生するプラズマは、安定化される。また、フィラメント４０の長さ寸法を適宜設定することで、様々な寸法の被処理物に柔軟に対応することができる。 （もっと読む）

【課題】多孔質材などの多孔質材に被膜をコーティングする場合であっても、簡易的に被膜のコンタミネーションの付着を低減することができるコーティング装置を提供する。
【解決手段】多孔質材ＰＷの処理表面にターゲットＴを対向して配置し、少なくとも多孔質材ＰＷを印加してターゲットＴの粒子を多孔質材ＰＷの処理表面にコーティングするためのコーティング装置１であって、コーティング装置１は、多孔質材ＰＷを介してターゲットＴと対向する位置に少なくともイオン及び前記粒子の通過を遮蔽する遮蔽部材１５を備えており、該遮蔽部材は接地されている。 （もっと読む）

【課題】筒状の基材の内周面に蒸着源を均一に蒸着させる。
【解決手段】真空蒸着装置１０は、真空チャンバーを備え、真空チャンバー内部に円筒形の基材２０を配置する。基材２０の内周側にはさらに真空ボート１１を配置する。真空ボート１１の上面１２には凹陥部１３を設ける。凹陥部１３内部には蒸着源１４を充填する。基材２０は軸Ｘを中心に回転すると共に、真空ボート１１は軸Ｘ方向に沿って往復移動する。この状態で、蒸着ボート１１を加熱し蒸着源１４を気化させ、基材２０の内周面２１に蒸着源１４を蒸着させる。 （もっと読む）