【課題】スパッタ装置を大気に解放してメンテナンスを行う必要性を少なくするとともに、成膜プロセスを安定化させる。
【解決手段】減圧した成膜室１０にスパッタリングガス（Ａｒ）および反応性ガス（Ｏ₂ ）を導入し、反応性スパッタリングによって基板Ｗに成膜を行うスパッタ装置において、まず、スパッタリングガスのみを用いたメタルモード放電を行う。これによって、成膜室１０の内壁面やシャッター３１の閉口部に金属薄膜を被着させながら投入パワーを徐々に増大させて、成膜時の誘電体モードに移行させる。成膜室１０内にアノードとなる金属面を確保して成膜条件を安定させることで、設計値に極めて近い光学特性を有する誘電体薄膜を成膜することができる。 （もっと読む）

【課題】 被コーティング部品が微細な場合に、被コーティング部品を筒体内に均一に分布するように投入でき、取り出すときに被コーティング部品が飛散しにくい構造の蒸着コーティング装置用バレルを提供する。
【解決手段】 被コーティング部品を収納する筒体とこの筒体を回動させる回転軸とを備え、前記回転軸を中心とする略円周上に、その長手方向を前記回転軸と平行な方向としている複数の筒体を配設しているバレルであって、前記筒体に被コーティング部品を収納し、真空状態とした蒸着槽内で、前記筒体を回動させながら、前記被コーティング部品の表面に、コーティング皮膜形成用の原料物質を蒸着させると共に、これを重合させてコーティング皮膜を形成する蒸着コーティング装置に使用するバレルにおいて、分離可能である複数個の小型筒体の組み合わせで形成している蒸着コーティング装置用バレルとした。 （もっと読む）

本発明は、カーボンの基材上に耐摩耗層を備えた基材をコーティングするための、下記ステップｉ）カーボンに対する親和性を有する物質を含む基材を準備し、ｉｉ）該基材の表面を洗浄し、ｉｉｉ）該基材上に金属含有層を堆積し、ｉｖ）該コーティングされた表面にイオン衝撃を加え、ｖ）表面上にカーボン層を堆積する、を備えたプロセスに関する。さらに、本発明は、基材表面上にダイヤモンドライクカーボンコーティングを備えた基材、および該発明を実施するための装置に関する。
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本発明は、少なくとも一の物品上に材料のスパッタ蒸着をしコーティングを形成することを可能にするために用いられる装置と方法の提供に関するものである。
ここで記載された新しいマグネトロンの形状により、より高い電力において、かつ形成されたコーティングへの損傷を与えることなく、得られるスパッタ蒸着速度を上げることが可能となる。
これは、冷却を向上し、当該マグネトロン内に比較的強い磁場を使用し、同時に電圧より速い速度で電流を上げることによりマグネトロンへの電力を上げることによって達成される。 （もっと読む）

【課題】表面粗度が大きい金属基材に対しても適用可能であり、優れた撥水性を有し、加熱されてもその優れた撥水性を維持することができる皮膜構造及びその形成方法を提供すること。
【解決手段】皮膜構造１は、金属基材１０の表面にフッ素を含有してなるフッ素系皮膜１２を有する。金属基材１０上には、金属基材１０の表面を平滑化するための表面平滑化層１１が形成されており、表面平滑化層１１上には、フッ素系皮膜１２が形成されている。表面平滑化層１１は、ＮｉＰ中にＰＴＦＥ粒子が分散されてなるＮｉＰ／ＰＴＦＥ複合めっき皮膜である。 （もっと読む）

【課題】製品の表面を外側にして公転回転させ、その公転回転の円軌跡より外方位置に成膜材料を置いて製品の表面に金属被膜を形成する方法において、表面に凹凸を有する製品に対して、製品の表面に形成される被膜の膜厚を制御する。
【解決手段】成膜材料１２が置かれた位置を通過する製品１０の公転速度を、製品１０の径方向の高さに応じて変化させる。あるいは、製品１０の成膜材料１２に対する角度を変化させ、成膜材料１２に対する角度を変化させた状態に応じて製品１０が成膜材料１２の置かれた位置を通過する時間を変化させる。 （もっと読む）

【課題】耐熱性の低いプラスチック樹脂からなる基板に対して、低い反応温度で、かつ高い成膜レートで有色基材を製造可能な有色基材の製造方法を提供する。
【解決手段】真空容器１１内の成膜プロセス領域２０Ａ内でターゲット２２ａ，２２ｂをスパッタしてプラスチック樹脂からなる基板Ｓの表面に膜原料物質を付着させ、成膜プロセス領域２０Ａとは離間した位置に形成された反応プロセス領域６０Ａ内に基板Ｓを搬送し、反応プロセス領域６０Ａ内に反応性ガスを導入して反応性ガスのプラズマを発生させることで膜原料物質の窒化物を生成させる。成膜プロセス領域２０Ａと反応プロセス領域６０Ａが離間した位置に形成されているため、ターゲット２２ａ，２２ｂの窒化による異常放電が生じにくく、基板Ｓの温度を上昇させなくてもプラズマ処理による窒化反応を促進することができるため、耐熱性の低いプラスチック樹脂材料に対しても成膜できる。 （もっと読む）

【課題】大型基板に膜厚均一な薄膜を形成する。
【解決手段】本発明の成膜装置１は主ターゲット２１と、主ターゲット２１よりも小径の補助ターゲット２２とを有しており、補助ターゲット２２の中心軸線（副中心軸線）ｂは主ターゲット２１の中心軸線（主中心軸線）ａよりも、成膜面１２の回転中心ｄから離れた位置で成膜面１２と交差する。主ターゲット２１からのスパッタ粒子で成膜される薄膜３３は成膜面１２の中央で厚く、縁部分で薄くなるようになっており、該薄膜３３の薄い部分には補助ターゲット２２からのスパッタ粒子が多く到達する。従って、成膜面１２の回転中心ｄから外周まで膜厚均一な薄膜が形成される。 （もっと読む）

【課題】ドリルビットの高い摩耗率による問題を克服、或いは少なくとも緩和する。
【解決手段】長軸を有する円筒形の本体を含むツールビット。器具係合端は円筒形本体を長軸の周囲で回転させることのできる器具との係合を目的として本体の一端上に提供される。工作端は本体の器具係合端と対側の末端上に提供される。工作端は提供されたプラズマ蒸着金属カーバイド被膜層で被膜される。使用時には、ＰＣＧ基板に穴を穿孔するために被膜された工作端が使用される。 （もっと読む）

【課題】蒸発源と基板との間の距離を大きくすることなく、基板面内における蒸着物質の蒸着角度の均一化を図る。
【解決手段】本発明では、スリット２２ａを有するスリット板２２の移動制御と、基板支持台１７の回転角度制御による蒸着物質の入射角制御とを同時に行うことによって、基板Ｗ面内における蒸着角度の均一化を図る。すなわち、スリット板２２が基板Ｗ上の被蒸着領域を画定し、この画定された被蒸着領域に対する蒸着物質の入射角を基板Ｗの回転角度で制御することによって、基板Ｗ面内において蒸着物質の入射角の一様化を図り、蒸着角度の均一化を図る。好適には、基板Ｗ表面に対する蒸着物質の入射角の制御を、スリット板２２の移動位置に対応して行う。基板Ｗの回転角度とスリット板２２の位置とを互いに関連させることによって、蒸着角度の均一化を効率よく行うことができる。 （もっと読む）

本発明は蒸着法により、コンプレッサーとタービン部品に使用される構成部品（１８）上にセラミック断熱層コーティング（１０）を形成する方法に関し、この方法はａ）構成部品（１８）上に蒸着させるためのセラミック蒸気を準備するステップと、ｂ）構成部品（１８）上にセラミック蒸気を蒸着させて、柱（１２）が実質的に構成部品の表面（１６）に垂直であるよう方向づけられた柱状構造を持つ断熱層コーティングを形成するステップと、ｃ）得られる断熱層コーティングが、その径（ｄ、Ｄ）が交互に増加、減少している柱（１２）からなるよう、前記ステップｂ）を実行する際、少なくとも一つの方法パラメーターを変化させるステップとから成る。本発明は又、コンプレッサーとタービン部品に使用される構成部品（１８）のための断熱層コーティングに関し、この断熱層コーティング（１０）は柱状構造と構成部品の表面（１６）に実質的に垂直に方向づけられた柱（１２）を有するセラミック断熱層コーティングからなる。本発明によれば、柱（１２）は交互に増加、減少する径（ｄ、Ｄ）を持つ。 （もっと読む）

【課題】 一軸式の機構でサセプタからウェーハを持ち上げることができ、ウェーハ移送手段のチャック方式としてベルヌーイ方式でないものを採用することができるウェーハの処理装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 少なくとも、チャンバと、サセプタと、該サセプタを回転上下動自在に支持するサセプタ支持手段とを具備し、前記サセプタには貫通孔が形成されており、該貫通孔を閉塞する蓋体を有し、該サセプタ支持手段が前記サセプタを解放したときに前記サセプタを保持する台座を有し、前記ウェーハを処理する場合は、前記ウェーハを載置したサセプタを前記サセプタ支持手段で保持し、前記ウェーハを前記チャンバ内に出し入れする場合は前記台座に前記サセプタを保持し、前記サセプタ支持手段が前記貫通孔を介して下から前記蓋体を押し上げることで前記ウェーハを前記サセプタから持ち上げることができるものであるウェーハの処理装置。 （もっと読む）

例えば黒鉛状あるいはアモルファス炭素（すなわちａ−Ｃ）などの非ダイヤモンド状炭素とダイヤモンド状炭素（ＤＬＣ）との両方を含む様々な自己支持多層炭素フィルムが開示される。例えばアモルファス炭素の２つの層の間に挟まれた単一のＤＬＣ層を含む３層構造を含む最終製品において望まれる性質の特定の組み合わせに応じて、広範囲の多層構造が構成されてもよい。十分平坦な堆積面を含む適切な基板を用意する工程と、離型剤あるいは剥離剤を堆積面に塗布する工程と、複合炭素フィルムを形成するためにアモルファス炭素層とＤＬＣ炭素層との両方を含む複数の炭素層を堆積する工程と、複合炭素フィルムを基板から取り外す工程とを含む複合多層フィルムの製造方法の実施形態も開示される。
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【課題】蒸発の起動停止および蒸発量を容易に調整できる。
【解決手段】蒸発容器２１内で材料収納部２０Ａに収容された材料を加熱溶融する第１加熱装置２２と、下部を溶融材料Ａに浸漬させて外周部材２３ａに同伴させ上方に搬送する円筒状の搬送ドラム２３と、搬送ドラム２３に同伴させて蒸発部２０Ｂに搬送された溶融材料Ａを加熱して蒸発させる第２加熱装置２４と、第２加熱装置２４の加熱温度を制御する蒸発制御装置とを具備した。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング又は蒸着により粒子表面に薄膜を均一にコーティングすることができる方法及びこの方法に用いる装置を提供する。
【解決手段】粒子Ｐに被覆材料をスパッタする又は蒸着させることにより粒子Ｐ表面に薄膜をコーティングする方法であって、粒子容器３に粒子Ｐを収容し、圧電素子式振動発生器４により粒子容器３を上下に微動させて粒子容器３を介して粒子Ｐを振動させながら粒子Ｐに被覆材料をスパッタする又は蒸着させる方法。 （もっと読む）

メタン／水素混合物を含むガス状の混合物（任意に窒素、酸素およびキセノン添加を共に含んでいてもよい）を用いて、部分的な真空中でマイクロ波プラズマ化学蒸着（ＣＶＤ）プロセスを用いて単結晶ダイヤモンド成長を形成するための材料および方法が提供される。このような単結晶サブストレートは、真空誘導溶解プロセスを用いて、改変された方向性凝固法で、純ニッケル、または、コバルト、鉄またはそれらの組み合わせを含むニッケル合金のうち少なくとも１種で開始して形成することができる。このような単結晶サブストレートの表面は、電子ビーム蒸着装置を用いて、純イリジウム、または、イリジウムと、鉄、コバルト、ニッケル、モリブデン、レニウムおよびそれらの組み合わせからなる群より選択される成分との合金でコーティングされる。このような合金でコーティングされた単結晶サブストレートは、マイクロ波プラズマＣＶＤ反応器中に入れられ、メタン、水素およびその他の任意のガスのガス状の混合物の存在下で、マイナス１００〜４００ボルトのバイアス電圧を用いてバイアス印加による核形成処理される間、そのコーティングされた表面上での大型の単結晶ダイヤモンドの成長を支持する。
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【課題】ガスフロースパッタリング法によって多数の基材に効率よく成膜することができる成膜方法及び装置を提供する。
【解決手段】スパッタリングにより薄膜を形成すべき基材（例えば光学レンズや、ディスプレイ用透明基板など）をドラム２の外周面に取り付け、チャンバ１内を所定の真空度に減圧し、ドラム２を回転させながら成膜部４を作動させる。これにより、基材の表面にガスフロースパッタリング法により薄膜が形成される。 （もっと読む）

【課題】
ターゲット材料の使用効率を良くできると共に形成される膜の均一性に優れた成膜方法及び装置を提供する。
【解決手段】
本発明による成膜装置では、ターゲットが基板のサイズより小さく、基板に対して放電限界位置まで近づけて配置し、基板を自転させかつターゲットに対する距離を変える基板駆動装置を設け、カソード電極を基板の表面に平行に移動させるカソード電極移動装置を設け、ターゲットと基板との距離に応じてスパッタガスの圧力を調整するスパッタガス調整装置をガス導入系に設ける。また、本発明による成膜方法では、上記の成膜装置を用いて、成膜すべき基板のサイズより小さいターゲットを、基板に対して放電限界位置まで近づけて位置決めし、基板を自転させかつターゲットに対する距離を変えしかもターゲットを基板の表面に平行に移動させ、ターゲットと基板との距離に応じてスパッタガスの圧力を調整しながら成膜を行う。 （もっと読む）

【課題】非磁性部分またはギャップ部分によって互いに分離された一連の同心の磁気トラック部分を有する、データ記録で使用される磁気媒体を提供する。
【解決手段】磁気ディスク２０２は、隣接トラック干渉および隣接トラック書込みを回避する、新規な磁性表面２０４を有する。ディスク２０２は、より薄い非磁性ギャップ４０４によって分離された磁気トラック部分４０２を有する。トラック部分４０２は、したがって、トラック幅（ＴＷ）を規定する幅を有する。磁性部分の幅は、ディスクドライブシステムのトラック幅を規定してもよい。磁性部分４０４は、ＮｉＦｅ、ＣｏＦｅなどの材料を包含する。非磁性部分は、アルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）、Ｓｉ_３Ｎ_４、Ｓｉ（ＯＮ）_Ｘなどの材料を包含するか、または単に、部分４０４の磁性材料がトラック部分４０２に対して窪んでいるエアギャップであってもよい。 （もっと読む）

【課題】装置の大型化及びコストの増加を招くことなく、真空紫外領域での吸収が小さい薄膜を成膜することができる成膜装置を提供する。
【解決手段】スパッタリング法を用いて基板に膜を成膜する成膜装置であって、前記基板に前記基板の外径よりも小さいビーム径を有するレーザー光を照射する照射手段と、前記レーザー光を前記基板の全面に走査させる走査手段とを有することを特徴とする成膜装置を提供する。 （もっと読む）