【課題】不純物が混入しない酸化物半導体を用いた半導体素子の作製に用いる連続成膜装置を提供することを課題とする。
【解決手段】１０^−６Ｐａ以下に真空排気する手段と接続するロードロック室と、基板を加熱する第１の加熱手段が設けられた基板保持部と、少なくとも基板保持部周辺の壁面を加熱する第２の加熱手段と、スパッタリング用ターゲットを固定するターゲット保持部とが備えられ、それぞれが１０^−８Ｐａ以下に真空排気する手段と接続する複数の成膜室と、１０^−８Ｐａ以下に真空排気する手段と接続する加熱室と、ロードロック室、加熱室、及び成膜室のそれぞれとゲートバルブを介して連結され、１０^−６Ｐａ以下に真空排気する手段と接続する搬送室とを少なくとも有し、ロードロック室、加熱室、成膜室及び搬送室のそれぞれと接続する真空排気する手段は、吸着型のポンプである成膜装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】膜中にマクロパーティクル等の混入のない、平滑で、密着性が高い薄膜を生成することができ、低コストでかつメンテナンス性も優れた装置を提供することを目的とする。
【解決手段】真空アーク放電によって陰極を蒸発させて陰極物質を含むプラズマを生成する真空アーク蒸発源と、基体を収容され真空排気される真空室と、外部に磁場形成手段を有する湾曲状プラズマ輸送管とを備えた薄膜形成装置において、前記プラズマ輸送手段の内壁に、多孔質部材と針金状芯材とから構成されるパーティクル除去手段を配設したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板を回転させる機構のコスト低減に寄与する基板回転装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る基板回転装置３０は、センタ孔を有する基板を回転させ、キャリア１０に支持された基板９の支持位置を変化させるものであり、駆動源に連結されて進退動及び上下動可能なシャフト３４の端部側に取り付けられ、シャフト３４の進退動に伴って基板９のセンタ孔に挿入することができるピック３２が、センタ孔の内側上部に第１の支持部４３と第２の支持部４１の２箇所で接することができるように構成されており、第２の支持部４１は、第１の支持部４３よりもセンタ孔中心の直上位置から離れた位置に接するとともに第１の支持部４３に対して弾性的に屈曲可能に接続されている。 （もっと読む）

【課題】雨および砂の浸蝕の全期間で耐えることができ、必要な波長帯において透過性であり、かつ高速航空機における使用に耐えうる、２０μｍを超える厚いアルミナコーティングを硫化亜鉛およびセレン化亜鉛物品上に堆積させる方法を提供する。
【解決手段】ａ）硫化亜鉛またはセレン化亜鉛を含む物品を提供し；並びに、ｂ）マイクロ波アシストマグネトロンスパッタリングによって、２０μｍを超える厚みのアルミナの層を硫化亜鉛またはセレン化亜鉛上に、６０Å／分以上の堆積速度で堆積させる；ことを含む方法。 （もっと読む）

【課題】被覆切削工具の提供。
【解決手段】本発明は、基材及びPVD被覆を含む被覆切削工具に関係し、PVD被覆は最外領域Cを含み、最外領域CはSi、及びAl, Y及び周期表の4, 5または 6族から選択される少なくとも二つの追加元素の窒化物, 炭化物 または ホウ化物またはそれらの混合物であり,及び領域CはSi平均含有率の組成勾配がない。領域Cは薄板状の, 非周期の, 多層構造を有し、お互いに異なる組成を有する個々の層X 及び Yを交互に入れ替えている。この被覆は、基材に最も近い領域A,中間領域 Bをさらに含み、ここで:
-領域Aには本質的にSiが無く,
-領域 BはSi平均含有率の組成勾配を含み,ここでSi平均含有率は領域Cに向かって増加していく。
本発明はまた上記の被覆切削工具を製造する方法にも関係する。 （もっと読む）

【課題】低スパッタリング圧力にすることなく、簡便に平坦性の高い膜が得られるスパッタリング膜の成膜方法を提供すること。
【解決手段】本発明のスパッタリング膜の成膜方法は、基材上へのスパッタリング膜の成膜方法であって、スパッタリングターゲットのエロージョン位置における前記スパッタリング表面に対して垂直な方向の磁場強度（単位；ガウス［Ｇ］）が下記関係式（１）を満足することを特徴とする。
磁場強度［Ｇ］≧スパッタリングターゲット表面の面積［ｃｍ^２]×１４…式（１） （もっと読む）

【課題】ターゲットの角度を調整可能な基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、イオンを発生させるイオン源と、該イオン源が発射したイオンビームが照射されるターゲットと、該ターゲットを保持するターゲットホルダと、前記ターゲットからはじき出されたターゲット成分粒子が堆積する位置で基板を保持する基板ホルダと、前記ターゲットの前記イオンビームに対する角度を調整する角度調整部と、を有している。ターゲットホルダに保持されたターゲットの角度を角度調整部により調整し、イオン源が発射したイオンビームを前記ターゲットに照射させて前記ターゲットからはじき出されたターゲット成分を基板ホルダに保持された基板に堆積させる。 （もっと読む）

【課題】真空成膜装置のチャンバ内を真空に保ったままでワークの表裏両面に交互に繰り返し成膜することができるワーク反転ユニットを提案するものである。
【解決手段】真空成膜装置の中で回転するドームに複数のワーク反転ユニット３０が装着される。ドームは減速ギヤ装置とモータとによって回転され、急激な加速と減速とが可能である。ドームの下部位置には成膜物質を飛翔させる成膜物質発生源が配置される。ワークホルダ３２には成膜物質が堆積されるガラス板３１が固定される。ワーク反転ユニット３０は、ワークホルダ３２を回転自在に軸支するとともにワークホルダ３２とギヤ連結されたウエイト４１を備える。ウエイト４１はドームが急激に加速又は減速されたときに自身の慣性力で移動する。ワークホルダ３２は、ウエイト４１の移動によって回転し支持枠３５に形成された２つのストッパによって１８０°異なる姿勢に保持される。 （もっと読む）

【課題】耐久性に富み、他の素子と組み合わせることなく適切に液晶素子の位相差を補償する二軸性複屈折体を容易かつ安価に提供する。
【解決手段】基板上に無機材料を斜方蒸着することによって二軸性複屈折体を製造する製造方法であり、無機材料を斜方蒸着によって基板上に堆積させるときに、蒸着材料が基板に飛来する方向を変化させるとともに、蒸着材料が基板に飛来する方向の変化が所定の角度振幅の範囲内での振動的に変化させる。 （もっと読む）

【課題】何らかの処理を行う処理装置のチャンバ内部で、機械的な駆動機構を用いることなく物体を回転させることができる新規なチャンバ内基体回転装置と方法を提供すること。
【解決手段】内部が所定の処理雰囲気に保持されるチャンバ４と、チャンバ４内部に回転自在に配置されるサセプタ８と、チャンバ４の外部に配置され、サセプタ８に対して高周波の電磁場を作用させて、サセプタ８を回転させるモーメントを発生させる高周波コイル２０と、を有する。サセプタ８は、基体本体１６と、その表面を覆う被膜１８とを有する。 （もっと読む）

【課題】多層膜ミラーの面内応力分布を簡単な方法で制御する。
【解決手段】成膜室内にスパッタガスを導入し、基板を回転させながらターゲットに対して相対的に走査させて成膜する工程で、基板の走査位置に応じて、スパッタガスに添加する水又は水素ガスの混合比を変化させる。例えば、Ｍｏ／Ｓｉ多層膜の各層を成膜中に、回転する基板上の成膜速度が基板の走査位置によって変化することで膜の内部応力値が変わるため、水又は水素ガスの混合比を変化させると膜の内部応力が変化することを利用して応力分布を均一にする。 （もっと読む）

【課題】被膜形成物および被膜形成物の製造方法を提供する。
【解決手段】金属元素および半金属元素から選択された１以上の元素と、第１元素と、第２元素とを含む化合物被膜を、成膜室に配置された基板の表面に形成することにより、被膜形成物を製造する方法であって、前記第１元素を含む第１ガスおよび前記第２元素を含む第２ガスから選択された１以上のガスを前記成膜室に供給し、前記１以上の元素を含む粒子を、前記ガスの中を通過させて前記基板に照射する段階と、前記成膜室における前記第１ガスと前記第２ガスの分圧比を変化させる段階と、を備えた被膜形成物の製造方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】本発明のシンチレータパネルを用いることにより、シンチレータパネルとセンサパネルを均一に密着させることが可能となり、画像ムラのない良好な画像を得ることができる。
【解決手段】一方の面に複数の光電変換素子が二次元状に配列されて形成された光電変換基板と、Ｘ線により可視領域で発光するシンチレータパネルの発光面を対向させた構成の放射線検出パネルに用いるシンチレータパネルであって、該シンチレータパネルにおける中央部膜厚が周辺部膜厚より厚い層であることを特徴とするシンチレータパネル。 （もっと読む）

【課題】
スパッタリング法を用い、大面積基材に対して、均質かつ高精度な、所定の膜厚分布の光学薄膜を得ることができる成膜装置を提供する。
【解決手段】
スパッタリング法を用いて基材に薄膜を形成する成膜装置において、スパッタ粒子を放出するターゲットの中心を貫く法線と前記基材の表面とが直交するように前記ターゲットと前記基材とを配置し、前記ターゲットと前記基材の表面との距離を一定にしたまま、前記ターゲットと前記基材とを相対的に移動させて、前記基材に薄膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】高速重切削加工で硬質被覆層がすぐれた耐ピッチング性、耐摩耗性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】工具基体表面に、（ａ）下部層として、組成式：（Ａｌ_１−αＣｒ_α）Ｎあるいは（Ａｌ_{１−α−β}Ｃｒ_αＳｉ_β）Ｎで表されるＡｌとＣｒ（とＳｉ）の複合窒化物層、（ｂ）中間層として、組成式：（Ａｌ_１−ＹＣｒ_Ｙ）_２Ｏ_３あるいは（Ａｌ_{１−Ｙ−Ｚ}Ｃｒ_ＹＳｉ_Ｚ）_２Ｏ_３で表されるＡｌとＣｒ（とＳｉ）の複合酸化物層、（ｃ）上部層として、組成式：（Ａｌ_１−ＹＣｒ_Ｙ）_１−ＸＯ_Ｘあるいは（Ａｌ_{１−Ｙ−Ｚ}Ｃｒ_ＹＳｉ_Ｚ）_１−ＸＯ_Ｘで表され、かつ、上部層のＯ（酸素）含有割合が、中間層側から上部層表面に向かって減少する組成傾斜型のＡｌとＣｒ（とＳｉ）の複合酸化物層、を蒸着形成する。ここで、０．２５≦α≦０．４５、０．０１≦β≦０．１０、０＜Ｘ≦０．２，０．２５≦Ｙ≦０．５５、０．０１≦Ｚ≦０．１０（α，β，Ｘ，Ｙ，Ｚはいずれも原子比）。 （もっと読む）

【課題】高硬度材の高速重切削加工で、すぐれた耐摩耗性、耐欠損性を発揮する表面被覆立方晶窒化ほう素基超高圧焼結材料製切削工具を提供する。
【解決手段】ｃＢＮ含有量が７０容量％以上であるｃＢＮ基超高圧焼結材料からなる工具基体の表面に、下部層、中間層および上部層からなる硬質被覆層を蒸着形成し、下部層はＴｉＢ_２層、中間層は、組成式：Ｔｉ_{１−Ｘ−Ｙ}Ｂ_ＸＮ_Ｙで表した場合、０．１５≦Ｘ≦０．６０、０．０５≦Ｙ≦０．３５、０．５０≦Ｘ＋Ｙ≦０．６５（Ｘ、Ｙは原子比）を満足する平均組成を有し、さらに、下部層側から上部層側へ向うにしたがって、Ｘの値は次第に減少、Ｙの値は次第に増加する傾斜組織を有するＴｉＢ_２相とＴｉＮ相との２相混合層、上部層は、組成式：（Ｔｉ_１−ＹＡｌ_Ｙ）Ｎ層で表した場合、Ｙは０．３〜０．６５（原子比）であるＴｉとＡｌの複合窒化物層、で構成する。 （もっと読む）

【課題】快削鋼等の切削工具として好適な、耐熱性、耐久性に優れる耐摩耗性工具部材を提供する。
【解決手段】工具基体上に、工具基体表面側から順に、ＴｉＮ硬質膜、Ａｌ含有ダイヤモンドライクカーボン膜およびＡｌ_２Ｏ_３膜を形成した耐摩耗性工具部材において、Ａｌ含有ダイヤモンドライクカーボン膜におけるＡｌ含有割合は、５〜３０原子％であって、望ましくは、Ａｌ含有ダイヤモンドライクカーボン膜が、ＴｉＮ硬質膜との界面部分では５〜１５原子％、Ａｌ_２Ｏ_３膜との界面部分では２０〜３０原子％のＡｌを含有し、さらに、該Ａｌ含有ダイヤモンドライクカーボン膜中におけるＡｌ含有割合は、ＴｉＮ硬質膜側からＡｌ_２Ｏ_３膜側へ向かうにしたがって次第に増加する傾斜組成を有する。 （もっと読む）

【課題】溶着性の高い被削材の重切削加工で硬質被覆層がすぐれた耐ピッチング性と耐摩耗性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】炭化タングステン基超硬合金または炭窒化チタン基サーメットからなる工具基体の表面に、（ａ）下部層として、組成式：（Ａｌ_αＴｉ_{１−（α＋β）}Ｓｉ_β）Ｎで表される（但し、原子比で、０．５０≦α≦０．６５，０．０１≦β≦０．１０）ＡｌとＴｉとＳｉの複合窒化物層、（ｂ）中間層として、組成式：（Ａｌ_１−ＹＳｉ_Ｙ）_２Ｏ_３で表される（但し、原子比で、０．０１≦Ｙ≦０．３）ＡｌとＳｉの複合酸化物層、（ｃ）上部層として、組成式：（Ａｌ_１−ＹＳｉ_Ｙ）_１−ＸＯ_Ｘで表され（但し、原子比で、０≦Ｘ≦０．１，０．０１≦Ｙ≦０．３比）、かつ、上部層のＯ（酸素）含有割合が、中間層側から上部層表面に向かって減少する組成傾斜型のＡｌとＳｉの複合酸化物層、を蒸着形成する。 （もっと読む）

【課題】チップやドリル、エンドミルなどの切削工具や鍛造金型や打ち抜きパンチなどの冶工具などに形成する硬度と潤滑性に優れた硬質皮膜およびその関連技術を提供する。
【解決手段】（Ａｌ_1-a-d-ｅＶ_aＭｏ_dＷ_ｅ）（Ｃ_1-XＮ_X）からなる硬質皮膜であって、０．２≦ａ≦０．７５、０＜ｄ＋ｅ≦０．３、０．３≦Ｘ≦１（式中、ａ、ｄ、ｅおよびＸは互いに独立して原子比を示す：なおｄおよびｅは、一方が０であってもよいが、両方が０になることはない）である組成を特徴とする硬質皮膜を、例えば、チャンバー１、アーク式蒸発源２、支持台３、バイアス電源４、ターゲット６、アーク電源７、磁界形成手段８、排気口１１、ガス供給口１２、被処理体ＷからなるＡＩＰ装置を用いて成膜する。 （もっと読む）

【課題】成膜不良を抑制する成膜装置を提供する。
【解決手段】被処理基板Ｗを収納する真空容器２と、真空容器２内において被処理基板Ｗを戴置すると共に、所定の搬送方向に搬送するホルダー３と、搬送される被処理基板Ｗに対向して真空容器２内に設けられるハース４Ａ，４Ｂと、ハースにプラズマビームを照射するプラズマガン６，７と、ハースに対向するとともに、被処理基板Ｗを挟んでハースと反対側に設けられる歪曲手段１５Ａと、を備え、歪曲手段１５Ａは、Ｎ極側が材料源に対向する第１の磁石と、Ｓ極側が材料源に対向する第２の磁石と、を有し、ハース４Ａ，４Ｂと被処理基板Ｗとの間の空間に磁界を発生させることを特徴とする。 （もっと読む）