【課題】耐屈曲性を有するガスバリア性フィルムとして好適な新規な積層フィルムの提供。
【解決手段】基材と、前記基材の少なくとも片方の表面上に形成された少なくとも１層の薄膜層とを備える積層フィルムであって、前記薄膜層のうちの少なくとも１層が珪素、酸素及び炭素を含有し、さらに珪素以外の半導体元素、半金属元素及び金属元素からなる群より選ばれる元素を少なくとも１種以上含有しており、且つ、該層の膜厚方向における該層の表面からの距離と、珪素原子、酸素原子及び炭素原子の合計量に対する炭素原子の量の比率（炭素の原子比）との関係を示す炭素分布曲線において、下記条件（ｉ）〜（ｉｉ）：
（ｉ）前記炭素分布曲線が実質的に連続である。
（ｉｉ）前記炭素分布曲線が極値を有する。
を全て満たすことを特徴とする積層フィルム。 （もっと読む）

【課題】短時間のうちに高精度にガスバリア性を評価することを可能とするガスバリア性積層フィルムの検査方法を提供する。
【解決手段】基材２と、該基材２に形成された絶縁性のガスバリア膜４と、を有するガスバリア性積層フィルム１の検査方法であって、基材２とガスバリア膜４との間にガスバリア膜４と接する導電膜３を形成し、ガスバリア膜４の表面４ａと導電膜３との間の直流電気抵抗または交流電気抵抗を測定することにより、ガスバリア膜４の欠陥部分を検出する。 （もっと読む）

【課題】十分なガスバリア性を有しており、しかもフィルムを屈曲させた場合においてもガスバリア性の低下を十分に抑制することが可能な積層フィルムを提供する。
【解決手段】本発明の積層フィルムは、基材と、前記基材の少なくとも片方の表面上に形成された少なくとも１層の薄膜層とを備える積層フィルムであって、前記薄膜層のうちの少なくとも１層が珪素、酸素及び炭素を含有しており、且つ、該薄膜層の膜厚方向における該薄膜層の表面からの距離と、珪素原子、酸素原子及び炭素原子の合計量に対する炭素原子の量の比率との関係を示す炭素分布曲線において、（ｉ) 前記炭素分布曲線が極大値と極小値を有すること、（ｉｉ) 前記炭素分布曲線の極大値が５ａｔ％以下であること、（ｉｉｉ) 前記炭素分布曲線において少なくとも１つの１ａｔ％以上の極大値があることを全て満たすことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】異物による成膜不良を抑制するプラズマＣＶＤ成膜装置を提供する。
【解決手段】基材１００が巻き掛けられる第１成膜ロール３１と、第１成膜ロール３１に対向し、基板１００の搬送経路の下流で基材１００が巻き掛けられる第２成膜ロール３２と、第１，第２成膜ロールの内部にそれぞれ設けられ、第１，第２成膜ロールが対向する空間に膨らんだ無終端のトンネル状の磁場を形成する磁場形成装置６１，６２と、第１成膜ロール３１と第２成膜ロール３２とに接続され、印加電圧の極性が交互に反転するプラズマ発生用電源５１と、第１成膜ロール３１と第２成膜ロール３２との間の搬送経路に設けられ、成膜面１００ａで基材１００が巻き掛けられ基材１００の搬送方向を変更するターンバー２２，２３と、を備え、ターンバー２２，２３は、気体を噴射する複数の噴射口を有し、噴射口から成膜面１００ａに気体を噴出して基材１００を浮遊させる。 （もっと読む）

【課題】異物による成膜不良を抑制し良好な成膜を実現する成膜方法を提供する。
【解決手段】長尺の基材１００を連続的に搬送しながら、プラズマ反応を用いて当該基材１００の成膜面１００ａに連続的に薄膜層を形成する成膜方法であって、基材１００の搬送経路に沿って、有機ケイ素化合物と酸素とを含む成膜ガスの放電プラズマを、プラズマ強度が主として有機ケイ素化合物の完全酸化反応を生じる強度である第１の空間と、主として有機ケイ素化合物の不完全酸化反応を生じる強度である第２の空間と、が交互に連続するように生じさせ、第１の空間および第２の空間と重なるように基材１００を搬送し、第１の空間または第２の空間を通過した後に、表面が基材１００より柔らかい搬送ロール２２，２３で成膜面１００ａを保持しながら、基材１００を搬送する。 （もっと読む）

【課題】耐屈曲性を有するガスバリア性フィルムとして好適な新規な積層フィルムの提供。
【解決手段】基材と、前記基材の少なくとも片方の表面上に形成された少なくとも１層の薄膜層とを備える積層フィルムであって、前記薄膜層のうちの少なくとも１層が、炭素を含む酸化物を含有し、且つ、該層の膜厚方向における該層の表面からの距離と、炭素を含む酸化物の原子の合計量に対する炭素原子の量の比率（炭素の原子比）との関係を示す炭素分布曲線において、下記条件（ｉ）〜（ｉｉ）：
（ｉ）前記炭素分布曲線が実質的に連続である。
（ｉｉ）前記炭素分布曲線が極値を有する。
を全て満たし、前記酸化物が、半導体元素、半金属元素及び金属元素からなる群より選ばれる１種以上の元素（ただし、珪素を除く）の酸化物であることを特徴とする積層フィルム。 （もっと読む）

【課題】炭素を含む膜を選択成長させること。
【解決手段】主面上にトレンチとポストが形成された基板１３上に、選択的に炭素を有した膜を、プラズマＣＶＤ法により堆積する選択成膜方法である。基板を設置する反応室１１において、第１電力により、膜の原料ガスのプラズマを生成し、反応室と連通し、区画された補助空間２１において、第２電力により、基板に対してエッチング性を有するガスのプラズマを生成して、反応室に、イオン及びラジカルを供給する。反応室において、基板の主面に垂直方向に電界を発生させるバイアス電圧を制御して、基板のポストの上面、トレンチの側面及び底面に至るイオン量を制御する。第１電力、第２電力、バイアス電圧を制御することにより、基板の前記ポストの上面、トレンチの側面及び底面のうちの選択された１つの面、又は、２つの面に対して、膜を成膜する。 （もっと読む）

【課題】 温度が６０℃で湿度が９０％（ＲＨ）という様な過酷な湿熱環境下でもバリア性が劣化せずに表示デバイス内部に水が浸入しないという良好なバリア性を有すると共に、端面からの酸素及び水蒸気の浸入をも防ぐことができるガスバリア性フィルム積層体を提供することを目的とする。
【解決手段】 プラスチック材料からなる基材フィルムの一方の面に、第１の耐候性コート層、蒸着層、及び、第２の耐候性コート層を、この順に設けたガスバリア性フィルム積層体において、該第１の耐候性コート層、及び又は、第２の耐候性コート層が、架橋性基を有するフッ素含有共重合体と該架橋性基と反応する硬化剤とにより形成されたフッ素系樹脂からなることを特徴とするガスバリア性フィルム積層体を提供することにより上記目的を達成する。 （もっと読む）

【課題】表面からだけでなく、端面からの酸素及び水蒸気の浸入も防ぐことができ、且つ透明性を兼ね備えたガスバリア性積層体、及び包装袋を提供する。
【解決手段】第１の透明ガスバリア性フィルム１ａ，１ｂと、該第１の透明ガスバリア性フィルム上に積層された粘着剤層２と、該粘着剤層上に積層された第２の透明ガスバリア性フィルムとを有する積層体であって、該粘着剤層がシランカップリング剤を含むことを特徴とするガスバリア性フィルム積層体。 （もっと読む）

【課題】有機材料からなる表面を有する長尺な基板を長手方向に搬送しつつ、プラズマＣＶＤによって、無機膜を成膜する際に、膜厚に応じた、目的とするガスバリア性能を発現でき、しかも経時安定性にも優れるガスバリア膜を、安定して形成することを可能にする機能性フィルムの製造方法を提供する。
【解決手段】電極対の間において、基板の搬送方向の最上流位置におけるプラズマ電子密度を、最下流位置におけるプラズマ電子密度よりも低くすることにより、前記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】 温度が６０℃で湿度が９０％（ＲＨ）という様な過酷な湿熱環境下でもバリア性が劣化せずに表示デバイス内部に水が浸入しないという良好なバリア性を有すると共に、端面からの酸素及び水蒸気の浸入をも防ぐことができるガスバリア性フィルム積層体を提供することを目的とする。
【解決手段】 プラスチック材料からなる基材フィルムの一方の面に、第１の耐候性コート層、蒸着層、及び、第２の耐候性コート層を、この順に設けたことを特徴とするガスバリア性フィルム積層体を提供することにより上記目的を達成する。 （もっと読む）

【課題】絶縁層上に結晶性の良好な半導体層を形成することができる、半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁層４１上に厚さ４ｎｍ〜１μｍの非晶質の半導体層４３を形成する工程と、この半導体層４３に対して、波長が３５０ｎｍ〜５００ｎｍの範囲内のエネルギービームを照射することにより、半導体層４３を結晶化させる工程とを含んで、半導体装置を製造する。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤ装置に適した化合物を原料として、ガスバリア及び半導体用のバリア膜、エッチストップ膜、ハードマスク膜等として使用できる有機窒化ケイ素含有膜を形成し、それらの膜を用いたガスバリア膜及び半導体デバイスを提供する。
【解決手段】少なくとも一つの水素原子がケイ素原子に直結し、且つ少なくとも一つの水素原子が窒素原子に直結した構造を有する有機窒化ケイ素化合物（例えば、一般式（１）等で表される化合物）を原料として用い、化学気相成長法により封止膜を形成してガスバリア部材、ＦＰＤデバイス、半導体デバイス等に用いる。
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【課題】本発明は、プラズマ化学気相堆積時の基板の加熱を低減する目的に基づいている。
【解決手段】そのために、プラズマ気相堆積を用いて基板をコーティングするための方法および装置が提供されるが、その方法および装置では、コーティングしようとする基板の基板表面の周囲の少なくとも一部が排気され、コーティングのための開始物質をもつプロセス・ガスが入れられ、コーティングが、プロセス・ガスで満たされた基板表面の周囲で電磁エネルギーを放射することによって点火されるプラズマにより堆積される。電磁エネルギーは、好ましくはマイクロ波または無線周波のパルスの、多数のパルス・シーケンスの形態で放射され、そのパルス・シーケンスは第１の間隔で時間的に間隔をあけられた多数のパルスをもち、放射された電磁エネルギーはその間隔で停止され、パルス・シーケンス間の間隔は、パルス・シーケンス内のパルス間の第１の間隔より少なくとも３倍、好ましくは少なくとも５倍長い。 （もっと読む）

【課題】特に水蒸気バリア性および寸法安定性に優れたガスバリア性積層フィルムを提供すること。
【解決手段】熱膨張係数αｓが２０ｐｐｍ／℃≦αｓ≦２００ｐｐｍ／℃であり、湿度膨張係数βｓが１０ｐｐｍ／％ＲＨ≦βｓ≦３０ｐｐｍ／％ＲＨであるプラスチックフィルムからなる基材層１の少なくとも片面に、ＳｉＯｘＣｙで表される酸化珪素からなるガスバリア層２が形成されたガスバリア性積層フィルムにおいて、前記ガスバリア層２のＳｉＯｘＣｙにおけるｘの値が１．５≦ｘ≦２．０であり、ｙの値が０．０５≦ｙ≦０．５であることを特徴とするガスバリア性積層フィルム。 （もっと読む）

【課題】優れた基材とガスバリア層との密着性を有し、インラインでの処理が可能な高い生産能率のガスバリア性フィルムの製造方法を提供する。
【解決手段】基材１００上に中間密着層１０１とガスバリア層１０２とを形成したガスバリア性フィルムの製造方法であって、基材が走行する金属ロール電極と、対向電極としてＳ・Ｎ極一対以上の磁石を設置した接地電極とを備え、両電極間の最短距離を特定範囲としたＲＩＥ処理装置を用い、前記電極間に、酸化用ガスを含む処理ガスと、気化した有機シリコン化合物を導入して、処理空間内の圧力を０．５〜２０Ｐａとして、３０ｋＨｚ以上４ＭＨｚ以下の高周波を、特定値以上となるように印加し、基材表面に厚さ３ｎｍ以上の中間密着層を形成する工程と、中間密着層面上にガスバリア層を形成する工程とを具備する製造方法。 （もっと読む）

【課題】特に高いガスバリア性が必要とされる場合に好適に用いることができる透明なガスバリア性積層フィルムを提供する。
【解決手段】基材層１の一方の表面上に、プライマー層２、ガスバリア層３、ガスバリア被膜層４を順次積層し、プライマー層２は、アクリルポリオール、イソシアネート、およびシランカップリング剤からなり、ガスバリア層３は酸化珪素からなり、ガスバリア被膜層４は、一般式Ｓｉ（ＯＲ^１）_４で表される珪素化合物、一般式（Ｒ^２Ｓｉ（ＯＲ^３）_３）_ｎで表される珪素化合物および水酸基を有する水溶性高分子を含有する塗布液を塗布して乾燥させてなり、プライマー層２の膜厚が、０．００５〜１μｍ、ガスバリア層３の膜厚Ｘが０．００５〜２μｍ、ガスバリア被膜層４の膜厚Ｙが０．０５〜３μｍ、ＸとＹの関係が０．００１≦ＸＹ≦２．０であるガスバリア性積層フィルム。 （もっと読む）

【課題】従来の方式では不十分であった、密着性、ガスバリア性を改善するため、ガスバリア性能と密着性を有した下地層、セラミック層、ガスバリア性能を有した保護層を減圧環境下におけるインライン成膜で形成することで、従来よりも密着性、ガスバリア性に優れたガスバリアフィルムを高い生産効率で提供すること。
【解決手段】プラスチックフィルム１の片面または両面に、下地層２を形成する工程と、前記下地層２の表面にセラミック層３を形成する工程と、前記セラミック層３の表面に保護層４を形成する工程とを具備し、全工程が減圧環境下におけるインライン成膜で各層を形成することを特徴とするガスバリアフィルムの製造方法。 （もっと読む）

【課題】真空中において長尺な基材フィルムを長手方向に搬送しつつ、基材フィルムへの無機膜の成膜、無機膜を保護するための保護フィルムの積層、積層体の巻取りを行う機能性フィルムの製造において、無機膜と保護フィルムとの間に存在する気泡に起因する無機膜の損傷を防止することを目的とする。
【解決手段】保護フィルムの積層に先立ち、無機膜の加熱処理を行うことにより、前記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】 長尺な基材を長手方向に搬送しつつ、プラズマＣＶＤによって成膜を行う装置において、プラズマによる基材の損傷を防止して、プラズマＣＶＤによる成膜を行うことができる成膜装置を提供する。
【解決手段】 成膜電極を囲むアースシールドの少なくとも上流側を、成膜電極よりも低くすることにより、前記課題を解決する。 （もっと読む）