【課題】高いガスバリア性能、折り曲げ耐性、断裁加工適性に優れたガスバリア性フィルムを提供する。
【解決手段】
基材の少なくとも一方の面に蒸着法で形成された第１のバリア層を有し、該第１のバリア層上に、ポリシラザン含有液を塗布してポリシラザン層を形成した後、該ポリシラザン層を真空紫外光により第２のバリア層を形成したガスバリア性フィルムにおいて、該第１バリア層はＸＲＤ解析においてハロー図形を示し、そのピークのθ値から算出される原子間距離の平均値が６．５Å以下であることを特徴とするガスバリア性フィルム。 （もっと読む）

【課題】 プラズマＣＶＤ装置において、品質に優れたＣＶＤ皮膜を生産性良く成膜する。
【解決手段】本発明のプラズマＣＶＤ装置１は、真空チャンバ４と、この真空チャンバ４内に一対配備されると共にそれぞれが交流電源６のいずれかの極に接続された成膜ロール２とを備え、前記一対の成膜ロール２、２に巻き掛けられた基材Ｗの表面にプラズマを発生させて成膜を行うプラズマＣＶＤ装置１であって、一対の成膜ロール２、２の間に在する対向空間３に形成される第１成膜エリア１９と、対向空間３以外の成膜ロール２の表面に形成される第２成膜エリア２０と、の双方で成膜が行われることを特徴とするものである。 （もっと読む）

【課題】シール摺動部材を常用しているエアーシリンダーにおいて、Ｏリングが使用されている。ＤＬＣ膜付ゴムにおける摺動部の摩擦係数μ０．３５を０．０８〜０．１５程度に下げ、ドライ摺動でも使用可能な低摩擦化、長寿命化を具現化する摺動部材を提供する。
【解決手段】１例として挙げたエアーシリンダー１は、ハウジング２の内部にピストン４およびピストンロッド３が一対となりエアー室７にエアー出入口８，９から空気圧が交互に送り込まれる機構になっている。シリンダー１の機能を発揮するため、Ｏリング５およびＯリング６がエアー漏れを防ぐように圧接挿入されている。Ｏリング５，６の摩擦係数を下げるためＤＬＣ膜付ゴムの膜面に電子ビーム照射をすることにより、摩擦係数の低減を実現する。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、高いバリア性及び弱酸性〜中性域における耐内容物性を有するガスバリア薄膜を備えるプラスチック成形体を提供することである。また、本発明の第二の目的は、安全、かつ、高速に、かつ、高価な機材を必要としない製造装置で稼動しうる安価なガスバリア薄膜を備えたプラスチック成形体の製造方法を提供することである。
【解決手段】本発明に係るガスバリア薄膜９２を備えるプラスチック成形体９０は、プラスチック成形体９１の表面に、金属酸化物を含有するガスバリア薄膜を備えるプラスチック成形体において、金属酸化物の金属元素が、少なくともアルミニウム元素（Ａｌ）及びチタン元素（Ｔｉ）であり、ガスバリア薄膜９２をＸ線光電子分光分析によって測定したチタン元素及びアルミニウム元素の合計含有量に対するチタン元素の含有量の比（｛Ｔｉ／（Ｔｉ＋Ａｌ）｝×１００）が、４１〜７８ａｔ％である。 （もっと読む）

【課題】ガスバリア性が高く、屈曲後や経時保存後も高いガスバリア性を維持し、生産性が高く安価に製造可能なガスバリア性フィルムとその製造方法、及び該ガスバリア性フィルムを有する有機電子デバイスを提供することである。
【解決手段】金属酸化物を含むガスバリア層を有するガスバリア性フィルムの製造方法において、該ガスバリア性フィルムを絶対湿度が０．００１〜３ｇ／ｍ^３の環境下において、水と反応する材料を該ガスバリア層表面に接触させることを特徴とするガスバリア性フィルムの製造方法。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、小型容器について、ガスバリア性を有する薄膜を均一に成膜し、十分なガスバリア性を得ることである。また、従来の装置をそのまま用いて、小型容器に薄膜を均一に成膜する、小型容器用アダプターを提供することである。
【解決手段】本発明に係るガスバリア性を有するプラスチック容器の製造方法は、容器が、胴部の水平断面での最大幅が４０ｍｍ以下の小型容器であり、少なくとも、容器の高さよりも深底で、胴部の最大幅よりも大きい内径を有し、かつ、天面に開口部を有する空洞を備えた外部電極と、容器の外壁面と外部電極の空洞の内壁面との間に配置される誘電体部材とから構成される内部空間に、容器を収容する工程と、接地された原料ガス供給管を、外部電極と短絡させずに、外部電極の開口部を通して内部空間に挿入し、かつ、原料ガス供給管の末端を、容器の口部に向い合せで配置する工程と、を成膜する工程の前に有する。 （もっと読む）

【課題】副次的問題を発生させることなく、膜品質を向上させることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】複数の基板を収容する処理室と、前記基板を積層して支持する基板支持具と、前記処理室に処理ガスを供給するガス供給手段と、前記ガス供給手段を制御する制御部と、を有し、前記ガス供給手段は、前記複数の基板間に開口する複数のガス供給孔と、前記処理ガスを紫外線光により活性化する紫外線照射部を有する前記処理室内に前記基板の積層方向に沿って立設するノズルであって、前記制御部は、前記ガス供給孔から紫外線光とともに前記処理ガスを前記複数の基板間に供給して該処理ガスを励起するよう前記ガス供給手段を制御する。 （もっと読む）

【課題】形状や大きさ等が互いに異なる複数種類の樹脂基材の表面に、被膜を、１個の装置で迅速に且つ効率的に形成可能な樹脂基材の表面被膜形成装置を提供する。
【解決手段】真空チャンバ１６内を減圧状態とする排気手段４６，４８と、真空チャンバ１６内に反応ガスを導入するガス導入手段５０，５２と、真空チャンバ１６内に誘導電磁界を形成して、該真空チャンバ１６内に導入された反応ガスの誘導結合プラズマを生成する誘導電磁界形成手段２８とを、真空チャンバ１６に設ける一方、前記ガス導入手段５０，５２が、真空チャンバ１６内に開口するガス導入口５６を備えた導入ヘッド５４と、該ガス導入口５６の該真空チャンバ１６内での開口位置を変更させる開口位置変更機構５８とを有するように構成した。 （もっと読む）

【課題】高いガスバリア性能を有するとともに、折り曲げ耐性、平滑性に優れたガスバリアフィルムの製造方法及びガスバリアフィルム、そのガスバリアフィルムを用いた電子機器を実現する。
【解決手段】樹脂フィルムなどの基材１上に、プラズマＣＶＤ法などの蒸着法によって形成された金属酸化物を含有する蒸着層２と、ポリシラザンを含む液体を塗布し乾燥した後に真空紫外光を照射して形成されたポリシラザン改質層３とを積層した構成のガスバリアフィルム１０において、蒸着層２に真空紫外光を照射するエキシマ処理と、ポリシラザン改質層３にプラズマを照射するプラズマ処理の、少なくとも一方を施すこととした。 （もっと読む）

【課題】 基板を巻き掛けて搬送しつつ成膜を行なう電極ローラ対を用い、誘電体バリア放電による大気圧プラズマＣＶＤで成膜を行なう成膜装置であって、長時間に渡って安定したプラズマを生成することができ、これにより、長時間に渡って高品質な成膜を安定して行なうことを可能にする成膜装置を提供する。
【解決手段】 基板を巻き掛けて搬送しつつ成膜を行なう電極ローラ対を用いると共に、この電極ローラ対にプラズマ励起電力を供給する電源装置として、キャパシタンスおよびインダクタンスが可変であるＬＣ共振回路を用いることにより、前記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】誘電体バリア放電による大気圧プラズマＣＶＤで基板の処理を行なうに際し、長時間に渡って安定したプラズマを生成することができ、これにより、長時間に渡って安定して高品位な処理を行うことを可能にするプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】電極対にプラズマ励起電力を供給する電源装置として、２０ｋＨｚ〜３ＭＨｚで単一周波数の正弦波の電力を出力する電源、キャパシタンスおよびインダクタンスが可変であるＬＣ共振回路、および、パルス制御素子を有する装置を用いることにより、前記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】十分なガスバリア性を有し耐屈曲性を有するガスバリア性積層フィルムを製造可能な成膜装置を提供する。
【解決手段】基材を収容する真空チャンバーと、真空チャンバー内に、有機金属化合物と該有機金属化合物と反応する反応ガスと、を含む成膜ガスを供給するガス供給装置と、上記真空チャンバー内に配置される一対の電極と、この一対の電極に交流電力を印加し、成膜ガスのプラズマを発生させるプラズマ発生用電源と、上記ガス供給装置または上記プラズマ発生用電源とのいずれか一方または両方を制御し、有機金属化合物と反応ガスとが反応して、有機金属化合物を形成していた金属元素または半金属元素を含み且つ炭素を含まない化合物を生じる第１の反応条件と、有機金属化合物と反応ガスとが反応して、有機金属化合物を形成していた炭素と金属元素または半金属元素とを含む含炭素化合物を生じる第２の反応条件と、を切り替える制御部と、を有する。 （もっと読む）

【課題】 プラズマＣＶＤ装置において、真空チャンバの内部、特にガス供給部にプラズマが当たってフレークが発生することを抑制し、フレークの混入がなく品質に優れたＣＶＤ皮膜の成膜を可能とする。
【解決手段】本発明のプラズマＣＶＤ装置１は、真空チャンバ４と、真空チャンバ４内を真空排気する真空排気手段５と、真空チャンバ４内に配備されると共に成膜対象である基材Ｗが巻き掛けられた成膜ロール２と、真空チャンバ４内に原料ガスを供給するガス供給部７と、成膜ロール２の表面近傍にプラズマ発生領域１６を形成し、成膜ロール２に巻き掛けられた基材Ｗに成膜を行うプラズマ電源６と、を備えたプラズマＣＶＤ装置１であって、ガス供給部７が、プラズマ発生領域１６に対して成膜ロール２を挟んだ反対側に位置するプラズマ非発生領域１５に設けられていることを特徴とするものである。 （もっと読む）

【課題】十分なガスバリア性を有する積層体の製造方法を提供する。
【解決手段】真空チャンバーと、平行ないしほぼ平行に対向して配置され、内部に磁場発生部材６１，６２を備えている一対の成膜ロール３１，３２と、極性が反転するプラズマ電源とを備えるプラズマＣＶＤ成膜装置を用いて行われる積層体の製造方法であって、真空チャンバー内で、長尺の基材の表面の第一の部分と、基材の表面の第二の部分とが対向するように基材を成膜ロールに巻き掛けた状態で基材を搬送しながら、成膜ロールの間の成膜空間に有機珪素化合物のガスと酸素ガスを含む成膜ガスを供給し、磁場発生部材により成膜空間に磁場を発生させ、成膜ロール間にプラズマ電源により放電プラズマを発生させ、基材上に連続的に薄膜層を形成する。 （もっと読む）

【課題】フィルムを屈曲させた場合でもガスバリア性の低下を十分に抑制可能な積層フィルムが提供される。
【解決手段】この積層フィルムは、基材と、前記基材の表面上に形成された少なくとも１層の薄膜層とを備える積層フィルムであって、前記薄膜層は珪素、酸素及び炭素を含有する層であって、且つ、該層の膜厚方向における該層の表面からの距離と、該層の珪素原子、酸素原子及び炭素原子の合計量に対する炭素原子の量の比率（炭素の原子比）との関係を示す炭素分布曲線が、下記条件（i）〜（iii）を全て満たす層を含む：(i)前記炭素分布曲線が実質的に連続であること、(ii)前記炭素分布曲線において、炭素の原子比が、該層の膜厚の全領域において１ａｔ％以上であること、及び (iii) 前記炭素分布曲線は、炭素の原子比が増加の傾斜領域と炭素の原子比の減少の傾斜領域とを有すること。 （もっと読む）

【課題】アノード電極側に生じる変異電流を整合回路に容易に戻すことができるようにする。
【解決手段】成膜室１０は、表面枠体５及び裏面枠体６により形成されている。表面枠体５は、カソード電極３を保持しており、カソード電極３とは絶縁されている。裏面枠体６は、表面枠体５に対して離間可能であり、アノード電極４を保持し、かつアノード電極４に電気的に接続している。そして表面枠体５及び裏面枠体６は、プラズマ処理時に、基板１の一部（例えば縁）を互いの間に位置させる。そして成膜室１０は、さらに、接続部材９を備えている。接続部材９は、裏面枠体６の外周面を表面枠体５の外周面に接続している。 （もっと読む）

【課題】フィルムを屈曲させた場合でもガスバリア性の低下を十分に抑制可能な積層フィルムを提供すること。
【解決手段】基材と、前記基材の少なくとも片方の表面上に形成された少なくとも１層の薄膜層とを備える積層フィルムであって、前記薄膜層のうちの少なくとも１層が珪素、酸素、炭素、及び非金属元素（但し、珪素、酸素、及び炭素を除く。）を少なくとも１種類以上含有しており、且つ、該層の膜厚方向における該層の表面からの距離と、珪素原子、酸素原子及び炭素原子の合計量に対する炭素原子の量の比率（炭素の原子比）との関係を示す炭素分布曲線において、下記条件（i）〜（ii）：（i）前記炭素分布曲線が実質的に連続であること、（ii）前記炭素分布曲線が少なくとも１つの極値を有すること、を全て満たすことを特徴とする積層フィルム。 （もっと読む）

【課題】異物による成膜不良を抑制し、良好な成膜を実現するプラズマＣＶＤ成膜装置を提供する。
【解決手段】長尺の基材１００を連続的に搬送しながら、基材１００上に連続的に成膜するプラズマＣＶＤ装置１であって、基材１００の裏面１００ｂと接しながら基材１００が巻き掛けられる成膜ロールと、成膜ロールに対向して配置される対向電極と、成膜ロールおよび対向電極に接続されるプラズマ発生用電源５１と、基材１００を搬送する搬送ロール２１，２２，２３、２４と、を有し、成膜ロールは、第１成膜ロール３１と、第１成膜ロール３１に対し基材１００の搬送方向の下流側に設けられる第２成膜ロール３２と、を含み、搬送ロールは、第１成膜ロール３１の下流側において、裏面１００ｂ側にのみ設けられていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】プラズマＣＶＤ成膜を良好に行うために適切な位置で静電気除去を行うことができるプラズマＣＶＤ成膜装置を提供する。
【解決手段】長尺の基材１００を連続的に搬送しながら、該基材１００上に連続的に成膜するプラズマＣＶＤ成膜装置１において、基材１００を巻き掛けて搬送する第１成膜ロール６１と、第１成膜ロール６１と対向して配置された第２成膜ロール６２と、第１成膜ロール６１に巻き掛けた基材１００の第２成膜ロール６２に面する面を基材の成膜面１００ａとして、成膜面１００ａに帯電する静電気を除去する静電気除去装置と、を備え、第１成膜ロール６１と第２成膜ロール６２との間隙は、成膜面１００ａ上にプラズマＣＶＤ成膜を行う成膜空間であり、静電気除去装置は、成膜空間に対し、基材１００の搬送方向の上流側に設けられた第１静電気除去装置８１を含む。 （もっと読む）

【課題】耐屈曲性を有するガスバリア性フィルムとして好適な新規な積層フィルムの提供。
【解決手段】基材と、前記基材の少なくとも片方の表面上に形成された少なくとも１層の薄膜層とを備える積層フィルムであって、前記薄膜層のうちの少なくとも１層が珪素、酸素及び炭素を含有し、さらに珪素以外の半導体元素、半金属元素及び金属元素からなる群より選ばれる元素を少なくとも１種以上含有しており、且つ、該層の膜厚方向における該層の表面からの距離と、珪素原子、酸素原子及び炭素原子の合計量に対する炭素原子の量の比率（炭素の原子比）との関係を示す炭素分布曲線において、下記条件（ｉ）〜（ｉｉ）：
（ｉ）前記炭素分布曲線が実質的に連続である。
（ｉｉ）前記炭素分布曲線が極値を有する。
を全て満たすことを特徴とする積層フィルム。 （もっと読む）