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Fターム[4K030CA07]の内容

CVD (106,390) | 基体 (14,903) | 材質 (8,740) | プラスチックからなるもの (853)

Fターム[4K030CA07]に分類される特許

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【課題】異常放電を抑制し、発生するパーティクルが膜に混入することを防ぎ、均一で高品質な薄膜を形成できるプラズマCVD装置および方法を提供する。
【解決手段】真空容器内に、メインロール6と、プラズマ発生電極7とを備え、長尺基材を前記メインロールの表面に沿わせて搬送しながら前記長尺基材の表面に薄膜を形成する真空成膜装置であって、前記メインロールと前記プラズマ発生電極とで挟まれる成膜空間を囲むように、前記成膜空間を挟んで前記長尺基材の搬送方向の上流側および下流側に、前記長尺基材の幅方向に延在する少なくとも1枚ずつの側壁8を設け、前記側壁は前記プラズマ発生電極とは電気的に絶縁されており、前記長尺基材の搬送方向の上流側および下流側のいずれか一方の側壁に、前記長尺基材の幅方向に一列に並んだ複数のガス供給孔が形成するガス供給孔列9を1列以上備えるプラズマCVD装置。 (もっと読む)


【課題】長尺基材の表面にプラズマCVD法によって薄膜を形成するにあたり、活性種をできる限り多く基材表面に供給して、高品質の薄膜を生産性高く形成できるプラズマCVD装置およびプラズマCVD方法を提供すること。
【解決手段】真空容器内に、冷却ドラムと、該冷却ドラムに対向して配置したプラズマ発生電極とを備え、長尺基材を前記冷却ドラム表面に沿わせて搬送しながら前記基材表面に薄膜を形成するプラズマCVD装置であって、前記冷却ドラムと前記プラズマ発生電極とで挟まれる成膜空間を前記長尺基材の搬送方向の上流側および下流側から挟み込み、前記長尺基材の幅方向に延在する2枚の側壁を設け、前記側壁は前記プラズマ発生電極とは電気的に絶縁されており、前記2枚の側壁のうちいずれか一方の側壁に、プラズマの発生を抑制しながらガスを供給するプラズマ発生抑制型ガス供給口と、プラズマの発生を促進させながらガスを供給するプラズマ発生促進型ガス供給口とを有する。 (もっと読む)


【課題】
従来の無機膜成膜に比べて安価に製造ができ、かつ、煩雑な製造工程を必要とせず、容易に優れたガスバリア性と可とう性を有するガスバリア積層体、その製造方法、このガスバリア積層体からなる電子デバイス用部材、及びこの電子デバイス用部材を備える電子デバイスを提供する。
【解決手段】
基材上に、ガスバリア層を有するガスバリア積層体であって、前記ガスバリア層が、有機ケイ素化合物を原料として用いるCVD法により形成された有機ケイ素化合物薄膜に、イオンが注入されて得られたものであることを特徴とするガスバリア積層体、このガスバリア積層体の製造方法、前記ガスバリア積層体からなる電子デバイス用部材、及び、前記電子デバイス用部材を備える電子デバイス。 (もっと読む)


【課題】装置全体を小型化可能として、多層の成膜を形成できる成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜装置を、成膜処理ドラムに被成膜基板を所定角巻き付け連続的または断続的に搬送しながら、被成膜基板の内面に成膜する構成として、装置全体を小型化した。そして、成膜処理ドラムに成膜源が設けられた回転ドラムを回転させることにより、多層の成膜を容易に形成できるようにした。 (もっと読む)


【課題】目的とする機能を好適に発現すると共に、優れた光学特性を有する機能性フィルムを、安定して製造できる機能性フィルムの製造方法を提供する。
【解決手段】交互に形成された有機層と無機層とを有し、かつ、最上層が有機層である機能性フィルムを製造するに際し、有機層となった際の含有量が0.01〜10質量%となる界面活性剤とを含有する塗料を用いて、厚さが30〜300nmの最上層の有機層を形成することにより、前記課題を解決する。 (もっと読む)


【課題】本発明の目的は、発熱体CVD法を用いて、プラスチック成形体の表面に、プラスチック成形体との高い密着性(特に、耐水性)を有するガスバリア薄膜を形成する方法を提供することである。
【解決手段】本発明に係るガスバリア性プラスチック成形体90の製造方法は、プラスチック成形体91の表面に、発熱体CVD法で、構成元素としてAl及びOを含有するガスバリア薄膜92を形成するガスバリア性プラスチック成形体の製造方法において、プラスチック成形体を収容した真空チャンバ6の内部に、水素ガスを供給して、プラスチック成形体の表面を還元する水素処理工程と、Al源原料ガスを供給して、Al源原料ガスを発熱した発熱体に接触させて、Al源原料ガスを分解して化学種を生成させ、プラスチック成形体の表面に化学種を到達させることによって、ガスバリア薄膜を形成する成膜工程とを有する。 (もっと読む)


【課題】凸凹が大きい立体的形状を含むような基材も含め、大気圧状態でも短時間で均一に被膜を形成することができる被膜形成装置及び被膜形成方法を提供すること。
【解決手段】本発明に係る被膜形成装置1及び被膜形成方法は、希釈ガス供給管2の内部に設けられた導電体の細棒部材が希釈ガス供給管2の内部を優れた共振系とするため、リング状共振器6からスリット61を介して360°方向から照射されたマイクロ波により希釈ガス供給管2の内部に表面波プラズマを形成し、プラズマ化された希釈ガスが混合器7に導入され、原料ガスと混合されることにより、大気圧状態であっても原料ガスのプラズマ化が効率よく行われる。そして、プラズマ化された原料ガスを基材Sに噴射することにより、基材Sを均一に処理することができ、被膜形成が効率よくかつ安定して行われることになる。 (もっと読む)


【課題】セグメント形態の保護膜のさらに高速な形成が容易であり、保護膜の品質管理をさらに向上させ、さらに自由度の高い(複雑な)セグメント形態を可能とし、二次元形状のみならず三次元形状にも適用可能な、DLC膜などの保護膜、およびそれを成膜する方法を提供すること。
【解決手段】セグメントに分割して形成されるように膜を堆積してなるセグメント形態の保護膜を基材上に形成させる際に、所定の形態のセグメントを得られるようにレーザーを用いて基材に溝加工をした後に、保護膜を堆積してセグメント間の間隔を形成することを特徴とする保護膜およびその製造方法。 (もっと読む)


【課題】本発明は、基板フィルムとバリアコーテイングを含むバリア構造物の提供することを課題とする。
【解決手段】本発明は、少なくとも一つの可撓性プラスチック基板フィルムと、
前記可撓性プラスチック基板フィルムの一つの表面上に配置されたバリアコーティングと、
を含むバリア構造物であって、
前記バリアコーティングは、周期表のIVB、VB、VIB、IIIA、およびIVA族から選択された元素の酸化物若しくは窒化物、またはそれらの元素の組合せの酸化物若しくは窒化物である少なくとも一つの厚さ2nm〜100nmを有する厚膜層であり、前記バリアコーティングは、非晶質であり、且つ特徴のないミクロ構造を有していること特徴とするバリア構造物である。 (もっと読む)


【課題】長尺な基板を長手方向に搬送しつつ、プラズマCVDによって成膜を行う機能性フィルムの製造において、成膜を停止した後の大気解放時に、製品や成膜系内の汚染を防止し、生産性の向上や製品品質の向上を図ることができる製造方法を提供する。
【解決手段】成膜電極の表面が成膜系内に露出していない状態とした後に、大気解放のための気体を成膜系内に導入することにより、前記課題を解決する。 (もっと読む)


【課題】湿った環境で安定で且つ高い誘電定数及び高い破壊強さを有するポリマー材料を含む構造体の提供。
【解決手段】フィルム40及びフィルム40を含む物品60であり、フィルム40は第1の層42、第2の層44及び第3の層46を含む。第1の層42はポリマー誘電材料を含む。第2の層44は第1の層42の少なくとも1つの表面48、50上に配置され、無機酸化物誘電材料を含む。第3の層46は第1の層42又は第2の層44上に配置され、窒化物又はオキシ窒化物材料を含む。 (もっと読む)


【課題】積層体の長手方向に、基材と保護フィルムとの密着力が変化した場合であっても、基材と保護フィルムとを適正に剥離させることができ、基材の搬送テンションが緩んで、ツレシワが発生したり、熱ダメージを受けて、基材が損傷することを防止する。
【解決手段】処理を行なう前の積層体の搬送中に、基材上の保護フィルムの有無を検出する第1検出工程と、第1検出工程と成膜処理との間に、基材上の保護フィルムの有無を検出する第2検出工程と、第1検出工程と第2検出工程の検出結果に応じて、第1検出工程と第2検出工程との間で、保護フィルムが基材から剥離するように、剥離力を制御する制御工程とを有することにより、前記課題を解決する。 (もっと読む)


【課題】大気圧状態でも被膜の形成等のプラスチックボトル内面の処理を短時間で均一に実施することができるプラスチックボトル内面の処理方法及びプラスチックボトル内面の処理装置を提供すること。
【解決手段】本発明に係るプラスチックボトル内面の処理装置1及び処理方法は、ガス供給間2を構成する、誘電体からなる供給管本体の内部に設けられた導電体の細棒部材が、プラスチックボトルBの内部を優れた共振系として、リング状共振器6からスリット61を介して360°方向から照射されたマイクロ波により表面波プラズマを形成する。よって、マイクロ波閉じ込め室Mには、極めて均一なプラズマ(表面波プラズマ)が生成され、大気圧状態でもボトルBの内部にプラズマを維持しやすくなり、供給された原料ガスを効率よくプラズマ化してボトル内面BIを均一に処理し、成膜等が効率よくかつ安定して行われることになる。 (もっと読む)


【課題】ポリイミド膜に対して高い密着性を有するコバルト膜を成膜する方法を提供する。
【解決手段】成膜装置100の処理容器1内で、処理容器1内にCOガスを導入しながら、ポリイミド膜81が形成されたウエハWを110℃以上400℃以下の温度で加熱し、ポリイミド膜81を熱処理する。熱処理によって、ポリイミド膜81中の分子が熱分解し、膜密度が減少するとともに、表面粗度が大きくなる。その後、処理容器1内に成膜原料であるCo(CO)を導入してCVD法によりポリイミド膜81上にコバルト膜83を堆積させる。 (もっと読む)


【課題】透明樹脂基材へ確実に非晶質炭素膜等を成膜できる成膜方法を提供する。
【解決手段】互いに対向配置された保持電極1と印加電極2との間に、炭化水素系ガスを含む原料ガスGoを供給し、大気圧雰囲気下において、必要に応じて保持電極1と印加電極2との間に直流バイアス電圧を発生させながら印加電極2に交流電圧を印加して、保持電極1に保持された基材Wと印加電極2との間でグロー放電プラズマを発生させることで、基材Wの表面に非晶質炭素膜等を成膜する成膜方法であって、基材Wが透明樹脂であり、該基材Wの熱変形温度未満の温度範囲で成膜することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】発熱体CVD法を用いて、プラスチック成形体の表面に高いガスバリア性と耐水性とを兼ね備えたガスバリア薄膜を形成する方法を提供する。
【解決手段】プラスチック成形体91の表面に、密着層81とガスバリア発現層82とを順次有するガスバリア薄膜92を形成するガスバリア性プラスチック成形体90の製造方法において、プラスチック成形体の表面に、発熱体CVD法で、原料ガスとして一般式(化1)で表される有機シラン系化合物を用いて、密着層として構成元素の1つがSiである層を形成する工程1を有する。(化1)RSiH(一般式(化1)中、Rはメチル基を表し、かつ、R,Rは水素若しくはメチル基を表すか、又は、Rはビニル基を表し、かつ、R,Rは水素若しくはメトキシ基を表す。) (もっと読む)


【課題】透明性、耐熱性、耐衝撃性、寸法安定性、及びガスバリア性に優れるロール状ガスバリア性積層体フィルム、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】籠型シルセスキオキサン構造を有する硬化性樹脂を含んだ硬化性樹脂組成物からなり、引張応力−ひずみ曲線における引張弾性率が2000MPa以上10000MPa以下、線膨張係数が80ppm/K以下、及びガラス転移温度が300℃以上である第一の層と、籠型シルセスキオキサン構造を有した硬化性樹脂を含んだ硬化性樹脂組成物からなり、引張応力−ひずみ曲線における引張弾性率が100MPa以上であって、第一の層の引張弾性率の80%以下であり、且つ塑性変形を示し、ガラス転移温度が300℃以上である第二の層とが、厚み比率(第二の層の厚み÷第一の層の厚み)0.01以上5.0以下で積層されてなり、かつ、その一方の面又は両方の面にガスバリア層を設けたガスバリア性積層体フィルム。 (もっと読む)


【課題】成膜速度が大きい原料と、その原料を用いたガスバリア性能が大きい炭素含有酸化ケイ素からなる組成膜を提供する。
【解決手段】アルコキシアルキルがケイ素原子に直結した構造を有する有機ケイ素化合物、例えば下式1、4を原料として用い、プラズマ励起化学気相成長法により炭素含有酸化ケイ素からなる膜を形成する。


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【課題】より優れた耐摩傷性を発揮するトップコート層が、アンダーコート層に対して高い密着性をもって積層形成されてなる樹脂製品を提供する。
【解決手段】ポリカーボネート製の樹脂基材12の表面に積層されたアンダーコート層14上に、有機珪素化合物のプラズマCVD層からなる基層部18と、無機珪素化合物のプラズマCVD層からなる表層部20との複層構造を有するトップコート層16を更に積層形成して、構成した。 (もっと読む)


【課題】ワークに連続的にバリア膜を形成するプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置1は、ワークHの両側に配置され、ワークHに向かってマイクロ波が通過するスロット310Rを有するスロットアンテナ31L、31Rと、スロットアンテナ31L、31RのワークH側の表面を覆う誘電体32L、32Rと、誘電体32L、32R間に介装され、負圧条件下においてマイクロ波の電界によりプラズマ生成用ガスを電離させ荷電粒子PL、PRを生成するプラズマ生成室384を、内部に区画するチャンバー38と、プラズマ生成室384に配置され、ワークHの処理対象面HL、HRと誘電体32L、32Rとの間に介装され、互いに絶縁されるメッシュ33L、33Rと、メッシュ33L、33Rに互いに逆位相の高周波電圧を印加する電源37と、電源37とメッシュ33L、33Rとの間のインピーダンスを調節する整合器36と、を備える。 (もっと読む)


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