【課題】 有機成分を含有する有機珪素化合物の撥水性及び離型性の蒸着膜を有する繊維強化プラスチック（ＦＲＰ）成形加工用フィルム及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 プラズマ化学気相成長法（ＰＥ−ＣＶＤ法）により、プラスチック基材上にＳｉ−Ｃ又はＣ−Ｈ結合を含有する有機珪素化合物の蒸着膜を形成させてなるＦＲＰ成形加工用フィルム及びその製造方法において、分子内にＳｉ−Ｏ結合を含有する有機珪素化合物を蒸着原料とし、前記有機珪素化合物ガスの蒸着時に有機珪素化合物及び炭素原子含有化合物に起因する有機成分を蒸着膜中に含有し、加熱処理時に有機成分が離型層表面に転移し、優れた離型性を発現できる離型層をプラスチック基材上にプラズマ化学気相成長により成膜させ、有機珪素化合物中の有機成分に基づく撥水性を発現させ、離型性を付与してなるＦＲＰ成形加工用フィルム及びその製造方法である。 （もっと読む）

【課題】ガスバリア性に優れ、バリア層形成時に高温熱処理を必要とせず、ハロゲンを含まないガスバリア性フィルムを提供する。
【解決手段】高分子フィルム基材１に、Si系酸化物を含む無機化合物の蒸着層２と、該蒸着層上に架橋樹脂のガスバリア層３が積層されているガスバリア性フィルムであって、前記ガスバリア層が、不飽和ニトリル(a1)と、水酸基を有する非芳香族不飽和化合物(a2)と、不飽和カルボン酸エステル、スチレン、不飽和カルボン酸、不飽和炭化水素及びエポキシアクリレートからなる群から選択される不飽和化合物(a3)とを単量体とする共重合樹脂(A)と、イソシアネート化合物(B)と、２つ以上のカルボン酸基または１つ以上の無水カルボン酸基を有する化合物(C1)と、１分子中に有機官能基と加水分解性官能基を有するシラン化合物(C2)との混合物を、前記蒸着層上で反応して得られる架橋樹脂から成るガスバリア性フィルム。 （もっと読む）

【課題】Ｃ／Ｃコンポジットに較べて低温での摩擦係数が高く、また摩擦係数の温度依存性の抑制されたＣ／Ｃコンポジット及びその製造方法を提供する。
【解決手段】アルコールＣＶＤ法などの熱ＣＶＤ法により、Ｃ／Ｃコンポジット表面にカーボンナノチューブ（ＣＮＴ）を生成させることで、低温での摩擦係数が上昇し、摩擦係数の温度依存性が改善され、広い温度域において優れた摩擦特性を有し、自動車、自動二輪車等の車両や航空機などのブレーキ材料のように温度変化が激しい用途の構成材料として好適なＣ／Ｃコンポジットを提供できる。 （もっと読む）

【課題】基材の表面および処理を施した面の損傷を防止し、かつ、生産性も向上することができる原反ロール、この原反ロールの製造方法、および、この原反ロールを使用する基材処理方法を提供する。
【解決手段】長尺なシート状基材の被処理面を当接して積層し、巻回してなる原反ロールを用い、この原反ロールを長手方向に搬送しつつ分離して、個々の基材に処理を施すことにより、前記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】紫外線遮蔽機能をもち、酸性雨に対する耐性が高いかつ、かつ、冷熱サイクル特性に優れたハードコート構造を備えた透明体を提供する。
【解決手段】透明基材１と、基材１上に順に配置された、紫外線吸収層２とハードコート層３とを有する透明体であって、紫外線吸収層１として、アモルファスなＴｉＯ_２膜で、膜厚５０００オングストローム以下、ＴｉとＯの組成比Ｔｉ：Ｏが１：１．８以上、１：２．０以下のものを用いる。ＴｉＯ２膜は、耐酸性が高い性質を有し、しかも、アモルファスなＴｉＯ_２膜は光触媒性能を備えないため、基材との密着性が高い。 （もっと読む）

【課題】 絶縁物、特に耐熱性の低い絶縁物に、短時間で効率的にプラズマ成膜、及び表面改質処理可能な方法及びそのための装置を提供する。
【解決手段】 真空排気された反応容器内にプラズマ生成源となる原料ガスを導入し、該反応容器内に設置されたカソード電極にマイナス電圧を印加して原料ガスを分解しプラズマを生成すると共に、上記反応容器内に設置された被処理基材上との間で反応を起こさせて、電圧印加による電界で生成されるプラズマイオン、ラジカルを前記被処理基材に照射または堆積させる、表面改質及び成膜方法において、カソード電極の少なくとも一部を、原料ガスが透過可能な電極とすると共に、被処理基材の改質や成膜など表面処理が必要な面と直接接触しないようカソード電極を配置し、且つ、カソード電極に−２ｋＶ〜−２０ｋＶのパルス状のＤＣ電圧を印加することを特徴とするプラズマ表面改質、成膜方法。 （もっと読む）

【課題】十分なガスバリア性を示す高密度の非晶質窒化珪素膜を簡便な方法で提供すること。
【解決手段】高周波放電を利用したプラズマＣＶＤ法において、シランガスと、水素ガスと、アンモニアガスまたは窒素ガスの少なくとも一方とを含む混合ガスを用いて、電極間距離を５０〜１００ｍｍとし、シランガスに対する水素ガスの流量比（Ｈ₂／ＳｉＨ₄）を０．５〜３．０として非晶質窒化珪素膜を成膜する。 （もっと読む）

【課題】バッチ式の処理装置の構成要素を小型化することで製造コストを更に低減できる物品の処理方法を提供する。
【解決手段】第１成膜ユニットで第３群のペットボトルＰＢにＤＬＣを成膜処理している間に、第２成膜ユニットにおいてＤＬＣが成膜された第２群のペットボトルＰＢを搬送路に排出し、かつ、後続の第４群のペットボトルＰＢを第２成膜ユニットに供給する第１処理ステップと、第２成膜ユニットにおいて第４群のペットボトルＰＢにＤＬＣを成膜処理している間に、第１成膜ユニットにおいてＤＬＣが成膜された第３群のペットボトルＰＢを搬送路に排出し、かつ、後続の第５群のペットボトルＰＢを第１成膜ユニットに供給する第２処理ステップと、を交互に繰り返す。 （もっと読む）

【課題】バッチ式の処理装置の構成要素を小型化することで製造コストを更に低減できる物品の処理装置を提供する。
【解決手段】被処理物であるペットボトルＰＢが搬送機構４０で搬送が開始される位置を位置Ｓ、第１反転移載装置７０で移載される位置を位置Ｅ、位置Ｓから第１成膜ユニット５１に対応する位置Ｐ１までペットボトルＰＢが搬送される距離をＬ１１、位置Ｓから第２成膜ユニット５２に対応する位置Ｐ２までペットボトルＰＢが搬送される距離をＬ２１、位置Ｐ１から位置ＥまでペットボトルＰＢが搬送される距離をＬ１２、位置Ｐ２から位置ＥまでペットボトルＰＢが搬送される距離をＬ２２、とすると、Ｌ１１＝Ｌ２２及びＬ１２＝Ｌ２１を満足する。そして、第１成膜ユニット５１においてＤＬＣ成膜処理を行う第１処理ステップと、第２成膜ユニット５２においてＤＬＣ成膜処理を行う第２処理ステップと、を交互に繰り返す。 （もっと読む）

【課題】有機材料の表面にプラズマＣＶＤによって無機膜を成膜する際に、目的とするガスバリア性を有するガスバリア膜を、安定して形成することを可能にする。
【解決手段】第１のプラズマ励起周波数で無機膜を成膜し、その後、前記第１のプラズマ励起周波数よりも低い周波数の第２のプラズマ励起周波数で無機膜を成膜することにより、前記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】薄膜と被成膜基材との密着性を十分に確保できる被成膜基材への薄膜の成膜方法を提供する。
【解決手段】本発明の一態様は、プラスチック又はプラスチックにＳｉＯ_２及びＡｌ_２Ｏ_３の少なくとも一方を分散させた材料からなる被成膜基材２の表面に酸素プラズマ処理、オゾン処理及び紫外線照射処理のいずれかの処理を施した後に、前記被成膜基材２の表面上に、プラズマＣＶＤ法、スパッタ法及び蒸着法のいずれかの方法により薄膜を成膜することを特徴とする被成膜基材への薄膜の成膜方法である。 （もっと読む）

【課題】 基材への密着性に優れ、他への移行成分を含まず、他の成分を吸着せず、しかも再利用でき、撥水性に優れる離型紙などに用いる撥水性皮膜３の製造方法を提供する。
【解決手段】 基材１へ、表面自由エネルギーが１６〜４０ｍＮ／ｍの撥水性皮膜３の製造方法であって、オクタメチルトリシロキサン、デカメチルテトラシロキサン、オクタメチルシクロテトラシロキサン、デカメチルシクロペンタシロキサン、トリストリメチルシロキシメチルシラン、テトラキストリメチルシロキシシランからなる選択される少なくとも１種の原料ガスと酸素ガスとを少なくとも含む混合ガスを、ｓｃｃｍ基準で原料ガス：酸素ガス＝１００：０．００１〜９の流量比で、真空槽内に導入し、真空度が０．１〜１５Ｐａで、プラズマが作成可能以上で６ｋＷ以下の蒸着源分解出力で、プラズマ化学気相成長方式により、炭素含有酸化ケイ素の撥水性皮膜を形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 光の反射率を低下させることなく反りの発生を抑制できるハーフミラー基板の製造方法、およびハーフミラー基板を提供する。
【解決手段】 本実施例のハーフミラー基板１は、ＰＭＭＡ基板１０と、ＰＭＭＡ基板１０の裏面に形成される反射膜層３０と、を有する。反射膜層３０は、ＰＭＭＡ基板１０表面に形成されてなる金属反射膜（Ｓｎ膜３１）と、Ｓｎ膜３１を覆うように形成される保護膜（ＳｉＯ膜３２）と、からなる。Ｓｎ膜３１の表面には、ＳｎＯ₂を主たる成分とする酸化Ｓｎ層３３が形成されている。また、ＳｉＯ膜３２は、低い水蒸気バリア性を有する。 （もっと読む）

【課題】従来、困難とされていた無極性高分子材や平滑金属材等に対して、簡易な装置・方法により、安定した接着性や塗膜密着性の確保が可能となり、接着・塗装工程の生産性を格段に向上させることができる接着方法を提供すること。
【解決手段】被着体対の被接着面の少なくとも一方を火炎処理により表面改質処理後、接着剤を塗布して前記被着対を接着する方法。表面改質処理を、液状で熱分解性の表面改質剤を、可燃性ガスと酸化性ガスとを混合させた燃料ガスの燃焼火炎をキャリヤーとして、火炎バーナ２９から被着体Ｓの被接着面に吹き付けておこなう。その際、表面改質剤を、ナノポンプ１５を介して、火炎バーナ２９への可燃性ガス、前記酸化性ガス又は前記燃料ガスのガス供給路の途中に供給することにより気化（霧化を含む。）させて、火炎バーナ２９に燃料ガスとともに供給する。 （もっと読む）

【課題】ステップ搬送の停止期間中に非成膜ゾーンで発生する張力上昇とそれに伴う応力集中を防止できるステッピングロール方式の薄膜形成装置を提供する。
【解決手段】帯状の可撓性基板１に機能性薄膜を積層形成するための薄膜形成装置で、成膜ユニット５，６，７，８を含む成膜ゾーンＺ１，Ｚ２と、成膜ゾーンの上流側および下流側に配設された第１および第２搬送制御ロール１６，２６と、搬送の停止期間中に各成膜ユニットに密閉空間を画成すべく各成膜ユニットに併設された遮蔽手段５３，５４，６３，６４，７３，７４，８３，８４と、搬送中に基板の張力を制御する第１張力制御手段１６，１７，１８，１９と、成膜ゾーンの下流側に隣接した非成膜ゾーンＺ３，Ｚ４とを備え、搬送の停止期間中に、遮蔽手段が基板を挟んで閉じた状態で、非成膜ゾーンにおける基板の張力を制御する第２張力制御手段３，４を備えた。 （もっと読む）

【課題】巻取り体の端面からのガス供給装置を設置することなく、大気開放時にゴミの流入を防止し、且つ、巻取り部材を非接触状態で維持する非接触巻取り体の製造方法。
【解決手段】５．０×１０^−４Ｐａ以下の圧力条件に保たれた真空容器の内部で、基板の端部に直接突起形状を複数設ける工程、または、少なくとも片面に突起形状を複数設けたテープ状フィルムを該基板の両端に共巻する工程を有し、次いで、前記真空容器を前記圧力条件〜大気圧条件に大気開放する工程を有する非接触巻取り体の製造方法において、該大気開放する工程が、真空状態から１．０×１０^−３Ｐａ／秒〜０．１Ｐａ／秒の速度で１Ｐａ〜１０Ｐａの圧力範囲に装置内を調整する第１の圧力調整工程と、次いで、１．０×１０^１Ｐａ／秒〜５．０×１０^２Ｐａ／秒以下の速度で大気開放する第２の圧力調整工程を有することを特徴とする非接触巻取り体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 誘導結合型マイクロプラズマは、高密度プラズマが得られるが点灯が難しい問題があった。電離開始に必要な初期電子を発生させる、内部にイグナイター機構を加える方法が知られているが、専用電源を新たに用意すること、電極製作、電極と電源間の結線を必要とするため、小型化をも阻害する。
【解決手段】 誘導結合型マイクロプラズマ源のガス流路内部に、浮遊電極を用意する。マイクロプラズマの励起に誘導結合を利用しているため、特別の結線を施すことなく、浮遊電極にエネルギーを供給することができる。この電極から、電離開始に必要な初期電子を発生させることができる。浮遊電極周辺からガスの電離が促進され、点灯が容易になると同時に、より省電力でプラズマを発生させることができる。 （もっと読む）

【課題】被処理材のプラズマダメージを低減できるプラズマ雰囲気下で、被処理材上に成膜原料を効率的に成膜できる成膜方法及び成膜装置を提供することにある。特にガスバリア膜の成膜方法及び成膜装置を提供する。
【解決手段】プラズマ雰囲気下でイオン化した成膜原料を被処理材１上に堆積させる成膜方法であって、磁力線２が被処理材１の成膜面３から離れる方向９に向く磁場環境を形成し、その磁場環境で被処理材１の成膜面３に成膜原料を堆積させる。このときの磁力線２の向きは、磁石のＮ極からＳ極に向かう磁力線の向きであって、プラズマを構成する荷電粒子４を成膜面３から離れる方向９にはね返す向きである。そうした磁力線２は、永久磁石又は電磁石のＮ極を成膜原料が供給される側に近い側に配置し、Ｓ極を遠い側に配置する等して実現できる。 （もっと読む）

【課題】ＰＶＤ法やＣＶＤ法では、膜厚の増加に対しガスバリア性が飽和しやすい問題に対して、更に高いガスバリア性を持った透明、もしくは半透明なガスバリア性積層体の製造方法とガスバリア性積層体を提供する。
【解決手段】プラスチックフィルム基材１１の少なくとも一方の面に、物理成膜法もしくは化学気相成長法のいずれか、またはその両方を用いて下地層１２を形成する工程と、下地層１２の表面に、原子層堆積法を用いてガスバリア層１３を形成する工程とを具備する。 （もっと読む）

【課題】装置コストを抑制しつつ、電力印加部に付着する反応副生成物の量を大幅に減らし、優れた品質の薄膜を形成する薄膜形成装置を提供する。
【解決手段】成膜室５内で高周波電力を印加して基板１上に薄膜を形成する薄膜製造装置１００において、基板１と対面する位置に電力印加部２０が配置され、電力印加部２０の成膜室５側に電力印加電極２１が設けられ、電力印加部２０に電力を供給する給電線が接続され、電力印加部２０は、真空室１３の壁体１５と接続された支持体５７に固定された枠体５４に絶縁されて固定され、電力印加部２０と枠体５４との間に絶縁性及びシール性の間隔材５３が配設され、電力印加部２０に加熱手段のヒーター３１〜３３が設けられ、これらヒーターと電力供給手段３４との間に、給電線より供給される電力をカットする高周波カットフィルター３５が設けられている。 （もっと読む）