【課題】優れたガスバリア性、基板の凹凸の被覆性、基板の損傷抑制、および、耐酸化性にも優れる窒化ケイ素膜を成膜してなるガスバリアフィルム、ならびに、その成膜方法および装置を提供する。
【解決手段】基板側の平均密度が、表面側の平均密度よりも低く、かつ、中央領域の平均密度が、その間であるガスバリア膜を有するガスバリアフィルム、および、プラズマＣＶＤにおいて、成膜中に、基板の搬送方向と逆方向に原料ガス流を形成することにより、前記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】真空の装置内で長尺な可撓性フィルムを段付きローラの保持部に巻き掛け保持させて搬送する際に、保持部での保持力を顕著に向上させることができる。
【解決手段】所定の真空度に制御された装置内で長尺な可撓性フィルムＷを搬送する搬送装置５０であって、両端部に中央部よりも大円径な保持部５４を有し、該保持部５４に可撓性フィルムＷを巻き掛け保持して搬送する段付きローラＲを備えた搬送装置５０において、保持部５４表面には可撓性フィルムＷの真空下での弾性変形力に応じて下記に定義される接触面積相対値が１を超える凹凸形状５８が形成されている。保持部５４表面が滑らかなフラット面であるとしたときに可撓性フィルムＷと保持部５４表面とが接触する面積をＸとし、保持部５４表面が凹凸形状５８面であるとしたときに可撓性フィルムＷと保持部５４表面とが接触する面積をＹとしたときに、Ｘに対するＹの比率を接触面積相対値とする。 （もっと読む）

【課題】長尺な基材をドラムに巻き掛けて長手方向に搬送しつつ、大気圧プラズマを用いて成膜を行なう際に、成膜前に基材の表面処理を行なう場合に、基材とパスローラ等との接触や表面処理からの時間経過によって表面処理の効果を低下させること無く成膜を行なうことにより、基材と成膜物との密着性を向上させ、高品質な膜を効率よく連続成膜することができる大気圧プラズマ装置を提供する。
【解決手段】基材の搬送方向において、成膜用電極よりも上流側に、ドラム電極の周面に対面して設けられる処理用電極と、処理用電極に電圧を印加する処理用電源と、ドラム電極と処理用電極との間に、表面処理用の反応性ガスを供給する反応性ガス供給手段とを有することで上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】高いガスバリア性が必要とされる場合に好適に用いることができる透明なガスバリア性積層フィルムを提供する。
【解決手段】基材層１の少なくとも片面に、アンカー層２と、ＳｉＯｘＣｙ（ｘは１．５以上２．０以下、ｙは０以上０．５以下）で表される酸化珪素からなるガスバリア層３と、オーバーコート層４とが順次形成され、基材層１の屈折率ｎ１、アンカー層２の屈折率ｎ２、ガスバリア層３の屈折率ｎ３、オーバーコート層４の屈折率ｎ４が、ｎ１＞ｎ２＞ｎ３＞ｎ４で表され、それぞれ１．４≦ｎ２≦１．７、１．３≦ｎ３≦１．６、１．２≦ｎ４≦１．５であり、アンカー層２の厚みが１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であり、ガスバリア層３の厚みが１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であり、オーバーコート層４の厚みが１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であるガスバリア性積層フィルム。 （もっと読む）

【課題】
レジスト層あるいはアモルファスカーボン層を表面に有する基板に、低温で良質の膜を形成する。
【解決手段】
レジスト層もしくはアモルファスカーボン層を表面に有する基板にＨＭＤＳガスを曝すＨＭＤＳガス暴露工程と、基板に酸素含有ガスを曝す酸素含有ガス暴露工程と、を行うことにより、少なくともレジスト層もしくはアモルファスカーボン層の上にシリコン酸化膜を形成する。これにより、基板の表面のレジストあるいはＡＣＬにダメージを与えることのない低い処理温度で、不純物が少なく、ウェットエッチングレートが低い膜をレジストあるいはＡＣＬの上に形成することができる。 （もっと読む）

【課題】膜質及びバリア性を改善する。
【解決手段】搬送される長尺の基材に成膜できる領域である成膜ゾーン２２の下方に配置される少なくとも１本のガス供給管３２であって、該成膜ゾーンの下方から該成膜ゾーンを指向する１個以上のガス供給口３４Ａを有する前記ガス供給管を備えたプラズマＣＶＤ成膜装置１０を用いて、前記成膜ゾーンの下方に位置する前記ガス供給口から前記成膜ゾーンにガスを供給して、前記基材を搬送しながら前記基材上に連続的に成膜する、成膜方法。 （もっと読む）

【課題】構成層の剥離や透明導電膜の劣化を防止することにより、長期にわたり優れた性能を発揮することが期待できる透明導電膜付ガスバリアフィルムを提供する。
【解決手段】環状ポリオレフィン系材料からなる基材１０の両主面に対し、それぞれガスバリア層２０Ａ、２０Ｂ、保護層３０Ａ、３０Ｂを順次積層してフィルム積層体２を構成する。保護層３０Ａ、３０Ｂはシロキサン系熱硬化性樹脂で構成する。ＡＰＣ層４０の両面にＩＴＯ膜５０Ａ、５０Ｂを積層して透明導電膜積層体３を構成する。このフィルム積層体２と透明導電膜積層体３とを積層して、透明導電膜付ガスバリアフィルム１を構成する。 （もっと読む）

【課題】膜質及びバリア性を改善する。
【解決手段】プラズマＣＶＤ成膜装置１０は、第１成膜ロール２０Ａ及び該第１成膜ロールに対して平行に対向配置された第２成膜ロール２０Ｂを含む成膜ロール２０と、第１対称面１８Ａが設定され、成膜ゾーン２２が設定され、第２対称面１８Ｂが設定されており、第１対称面内に配列される１本又は２本以上のガス供給管３２であって、成膜ゾーンと対向し、かつ第２対称面に対して鏡面対称に配列される１個又は２個以上のガス供給口を有するガス供給管を備えるガス供給部とを備える。 （もっと読む）

【課題】 有機成分を含有する有機珪素酸合物の撥水性連続蒸着膜を有するＦＦＣ製造用撥水性離型フィルムを提供する。
【解決手段】 プラズマ化学気相成長法（ＰＥ−ＣＶＤ法）により、プラスチック基材上に炭素含有珪素化合物膜を形成させてなるＦＦＣ製造用撥水性離型フィルムにおいて、離型層として、分子内にＳｉ−Ｏ結合を含有する有機珪素化合物を蒸着原料とし、前記有機珪素化合物ガスの蒸着時に低酸素ガス雰囲気下で、プラスチック基材上に有機成分を含有するように有機珪素酸化物の連続蒸着膜をプラズマ化学気相成長により成膜させ、有機珪素化合物中の有機成分に基づく撥水性を発現させ、離型性を付与してなるＦＦＣ製造用撥水性離型フィルムである。 （もっと読む）

【課題】小スペースで可撓性基板の予備加熱、脱ガス及び材料改質のための処理を容易に行うことが可能であり、かつ高い精度と応答性で温度及び処理条件の制御を行うことが可能な可撓性基板の処理装置を提供することにある。
【解決手段】長手方向に沿って搬送される可撓性基板１の表面処理を行う可撓性基板１の処理装置において、可撓性基板１の巻出し室３に巻出しロール６を配置するとともに、巻出しロール６のコアに予備加熱及び脱ガス処理を行う加熱機構のロールコアヒータ１１を設けている。 （もっと読む）

【課題】 プラズマＣＶＤ装置１において、基材Ｗの端部の波状変形や異常なアーク放電を防止する。
【解決手段】本発明のプラズマＣＶＤ装置１は、真空チャンバと、真空チャンバ内に配備されると共に電源の両極が接続され且つ成膜対象であるシート状の基材Ｗが巻き掛けられる真空チャンバから絶縁された成膜ロール２と、基材Ｗが巻き掛けられていない成膜ロール２の端部２ａ、２ｂを成膜ロール２近傍に発生したプラズマ５から遮蔽する遮蔽部材４と、を備え、成膜ロール２の軸方向の端部２ａ、２ｂは中央部２ｃより小径に形成されていて、端部２ａ、２ｂの外周面と中央部２ｃの外周面との間には段差面２ｄが設けられており、遮蔽部材４がその外周面が成膜ロール２の中央部２ｃの外周面と面一になるように成膜ロール２の端部を覆っており、遮蔽部材４と段差面２ｄとの間には成膜ロール２の軸方向に基材Ｗが成膜ロール２に当接しない間隙が備えられている。 （もっと読む）

【課題】プラズマ成膜を行う際、成膜用原材料を効率よく使用して材料コストの低廉化及び省資源化を図る。
【解決手段】プラズマ用ノズル１６と、基材１０の成膜部位１２との間に、整流用治具１４を配置する。この整流用治具１４には、プラズマ供給路２０と、原材料供給路２２と、これらプラズマ供給路２０と原材料供給路２２が合流した成膜用合流路２４と、成膜部位１２を通過したプラズマ放電ガス及び未反応の原材料を排出するための排出路２６と、排出路２６中の未反応の原材料をプラズマ供給路２０に戻すための回収路２８とが形成される。プラズマ放電ガスとともに排出路２６の立ち上がり通路３４に流通した未反応の原材料は、冷却管３８を流通する冷却媒体によって冷却されることで凝縮し、液相となって回収路２８から成膜用合流路２４の鉛直通路３０に導入される。その後、プラズマ放電ガスによって揮発・再活性化された原材料は、成膜部位１２に再供給される。 （もっと読む）

ラジカル増進原子層堆積（ＲＥＡＬＤ）方法は、基板を、第１前躯体ガス、及びラジカル種、例えば酸素を含有する第２前駆体ガス２２６から発生する単原子の酸素ラジカル（Ｏ・）に、交互に被曝させるステップを有し、交互被曝中に、ラジカルと第１前駆体ガスとの空間的又は時間的隔離を維持する。第１及び第２前駆体ガスは通常のプロセス条件下で互いに反応性を有さず、それ故、ラジカルが再結合化、そうでなければ不活性化した後に、これらを混合することが許容されるとき、簡素化した反応器２１０の設計及びプロセス制御が可能となる。若干の実施形態では、第２前駆体ガス２２６は、酸素を含有する化合物、例えば二酸化炭素（ＣＯ_２）、亜酸化窒素（Ｎ_２Ｏ）、又はそのような酸素を含有する化合物の混合物とし、通常の酸素（Ｏ_２）はほとんど含まないものとする。 （もっと読む）

【課題】基材とガスバリア層との密着性が、従来よりも大幅に改善されたガスバリア性フィルムを、高い生産効率で提供する。
【解決手段】連続して走行する基材１０上にガスバリア層を形成するガスバリア性フィルムの製造方法であって、金属ロール電極１と、これに沿った円弧状の対向電極である接地電極２とを備えるＲＩＥ処理装置を用い、両電極１，２の間に、少なくとも酸化用ガスを含む1種類以上のガスと、気化した有機シリコン化合物とを導入する手段、及び処理空間内の圧力を３Ｐａ以上３５Ｐａ以下とし、電源周波数を３０ｋＨｚ以上４ＭＨｚ以下の高周波として、両電極１，２の間に、プラズマを発生させる手段により、基材１０の表面にプラズマ化学気相蒸着法により、厚さ３ｎｍ以上の中間密着層を形成する工程と、中間密着層の表面に、真空蒸着法によりガスバリア層を形成する工程とを備える製造方法。 （もっと読む）

【課題】膜質及びバリア性を改善する。
【解決手段】基材上に連続的に成膜するプラズマＣＶＤ成膜装置１０において、第１成膜ロール２０Ａ及び第２成膜ロール２０Ｂを含む成膜ロール２０と、第１成膜ロール及び第２成膜ロール間に位置しており、回転軸２０Ａａと回転軸２０Ｂａとを最短距離で結ぶ線分を２等分し、かつ該線分と直交する第１対称面１８Ａ、並びに前記第１成膜ロール及び前記第２成膜ロールの全長を２等分し、かつ第１対称面と直交する第２対称面１８Ｂが設定されており、第１対称面及び該第２対称面に対して鏡面対称となるように配置されるか、又は第１対称面と第２対称面とが交差して画成される交差線１９に対して軸対称となるように配置されている１個又は２個以上の真空排気口１４を有し、成膜ロールを格納している真空チャンバ１２と、成膜ガス供給部３０と、真空チャンバ外に設けられている真空ポンプとを備えるプラズマＣＶＤ成膜装置。 （もっと読む）

【課題】過酷な環境下で保存されても密着性に優れ、かつ良好な透明性、ガスバリア耐性を備えた透明ガスバリア性フィルムを提供する。
【解決手段】基材上に少なくとも低密度層及び高密度層から構成されるガスバリア層を有する透明ガスバリア性フィルムにおいて、該低密度層と該高密度層との間に、１層以上の中密度層を有することを特徴とする透明ガスバリア性フィルム。 （もっと読む）

【課題】被覆工程中の下地温度の均一性を向上することによって、下地全体にわたるプラズマ被覆性能の改善された一貫性を提供する。
【解決手段】下地がプラズマ・アーク被覆システムを通って進む際に前記下地を加熱するための装置であって、二次元配列された複数の第１の熱源にして、該第１の熱源配列の前で下地に熱を供給する、複数の第１の熱源と、下地のための所定の温度プロファイルに従って前記下地の表面の局部区域を加熱するために、各第１の熱源の動作を制御する制御装置とを含む、加熱装置。 （もっと読む）

【課題】製造コストを抑えつつ成膜の際の自由度を向上させることが可能な成膜装置および成膜方法を提供する。
【解決手段】複数のガイドロール１３，１４を用いて基材２０を搬送しつつ、複数のＡＬＤヘッド１１Ａ，１１Ｂによって前駆体ガス１０Ａ，１０Ｂを基材２０に対して出力し、原子層堆積による成膜を行う。各ＡＬＤヘッド１１Ａ，１１Ｂをガイドロール１３に対して個別に対向配置し、前駆体ガス１０Ａ，１０Ｂが基材２０に対して局所的に出力されるようにする。使用する前駆体ガス１０Ａ，１０Ｂの量が従来よりも削減されると共に、使用可能な前駆体ガスの種類の幅が広くなる。 （もっと読む）

前面、前面上の硬質コーティング、反射層、および硬質コーティングと反射層の間の中間帯を有するプラスチック基材を包含するプラスチックミラーであって、該中間帯が、金属および半金属、金属および半金属の酸化物および窒化物、ならびに炭素からなる群より選択される材料から形成される少なくとも１つの層を包含する、前記プラスチックミラー。 （もっと読む）