【課題】凹部が浅く扁平であるＰＳＳ（Ｐａｔｔｅｒｎｅｄ Ｓａｐｐｈｉｒｅ Ｓｕｂｓｔｒａｔｅ）を用いた場合であっても、ＰＳＳと窒化物半導体膜との間に空洞を確実に形成することのできる、ＰＳＳ／窒化物エピウェハの製造方法を提供する。
【解決手段】Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ（０＜ｘ≦１）からなる低温バッファ層を、凹部の底面上と凸部の上面上とで低温バッファ層の成長速度および／またはＡｌ組成ｘが異なるように成長させる工程と、この工程に続いて窒化物半導体膜を成長させる工程とを有し、窒化物半導体膜を成長させる工程の初期において、凹部の底面上における窒化物半導体の成長速度が、凸部の上面上における窒化物半導体の成長速度よりも小さくなるように、低温バッファ層の膜厚を設定する。 （もっと読む）

本発明は多孔性材料で作られた構造の化学気相堆積による溶浸のための方法及びデバイスに関している。前記方法によると、前記多孔性材料構造の第１の面はガス流にさらされており、第２の面は少なくとも部分的に全く接触がなく保持されている。
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固体担持体と、前記固体担持体上の複数の層と、を含む基板を作成するための方法であって、ａ）超臨界流体における単数又は複数の金属酸化物の前駆体の溶液によって加熱された固体担持体又は既に蒸着された下敷層を含浸し、担持体上又は下敷層上に、一つ以上の金属酸化物の粒子、あるいは、一つ以上の金属酸化物の均一、均質な分散された粒子からなる均一、均質及び連続したフィルムを蒸着する段階と、ｂ）担持体上又は下敷層上に、１つ以上の金属又は１つ以上の金属合金の連続又は不連続なフィルム、あるいは、一つ以上の金属又は１つ以上の金属合金の分散されたナノ粒子を、一つ以上の前駆体から、化学蒸着蒸着CVDによって、蒸着する段階と、を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】金属などの混入もなく高純度且つ高濃度のオゾンを簡便に効率よく製造することができ、基材との密着性などにも優れたオゾン生成用電極を提供する。
【解決手段】本発明のオゾン生成用電極は、基材と、基材の少なくとも一部を被覆する導電性薄膜とから構成され、導電性薄膜は、結晶質成分と非晶質成分が混在したダイヤモンドライクカーボンからなるものである。導電性薄膜は、ラマン分光分析において、１３２０〜１３５０ｃｍ^−１の範囲内、および１５４０〜１５９０ｃｍ^−１の範囲内に明確なピークを有しており、詳細には、１３４０ｃｍ^−１±２０ｃｍ^−１に存在するピークの積分強度Int＜１３４０＞と１５８０ｃｍ^−１±２０ｃｍ^−１に存在するピークの積分強度Int＜１５８０＞との比が下記（１）式を満足している。
Int＜１３４０＞／Int＜１５８０＞＝０．５〜１．５ ・・・ （１） （もっと読む）

光誘起化学気相蒸着を使用してナノ粒子上のコーティングを成長させた。エアロゾル化したナノ粒子を気相コーティング反応物と混合し、コーティング反応器に導入し、ここで、混合物を紫外光に曝露した。タンデム型微分移動度分析を使用して、初期粒径の関数としてのコーティングの厚さを決定した。
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【課題】改善された化学気相堆積炭化ケイ素物品および該物品の部品を結合する方法が求められている。
【解決手段】化学気相堆積炭化ケイ素物品および化学気相堆積炭化ケイ素物品を製造する方法が開示される。化学気相堆積炭化ケイ素物品は、焼結セラミック結合部１１６によって結合された複数の部品１１２、１１４で構成されている。結合部が強化され、物品の結合部における公差を維持する。物品は、半導体処理で使用され得る。 （もっと読む）

【課題】導電性ダイヤモンド膜の被覆手段としてプラズマＣＶＤ法を適用した導電性ダイヤモンド被覆網状電極、その製造方法などを提供する。
【解決手段】高融点金属で形成された網状基材に導電性ダイヤモンド膜をプラズマＣＶＤ法により被覆する網状電極の製造方法である。真空容器２１内に網状基材１を載置した載置台１１を設け、前記載置台１１に載置された網状基材１の外周を取り囲むように高融点金属で形成された外枠１２を前記載置台１１の外周部に設ける。そして前記真空容器２１内に炭素源を含む原料ガスを供給し、前記載置台１１および外枠１２を包み込むようにプラズマを形成して前記網状基材１に導電性ダイヤモンド膜を被覆する。 （もっと読む）

【課題】極めて薄い層であっても層の傾斜が経済的で、手早く正確に調整できる方法を提供する。
【解決手段】層を製造するプラズマＣＶＤ法、ここで、該層の傾斜が被覆プロセス中に少なくとも１つのプラズマ出力パラメーターを変化させることにより該層の成長方向に作られる、において、プラズマパルスＣＶＤ法で出力パルス列としてプラズマ出力を供給し、ここで、該パルス列はパルス振幅、パルス幅およびパルス間隔のパラメーターを有する；さらに該パルス振幅、パルス幅およびパルス間隔の少なくとも１つを変化させることにより、該層の傾斜を調整するステップ。 （もっと読む）

【課題】ピストンリング溝の上下面に対し、耐Ａｌ凝着性と耐摩耗性に優れたピストンリング、及び、ピストンリングの外周摺動面のシリンダライナに対する初期なじみ性、耐摩耗性及び耐スカッフ性に優れたピストンリングの提供。
【解決手段】少なくとも上面８及び下面９に硬質炭素膜２が形成されたピストンリングであって、その硬質炭素膜２は、酸素含有量が１原子％以上１０原子％以下であり、水素含有量が１０原子％以上４０原子％以下であり、ケイ素含有量が０．１原子％以上２０原子％以下であり、その硬質炭素膜２の組織形態が柱状組織２ｘである第１ピストンリング１０で、外周摺動面６に形成された硬質炭素膜２の組織形態は、上記柱状組織２ｘとは異なる緻密組織２ｙになっている。また、外周摺動面に硬質炭素膜が形成された第２ピストンリングは、形成された硬質炭素膜の表面形態が粒状形態を有し、その粒状形態が平均粒径で７００ｎｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】シート形状のプラズマを用い、処理対象が３次元構造である場合でも処理を均一に行うことのできるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】中間電極から陽極に向かって引き出されたプラズマに対して、対向する方向からプラズマ軸に向かう一対の磁界を印加して該方向に交差する方向にプラズマ径を広げ、プラズマの断面形状を扁平にする。一対の磁界の印加方向を軸を中心に回転させ、プラズマの扁平な方向を軸を中心に傾斜させる。これにより、立体構造の基板の端部（側面部）にプラズマを傾斜させて接近させることができるため、基板の中央部と端部の処理速度の分布を低減し、処理速度を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】 透明導電膜に用いる基板上に凹凸構造を形成するには、エッチングによるものや、スタンパを利用するものであるが、そのいずれも製造には高い技術とコストが必要であった。
【解決手段】 母材表面上にシリカよりなる微粒子が分散され付着されてなる母型または母材表面上にシリカよりなる微粒子が分散され付着されてなる原型を用いて製造されてなる母型とを用いて、該母型と基板前駆体の片面または両面とを互いにプレスする工程により、前記母型の表面形状を前記基板前駆体に転写して形成されてなる片面または両面に前記母型からの転写による凹凸構造を備える前記基板を製造することができ、容易に基板上に凹凸構造を形成することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】 化学蒸着法（ＣＶＤ）によって形成された被覆層に基体の成分が拡散して被覆層の強度が低下することを抑え、優れた耐摩耗性を有する長寿命の耐摩耗性部材を提供する。
【解決手段】 基体と、該基体上に形成された被覆層と、を有してなる耐摩耗性部材であって、前記基体は、炭化タングステン、炭化チタン、窒化チタンおよび炭窒化チタンの１種以上を主成分とする硬質相と、ＣｏおよびＮｉの１種以上を含む結合相と、を含んでなり、前記被覆層は、前記基体と接して形成されるとともに、Ａｌ元素を２５原子％以上含む第一の層と、該第一の層上に化学蒸着法によって形成された第二の層と、を備えた耐摩耗性部材である。
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【課題】大きな表面積を有し、かつ高い導電率を有する粒状ダイヤモンド、およびそれを用いたダイヤモンド電極を提供する。
【解決手段】長手方向における長さが３０ｍｍ以下であり、かつ、長手方向に対し垂直な方向における最大長さが１５ｍｍ以下であるＮｂ、ＴｉまたはＷで形成された柱状の基体と、基体表面の３０％以上を被覆する導電性ダイヤモンドとを備える粒状ダイヤモンド、または、直径１５ｍｍ以下のＮｂ、ＴｉまたはＷで形成された球状の基体と、基体表面の５０％以上を被覆する導電性ダイヤモンドとを備える粒状ダイヤモンド、ならびにこれらの粒状ダイヤモンドを用いたダイヤモンド電極。 （もっと読む）

体積の大きな構成部品にプラズマ支援によるコーティングおよび表面処理を施す装置および方法を提示する。本装置には、１つまたは複数のポンプを有する真空チャンバ（３、２０、３２）、第１の高周波発生器（５、１７、２８、４０）を有する第１の発振回路、前記第１の発振回路の調整可能なキャパシタンスおよび調整可能なインダクタンス、前記第１の発振回路内へ前記構成部品（１、２１、３１、３９）を組み込むための第１の端子、第２の高周波発生器（１８、２９、４０）を有する少なくとも１つの第２の発振回路、前記第２の発振回路内へ前記構成部品（１、２１、３１、３９）を組み込むための第２の端子、および、前記第２の発振回路の調整可能なキャパシタンスおよび調整可能なインダクタンスが装備されている。本方法では、前記第１および第２の発振回路のインダクタンスおよび／またはキャパシタンスが、前記構成部品（１、２１、３１、３９）に合わせて調節される。
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【課題】１２００℃以上の高温でも熱伝導率が安定しており、かつ焼結による皮膜の割れや剥離が発生しない遮熱コーティング層を備え、耐熱性および耐久性に優れた耐熱部材を提供する。
【解決手段】金属またはセラミックス部材から成る基材１と、この基材１の表面に被覆される遮熱コーティング層４とから成り、上記遮熱コーティング層４が、結合層として機能する金属層２と、この金属層２の上面に被覆された少なくとも１層のセラミックス層３とから構成される耐熱部材において、上記セラミックス層３のうちの少なくとも１層が酸化ハフニウムを主成分とするセラミックス層から成るとともに、このセラミックス層は酸化ハフニウムを８５％以上含有することを特徴とする耐熱部材である。 （もっと読む）

基板上での薄膜の堆積を制御するためのシステム及び方法が開示される。一実施形態は、基板を提供するステップと、電磁放射を放出するように構成された複数のソースを提供するステップと、複数のソースのうちの第１ソースへ第１の量の電力を提供するステップと、複数のソースのうちの第２ソースへ第２の量の電力を提供するステップとを備え、基板上での膜の堆積を制御するように第１の量の電力と第２の量の電力が異なるものである。 （もっと読む）

基板上での薄膜の堆積を制御するためのシステム及び方法。一実施形態は、真空チャンバーと、この真空チャンバー内に配置された複数のソースと、複数のガス管とを備え、これら複数のガス管の各々は、先駆ガスを配送するための第１容積部と、ポンピングを与えるための第２容積部とを含む。 （もっと読む）

【課題】 硬質被覆層が高速重切削加工ですぐれた耐チッピング性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】 工具基体の表面に、（ａ）下部層としてＴｉ化合物層、（ｂ）上部層として、化学蒸着したＡｌとＺｒの複合酸化物層からなり、該層におけるＺｒ／（Ａｌ＋Ｚｒ）の値（但し、原子比）は０．０００１〜０．００２であり、さらに、該層を構成する結晶粒について、それぞれ隣接する結晶粒相互の界面における（０００１）面の法線同士および｛１０−１０｝面の法線同士の交わる角度が１５度以下の結晶粒界面単位が全結晶粒界面単位の３５％以上を占める結晶粒界面配列を示す複合酸化物層、からなる硬質被覆層を蒸着形成する。 （もっと読む）

【課題】 硬質被覆層が断続高送り切削加工ですぐれた耐摩耗性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】ＷＣ基超硬合金またはＴｉＣＮ基サーメットで構成された工具基体の表面に、３〜２０μｍの合計平均層厚を有するＴｉ化合物層からなる下部層と、２〜１５μｍの平均層厚を有し、かつ化学蒸着した状態でα型の結晶構造を有するＡｌ_２Ｏ_３層からなる上部層を蒸着形成した表面被覆切削工具において、下部層側に存在し、かつ、上部層の３０〜５０％の層厚領域に存在するＡｌ_２Ｏ_３層を、Σ３のΣＮ＋１全体に占める分布割合が６０〜８０％である構成原子共有格子点分布グラフを示すＡｌ_２Ｏ_３層で構成する。 （もっと読む）

【課題】 硬質被覆層が高速断続切削加工ですぐれた耐チッピング性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】 工具基体の表面に、（ａ）下部層としてＴｉ化合物層、（ｂ）上部層として、化学蒸着した状態でＡｌ₂Ｏ₃相とＺｒＯ₂相の２相混合酸化物層からなり、該層におけるＺｒ／（Ａｌ＋Ｚｒ）の値（但し、原子比）は０．００３〜０．２であり、さらに、該層を構成する結晶粒について、それぞれ隣接する結晶粒相互の界面における（０００１）面の法線同士および｛１０−１０｝面の法線同士の交わる角度が１５度以下の結晶粒界面単位が全結晶粒界面単位の３０％以上を占める結晶粒界面配列を示す２相混合酸化物層、からなる硬質被覆層を蒸着形成する。 （もっと読む）