【課題】ウェハー外周部から剥離した膜がカラーリングに異物として付着することを抑制できるＣＶＤ装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】高密度プラズマＣＶＤ装置は、成膜とエッチングを同時に又は繰り返して行うことで埋め込み性の高い膜をウェハー上に形成する高密度プラズマＣＶＤ装置であり、、ウェハー２１が保持され、ウェハー２１より径の小さい静電チャック２と、静電チャック２の側壁を囲むように設置されたカラーリング１ｂとを具備し、カラーリング１ｂは、静電チャック２の側壁に対向し且つウェハーの外周部の下方に位置する対向部４０ａを有し、対向部４０ａは静電チャックの側壁を囲むように形成されており、対向部４０ａにおける静電チャック２に対して外側は、前記ウェハーの外周部の最も外側の端部より内側に位置していることを特徴とする。 （もっと読む）

金属源前駆体および式Ｉ：
Ｃｅ（Ｌ）_ｘ （式Ｉ）
［式中、Ｌはβ−ジケトナートであり、ｘは３または４である］に従うセリウムのβ−ジケトナート前駆体を用いる化学相成長法により、高κ誘電性膜の形成と安定化の方法を提供する。さらに、式Ｉに従うセリウム前駆体を用い、半導体装置の高κゲート特性を改善する方法を提供する。また、酸化ハフニウム、酸化チタン、またはそれらの混合物を含み、さらに、誘電率を維持または増加させる量のセリウム原子を含有する高κ誘電性膜を提供する。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的は半導体をその基板から分離する方法を提供することである。
【解決手段】 複数の棒状体を基板上に形成し、複数の棒状体上で半導体層をエピタキシー成長させ、更に、複数の棒状体の間の空隙にエッチング液を注入することによって、半導体層をその基板から分離する。複数の棒状体の間の空隙がエッチングの反応面積を大幅に増加させることができるため、本発明による方法によれば、エッチングによって半導体層を基板から分離する効率を向上させ、製造工程のコストを低減させることができ、しかも、基板に使われる材料も前記分離方法に制限されない。 （もっと読む）

【課題】陰極配線抵抗を低減せしめた有機ＥＬディスプレイ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】支持基板２上に、ストライプ状に形成された第一電極６と、有機ＥＬ層１０と、有機ＥＬ層１０上に第一電極６と交叉するようにストライプ状に配置された第二電極１２と、第一電極６および有機ＥＬ層１０上の面のうち、第一電極６と第二電極１２とが交叉する部分以外を被覆した画素分離膜８と、第二電極間を分離するために画素分離膜８上に第二電極１２と平行に配設され、該第二電極１２の長手方向に対して垂直な断面が逆テーパーとなっている、少なくとも構造の一部が導電性の第二電極分離隔壁２２とを備えた有機ＥＬディスプレイであって、各第二電極１２と各第二電極を両側から挟む第二電極分離隔壁２２との間に形成された２つの間隙の一方少なくとも２箇所以上に金属２６が堆積され、第二電極と第二電極分離隔壁とが点接触されている有機ＥＬディスプレイ。 （もっと読む）

【課題】小型の装置で複数枚の板状基材に同時に良好な特性を持つＤＬＣ膜を生成する。
【解決手段】ＤＬＣ膜量産装置１０は、チャンバ１２がアースに接地されている。このチャンバ１２内に各板状基材６０に対向する対向電極を配置することなく、複数枚の板状基材６０を平行に等間隔に並べて配置する。そして、プラズマ放電によるスパッタリングクリーニングや下地密着層を各板状基材６０に形成したあと、チャンバ１２の内圧が０．１〜１０Ｐａになるようにチャンバ１２内に炭素源ガスを導入すると共に各板状基材６０に一斉にパルス半値幅が０．１〜３μｓｅｃの直流パルスの負電圧を印加することにより、プラズマを発生させて各板状基材６０上にＤＬＣ膜を生成させる。 （もっと読む）

【課題】発光効率の高いLED構造の作製可能なエピタキシャル成長用基板を提供する。
【解決手段】本発明のエピタキシャル成長用基板2は、凹凸形状の主表面3aを有する単結晶基板3と、単結晶基板3上に、エピタキシャル成長により形成された、凹凸形状の第１表面4aを有する第１のIII族窒化物結晶からなる下地層4と、下地層4上に、エピタキシャル成長により形成された、第２のIII族窒化物結晶からなる中間層5とを少なくとも有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】貴金属薄膜を作製するため、ダメージを抑える金属膜（特に高融点金属）を基板の、特に微細な穴の底面だけに、均一にしかも高速に作製することができる金属膜作製装置とする。
【解決手段】タンタル（Ｔａ）製の被エッチング部材１１が備えられたチャンバ１内にハロゲンを含有する原料ガスとしてのＣｌ₂ガスを供給し、被エッチング部材１１に対してプラズマを発生させＣｌ₂ガスで被エッチング部材１１をエッチングすることにより被エッチング部材に含まれるＴａ成分とＣｌ₂ガスとの前駆体ＴａＣｌを生成し、表面に微細穴（トレンチ）が形成された基板側の温度を被エッチング部材の温度よりも低くし、トレンチの（底面の金属被覆厚／壁面の金属被覆厚）である被覆率を１より大きくするような状態にＣｌ₂ガス成分量を調整してトレンチの底面だけにＴａ成分を成膜させる。 （もっと読む）

【課題】オフ角ばらつきの小さい、窒化物半導体基板を製造することができる窒化物半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】下地基板（１）上に窒化物半導体層（２）を形成し、前記下地基板（１）から分離した前記窒化物半導体層（２）を用いて自立した窒化物半導体基板（３）を作製する窒化物半導体基板の製造方法において、前記下地基板（１）の反り量を、前記下地基板（１）の中心位置と前記下地基板（１）の中心から距離Ｒの位置とにおける結晶成長面である表面の高さの差（ただし、前記表面の高さの差の正負を、前記下地基板（１）の表面が凸形状の場合をマイナス、凹形状の場合をプラスとする）と定義したとき、前記下地基板（１）は、Ｒ＝２５ｍｍに換算した場合の前記反り量が−１００μｍ以上−２０μｍ以下の範囲にある。 （もっと読む）

【課題】円筒状基材上に、膜均一性の高い薄膜を安定し、かつ高生産性で形成できる大気圧プラズマ処理装置の提供。
【解決手段】円筒状基材を回転させる、少なくとも１対の基材駆動ユニットと、少なくとも１対の電極と、電極に接続された高周波電源と、薄膜形成ガスを含有するガスを供給するガス供給部と、を有し、
基材駆動ユニットは対向した電極の対向面に沿って円筒状基材を移動させ、電極はガス供給部から供給されたガスを大気圧もしくはその近傍の圧力下で高周波電源による高周波電界により励起し、対向する少なくとも前記１対の基材駆動ユニットにより電極の対向面に沿って移動される円筒状基材を励起したガスに晒すことにより、同時に、少なくとも２つの円筒状基材に薄膜を形成することを特徴とする大気圧プラズマ処理装置。 （もっと読む）

【課題】極小径の貫通孔を有するプレートに１回のプラズマ成膜処理で薄膜を成膜するための成膜処理用治具を提供する。
【解決手段】本発明に係る成膜処理用治具は、貫通孔を有するアパーチャープレート１０７を挟むことにより前記貫通孔、前記アパーチャープレートの表面及び裏面を露出させた状態で前記アパーチャープレートを保持する保持部材３９と、前記保持部材が取り付けられた電極部材と、を具備する成膜処理用治具８であって、前記電極部材は、プラズマＣＶＤ装置のプラズマ電力が印加される電極に電気的に接続されるものであることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】エッチングされた所望のアスペクト比の提供。
【解決手段】構造を形成するための方法が、基板の表面にわたって少なくとも１つの特徴部を形成するステップを含む。少なくとも１つの特徴部の上には窒素含有誘電体層を形成する。少なくとも１つの特徴部の少なくとも１つの側壁上の窒素含有層の第１の部分を、第１の速度で取り除き、少なくとも１つの特徴部の底部領域に隣接する基板の上の窒素含有層の第２の部分を、第２の速度で取り除く。第１の速度は第２の速度よりも大きい。窒素含有誘電体層の上に誘電体層を形成する。 （もっと読む）

【課題】有機層を用いることなく、耐熱性を向上させた反射防止膜を有するプラスチックレンズおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】プラスチックレンズ基材の表面に直接または他の層を介して多層反射防止膜を有するプラスチックレンズ。前記多層反射防止膜は、金属元素が同一であり、かつ酸素含有量が異なる少なくとも２つの金属酸化物層を隣接して有する複合層を含む。上記のプラスチックレンズの製造方法。前記複合層を構成する各金属酸化物層は、同一の蒸発源を用い、かつ隣接する層同士は、反応性酸素ガス分圧が異なる条件下で蒸着することで形成されることを含む。 （もっと読む）

【課題】高速高送り断続切削加工で硬質被覆層がすぐれた耐チッピング性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】工具基体の表面に、少なくとも、ＴｉとＺｒの複合炭窒化物層およびＺｒの炭窒化物層のうちの１層または２層以上と、１層以上のＴｉＣＮＯ層とからなる下部層と、Ａｌ_２Ｏ_３層からなる上部層を蒸着形成した表面被覆切削工具において、上記ＴｉＣＮＯ層は、電界放出型走査電子顕微鏡を用い、層の縦断面研磨面の法線に対して、（００１）面および（０１１）面の法線がなす傾斜角を測定し、（００１）面の法線同士および（０１１）面の法線同士の交わる角度が２度以上の場合を粒界と設定した上で、測定領域において粒界として識別される結晶粒相互間の界面のうち、（００１）面の法線同士、および（０１１）面の法線同士の交わる角度が１５度以上の粒界の長さＧＢＬと、測定したＴｉＣＮＯ層の層厚Ｔの比の値ＧＢＬ／Ｔが３２０〜６００である改質ＴｉＣＮＯ層からなる。 （もっと読む）

【課題】高速高送り断続切削加工で硬質被覆層がすぐれた耐チッピング性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】工具基体の表面に、Ｔｉ系化合物層からなる下部層と、Ａｌ_２Ｏ_３層からなる上部層を蒸着形成した表面被覆切削工具において、Ｔｉ系化合物層のうちの少なくとも一つの層が、（Ｔｉ_１−ＸＣｒ_Ｘ）Ｃ_１−ＹＮ_Ｙ（原子比で、０．００５≦Ｘ≦０．０５、０．４５≦Ｙ≦０．５５）を満足するＴｉＣｒＣＮ層であり、また、少なくとも他の一つの層が、電界放出型走査電子顕微鏡を用い、層の縦断面研磨面の法線に対して、（００１）面および（０１１）面の法線がなす傾斜角を測定し、（００１）面の法線同士および（０１１）面の法線同士の交わる角度が２度以上の場合を粒界と設定した上で、測定領域において粒界として識別される結晶粒相互間の界面のうち、（００１）面の法線同士、および（０１１）面の法線同士の交わる角度が１５度以上の粒界の長さＧＢＬと、測定したＴｉＣＮＯ層の層厚Ｔの比の値ＧＢＬ／Ｔが３２０〜６００である改質ＴｉＣＮＯ層で構成する。 （もっと読む）

イオン衝撃条件下でのプラズマ蒸着によって適用された非金属コーティングを有する医薬品吸入装置。
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【課題】表面全体にわたる十分な厚さの内部空洞壁のコーティングを得ることを可能にすること。
【解決手段】本発明は、金属ターボ機械部品の高温酸化保護用の気相堆積によるアルミ被覆プロセスに関し、上記部品（１）は空洞を含み、金属構成要素（９）が上記部品の開口部（５）から導入されて組み立てられる。
このプロセスに従って、ハロゲンとアルミニウムを含む金属ドナーの間の反応によってハロゲン化物が形成され、次いで、ハロゲン化物はキャリアガスによって運ばれて上記金属部品に接触し、金属構成要素（９）はプロセスの実施の前に最初にアルミニウムドナーとして働くためにアルミニウムで表面富化にされている。
本発明は、特にライナーを組み込むノズル案内翼に適用される。 （もっと読む）

【課題】酸化タングステン材料を利用することによりマイクロメートル領域の形状を持つ金型部品の耐久性を向上し、それを用いた微小部品生産を実現する。
【解決手段】微細加工用超硬材料工具は、加工工具部の材料が炭化タングステンを主材料とした超硬材料からなり、その表面に２０ｎｍ以上２００ｎｍ以下の厚さを持つ酸化タングステン５を主材料とした薄膜構造２を持たせ、酸化タングステン５を主材料とした薄膜構造２は、単結晶、多結晶構造及びアモルファス構造６のいずれか１つ、又は単結晶、多結晶構造及びアモルファス構造６の混合状態からなり、酸化タングステンを主材料とした薄膜構造は、酸化触媒効果を持つ金ナノ粒子７を含有し、打ち抜き用金型工具、絞り用金型工具、曲げ用金型工具のいずれかとして使用される。 （もっと読む）

【課題】 硬質被覆層が高速重切削加工ですぐれた耐チッピング性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】 工具基体の表面に、（ａ）下部層としてＴｉ化合物層、（ｂ）上部層として、化学蒸着したＡｌとＺｒの複合酸化物層からなり、該上部層を構成する結晶粒について、それぞれ隣接する結晶粒相互の界面における（０００１）面の法線同士および｛１０−１０｝面の法線同士の交わる角度が１５度以下の結晶粒界面単位が全結晶粒界面単位の１０％以上を占め、さらに、前記交わる角度が５５〜６５度の範囲内である結晶粒界面単位が全結晶粒界面単位の２０％以上を占める結晶粒界面配列を示す複合酸化物層、からなる硬質被覆層を蒸着形成する。 （もっと読む）

【課題】半導体加工装置に配設されている静電チャック自体が環境汚染物の発生源とならず、耐食性と耐プラズマ・エロージョン性に優れた静電チャックを提供する。
【解決手段】電極層と電気絶縁層とからなる静電チャック部材の外表面に、金属酸化物の超微粒子を含み、水素含有量が１５〜４０ａｔ％であるアモルファ状炭素・水素固形物の気相析出蒸着膜を有する静電チャック部材。 （もっと読む）

【課題】凹部が浅く扁平であるＰＳＳ（Ｐａｔｔｅｒｎｅｄ Ｓａｐｐｈｉｒｅ Ｓｕｂｓｔｒａｔｅ）を用いた場合であっても、ＰＳＳと窒化物半導体膜との間に空洞を確実に形成することのできる、ＰＳＳ／窒化物エピウェハの製造方法を提供する。
【解決手段】Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ（０＜ｘ≦１）からなる低温バッファ層を、凹部の底面上と凸部の上面上とで低温バッファ層の成長速度および／またはＡｌ組成ｘが異なるように成長させる工程と、この工程に続いて窒化物半導体膜を成長させる工程とを有し、窒化物半導体膜を成長させる工程の初期において、凹部の底面上における窒化物半導体の成長速度が、凸部の上面上における窒化物半導体の成長速度よりも小さくなるように、低温バッファ層の膜厚を設定する。 （もっと読む）