【課題】高硬度鋼の高速断続切削加工で、硬質被覆層がすぐれた耐チッピング性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】工具基体の表面に、（ａ）下部層としてＴｉ化合物層、（ｂ）中間層としてα型Ａｌ_２Ｏ_３層、（ｃ）上部層として、平板多角形状かつたて長形状の結晶粒組織構造を有するＺｒ含有α型Ａｌ_２Ｏ_３層を蒸着形成した表面被覆切削工具において、切刃部の中間層及び上部層は、それぞれ、（０００１）面配向率の高いα型Ａｌ_２Ｏ_３層、Ｚｒ含有α型Ａｌ_２Ｏ_３層からなり、また、切刃部の上部層の結晶粒の内、面積比率で６０％以上の結晶粒の内部は、少なくとも一つ以上のΣ３で表される構成原子共有格子点形態からなる結晶格子界面により分断されている。 （もっと読む）

【課題】硬質被覆層が高速切削加工ですぐれた耐剥離性と耐摩耗性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】工具基体の表面に、（ａ）下部層としてＴｉ化合物層、（ｂ）中間層としてα型Ａｌ_２Ｏ_３層、（ｃ）上部層として、平板多角形状かつたて長形状の結晶粒組織構造を有するＺｒ含有α型Ａｌ_２Ｏ_３層を蒸着形成した表面被覆切削工具において、すくい面および切刃部の中間層及び上部層は、それぞれ、（０００１）面配向率の高いα型Ａｌ_２Ｏ_３層、Ｚｒ含有α型Ａｌ_２Ｏ_３層からなり、また、すくい面および切刃部の上部層の結晶粒の内、面積比率で６０％以上の結晶粒の内部は、少なくとも一つ以上のΣ３で表される構成原子共有格子点形態からなる結晶格子界面により分断されている。 （もっと読む）

【課題】高品質の窒化物半導体単結晶及び窒化物半導体基板を効率よく得ることのできる製造方法を提供する。
【解決手段】表面１１と、傾斜面１２を有する側面１４とを備える窒化物半導体からなる種結晶１０の前記表面１１及び側面１４上に第２の窒化物半導体２０を成長させる成長工程を有し、前記成長させた第２の窒化物半導体２０の上面の面積が、前記種結晶１０の表面１１の面積よりも大きくなるように窒化物半導体を成長させる。 （もっと読む）

誘電体層の形成方法が記載される。この方法は、シリコン含有前駆体をラジカル−窒素前駆体と混合するステップと、誘電体層を基板上に堆積させるステップとを含むことができる。ラジカル−窒素前駆体は、遠隔プラズマ内で、窒素／水素比の調整を可能にするために、プラズマの中に水素（Ｈ_２）および窒素（Ｎ_２）を流すことによって形成される。誘電体層は、最初にシリコン−窒素含有層であり、膜を酸素含有環境内で硬化および／またはアニーリングすることにより、シリコン−酸素含有層に変換され得る。
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【課題】良好なエッジロールオフ値および良好な局所的平坦度を有すると同時に、望ましくない結晶欠陥、背面のハロ、オートドーピングおよびナノトポグラフィ作用を回避した、応力フリーのエピタキシャルコーディング半導体ウェハを提供すること。
【解決手段】ここに記載されているのは、前面および背面を有する半導体ウェハである。この半導体ウェハは、さらに光弾性応力測定（"ＳＩＲＤ"）によれば応力のないエピタキシャル層を前面に有し、さらにその背面にナノトポグラフィおよび「ハロ」を有しており、上記のナノトポグラフィは、２ｍｍ×２ｍｍの面積を有する正方形の測定ウィンドウにて２ｎｍ以上かつ５ｎｍ以下のＰＶ（＝peak to valley ピークから谷間まで）高さ偏差として表され、また上記のハロは、0.1ppm以上かつ5ppm以下のヘーズによって表される。 （もっと読む）

【課題】高面圧が外周摺動面に加わった場合であっても、硬質炭素膜の剥離を著しく低減できるピストンリングを提供する。
【解決手段】ピストンリング基材１と、ピストンリング基材１の少なくとも外周摺動面に設けられた下地膜２と、下地膜２上に設けられた厚さ１μｍ以上７μｍ以下の硬質炭素膜３とを有する。第１のピストンリング１１は、その下地膜２が、ピストンリング基材１上に設けられたＣｒ膜２ａと、Ｃｒ膜２ａ上に設けられたＣｒ−Ｎ膜２ｂとからなるように構成し、第２のピストンリング１２は、その下地膜２が、ピストンリング基材１上に設けられた第１Ｃｒ膜２ａと、第１Ｃｒ膜２ａ上に設けられたＣｒ−Ｎ膜２ｂと、Ｃｒ−Ｎ膜２ｂ上に設けられて硬質炭素膜３の厚さを１００としたときの厚さが２〜５の範囲の第２Ｃｒ膜２ｃとからなるように構成する。 （もっと読む）

【課題】工程数の少ない手法でギャップ間距離が小さく、さらに様々な電極形状が調製可能であるナノギャップ電極の製造方法を得る。
【解決手段】先端が９０度又は鋭角である角を備えた電極材料を基板上に形成し、この電極材料にレーザー光を照射して、鋭角の角の一部を切り離して微小電極を形成すると共に該微小電極と残余の電極本体との間にナノスケールのギャップを形成するナノギャップ電極の製造方法。基板上に１０〜１００μｍのサイズのポリマー又はセラミックスビーズを均一に展開し、この上に電極材料をＰＶＤ法又はＣＶＤ法により被覆し、このビーズを除去することにより基板上に三角錐の電極材料を残存させ、この三角錐の電極材料にレーザー光を照射し、鋭角の角の一部を切り離して微小電極を形成し、該微小電極と残余の電極本体との間にナノスケールのギャップを形成するナノギャップ電極の製造方法。 （もっと読む）

【課題】プラズマに晒されても表面が削れないように加工されたプラズマ処理装置用のアルミナ部材を提供する。
【解決手段】マイクロ波プラズマ処理装置は、内部にてプラズマが励起される処理容器１０と、前記処理容器内にプラズマを励起するために必要な電磁波を供給するマイクロ波源と、前記処理容器内に設けられたアルミナ部材３０と、を有し、前記アルミナ部材の少なくともプラズマに晒される表面は、窒化アルミニウムの膜にてコーティングされている。 （もっと読む）

【課題】長期の使用に亘ってすぐれた耐欠損性と耐摩耗性を発揮するダイヤモンド被覆工具を提供する。
【解決手段】ＷＣ基超硬合金またはＴｉＣＮ基サーメットで構成された工具基体表面に、粗粒結晶層と非晶質層の交互積層からなる膜厚１．５〜３０μｍの下部ダイヤモンド皮膜と、細粒結晶層と非晶質層の交互積層からなる膜厚１．５〜１０μｍの上部ダイヤモンド皮膜が被覆されたダイヤモンド被覆工具であって、下部ダイヤモンド皮膜上方側の粗粒結晶層の膜厚は、下部ダイヤモンド皮膜下方側の粗粒結晶層の膜厚より薄膜として形成され、また、上部ダイヤモンド皮膜表面側の細粒結晶層の膜厚は、上部ダイヤモンド皮膜下方側の細粒結晶層の膜厚より薄膜として形成されてなるダイヤモンド被覆工具。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣを用いた半導体装置を効率よく製造するための半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】第１の裏面Ｂ１を有する第１の炭化珪素基板１１と、第２の裏面Ｂ２を有する第２の炭化珪素基板１２とが準備される。第１および第２の裏面Ｂ１、Ｂ２の各々が一の方向に露出するように第１および第２の炭化珪素基板１１、１２が配置される。炭化珪素からなり、かつ第１および第２の裏面Ｂ１、Ｂ２を互いにつなぐ成長層３０が化学気相成長法によって形成される。 （もっと読む）

【課題】テラスエッジ部上の結晶欠陥を低減し、かつ表面平坦性に優れたｍ面ＧａＮ結晶を製造すること。
【解決手段】ａ面サファイア基板１０表面には、長手方向をｍ軸方向とする帯状の凹部１１が、ストライプ状に配置されて複数形成されている。凹部１１は、サファイア基板１０の主面に平行な底面１１ａと、向かい合う２つの側面１１ｂで構成されている。側面１１ｂは平面状である。テラス１０ａの幅ｘは２０μｍ以下、凹部１１の底面１１ａの幅ｙは１５μｍ以下、凹部１１の深さｚは５０ｎｍ以上、サファイア基板１０の主面に対して凹部１１の側面１１ｂのなす角度θは５０〜９０°、である。このサファイア基板１０上に結晶成長させたｍ面ＧａＮは、結晶欠陥が少なく結晶性に優れ、かつ表面平坦性に優れている。 （もっと読む）

【課題】熱ＣＶＤ成膜装置用チャンバ内に多数枚の外径サイズが相違する基板を縦置き姿勢で支持して両面成膜できるようにする。
【解決手段】本基板ホルダー１は、耐熱性素材から板状体に作られ、かつ、その基板保持面３に、基板７の端部７ａを縦方向から差込みすることが可能でかつその縦方向から差し込んだ姿勢で基板７を保持できる基板縦置き用溝９を備える。 （もっと読む）

【課題】優れた耐酸化性を発揮する硬質被覆層を有する炭化タングステン基被覆超硬合金工具を提供する。
【解決手段】Ｃｒを含有する超硬合金基材の表面に硬質被覆層第一層として、基材から拡散したＣｒを含有し、粒状結晶組織を有するチタンの炭化物膜を被覆し、第二層として柱状結晶組織を有するチタンの炭窒化物膜を被覆した表面被覆ＷＣ基超硬合金工具において、硬質被覆層被覆前に加熱処理を施し、基材表面のＣｒとＣｏ成分を調整した後、第一層被覆時の成膜条件を最適化することによって、Ｃｒ成分の選択的拡散を促し、同時にＣｏ成分の拡散をおさえることで、飛躍的に耐酸化性が優れた硬質被覆層被覆超硬合金工具を提供する。 （もっと読む）

【課題】高アスペクト比のフィーチャーをタングステン含有材料で充填する。
【解決手段】部分的に製造された半導体基板上の高アスペクト比のフィーチャーをタングステン含有材料で充填する方法が提供される。ある実施形態においては、当該方法は高アスペクト比のフィーチャーにタングステン含有材料を部分的に充填する工程とフィーチャー空洞から部分的に充填された材料を選択的に除去する工程とを有する。これらの方法を用いて処理された基板においては、高アスペクト比のフィーチャーに充填されたタングステン含有材料のステップカバレッジが改善され、シームの大きさが低減する。 （もっと読む）

【課題】摩耗及び靭性の要求が厳しい切削操作に有用なＣＶＤ被覆の切削工具を提供する。
【解決手段】本発明は、被膜と基材を含む被覆された切削工具であって、基材が、２つの隣接するＴｉ（Ｃ，Ｎ）層を含む４〜１０μｍ厚さの被膜で少なくとも部分的に被覆され、内側の層の残留応力状態と外側の層の残留応力状態との差Δが、切れ刃の少なくとも一部及び／又はすくい面の少なくとも一部上で１０００ＭＰａ≦Δ≦２５００ＭＰａである、被覆された切削工具に関する。 （もっと読む）

【課題】物理蒸着プロセスによって得られる領域、及び化学蒸着プロセスによって得られる領域を有する、光学干渉多層被膜を開示する。また、こうした被膜を作製する方法、並びに光透過性エンベロープを有するランプも開示する。
【解決手段】光透過性エンベロープの表面の少なくとも一部に、上記の光学干渉多層被膜を設ける。このような被膜をランプに使用すると、ランプのエネルギー効率が有利に改善される。
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【課題】均一で結晶性の高い単結晶ダイヤモンドを再現性良く、低コストで製造することができる単結晶ダイヤモンド層成長用基板及び単結晶ダイヤモンド基板の製造方法を提供する。
【解決手段】単結晶ダイヤモンド層を成長させるための基板１２は、材質が単結晶ダイヤモンドである基材１０と、基材１０の単結晶ダイヤモンド層を成長させる側にヘテロエピタキシャル成長させたイリジウム膜又はロジウム膜１１とからなり、基材１０の単結晶ダイヤモンド層を成長させる側の面の周端部が、曲率半径（ｒ）≧５０μｍで面取りされている。 （もっと読む）

【課題】合成皮革との剥離性の向上が可能であるとともにエンボス加工の賦型率を向上可能なエンボス付き離型紙の製造方法を提供する。
【解決手段】表面に凹凸を有するエンボス付き離型基材１と離型基材１の表面上にＣＶＤ法により形成された剥離層２とを備えるエンボス付き離型紙の製造方法において、凹凸を、所定の温度に冷却したエンボスロール５０を熱溶融樹脂１３と接触させ、熱溶融樹脂１３を冷却固化するチルロールエンボス法により形成する。 （もっと読む）

【課題】従来の窒化物半導体膜製造技術では、ＳｉＯ_２層によって構成されたマスクパターンを用いた選択成長技術が開発されている。しかし、ＳｉＯ_２層を用いたマスクパターンは熱的損傷を受けやすく、熱的損傷を受けたマスクパターンの構成要素であるＳｉまたはＯ_２は窒化物半導体膜に悪影響をもたらす。窒化物半導体発光素子の発光効率の低下や、個々の発光素子の発光効率のばらつきによる製品の信頼性低下及び、窒化物半導体発光素子生産の歩留まりを低下を改善する窒化物半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】窒化物半導体構造は、窒化物半導体膜が成長する成長面が単一部材からなる基板と、前記成長面上に形成された前記窒化物半導体膜１２２とを有し、前記基板の成長面には凹凸部１１３が無秩序に形成されたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高縦横比の特徴部のボイドなしの充填方法を提供する。
【解決手段】種々の実施例に於いて、この方法は低温化学蒸着工程によるタングステンでの特徴部の充填に関する。或る実施例に於いて、工程温度は特徴部充填の化学蒸着の間約３５０°Ｃ以下に維持される。この低温化学蒸着タングステン充填により、標準の化学蒸着充填と同様は薄膜抵抗を達成する一方、高縦横比の特徴部への向上された充填と下地層へとのフッ素移動への向上されたバリヤが得られる。発明は更に低抵抗を有するタングステンフィルムの堆積方法に関する。種々の実施例に於いて、この方法ではタングステンバルク層の堆積及び／或は低温化学蒸着によるバルク層の堆積の前に堆積された核形成層に低温低抵抗処理を実施し、その後高温化学蒸着を実施する。 （もっと読む）