【課題】膜厚の均一な炭素膜を、３次元形状の処理物に成膜する成膜装置，炭素膜の成膜方法及び炭素膜を提供すること。
【解決手段】本発明の炭素膜の成膜装置１は、プラズマＣＶＤ法によってワークＷの表面に炭素膜を形成する炭素膜の成膜装置１であって、真空槽１０と、ワークを保持する第一の電極２と、第一の電極２と間隔を隔てた位置にもうけられ、かつ第一の電極２の外周に立設してもうけられた立設部３１を備えた原料ガスをイオン化する第二の電極３と、第一の電極２，第二の電極３のそれぞれに独立して電力を供給する電源装置２５，３５と、原料ガスを供給するノズル４２と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】鋼や鋳鉄等の高速連続切削加工において、硬質被覆層がすぐれた耐チッピング性と耐摩耗性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】工具基体の表面に、（ａ）３〜２０μｍの合計平均層厚を有するＴｉ化合物層からなる下部層、（ｂ）１〜１５μｍの平均層厚を有する酸化アルミニウム層からなる中間層、（ｃ）４〜１４μｍの平均層厚の縦長成長結晶組織をもつ改質Ｔｉ炭窒化物層からなる上部層、前記（ａ）、（ｂ）、（ｃ）の硬質被覆層が化学蒸着により形成された表面被覆切削工具において、（ｄ）上部層を構成する改質Ｔｉ炭窒化物層は、表面から層厚方向に沿って内部側に、深さ０．５〜４．０μｍの範囲内の間隔をおいて、酸素含有量の複数のピークが現れ、該ピーク位置における酸素含有量Ｏ_ＭＡＸは、Ｏ_ＭＡＸ＝３〜８原子％である酸素濃化領域を少なくとも１つ備えている。 （もっと読む）

【課題】ＣＦＲＰ材の切削加工において、刃先の耐衝撃性と潤滑性、切屑排出性にすぐれ、長期の使用にわたってすぐれた耐摩耗性を発揮するダイヤモンド被覆切削工具を提供する。
【解決手段】 工具基体表面に、結晶性ダイヤモンド層を被覆したダイヤモンド被覆切削工具において、切れ刃の上記結晶性ダイヤモンド層の表面には、平均粒径１〜５０ｎｍのナノダイヤモンド層を被覆形成し、切れ刃の最先端から上記結晶性ダイヤモンド層までの最短距離を３〜１５μｍとし、さらに、切れ刃の上記ナノダイヤモンド層のすくい面側表層（さらに、ナノダイヤモンド層の逃げ面側表層）には、表面粗さＲａが０．１μｍ以下で膜厚が１０〜２００ｎｍの非晶質カーボン膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】従来よりも原子レベルで平坦な表面を有する窒化物半導体薄膜及びその成長方法を提供する。
【解決手段】ミスカットを有するGaN基板１０１のステップフロー成長（工程１）により制限領域内に形成されたテラス２０２に、工程１よりもキャリアガスに含まれる水素の組成を少なくして、トリメチルガリウム(TMG)又はトリエチルガリウム(TEG)を供給し、テラス２０２の上にGaNの２次元核３０１を１個以上100個以下発生させる（工程２）。次に、工程２よりもキャリアガスに含まれる水素の組成を多くする（工程３）。これにより、複数の２次元核３０１が横方向成長して１分子層の厚さの連続的なGaN薄膜３０２となる。工程２と工程３を交互に繰り返すことにより、２分子層以上の厚さのGaN薄膜３０３を成長させる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、エピタキシャル層を成長させることに用いるベース及びその使用方法に関する。
【解決手段】本発明のベースにおいては、基板及びカーボンナノチューブ層を含む。前記基板は、結晶面を含み、前記カーボンナノチューブ層が、複数のカーボンナノチューブを含み、前記基板の結晶面に配置される。前記カーボンナノチューブ層に、複数の空隙が形成されている。前記基板の結晶面の一部が前記カーボンナノチューブ層の複数の空隙によって露出される。しようとするエピタキシャル層を前記基板の該一部の結晶面から前記カーボンナノチューブ層の複数の空隙を通じて成長させる。 （もっと読む）

【課題】硬質被覆層がすぐれた靭性、耐チッピングを備え、長期の使用にわたってすぐれた耐摩耗性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】ＷＣ超硬合金、ＴｉＣＮ基サーメットからなる工具基体の表面に、（ａ）改質ＴｉＣＮ層を含むＴｉ化合物層からなる下部層、（ｂ）酸化アルミニウム層からなる上部層、からなる硬質被覆層を蒸着形成した表面被覆切削工具において、上記改質ＴｉＣＮ層の膜厚方向に、０．０２μｍの厚み幅間隔で、各厚み幅領域における平均粒径Ｄの膜厚方向変化を調べた場合に、平均粒径Ｄが０．５〜１．５μｍである厚み幅領域と、平均粒径Ｄが０．０５〜０．３μｍである厚み幅領域とが、上記改質ＴｉＣＮ層の膜厚方向に沿って、交互に少なくとも複数領域形成されていることによって、下部層の上記改質ＴｉＣＮ層の平均粒径Ｄが膜厚方向に沿って０．５μｍ〜５μｍの周期で周期的に変化する結晶粒組織構造を備える。 （もっと読む）

【課題】本発明は、エピタキシャル構造体及びその製造方法に関する。
【解決手段】本発明のエピタキシャル構造体の製造方法は、少なくとも一つの結晶面を有する基板を提供する第一ステップと、前記基板の結晶面に複数の空隙を含むカーボンナノチューブ層を配置する第二ステップと、前記基板の結晶面にエピタキシャル層を成長させる第三ステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】 化合物層および炭素膜の厚みを増すことなく窒化層のみを選択的に厚くし、金型表面に形成される炭素膜の耐久性を向上させる技術を提供する。
【解決手段】 本願は、第１工程と第２工程と第３工程をこの順序で行う金型の表面処理方法を開示する。第１工程は、金型材料の窒化層が形成される条件下で有機ガスとともに金型を熱処理することによって、カーボンナノコイル、カーボンナノチューブおよびカーボンナノフィラメントからなる群から選ばれる少なくとも１種のナノカーボン類を含むナノカーボン炭素膜を形成するナノカーボン炭素膜形成工程と、ナノカーボン炭素膜の表面にフラーレン類を塗布するフラーレン類塗布工程と、炭素膜が形成された金型を４００℃以上に加熱する焼成工程とをこの順序で行う工程である。第２工程は、第１工程によって形成された炭素膜の表面にショットブラスト処理を行う工程である。第３工程は、第２工程後の金型を、ナノカーボン炭素膜形成工程と、フラーレン類塗布工程と、焼成工程とをこの順序で行う工程である。 （もっと読む）

【課題】 被覆層の耐チッピング性に優れて、耐欠損性に優れる切削工具等の被覆部材を提供する。
【解決手段】 基体の表面を被覆層で被覆した被覆部材であって、前記被覆層はＴｉＣＮ層とＡｌ_２Ｏ_３層が順に積層されており、１００μｍ^２領域で観察した際に、前記ＴｉＣＮ層は、平均粒子幅が３〜６μｍで、各粒子の粒径分布が標準偏差σで前記平均粒子幅の０．３倍以下のＴｉＣＮ粒子からなり、前記Ａｌ_２Ｏ_３層は、粒径３〜６μｍのＡｌ_２Ｏ_３巨大粒子が１０−３０面積％と、粒径０．３〜１．５μｍのＡｌ_２Ｏ_３微細粒子が７０−９０面積％とからなる切削工具１等の被覆部材である。 （もっと読む）

【課題】１つの実施形態は、例えば、ＣＶＤ装置による成膜処理に対する新規な前処理を行うことができる基板処理装置及び成膜システムを提供することを目的とする。
【解決手段】１つの実施形態によれば、ＣＶＤ装置による成膜処理を行う基板の前処理を行なうための基板処理装置であって、前記基板を保持する基板ステージが配された基板処理室と、前記基板処理室内で前記基板ステージを介して前記基板を加熱する加熱部と、前記基板処理室内で、前記加熱部により加熱された前記基板の表面を酸化する酸化処理部と、前記基板処理室内で、前記酸化処理部により酸化された前記基板の表面に有機溶剤を塗布する塗布処理部とを備えたことを特徴とする基板処理装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】より優れた耐摩傷性を発揮するトップコート層が、アンダーコート層に対して高い密着性をもって積層形成されてなる樹脂製品を提供する。
【解決手段】ポリカーボネート製の樹脂基材１２の表面に積層されたアンダーコート層１４上に、有機珪素化合物のプラズマＣＶＤ層からなる基層部１８と、無機珪素化合物のプラズマＣＶＤ層からなる表層部２０との複層構造を有するトップコート層１６を更に積層形成して、構成した。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理を促進させる方向を制御する。
【解決手段】インピーダンス調整部のインピーダンスを制御することで、基板の処理面に加わる電界の少なくとも垂直成分の強度を調整しつつ、プラズマ生成部による電力を制御することで、基板の処理面に加わる電界の少なくとも水平成分の強度を調整して、プラズマ処理を促進させる方向の電界を強くする。 （もっと読む）

【課題】形状や大きさ等が互いに異なる複数種類の樹脂基材の表面に、被膜を、１個の装置で迅速に且つ効率的に形成可能な樹脂基材の表面被膜形成装置を提供する。
【解決手段】真空チャンバ１６内を減圧状態とする排気手段４６，４８と、真空チャンバ１６内に反応ガスを導入するガス導入手段５０，５２と、真空チャンバ１６内に誘導電磁界を形成して、該真空チャンバ１６内に導入された反応ガスの誘導結合プラズマを生成する誘導電磁界形成手段２８とを、真空チャンバ１６に設ける一方、前記ガス導入手段５０，５２が、真空チャンバ１６内に開口するガス導入口５６を備えた導入ヘッド５４と、該ガス導入口５６の該真空チャンバ１６内での開口位置を変更させる開口位置変更機構５８とを有するように構成した。 （もっと読む）

【課題】鋼や鋳鉄等の高速連続切削加工において、硬質被覆層がすぐれた耐チッピング性と耐摩耗性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】工具基体の表面に、Ｔｉ化合物層からなる下部層（但し、上部層と接する下部層は改質ｌ−ＴｉＣＮ層）と、Ａｌ_２Ｏ_３層からなる上部層で構成された硬質被覆層を形成してなる表面被覆切削工具において、前記改質ｌ−ＴｉＣＮ層は、Ａｌ_２Ｏ_３層との界面から改質ｌ−ＴｉＣＮ層内部側に深さ０．５〜２．０μｍの範囲内の間隔をおいて、酸素含有量の複数のピークが現れ、該ピーク位置における酸素含有量Ｏ_ＭＡＸは、Ｏ_ＭＡＸ＝３〜８原子％である少なくとも３つの酸素濃化領域を備え、また、前記Ａｌ_２Ｏ_３層は、測定領域の粒界の全長ＧＢ_Ｌ（μｍ）と、測定領域の面積Ｇ_Ａ（μｍ^２）が、ＧＢ_Ｌ／Ｇ_Ａ＝２２〜４１の関係を満足する微細結晶Ａｌ_２Ｏ_３層である。 （もっと読む）

【課題】 切刃における被覆層のチッピングや剥離を抑制できるとともに耐溶着性を向上した切削工具を提供する。
【解決手段】 棒状で、外周に切刃２と、切刃２よりも内側に凹んだ位置に形成される切屑排出溝３とを備えた基体４の表面に１層以上の被覆層５を被覆してなり、切刃２の表面には基体４の全周にわたって被覆される第１被膜層５ａに加えて基体４側に別途第２被覆層４ｂが形成されているツイストドリル１等の回転工具である。 （もっと読む）

【課題】種々の基板５の表面に分布が均一の成膜等の真空処理を行うことができる技術を提供する。
【解決手段】基板５が配置される真空槽２と、真空槽２の外部に設けられ処理ガスを供給する処理ガス供給源７と、配管を用いて構成され、処理ガス供給源７から供給された処理ガスを基板５に向って放出する蒸気放出器１０とを備える。蒸気放出器１０は、有機材料の蒸気の導入側から放出側に向って４^n-1（ｎは自然数）の等比級数で段階的に分岐する第１〜第３の分岐配管ユニット１１〜１３を有する分岐配管群１１０〜１３０を備え、最終段の第３の分岐配管群１３０における分岐配管ユニット１３のガス放出側端部に、処理ガスを放出する蒸気放出口１４ａ〜１４ｄがそれぞれ設けられ、これら複数のガス放出口１４ａ〜１４ｄから基板５に向って有機材料の蒸気を放出するように構成されている。 （もっと読む）

【課題】炭素を含む膜を選択成長させること。
【解決手段】主面上にトレンチとポストが形成された基板１３上に、選択的に炭素を有した膜を、プラズマＣＶＤ法により堆積する選択成膜方法である。基板を設置する反応室１１において、第１電力により、膜の原料ガスのプラズマを生成し、反応室と連通し、区画された補助空間２１において、第２電力により、基板に対してエッチング性を有するガスのプラズマを生成して、反応室に、イオン及びラジカルを供給する。反応室において、基板の主面に垂直方向に電界を発生させるバイアス電圧を制御して、基板のポストの上面、トレンチの側面及び底面に至るイオン量を制御する。第１電力、第２電力、バイアス電圧を制御することにより、基板の前記ポストの上面、トレンチの側面及び底面のうちの選択された１つの面、又は、２つの面に対して、膜を成膜する。 （もっと読む）

【課題】炭素繊維等の高密度繊維材料の線径に関わらず切削加工が容易に行えて、かつこれらを加工するのに十分な耐摩耗性を有するボロン含有ダイヤモンド膜被覆工具の成膜方法を提供することを課題とする。
【解決手段】反応室２外にてボロンを含む液体９を加熱することでボロンを含む気体を生成した後、ボロンを含む気体を反応室２内に導入して、直流放電プラズマ方式によりボロン含有ダイヤモンド膜を工具２０表面に被覆する。また、反応室２外におけるボロンを含む液体９の加熱およびボロンを含む気体の反応室２内への導入は、ボロンを含む液体９を液体用マスフローコントローラにより配管内に導入して、ヒータによる配管の外部加熱および配管内の真空雰囲気によって気化して、その状態でボロンを含む気体を反応室２内へ導入する。 （もっと読む）

【課題】高硬度グラファイト材の高速加工や高硬度カーボンフィラーを配合したＣＦＲＰ材の加工に用いるダイヤモンド被覆切削工具において、耐摩耗性、耐剥離性に優れるダイヤモンド表面被覆切削工具を提供する
【解決手段】超硬合金を基体とする切削工具の刃部にダイヤモンド皮膜を有する被覆工具において、該基体の直上にグラファイト層からなる中間層を有し、該中間層の平均厚みＸは、５≦Ｘ≦１５（ｎｍ）であり、該ダイヤモンド皮膜のラマンスペクトル分析において１３２０≦Ｄ≦１３４０（ｃｍ^−１）及び１５１０≦Ｇ≦１５９０（ｃｍ^−１）にピークを有し、１３２０≦Ｄ≦１３４０（ｃｍ^−１）における半価幅Ｗｄが、Ｗｄ≦２０（ｃｍ^−１）で、１５１０≦Ｇ≦１５９０（ｃｍ^−１）における半価幅Ｗｇが１７０≦Ｗｇ≦２５０（ｃｍ^−１）であることを特徴とするダイヤモンド被覆切削工具である。 （もっと読む）

【課題】 従来の方法と比較して、短時間で凹部の全体に導電材を埋め込むことができる技術を提供する。
【解決手段】 本願に係る導電材の埋め込み方法は、半導体装置の製造過程において表面に形成される凹部２２に導電材を埋め込む方法に関する。この方法は、凹部２２の少なくとも底面に露出する下地層１０の表面に不純物２４ａを定着させる不純物定着工程と、不純物２４ａが定着した下地層１０を利用して導電材をＶＬＳ成長させて、凹部の全体に導電材を埋め込むＶＬＳ成長工程とを有する。この方法では、ＶＬＳ成長によって凹部２２に導電材を埋め込むため、短時間で導電材を埋め込むことができる。 （もっと読む）