【課題】 トレンチの内部に酸化障壁となる膜を形成しなくても、トレンチの内部に埋め込まれた埋め込み材料に空隙が発生することを抑制することが可能なトレンチの埋め込み方法を提供すること。
【解決手段】 少なくともトレンチ６の側壁に酸化膜７が形成されている半導体基板１を加熱し、半導体基板１の表面にアミノシラン系ガスを供給して半導体基板１上にシード層８を形成し、シード層８が形成された半導体基板１を加熱し、シード層８の表面にモノシランガスを供給してシード層８上にシリコン膜９を形成し、シリコン膜９が形成された半導体基板１のトレンチ６を、焼成することで収縮する埋め込み材料１０を用いて埋め込み、トレンチ６を埋め込む埋め込み材料１０を、水及び／又はヒドロキシ基を含む雰囲気中で焼成するとともに、シリコン膜９、及びシード層８をシリコン酸化物に変化させる。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイス製造の多層プロセスにおいて、劣悪な平坦性は、ホトリソグラフィー工程で問題を惹起し得る。特に初期の堆積ステップにおける劣悪な平坦性は、半導体デバイス製造のより高い層を通じて増幅される傾向がある。この点を改良した半導体デバイス製造工程初期のブランケット層の堆積方法を提供する。
【解決手段】ガス状の前駆体混合物を形成するためにシリコンソース、ゲルマニウムソース及びエッチャントを混合することを含み、ＳｉＧｅ膜３０をブランケット堆積する方法。本方法はさらに、化学気相成長条件下において、ガス状の前駆体物質を基板１０上に流し、パターンの有無に関わらず、基板１０上にエピタキシャルＳｉＧｅを堆積させる方法に依り、平坦性の優れたブランケット層３０を堆積する。 （もっと読む）

【課題】ダイアモンド状炭素膜被覆物品であって、ダイアモンド状炭素膜の物品本体への密着性に優れているダイアモンド状炭素膜被覆物品を提供する。
【解決手段】少なくとも一部が、アモルファス炭化珪素膜からなる中間層を介して形成されたダイアモンド状炭素（ＤＬＣ）膜で被覆されているダイアモンド状炭素膜被覆物品Ｗ。アモルファス炭化珪素膜は、波長５３２ｎｍのレーザーを用いるレーザーラマン分光分析においてラマンシフト１４００ｃｍ^-1〜１６００ｃｍ^-1の範囲にスペクトル強度のピークを示す膜である。 （もっと読む）

【課題】ボイドの発生を抑制することができるシリコン膜の形成方法およびその形成装置を提供する。
【解決手段】シリコン膜の形成方法は、第１成膜工程と、エッチング工程と、第２成膜工程とを備えている。第１成膜工程では、被処理体の溝を埋め込むようにシリコン膜を成膜する。エッチング工程では、第１成膜工程で成膜されたシリコン膜をエッチングして前記溝の開口部を広げる。第２成膜工程では、エッチング工程で開口部が広げられた溝にシリコン膜を埋め込むように成膜する。これにより、表面に溝が形成された被処理体の溝にシリコン膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】巻取り体の端面からのガス供給装置を設置することなく、大気開放時にゴミの流入を防止し、且つ、巻取り部材を非接触状態で維持する非接触巻取り体の製造方法。
【解決手段】５．０×１０^−４Ｐａ以下の圧力条件に保たれた真空容器の内部で、基板の端部に直接突起形状を複数設ける工程、または、少なくとも片面に突起形状を複数設けたテープ状フィルムを該基板の両端に共巻する工程を有し、次いで、前記真空容器を前記圧力条件〜大気圧条件に大気開放する工程を有する非接触巻取り体の製造方法において、該大気開放する工程が、真空状態から１．０×１０^−３Ｐａ／秒〜０．１Ｐａ／秒の速度で１Ｐａ〜１０Ｐａの圧力範囲に装置内を調整する第１の圧力調整工程と、次いで、１．０×１０^１Ｐａ／秒〜５．０×１０^２Ｐａ／秒以下の速度で大気開放する第２の圧力調整工程を有することを特徴とする非接触巻取り体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】ボート上にダミーウエハと隣接して製品ウエハを搭載するようにした基板処理装置において、製品ウエハの面間膜厚均一性を向上させる基板処理装置を提供する。
【解決手段】ボート上に、表面に凹凸が形成された複数の第１の基板（製品ウエハ）を積層保持するとともに第１の基板の上端若しくは下端に第１の基板よりも表面の凹凸が少ない第２の基板（ダミーウエハ）を保持し、処理室内にて第１の基板および第２の基板を処理する際に、第１の基板および第２の基板に向けて処理ガスを供給するとともに、第２の基板に向けて不活性ガスを供給する。 （もっと読む）

【課題】発光層がストライプ状の凹凸形状に沿って形成されたIII 族窒化物半導体発光素子において、発光層を均一な厚さに形成すること。
【解決手段】まず、基板１０１の一方の表面に、ノコギリ歯状ストライプの凹凸形状を形成する（図２（ａ））。次に、基板１０１のノコギリ歯状ストライプの凹凸形状が形成された側の表面上に、減圧ＭＯＣＶＤ法によって、その凹凸形状に沿って、ｎ型層１０２、発光層１０３、ｐ型層１０４を順に積層させる。これにより、各層が凹凸形状に沿ってうねったノコギリ歯状ストライプの形状となるよう形成する（図２（ｂ））。ここで、ガス流方向は、凹凸形状のストライプ方向に平行な方向とした。これにより、発光層１０３の面内膜厚分布、組成分布を均一にすることができる。 （もっと読む）

【課題】実質的に純粋な、同形の金属層を１以上の基体上に金属含有前駆体の分解によって堆積する方法を提供する。
【解決手段】堆積プロセスの間、一または複数の基体は前駆体の分解温度より高い温度に維持され、一方、周囲の環境は前駆体の分解温度より低い温度に維持される。前駆体は輸送媒体、たとえば蒸気相の中に分散される。蒸気相はその中に液体も含有し、該蒸気相中の金属含有前駆体（一または複数の金属含有前駆体）の濃度は、金属前駆体（一または複数の金属前駆体）について飽和またはそれに近い状態にある。輸送媒体と基体との間の上述の温度の制御を確保することによって、かつ輸送媒体について飽和状態を維持することによって、堆積された金属薄膜の品質は顕著に改善され、かつ副生金属粉塵の生成は大きく低減されまたは実質的になくされる。 （もっと読む）

【課題】 抗菌処理が必要な時にダイヤモンドライクカーボン膜を衛生装身材にコーティングすることができる。
【解決手段】 インナ電極１３の表面に立体マスク３５を装着支持し、導入管２３及び導入ガイド２１を介して処理ガスを供給すると共に、電源装置２６により治具１１を介してインナ電極１３に負電圧を印加し、アウタ電極２２との対向部位に炭素を含むプラズマ雰囲気を形成し、立体マスク３５にダイヤモンドライクカーボンを成膜し、抗菌処理が必要な時に容易に抗菌処理を施す。 （もっと読む）

【課題】プラスチックの質感を避けるため、物品の変色を防止するためそして調節可能な着色効果または完全に透明なコーティングを同時に提供するために、物品上に非常に薄いフィルムを形成することができる、金属物品を着色するための表面処理方法を提供する。
【解決手段】基板を用意することと、原子層析出（ＡＬＤ）によって基板の表面にセラミック層を形成することとからなり、セラミック層は１〜１０００ｎｍの厚さを有する表面処理方法。処理された基板表面は、基板の表面と同じ色または異なる色を有することができ、同時に酸化／変色の発生を避けることができる。 （もっと読む）

【課題】作業工数、特に、孔加工工数を低減することができる基板処理装置用の多孔板の製造方法を提供する。
【解決手段】予め多数の第１の貫通孔４２が形成されたカーボン基台４１の表面に、化学蒸着（ＣＶＤ）法によって、例えば厚さ５ｍｍのＳｉＣ膜４３を形成させ、その後、第１の貫通孔４２に対応する第２の貫通孔４４が多数設けられた表層の多孔ＳｉＣ膜４３を切り出し、加熱してＳｉＣ膜４３に付着したカーボンを燃焼、除去し、必要に応じて表面を研削し、また表面処理を施す。 （もっと読む）

【課題】硬質被覆層が高速重断続切削加工ですぐれた耐チッピング性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】工具基体の逃げ面及びすくい面の表面に、（ａ）Ｔｉ化合物層、（ｂ）α型Ａｌ_２Ｏ_３層、（ｃ）平板多角形状かつたて長形状の結晶粒組織構造を有するＺｒ含有α型Ａｌ_２Ｏ_３層をそれぞれ順次に蒸着形成し、一方、切刃部には、上記（ａ）のＴｉ化合物層及び上記（ｂ）のα型Ａｌ_２Ｏ_３層を順次蒸着形成した表面被覆切削工具において、上記（ｂ）は、（０００１）面配向率の高いα型Ａｌ_２Ｏ_３層からなり、また、逃げ面およびすくい面の上記（ｃ）は、（０００１）面配向率が高く、かつ、面積比率で６０％以上の結晶粒の内部は、少なくとも一つ以上のΣ３で表される構成原子共有格子点形態からなる結晶格子界面により分断されている。 （もっと読む）

【課題】従来よりも小型軽量化または省エネルギー化を図れる排気ガス制御装置を提供する。
【解決手段】
本発明の排気ガス制御装置（３）は、燃焼機関の排気ガスの経路に配設され排気ガスの流れを制御する制御弁（２４）と、この制御弁と一体的に可動する可動軸（２７）と、可動軸を摺動させつつ支承し可動軸の摺動面に摺接する摺受面を有する軸受（３４、３９）とを備える。前記摺動面または前記摺受面の少なくとも一方は、Ｓｉ、Ｈおよび残部であるＣからなる非晶質炭素膜（ＤＬＣ−Ｓｉ膜）を有し、このＤＬＣ−Ｓｉ膜は付着する界面に臨む臨界部とこの臨界部に連なり表面側へ延びる表面部とからなる。その表面部はＳｉ濃度が８〜３０原子％である部分を有し、臨界部は表面部よりもＳｉ濃度が低い。このようなＤＬＣ−Ｓｉ膜が摺動部に存在することで、常温域および高温域における摩擦係数を長期にわたり低減できる。 （もっと読む）

【課題】硬質被覆層が高速重切削加工ですぐれた耐剥離性と耐摩耗性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】工具基体の表面に、（ａ）下部層としてＴｉ化合物層、（ｂ）中間層としてα型Ａｌ_２Ｏ_３層、（ｃ）上部層として、平板多角形状かつたて長形状の結晶粒組織構造を有するＺｒ含有α型Ａｌ_２Ｏ_３層を蒸着形成した表面被覆切削工具において、逃げ面およびすくい面の中間層及び上部層は、それぞれ、（０００１）面配向率の高いα型Ａｌ_２Ｏ_３層、Ｚｒ含有α型Ａｌ_２Ｏ_３層からなり、また、逃げ面およびすくい面の上部層の結晶粒の内、面積比率で６０％以上の結晶粒の内部は、少なくとも一つ以上のΣ３で表される構成原子共有格子点形態からなる結晶格子界面により分断されている。 （もっと読む）

【課題】硬質被覆層が高速重切削加工ですぐれた耐剥離性と耐摩耗性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】工具基体の表面に、（ａ）下部層としてＴｉ化合物層、（ｂ）中間層としてα型Ａｌ_２Ｏ_３層、（ｃ）上部層として、平板多角形状かつたて長形状の結晶粒組織構造を有するＴｉ含有α型Ａｌ_２Ｏ_３層を蒸着形成した表面被覆切削工具において、逃げ面およびすくい面の中間層及び上部層は、それぞれ、（０００１）面配向率の高いα型Ａｌ_２Ｏ_３層、Ｔｉ含有α型Ａｌ_２Ｏ_３層からなり、また、逃げ面およびすくい面の上部層の結晶粒の内、面積比率で６０％以上の結晶粒の内部は、少なくとも一つ以上のΣ３で表される構成原子共有格子点形態からなる結晶格子界面により分断されている。 （もっと読む）

【課題】硬質被覆層が高速重切削加工ですぐれた耐剥離性と耐摩耗性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】工具基体の表面に、（ａ）下部層としてＴｉ化合物層、（ｂ）中間層としてα型Ａｌ_２Ｏ_３層、（ｃ）上部層として、平板多角形状かつたて長形状の結晶粒組織構造を有するＹ含有α型Ａｌ_２Ｏ_３層を蒸着形成した表面被覆切削工具において、逃げ面およびすくい面の中間層及び上部層は、それぞれ、（０００１）面配向率の高いα型Ａｌ_２Ｏ_３層、Ｙ含有α型Ａｌ_２Ｏ_３層からなり、また、逃げ面およびすくい面の上部層の結晶粒の内、面積比率で６０％以上の結晶粒の内部は、少なくとも一つ以上のΣ３で表される構成原子共有格子点形態からなる結晶格子界面により分断されている。 （もっと読む）

【課題】ＡＬＤ（原子層成長法）により膜を形成する際、従来の薄膜形成装置のように排気部に反応生成物が形成されることが殆ど無く、メンテナンスのし易い薄膜形成装置を提供する。
【解決手段】薄膜形成装置１０は、原料ガスおよび反応ガスが別々のタイミングで交互に供給されて、減圧状態の成膜空間を形成する成膜容器１２と、前記原料ガスおよび前記反応ガスを排気する排気管１８ａを備えるガス排気部１８と、を有する。前記ガス排気部１８には、前記排気管１８ａの長手方向に平行な細孔が複数設けられた、多孔質材からなるガスフィルター１８ｄが設けられる。 （もっと読む）

鋳鉄または鋼で作製されているのが好ましいスライド要素、とりわけピストンリングは、ＣｒＮ層（１４）およびａ−Ｃ：Ｈ：Ｍｅ層（１６）が交互に重なり合った多重層を有するコーティングを備える。鋳鉄または鋼で作製されているのが好ましいスライド要素、とりわけピストンリングをコーティングするための方法では、複数のＣｒＮ層とａ−Ｃ：Ｈ：Ｍｅ層が交互に設けられる。 （もっと読む）

【課題】硬質被覆層が高速切削加工ですぐれた耐剥離性と耐摩耗性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】工具基体の表面に、（ａ）下部層としてＴｉ化合物層、（ｂ）中間層としてα型Ａｌ_２Ｏ_３層、（ｃ）上部層として、平板多角形状かつたて長形状の結晶粒組織構造を有するＺｒ含有α型Ａｌ_２Ｏ_３層を蒸着形成した表面被覆切削工具において、すくい面および切刃部の中間層及び上部層は、それぞれ、（０００１）面配向率の高いα型Ａｌ_２Ｏ_３層、Ｚｒ含有α型Ａｌ_２Ｏ_３層からなり、また、すくい面および切刃部の上部層の結晶粒の内、面積比率で６０％以上の結晶粒の内部は、少なくとも一つ以上のΣ３で表される構成原子共有格子点形態からなる結晶格子界面により分断されている。 （もっと読む）