【課題】エピタキシャル成長時の面内温度分布を均一にして、混晶比やキャリア濃度において均一なエピタキシャル結晶膜を成長させることができる窒化物半導体基板を提供する。
【解決手段】表面側に凹又は凸の反りをもつ窒化物半導体基板１であって、裏面３側を平面５に置いたとき、前記平面５と接触していない部分であって前記平面５から前記裏面３までの高さが所定値以上の部分における前記裏面３の平均粗さを、前記平面５と接触している部分を含む前記平面５から前記裏面３までの高さが前記所定値未満の部分における前記裏面３の平均粗さより大きくする。このように、窒化物半導体基板１が平面５と接触していない部分の表面粗さを大きくすれば、その部分の窒化物半導体基板１はより多くの輻射熱を受けて温度が高くなるので、基板面内温度の均一性を向上させることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】ＰＥＡＬＤにより基板上に成膜するプロセスにおいて、基板上の有機膜にダメージを与えない方法を提供する。
【解決手段】ＰＥＡＬＤにより、基板に形成されたレジストパターン又はエッチされたライン上にシリコン酸化膜を成膜する方法が、レジストパターン又はエッチされたラインが形成された基板をＰＥＡＬＤリアクターに与える工程と、基板が配置されたサセプタの温度を成膜温度として５０℃未満に制御する工程と、成膜温度を５０℃未満の一定の温度に実質的に又はほぼ維持しながら、ＰＥＡＬＤリアクターにシリコン含有前駆体及び酸素供給反応ガスを導入して、レジストパターン又はエッチされたラインにシリコン酸化原子膜を成膜する工程と、前記レジストパターン又は前記エッチされたラインにシリコン酸化原子膜を成膜するために、実質的に又はほぼ一定の温度で成膜サイクルを複数回繰り返す工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】 非晶質炭素被覆部材において、基材をArイオンでエッチングした後に非晶質炭素膜を基材上に被覆する方法ではエッチング効果が低く、中間層を基材と非晶質炭素膜の間に形成する方法でも、機械部品や、切削工具、金型に対して実用可能な密着性が得られないという問題を有していた。
【解決手段】 基材に負のバイアス電圧を印加することにより、基材表面に周期律表第IIIa、IVa、Va、VIa、IIIb、IVb族元素から選択される１種以上の元素イオン、あるいは、該元素イオンとKr、Xe、CH₄、C₂H₂、C₂H₄、C₆H₆、CF₄から選択される１種以上のガスを少なくとも含む雰囲気ガスによるガスイオンを複数組み合わせて照射した後、基材上に非晶質炭素膜を被覆する。 （もっと読む）

【課題】 被処理物が陰極とされる構成のプラズマＣＶＤ装置において、プラズマを安定化させると共に、従来よりも成膜レートを向上させる。
【解決手段】 本発明に係るプラズマＣＶＤ装置１０によれば、接地電位に接続された真空槽１２の内壁が陽極とされ、被処理物１６が陰極とされ、これら両者間にパルス電力Ｅｐが供給されることで、当該両者間にプラズマが発生する。そして、このプラズマを用いたＣＶＤ法によって、被処理物１６の表面にＤＬＣ膜が生成される。ただし、ＤＬＣ膜が陽極としての真空槽１２の内壁に付着することで、当該真空槽１２の内壁の陽極としての機能が低下することが懸念される。この真空槽１２の内壁に代わって、アノード電極４０が陽極として機能することで、プラズマが安定化される。また、真空槽１２内に磁界Ｅが印加されることで、プラズマ密度が増大し、ＤＬＣ膜の成膜レートが向上する。 （もっと読む）

【課題】反り形状を適正に制御した、横方向を主電流導通方向とする電子デバイス用エピタキシャル基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】Si単結晶基板と、該Si単結晶基板上に複数層のIII族窒化物層をエピタキシャル成長させて形成したIII族窒化物積層体とを具え、横方向を主電流導通方向とする電子デバイス用エピタキシャル基板であって、前記Si単結晶基板と前記III族窒化物積層体との間に、絶縁層としてのバッファをさらに具え、前記バッファは、１×10¹⁸/cm³以上のCを含む超格子多層構造からなる積層体を有し、前記Si単結晶基板はｐ型基板であって、かつ比抵抗値が0.01Ω・cm以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】膜厚や膜特性の均一性に優れた堆積膜を生産性良くさらに低コスト形成することができるＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】基体ホルダに保持された円筒状基体に対向して配置された電極部材に高周波電力を印加して円筒状基体と電極部材との間にプラズマを生起し円筒状基体の表面に堆積膜を形成するＣＶＤ装置であって、電極部材は円筒状基体の円筒面に正対している部分と正対していない部分を有し、正対していない部分の一部の直径が正対している部分の直径よりも小さく、かつ正対していない部分から円筒状基体またはこれと同電位の部材への最短距離が正対している部分から円筒状基体またはこれと同電位の部材への最短距離よりも小さい。 （もっと読む）

基板上に酸化シリコン層を堆積させる方法は、一様な酸化シリコン成長速度が基板表面全域にわたって実現されるように、処理チャンバ中にシリコン含有前駆体、酸化性ガス、水、および添加剤前駆体を流入させることを伴う。実施形態により成長した酸化シリコン層の表面粗さは、添加剤前駆体を用いて成長させることにより低減させることができる。本発明の別の態様では、トレンチが、内部のボイドの数量が少なくおよび／またはサイズが小さい酸化シリコンフィラー材料で埋められるように、処理チャンバ中にシリコン含有前駆体、酸化性ガス、水、および添加剤前駆体を流入させることによって、表面上にトレンチを具備するパターン形成基板上に酸化シリコン層を堆積させる。
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【課題】高速切削条件下でクレーター摩耗を低減しかつ高度な耐摩耗性を付与する被膜を備えた表面被覆切削工具の提供。
【解決手段】基材と該基材上に形成された被膜とを備える表面被覆切削工具であって、この被膜は、１層または２層以上の層からなり、被膜のうち少なくとも１層は、ＴｉとＺｒとを少なくとも含む硬質被膜層であり、この硬質被膜層は、ＴｉとＺｒの含有量が硬質被膜層の厚み方向に沿って変化する組成構造を有し、この変化は、Ｔｉの含有量が極大となるＴｉ極大含有点とＺｒの含有量が極大となるＺｒ極大含有点とを含み、Ｔｉ極大含有点とＺｒ極大含有点とが繰り返し存在し、Ｔｉ極大含有点におけるＴｉの含有比率Ｔｉ／（Ｔｉ＋Ｚｒ）は、原子比で０．９９≦Ｔｉ／（Ｔｉ＋Ｚｒ）≦０．９９９９であり、Ｚｒ極大含有点におけるＺｒの含有量比率Ｚｒ／（Ｔｉ＋Ｚｒ）は、原子比で０．００１≦Ｚｒ／（Ｔｉ＋Ｚｒ）≦０．２であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】球状突起に起因する画像欠陥を克服し、電気特性の優れた光受容部材を安価に安定して製造し得る光受容部材の形成方法を提供する。
【解決手段】気相成長法により、円筒状の基体の表面にケイ素原子を母材とする非晶質材料からなる光受容層を形成する光受容部材の形成方法において、補助基体の外面の算術平均高さＲａが、０．１μm以上、１．０μm未満であることを特徴とする光受容部材の形成方法。 （もっと読む）

【課題】大幅な低フリクション化を図ることができるのはもちろんのこと、量産化が可能となるとともに、製造コストを低減することができる摺動部材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】部材１，２間への高面圧の印加によって、局所的固体接触が摺動界面で起こり、摺動部材の摺動面で微視的摩耗が生じる。摺動部材１の潤滑膜１１には、炭素系分子１２が、単体あるいはその単体の集合体として含有されている。炭素系分子１２が、上記微視的摩耗によって、潤滑膜１１から露出し、その一部がそこから遊離し、摺動界面に供給される。そのような炭素系分子１２は、転動可能な中空構造を有するから、摺動界面で分子レベルのボールベアリングとして作用する。この場合、炭素系分子が少なくとも一つ存在すると、存在しない場合と比較して、局所的フリクションを低減することができる。 （もっと読む）

【課題】元来有する細孔機能を維持しながら担持された金属が有する機能を発現可能なミクロポーラス炭素系材料を提供する。
【解決手段】ミクロポーラス炭素系材料５であって、０．７ｎｍ以上２ｎｍ以下の範囲内の３次元の長周期規則構造と、ミクロ細孔２ａとを有するミクロポーラス炭素系材料であって、ミクロ細孔２ａ表面に遷移金属４が担持されている。この材料を、遷移金属を含む多孔質材料の表面及びミクロ細孔内に有機化合物を導入し、この有機化合物を化学気相成長法により炭化して遷移金属を含むミクロポーラス炭素系材料と多孔質材料の複合体を得る工程と、多孔質材料を除去する工程とを有する方法、又は多孔質材料の表面に有機化合物を導入して化学気相成長法によりミクロポーラス炭素系材料を得て、このミクロポーラス炭素系材料を遷移金属塩溶液中に浸漬・含浸し、ミクロポーラス炭素系材料の表面に遷移金属を担持する方法により得る。 （もっと読む）

【課題】硬質被覆層が高速断続切削加工ですぐれた耐チッピング性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】工具基体の表面に、（ａ）下部層としてＴｉ化合物層、（ｂ）中間層としてα型Ａｌ_２Ｏ_３層、（ｃ）上部層として、平板多角形状かつたて長形状の結晶粒組織構造を有するＺｒ含有α型Ａｌ_２Ｏ_３層を蒸着形成した表面被覆切削工具において、中間層及び上部層は、それぞれ、（０００１）面配向率の高いα型Ａｌ_２Ｏ_３層、Ｚｒ含有α型Ａｌ_２Ｏ_３層からなり、また、上部層の結晶粒の内、面積比率で６０％以上の結晶粒の内部は、少なくとも一つ以上のΣ３で表される構成原子共有格子点形態からなる結晶格子界面により分断されている。 （もっと読む）

【課題】切れ刃部ごとの工具寿命のバラつきがより少なく、長期間使用してもいずれの切れ刃部も欠損を起こしにくい表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】基材とその基材の一部または全部を覆う被膜とを備える表面被覆切削工具であって、その被膜は、少なくとも１層または２層以上の被覆層を含み、その被覆層のうち少なくとも１層は、Ｚｒを含有するＺｒ含有被覆層であって、さらに表面被覆切削工具は、２以上の切れ刃部を有し、この切れ刃部のうち１の切れ刃部である第１切れ刃部における被膜のＺｒ含有量は、該第１切れ刃部を除く他の切れ刃部のうちの少なくとも１の切れ刃部における被膜のＺｒ含有量と実質的に等しい表面被覆切削工具である。 （もっと読む）

容器の内部表面上に防護材料および／または潤滑剤材料を付着させるシステム、装置および方法が提供され、そのようなシステムは、チャンバを有する容器と、チャンバ内に延びる一部分を有するガス入口ダクトを介して、モノマーガスを供給するためのガス供給源と、少なくとも１つの反応性部分を含む反応性ガスを形成させるように、モノマーガスの少なくとも一部分を光分解させるおよび／または熱分解させる光分解源および／または熱分解面と、任意選択で容器の内部表面上に反応性部分の堆積および重合を促進させるために、容器の内部表面を熱分解面の温度より低い温度に維持するための温度制御器と、容器の開端部または第２の端部のところの、チャンバから余剰の反応性ガスを除去するための出口ダクトとを含む。
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【課題】耐摩耗性と耐欠損性との両方に優れた切削工具およびその製造方法を提供する。
【解決手段】切削工具は、基体１と被覆層２とを備えている。基体１は、硬質化合物よりなる複数の硬質相と、硬質相同士を結合する結合相とを有している。被覆層２は、基体１の表面１ａに形成されたセラミックスからなっている。被覆層２は、基体１の表面１ａの法線に沿った断面において、幅が５０ｎｍ以上２００ｎｍ以下であり、かつ間隔が３０μｍ以上１００μｍ以下であり、かつ構成領域の幅が５．０μｍ以上１０．０μｍ以下である亀裂１１および１２を有している。 （もっと読む）

【課題】ピンセット等による基板のハンドリング位置を基板周縁部のごく限られた一部分に制限でき、もって基板ハンドリングに伴う汚染等の領域を大幅に抑制可能なエピタキシャル成長用基板を提供する。
【解決手段】エピタキシャル成長用の基板１であって、エピタキシャル成長を行う基板１の表面１ａとは反対の裏面１ｂ側に、部分的に面取り部３がある。基板１の直径をｘ［ｍｍ］とするとき、基板１の裏面１ｂ側に施した面取り部３の長さＬが２ｍｍ以上０.１５
ｘ［ｍｍ］以下がよい。また、基板１を平坦面Ｐ上に表面１ａを上にして置いたとき、基板１と平坦面Ｐとの間にできる隙間の高さｈ１、奥行きｄ１が０.２ｍｍ以上がよい。 （もっと読む）

【課題】クラスターイオンビームにより、自形面を持ち、１０μｍ四方の最大高さで１μｍを超えるダイヤモンド被覆膜表面を平滑化し、切削抵抗が少なく、切り屑排出性に優れ、切れ味の良いダイヤモンド被覆切削工具及び製造方法を提供。
【解決手段】超硬合金製の基体に、原子間力顕微鏡観察像において、１０μｍ四方における最大高さが１μｍ以上のＣＶＤ法により形成された多結晶質ダイヤモンド被覆膜を形成した後、ダイヤモンド被覆膜４の垂直面７に対し、入射角θを６０°超８０°未満でガスクラスターイオンビーム１を照射して、少なくとも長手方向長さが５μｍ以上の複数の平行溝（研磨痕）２を形成し、かつ、１０μｍ四方における最大高さで０．５μｍ以下又は中心線平均粗さで０．１μｍ以下に研磨する。また、超硬合金製の切削工具基体の切れ刃１２の逃げ面１３又はすくい面１１を平滑化する。さらに切れ刃１２′の丸み半径を１０μｍ以下とする。 （もっと読む）

【課題】シリコン等の周期表１４族元素の高純度な多結晶体を高速で得ることが可能な製造装置を提供する。
【解決手段】多結晶体の製造装置であって、内部に導入された周期表１４族元素のハロゲン化物の超臨界流体状態を形成するための反応容器１０と、反応容器１０の内部に設けられプラズマ放電を行うための電極１１，１２と、反応容器１０本体の内部に設けられプラズマ放電で分解したシリコンを表面上で析出させる種結晶３０と、を有することを特徴とする多結晶体の製造装置Ｉ。 （もっと読む）

【課題】セラミック被膜を形成する基材である炭素繊維強化炭素複合材が積層体である場合など剥離強度を十分に確保できない場合であっても、セラミック被膜との熱膨張差により生じる基材内部の層間剥離を防止する。
【解決手段】炭素繊維強化炭素複合材である基材１５と、基材１５の表面に被覆されたセラミック被膜１７とからなるセラミック複合部材１００であって、基材１５の表面には複数の孔１９を形成し、孔１９の内部表面１９ａをセラミック被膜１７によって覆う。セラミック被膜１７に覆われた後の孔１９の開口部の幅Ｗは、セラミック被膜１７の被膜厚さｔの２倍以下であることが好ましい。基材１５は炭素繊維層と炭素マトリクス層を複数積層して構成し、孔１９は少なくとも最表層の炭素繊維層を貫通することが好ましい。 （もっと読む）

【課題】初期摩耗に要する時間を短くすることができる摺動部材を提供する。
【解決手段】表面にナノレベルの凹凸構造を有するダイヤモンド状炭素皮膜Ｂによって、基材Ａの表面を被覆して摺動材を形成する。ナノレベルの凹凸構造によって、摺動の際の相手材との接触面積を小さくすることができ、面圧を大きくして摩耗を促進させ初期摩耗に要する時間を短くすることができる。 （もっと読む）