【課題】ゲート電極によるチャネルのポテンシャル制御性を大幅に向上させ、信頼性の高い所期の高耐圧及び高出力を得ることのできる化合物半導体装置を実現する。
【解決手段】ＡｌＧａＮ／ＧａＮ・ＨＥＭＴは、Ｓｉ基板１と、Ｓｉ基板１の上方に形成された電子走行層２ｂと、電子走行層２ｂの上方に形成された電子供給層２ｃと、電子供給層２ｃの上方に形成されたソース電極４、ドレイン電極５及びゲート電極６とを含み構成されており、電子走行層２ｃは、平面視でソース電極４とドレイン電極５とを結ぶ方向と交差する方向に並ぶ複数の段差、例えば第１の段差２ｃａ、第２の段差２ｃｂ、第３の段差２ｃｃを有する。 （もっと読む）

【課題】従来のプラズマＣＶＤ装置では、アモルファスＳｉ薄膜堆積の際、分解種ＳｉＨ_２とＳｉＨ_４親分子との反応が起こりやすく、結果として生成される高次シランが、堆積膜の光安定性の低下の原因となっている。また、生成されるパウダーが、装置の稼働率を低下させている。
【解決手段】プラズマで分解されるガスを、電極（２）表面上のプラズマ生成部へ向けて小孔（１２ａ）から供給する。更に、これとは異種のガスを別の小孔（１２ｂ）から供給して、分解後のガスと気相反応させる。気相反応用に供給するガスを適宜選択することで、プラズマ分解されたガス中のプロセス上有害な分解種を選択的に除去する。 （もっと読む）

【課題】処理容器の内壁等に付着した不要な膜の膜割れを検出してパーティクルの発生の可能性をリアルタイムで認識することが可能な膜割れ検出装置を提供する。
【解決手段】被処理体Ｗを収容する処理容器４を有すると共に被処理体の表面に薄膜を形成する成膜装置２に設けられて膜割れ検出操作を行う膜割れ検出装置４０において、成膜装置に取り付けられて弾性波を検出する弾性波検出手段４２と、弾性波検出手段の検出結果に基づいて処理容器４のクリーニングの要否を判断する判断手段４４とを備える。これにより、処理容器の内壁等に付着した不要な膜の膜割れを検出してパーティクルの発生の可能性をリアルタイムで認識する。 （もっと読む）

【課題】処理空間内の圧力を高めることができる成膜装置を提供すること。
【解決手段】処理容器２内に、基板であるウエハＷの載置領域を備えた載置台３と、この載置台３と対向する天板部材４とを設け、載置台３を昇降機構５により天板部材４側へ上昇させて、載置台３と天板部材４との間で処理空間Ｓを形成する。載置台３における載置領域の外側領域と天板部材４との少なくとも一方には突起部４３が設けられ、前記処理空間Ｓの形成時にその先端が他方に接触することにより、前記外側領域と天板部材４との間の離間距離が規制され、前記載置領域を囲むように排気用の１ｍｍ未満の隙間４０が形成される。隙間４０が狭小であることから、処理空間Ｓ内に反応ガスを封じ込めることができ、処理空間内の圧力が高められる。 （もっと読む）

【課題】成膜処理の過程で形成される薄膜の処理方法を提供する。
【解決手段】反応室に配置されたサセプタ８の座ぐり部８ａに基板７を載置し、反応室に反応ガスを導入して基板７の上にＳｉＣ膜３０１を形成する（第１の工程）。反応室にエッチングガスを導入し、基板７が取り除かれたサセプタ８を回転させながら、サセプタ８の上方からエッチングガスを流下させて、サセプタ８の座ぐり部８ａからその周縁部８ｂに至る段差部８ｃに形成された反応ガスに起因するＳｉＣ膜３０１を除去する（第２の工程）。反応室にエッチングガスを導入し、サセプタ８の上に形成された反応ガスに起因するＳｉＣ膜３０１を除去する（第３の工程）。第１の工程と第２の工程を繰り返した後に第３の工程を行う。 （もっと読む）

【課題】高周波電力の印加に伴って発生するノイズを低減することができる基板処理装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、ウエハが搬入される処理室と、この処理室内にガスを供給するガス供給部と、処理室内を排気する排気部と、処理室内に高周波電力を印加する高周波印加部と、高周波印加部から発生するノイズを検出するノイズ検出部と、ノイズ検出部の検出結果に基づいて、前記高周波印加部から発生するノイズの逆位相の高周波を出力する逆位相出力部と、を有する。 （もっと読む）

【課題】被処理体が大型化した場合であっても、同時に処理すべき被処理体の枚数を抑える必要がない。
【解決手段】熱処理装置１はクリーンルーム１Ａ内に設置される。この熱処理装置１は被処理体Ｗを収容して熱処理するための処理容器３と、処理容器３の周囲を覆う断熱材１６と、断熱材１６内周面に設けられたヒータ５とを有する熱処理炉２と、処理容器３の上方の炉口３ａを閉塞する蓋体１０と、蓋体１０に保温筒１１を介して吊設され被処理体Ｗを多段に保持する保持具１２とを備えている。熱処理装置１の熱処理炉２のうち、高さ方向長さの大部分は、クリーンルーム１Ａの床面Ｆ下方に位置している。 （もっと読む）

【課題】大気圧近傍の処理空間内に雰囲気ガスが流入するのを抑制又は防止し、処理ガスへの不純物混入を低減するプラズマ処理装置の提供。
【解決手段】第１電極１１の平面状の放電面１１ａと、円筒形状の第２電極２１の周面との間に処理空間９０を形成する。第２電極２１を軸線のまわりに回転させて被処理物９を搬送する。第１電極１１の一側部に処理ガスの吹出し部３０を配置する。第１電極１１の他側部に遮蔽部材５０を配置する。遮蔽部材５０を放電面１１ａ又はそれを覆う固体誘電体層１２の処理空間画成面よりも第２電極２１に向けて突出させ、その突出量ｈを処理空間９０の最も狭い部分９０ａの厚さｇ_０より大きくする。 （もっと読む）

【課題】透明性と導電性とを兼ね備える実用的な透明導電性部材を提供する。
【解決手段】透明導電性部材１は、基材２、グラフェン層４、並びに前記基材１と前記グラフェン層４との間に介在する反射防止層３を備える。前記反射防止層が、反応性硬化型樹脂組成物の硬化物で構成される一又は複数の層を備える。 （もっと読む）

【課題】窒化膜の屈折率及び／又は堆積速度の分布の均一性を所定の数値範囲内に収めるとともに、窒化膜の応力の制御性を高める。
【解決手段】本発明の１つの窒化膜の製造装置１００は、チャンバー３０内に配置された基板２０上にプラズマＣＶＤ法によって窒化膜７０（７０ａ）を形成する窒化膜の製造装置１００である。具体的には、この窒化膜の製造装置１００は、窒化膜７０（７０ａ）の形成のために独立に印加する相対的に高い周波数の第１高周波電力及び／又は相対的に低い周波数の第２高周波電力とを用いて得られる、所定の数値範囲内に収まった前述の窒化膜の屈折率の分布及び／又は前述の窒化膜の堆積速度の分布に基づいて、所望（応力が０の場合を含む）の窒化膜７０（７０ａ）の圧縮応力又は引張応力を得るための第１高周波電力が印加される第１期間と第２高周波電力が印加される第２期間とを算出する制御部３９を備えている。 （もっと読む）

【課題】樹脂基材と硬化塗膜層、硬化塗膜層と無機物質層の双方の付着性に優れ、しかも耐候性、耐擦傷性に非常に優れた積層体及び積層体の製造方法を提供すること。
【解決手段】樹脂基材に、活性エネルギー線硬化型プライマー組成物による硬化塗膜層（Ｉ）、及び無機物質層（ＩＩ）が順次積層されてなる積層体であって、
該活性エネルギー線硬化型プライマー組成物が、
有機物変性シリカ粒子（Ａ）、
重合性不飽和化合物（Ｂ）、及び
光重合開始剤（Ｃ）、を含有するものであり、
該無機物質層（ＩＩ）が乾式成膜工法によって形成されたものであることを特徴とする積層体及び積層体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】高品質なエピタキシャル層をウェハの面上に安定して堆積成長させることが可能なエピタキシャルウェハの製造装置を提供する。
【解決手段】チャンバ内に着脱自在に取り付けられると共に、天板３の下面に堆積物が堆積するのを阻止するように、天板３の下面に近接して配置された遮蔽板１２は、ガス導入口９を反応空間Ｋの内側に臨ませる開口部１３を中央部に有する基材１２ａと、この基材１２ａの下面を被覆する薄膜１２ｂとを有し、薄膜１２ｂの表面は、基材１２ａの下面に形成された微細な凹凸を反映した凹凸形状を有し、加熱手段８により加熱されて遮蔽板１２が熱変形したときに、凹凸形状によって遮蔽板１２の下面に堆積した堆積物の脱落が抑制される。 （もっと読む）

【課題】基材の表面近傍をごく短時間だけ均一に高温熱処理するに際して、或いは、反応ガスによるプラズマまたはプラズマと反応ガス流を同時に基材へ照射して基材を低温プラズマ処理するに際して、基材の所望の被処理領域全体を短時間で処理することができるプラズマ処理装置及び方法を提供することを目的とする。
【解決手段】誘導結合型プラズマトーチユニットＴにおいて、ソレノイドコイル３及び石英管１５が石英ブロック４に接合され、石英ブロック４は、ソレノイドコイル３及び石英管１５内を流れる水によって冷却される。誘導結合型プラズマトーチユニットＴの最下部にプラズマ噴出口８が設けられる。長尺チャンバ内部の空間７にガスを供給しつつ、ソレノイドコイル３に高周波電力を供給して、長尺チャンバ内部の空間７にプラズマを発生させ、基材２に照射する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、優れた透明性及び導電性を兼ね備える透明導電性部材を生産性良く製造することができる透明導電性部材の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る透明導電性部材の製造方法は、金属箔を準備するステップ、
前記金属箔上にグラフェン層を形成するステップ、前記グラフェン層上に、直接又は一若しくは複数の層を介して、未硬化状態又は半硬化状態の反応性硬化型樹脂組成物からなる樹脂層を形成することで、中間部材を得るステップ、前記中間部材の前記樹脂層に透明な基材を重ね、続いて前記樹脂層を硬化させることで、積層物を得るステップ、及び前記積層物から金属箔を除去するステップを含む。 （もっと読む）

【課題】結晶欠陥の少ない高品質なエピタキシャル膜を得ることが可能な単結晶炭化シリコン膜の製造方法及び単結晶炭化シリコン膜付き基板の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板１１上に単結晶炭化シリコン膜１４を形成する単結晶炭化シリコン膜１４の製造方法であって、シリコン基板１１の表面に炭化シリコン膜１２を形成する第１の工程と、炭化シリコン膜１２の表面にマスク材１３を形成する第２の工程と、マスク材１３に開口部１３ｈを形成し、炭化シリコン膜１２の一部を露出させる第３の工程と、原料ガスを含むガス雰囲気中でシリコン基板１１を加熱し、炭化シリコン膜１２を基点として単結晶炭化シリコンをエピタキシャル成長させ、炭化シリコン膜１２及びマスク材１３を覆う単結晶炭化シリコン膜１４を形成する第４の工程と、を含み、原料ガスを含むガス雰囲気の圧力は、５．０×１０^−４Ｐａ以上かつ０．５Ｐａ以下である。 （もっと読む）

【課題】反応ガスが滞留する空間を低減した成膜装置および成膜方法を提供する。
【解決手段】成膜装置１００は、反応ガス４が供給されて成膜処理が行われるチャンバ１と、チャンバ１の内部に設けられた中空筒状のライナ２と、ライナ２の上方に設けられて反応ガスが透過するシャワープレート１５とを有する。シャワープレート１５がライナ２の上部開口部５２を塞ぐ位置から上方に移動することにより、チャンバ１の壁に設けられた基板搬出入口４７を介してチャンバ１の外部とライナ２の内部とが連通する。また、成膜装置１００は、ライナ２の内部に設けられ、成膜処理が行われる基板７を支持して鉛直方向に移動させる基板支持部５０と、基板搬出入口４７を通じて反応室に出入するロボットハンド４８とを有する。基板支持部５０とロボットハンド４８との間で基板７の受け渡しが行われる。 （もっと読む）

【課題】ウェハの全面にステップバンチングがない、ステップバンチングフリーのＳｉＣエピタキシャルウェハ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のＳｉＣエピタキシャルウェハは、０．４°〜５°のオフ角で傾斜させた４Ｈ−ＳｉＣ単結晶基板上にＳｉＣのエピタキシャル層を形成したＳｉＣエピタキシャルウェハであって、短いステップバンチングがないことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 固体原料或いは液体原料を加熱して生成した原料蒸気を圧力式流量制御装置を用いて流量制御しつつプロセスチャンバへ安定して供給できるようにすることにより、原料の気化供給装置の小型化と、半導体製品の品質向上を図ると共に、原料の残量管理を容易に出来るようにする。
【課題解決手段】 原料を貯留したソースタンクと，ソースタンクの内部空間部から原料蒸気をプロセスチャンバへ供給する原料蒸気供給路と，当該原料蒸気供給路に介設されプロセスチャンバへ供給する原料蒸気流量を制御する圧力式流量制御装置と，前記ソースタンクと供給路と圧力式流量制御装置とを設定温度に加熱する恒温加熱部とから成り、ソースタンクの内部空間部に生成した原料蒸気を圧力式流量制御装置により流量制御しつつプロセスチャンバへ供給する。 （もっと読む）

【課題】融点が低く液体の状態で輸送が可能であり且つ蒸気圧が大きく気化させやすく、ＣＶＤ法等の化合物（プレカーサ）を気化させて薄膜を形成する方法において用いる薄膜形成用原料として好適なニッケル化合物を提供すること。
【解決手段】下記一般式（Ｉ）で表されるアルコキシド化合物。
（もっと読む）

【課題】従来のエッチングガス供給の問題を解決し、均一なエッチング、延いては均一な反応管内のクリーニングを行なうこと。
【解決手段】反応室内にクリーニングガスを供給する前の所定時点から反応室内にクリーニングガスを供給開始から数秒経過する時点までに、完全に排気を停止もしくはクリーニングガスの均一な拡散に影響がない程度の排気量で排気させ、反応室内の圧力が１０Ｔｏｒｒ以上となるまでクリーニングガスを供給する第１段階と、反応室内の圧力が下がるよう反応室内を排気する第２段階と、を有し、第１段階と第２段階とを１サイクル以上行う。 （もっと読む）