【課題】天盤の少なくとも一部が誘電体窓を形成するエンクロージャを有する誘導結合プラズマ反応器が提供される。
【解決手段】基板支持体２１５が誘電体窓２０７の下のエンクロージャ２００内に配置される。ＲＦ電力アプリケータ２４０が、誘電体窓を通してエンクロージャ内にＲＦ電力を印加するために誘電体窓の上に配置される。複数のガス注入装置２３０、２３５が、処理ガスをエンクロージャ内に供給するために基板支持体の上に均一に分配される。処理ガスの流れを制限するように、円形バッフル２７０が、エンクロージャの内部に配置され、基板支持体の上であるが、複数のガス注入装置の下に配置される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、優れた透明性及び導電性を兼ね備え、且つ外観の良好な透明導電性部材を提供する。
【解決手段】本発明に係る透明導電性部材１は、グラフェン層２と、前記グラフェン層２に重なっている着色層３と、透明な基材４とを備える。前記透明導電性部材１には、前記グラフェン層２と前記着色層３と前記基材４とが重なっている領域からなる第一領域５と、前記着色層３と前記基材４とが重なっていると共に前記グラフェン層２は重なっていない領域からなる第二領域６とが形成されている。前記第一領域５の透過色と前記第二領域６の透過色との間における、Ｌ^*の差ΔＬ^*、ａ^*の差Δａ^*、及びｂ^*の差Δｂ^*が、下記式（１）に示す関係を満たす。
｛（ΔＬ^*）²＋（Δａ^*）²＋（Δｂ^*）²｝^1/2≦１．２ …（１） （もっと読む）

【課題】液体原料の温度を精度よく制御できる基板処理装置および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板２００が収容される処理室２０１と、気化空間２７１を有し、気化空間内に封じ込められた液体原料２７０を気化して気化ガスを生成する液体原料容器２６０と、気化ガスを処理室内へ供給する気化ガス供給ライン２４０ａと、液体原料容器内の液体原料を加熱するための加熱装置２６３と、気化空間内の圧力を測定する圧力計２６１と、気化空間内の圧力計による測定圧力に基づいて加熱装置を制御する制御部２６６と、を有する。 （もっと読む）

【課題】クリーニングガスによる腐食反応を低減する。
【解決手段】ＣＶＤ装置の処理炉１０におけるマニホールド１７と排気管２０とクリーニングガス導入ノズル５１と原料ガス導入ノズル３１とに第一加熱源６１と第二加熱源６２と第三加熱源６３と第四加熱源６４とを敷設し、加熱源６１〜６４は温度制御部６０に接続する。温度制御部６０はマニホールド１７と排気管２０とクリーニングガス導入ノズル５１と原料ガス導入ノズル３１との温度をクリーニングガスが多層吸着しない程度の温度となるように制御する。クリーニングガスによる腐食反応を低減できるので、マニホールド１７と排気管２０とクリーニングガス導入ノズル５１と原料ガス導入ノズル３１の定期的交換の頻度を減少でき、ＣＶＤ装置のメンテナンス性能を向上できる。 （もっと読む）

【課題】耐酸化性に優れ、導電性や仕事関数の劣化を防止または抑制できる電極を備えた半導体装置の製造方法、半導体装置および基板処理装置を提供する。
【解決手段】処理室に、表面にゲート絶縁膜３０２またはキャパシタ絶縁膜が形成された基板を搬入する基板搬入工程と、基板上に、導電性酸化膜を含む電極であって、導電性酸化膜の仕事関数を変調する添加剤が添加された電極を形成する電極形成工程と、電極が形成された基板を処理室から搬出する基板搬出工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板上に形成した、転位及びクラックの少ない窒化物半導体ウェーハ、窒化物半導体装置及び窒化物半導体結晶の成長方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、シリコン基板と、その上に順次設けられた、下側歪緩和層、中間層、上側歪緩和層及び機能層と、を有する窒化物半導体ウェーハが提供される。中間層は、第１下側層と、第１ドープ層と、第１上側層と、を含む。第１下側層は、下側歪緩和層の上に設けられ下側歪緩和層の格子定数よりも大きい格子定数を有する。第１ドープ層は、第１下側層の上に設けられ第１下側層の格子定数以上の格子定数を有し１×１０^１８ｃｍ^−３以上１×１０^２１ｃｍ^−３未満の濃度であり第１下側層よりも高い濃度で不純物を含有する。第１上側層は、第１ドープ層の上に設けられ第１ドープ層の格子定数以上で第１下側層の格子定数よりも大きい格子定数を有する。 （もっと読む）

【課題】成膜の安定性を高めることができる原子層堆積装置及び原子層堆積方法を提供する。
【解決手段】原子層堆積装置１００は、ロール・ツー・ロールで搬送される基材の第１の面を支持しつつ、前記基材の搬送方向を第１の方向から前記第１の方向とは非平行な第２の方向へ変換するように構成された第１のガイドローラ１１Ａと、前記基材の前記第１の面を支持しつつ、前記基材の搬送方向を前記第２の方向から前記第２の方向とは非平行な第３の方向へ変換するように構成された第２のガイドローラ１１Ｂと、前記第１のガイドローラと前記第２のガイドローラとの間に配置され、前記基材の前記第１の面とは反対側の第２の面に対向し、原子層堆積のための原料ガスを前記第２の面に向けて吐出するように構成された第１のヘッド１２Ａとを具備する。 （もっと読む）

【課題】基板の位置決め精度が向上すると共に、プロセスへの影響が低減する基板の載置構造及び基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板を内側に収容する複数の貫通孔と、貫通孔の内壁の３箇所に突設され、基板を上面に保持する保持部とを備える基板トレイと、貫通孔に対応して突設された複数の載置台１１と、保持部に対応して、載置台１１の外周部分の３箇所に形成され、保持部を収容する切欠部１３とを備える載置板１０とを有し、基板トレイを載置板１０上に載置すると、貫通孔の内側に載置台１１が配置されて、基板が載置台１１の上面に各々載置される基板の載置構造において、載置台１１の外径を基板の外径より大きくすると共に、大きくした載置台１１の外周部分に基板の外縁を案内するガイド１２を設けた。 （もっと読む）

【課題】LEDまたはSiCデバイスのコスト低減のために、GaN、AlNまたはSiCバファー膜を大量に堆積できる装置、及び、GaNまたはSiCエピタキシャル層のストレスの低減法、基板形成方法を提供する。
【解決手段】縦型ホットウォールタイプのクリーニング用プラズマ手段つき、減圧CVDおよびリモートプラズマCVD装置によりデバイスのコストを低減する。基板のデバイス形成領域の周辺に深い溝を形成することで、GaNまたはSiCエピタキシャル層のストレスを低減する。さらに基板表面を異方性、等方性パターンをエッチングにより形成する基板形成する。LEDデバイス基板に関しては、その表面にSiO₂パターンを形成し、マイクロチャネルエピタキシーによって良好なエピタキシャル膜を形成し、欠陥の少ない良好な膜を得るようにする。 （もっと読む）

【課題】プラズマからラジカルのみを確実に選択的に通過させることができるラジカル選択装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１０のチャンバ１１内において、載置台１２に載置されたウエハＷ及びプラズマジェネレータ１３の間に配置されるラジカルフィルタ１４は、上部シールドプレート１７と、プラズマジェネレータ１３との間に上部シールドプレート１７を介在させるように配置される下部シールドプレート１８とを備え、上部シールドプレート１７は当該上部シールドプレート１７を厚み方向に貫通する複数の上部貫通孔１７ａを有し、下部シールドプレート１８は当該下部シールドプレート１８を厚み方向に貫通する複数の下部貫通孔１８ａを有し、上部シールドプレート１７には負の直流電圧が印加され、下部シールドプレート１８には正の直流電圧が印加される。 （もっと読む）

【課題】アンチモン反応物質および酸素ソースを使用して酸化アンチモン薄膜を原子層堆積によって堆積させるプロセスを提供する。
【解決手段】アンチモン反応物質は、ハロゲン化アンチモン、例えばＳｂＣｌ_３、アンチモンアルキルアミン、およびアンチモンアルコキシド、例えばＳｂ（ＯＥｔ）_３を含んでもよい。酸素ソースは、例えばオゾンであってもよい。いくつかの実施形態では、この酸化アンチモン薄膜は、バッチ反応器の中で堆積される。この酸化アンチモン薄膜は、例えば、エッチング停止層または犠牲層としての役割を果たしてもよい。 （もっと読む）

【課題】比較的低温でも埋め込み特性が良好で且つ表面ラフネスの精度も向上するアモルファス状態の不純物含有のシリコン膜のような薄膜を形成することが可能な薄膜の形成方法を提供する。
【解決手段】真空排気が可能になされた処理容器内で被処理体Ｗの表面にシード膜８８と不純物含有のシリコン膜９０を形成する薄膜の形成方法において、処理容器内へアミノシラン系ガスと高次シランの内の少なくともいずれか一方のガスよりなるシード膜用原料ガスを供給してシード膜を形成する第１ステップと、処理容器内へシラン系ガスと不純物含有ガスとを供給してアモルファス状態の前記不純物含有のシリコン膜を形成する第２ステップとを有する。 （もっと読む）

【課題】基板の処理の終了後に余熱によって薄膜に所望しない反応が生じてしまうことを防止でき、薄膜の結晶構造を安定させ、搬送ロボット等の破損を低減する。
【解決手段】複数の処理領域を有する反応容器内に設けられた基板支持部に基板を載置する工程と、基板を所定の処理温度に加熱しつつ、第１のガスを第１の処理領域内に供給し、プラズマ状態とした第２のガスを第２の処理領域内に供給し、第１の処理領域及び第２の処理領域を基板が通過するようにさせて、基板上に薄膜を形成する工程と、反応容器内への第１のガス及び第２のガスの供給を停止し、反応容器内に不活性ガスを供給して処理済みの基板を冷却する工程と、反応容器外に処理後の基板を搬出する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】突発故障が発生しても、生産性の高い成膜を行うことのできる薄膜製造装置及び薄膜製造方法、並びに薄膜製造装置のメンテナンス方法を提供することである。
【解決手段】成膜室を有し当該成膜室内で基体に薄膜を成膜する成膜チャンバーの集合である成膜チャンバー群４２と、基体を搬送可能な移動チャンバー６と、基体を仮置き可能な基体仮置き装置を３基以上有し、前記移動装置はいずれの成膜チャンバーに対しても基体の受け渡しが可能であり、且つ前記移動装置は前記３基以上の基体仮置き装置に対して基体の受け取りまたは払い出しの少なくともいずれかが可能である薄膜製造装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】受光部への光入射効率を悪化させることなく、金属コンタミネーション起因による白傷を低減する。
【解決手段】複数の受光部３の上方で、パターニングされた３層の導電層（ここでは金属層の第３配線７ｃ）上の第４絶縁膜６ｄ上に、装置側で設定するプラズマ発生エネルギーを示すＲＦパワーを、金属コンタミネーション起因による白傷を抑制するように７００Ｗ〜１５００Ｗに設定するプラズマＣＶＤ法によりパッシベーション膜８を成膜するパッシベーション膜成膜工程と、熱処理によりパッシベーション膜８から水素を脱離させるシンター処理を行うシンター処理工程とを有している。このパッシベーション膜８は、その膜厚が５０〜１００ｎｍである。 （もっと読む）

【課題】改良されたプラズマ均一性制御のための電気的な、ガス流の、及び熱的な対称性を向上させたプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】処理領域１０２を囲む蓋アセンブリ１１０及びチャンバ本体アセンブリ１４０と、チャンバ本体アセンブリ１４０内に配置された基板支持アセンブリ１６０と、チャンバ本体アセンブリ１４０によって排気領域１０４を画定する排気アセンブリ１９０であって、チャンバ本体アセンブリ１４０は処理領域１０２を排気領域１０４と流体接続する基板支持アセンブリ１６０の中心軸ＣＡの周りに対称的に配置された複数のアクセスチューブ１８０を含む。 （もっと読む）

【課題】Ｒｕの選択成長と非選択成長を適用した半導体デバイスの相互接続配線の製造方法を提供する。
【解決手段】プラズマ増強原子層堆積チャンバ内に基板を準備し、基板は、露出した第１材料を有する第１領域と、露出した第２材料を有する第２領域とを含み、第１材料は金属窒化物又は窒化可能な金属を含み、第２材料は窒化不可能な金属又はシリコン酸化物を含むようにし、（ａ）第１ステップとして貴金属前駆体をチャンバに供給して、貴金属前駆体をキャリアガスの存在下で基板に接触させ、続いて貴金属前駆体をパージするステップ、アンモニア及びキャリアガスをチャンバに供給しつつ基板をプラズマに曝露するステップを繰り返し実施することにより、第１領域でなく第２領域上で貴金属層を選択的に堆積させ、次に（ｂ）基板をアンモニア及びキャリアガスプラズマに曝露するステップと、貴金属前駆体を基板に接触させるステップで非選択的に堆積させる。 （もっと読む）

【目的】
ＧａＮ系化合物半導体成長層に生じる歪が低減されるとともに、当該結晶成長層にダメージを与えることなくＳｉ基板から結晶成長層を容易に分離することが可能なＧａＮ系化合物半導体の成長方法及び成長層付き基板を提供する。
【解決手段】
Ｓｉ基板上にコラム状結晶層を成長する工程と、上記コラム状結晶層上に島状成長又は網目状成長の窒化アルミニウム（ＡｌＮ）結晶層であるバッファ層を成長する工程と、上記バッファ層上にＧａＮ系化合物結晶を成長する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】基板保持具に保持されている基板の移載状態とその詳細情報とを同じ画面上に同
時に表示させる。
【解決手段】複数の基板を載置した基板保持具を炉内に搬入して所定の処理を行う基板処
理装置であって、各基板の移載状況と、各基板の割れ検知結果情報と、割れ検知結果情報
で異常とされた基板の復旧状況と、を操作画面上に表示させる。 （もっと読む）

【課題】 処理室内に堆積した薄膜を除去する際、薄膜の除去に要する時間を短縮し、処理室を構成する石英部材が受ける不均一なエッチングダメージを抑制する。
【解決手段】 基板上に薄膜を形成する処理を行った後の処理室内にクリーニングガスを供給して処理室内をクリーニングする方法であって、第１の温度に加熱された処理室内にクリーニングガスとしてフッ素系ガスと酸化窒素系ガスとを含むガスを供給し、処理室内の部材の表面に堆積した薄膜を含む堆積物を熱化学反応により除去する工程と、処理室内の温度を第１の温度よりも高い第２の温度に変更する工程と、第２の温度に加熱された処理室内にクリーニングガスとしてフッ素系ガスと酸化窒素系ガスとを含むガスを供給し、処理室内の部材の表面に残留した付着物を熱化学反応により取り除く工程と、を有する。 （もっと読む）