【課題】従来のエッチングガス供給の問題を解決し、均一なエッチング、延いては均一な反応管内のクリーニングを行なうこと。
【解決手段】反応室内にクリーニングガスを供給する前の所定時点から反応室内にクリーニングガスを供給開始から数秒経過する時点までに、完全に排気を停止もしくはクリーニングガスの均一な拡散に影響がない程度の排気量で排気させ、反応室内の圧力が１０Ｔｏｒｒ以上となるまでクリーニングガスを供給する第１段階と、反応室内の圧力が下がるよう反応室内を排気する第２段階と、を有し、第１段階と第２段階とを１サイクル以上行う。 （もっと読む）

【課題】高品質な半導体薄膜を形成する製造方法及びその製造方法を実現するプラズマＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】４族元素の原子と水素原子とを含む化合物をプラズマと活性種とに分解する工程と、活性種を基板上に堆積させる工程とを備え、分解する工程において、プラズマ生成エネルギーは休止期間と供給期間とを繰り返すように間欠的に供給され、プラズマ生成エネルギーは供給期間において時間的に変動する。 （もっと読む）

【課題】フットスペースの小型化が図られるとともに、対象物を確実に位置決めすることができる位置決め装置を提供する。
【解決手段】位置決め装置は、位置決め対象物を支持する支持部と、位置決めすべき方向と略平行な方向に沿って延びる軸線を回転中心Ｏとして回動可能に構成されたアーム部１２と、アーム部１２を回動駆動するモータとを備える。モータは、アーム部１２が対象物から退避した退避位置と、アーム部１２が当該対象物の外周縁に接触することで当該対象物を位置決め方向に沿って押し出して位置決めを完了させる位置決め完了位置との間を行き来するように、アーム部１２を回動駆動する。アーム部１２は、アーム部１２が退避位置から位置決め完了位置へ回動する際に、接触した対象物の外周縁がその表面に沿って摺動することで対象物を位置決め方向に沿って押し出すための傾斜面１４ｂを含んでいる。 （もっと読む）

【課題】 大きな直径を有する複数枚の基板（４インチ基板、６インチ基板）の表面に、１０００℃以上の温度で窒化ガリウムの気相成長を行なっても、基板が割れず高品質の結晶成長が可能な気相成長方法を提供する。
【解決手段】 前記のような基板を保持するためのサセプタ、該サセプタの対面、該基板を加熱するためのヒータ、該サセプタと該サセプタの対面の間隙からなる反応炉、原料ガス導入部、及び反応ガス排出部を有する気相成長装置を用いた窒化ガリウムの気相成長方法であって、基板表面の温度、基板表面と該基板の対面表面との温度差を適切な範囲内に設定し、かつ基板の位置における原料ガスの線速を適切な範囲内となるように原料ガスの供給を調整して基板表面に窒化ガリウム層の形成を行なう気相成長方法とする。 （もっと読む）

【課題】短時間のうちに簡便にガスバリア性を評価することを可能とする積層フィルムの検査方法を提供する。
【解決手段】基材と、前記基材の少なくとも片方の表面上に形成され、少なくともケイ素、酸素および水素を含む薄膜層と、を備える積層フィルムの検査方法であって、前記薄膜層の^２９Ｓｉ固体ＮＭＲ測定を行って、ケイ素原子に結合する中性酸素原子の数ごとに前記薄膜層内のケイ素原子の存在比を求め、予め求めた、前記薄膜層のガスバリア性と前記ケイ素原子の存在比との対応関係に基づいて、前記薄膜層のガスバリア性を判定する積層フィルムの検査方法。 （もっと読む）

【課題】シリコン系ガスとアミン系ガスとを使用してＳｉＣ等のＳｉＣ系の膜を低温で成膜できる半導体装置の製造方法、基板処理方法、基板処理装置およびプログラムを提供する。
【解決手段】基板２００を処理室２０１内に収容する工程と、加熱された処理室２０１内へシリコン系ガスとアミン系ガスとを供給して基板２００上にシリコンおよび炭素を含む膜を形成する工程と、を有し、シリコンおよび炭素を含む膜を形成する工程は、処理室２０１内へシリコン系ガスとアミン系ガスとを供給して、シリコン系ガスとアミン系ガスとを処理室２０１内に封じ込める工程と、シリコン系ガスとアミン系ガスとを処理室２０１内に封じ込めた状態を維持する工程と、処理室２０１内を排気する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】高いガスバリア性を有する積層フィルムを提供する。
【解決手段】基材と、前記基材の少なくとも片方の表面上に形成された少なくとも１層の薄膜層とを備える積層フィルムであって、前記薄膜層のうちの少なくとも１層がケイ素、酸素および水素を含んでおり、前記薄膜層の^２９Ｓｉ固体ＮＭＲ測定において求められる、酸素原子との結合状態が異なるケイ素原子の存在比に基づいて、Ｑ^４のピーク面積に対する、Ｑ^１,Ｑ^２,Ｑ^３のピーク面積を合計した値の比が、下記条件式（Ｉ）を満たす。（Ｑ^１,Ｑ^２,Ｑ^３のピーク面積を合計した値）／（Ｑ^４のピーク面積）＜１．０…（Ｉ）（Ｑ^１：１つの中性酸素原子及び３つの水酸基と結合したケイ素原子、Ｑ^２：２つの中性酸素原子及び２つの水酸基と結合したケイ素原子、Ｑ^３：３つの中性酸素原子及び１つの水酸基と結合したケイ素原子、Ｑ^４：４つの中性酸素原子と結合したケイ素原子） （もっと読む）

【課題】被処理体が大型化した場合であっても、蓋体の肉厚を過度に大きくすることなく、蓋体の重量増加を抑える。
【解決手段】熱処理装置１は被処理体Ｗを収容して熱処理するための処理容器３と、処理容器３の周囲を覆う断熱材１６と、断熱材１６内周面に設けられたヒータ５とを有する熱処理炉２と、処理容器３の炉口３ａを閉塞する蓋体１０と、蓋体１０上に保温筒１１を介して支持され被処理体Ｗを多段に保持する保持具１２とを備えている。蓋体１０はステンレス等の耐食性金属製となっており、下方へ向って突出する湾曲板からなる。 （もっと読む）

【課題】プラズマＣＶＤ装置を用いた半導体装置の製造方法に関し、製膜室のクリーニング後に、仮製膜を行った際に堆積する膜の剥離を防ぎ、半導体薄膜中に堆積膜が混入することを防ぐ方法を提供する。
【解決手段】プラズマＣＶＤ装置を用いた半導体装置の製造方法においては、仮製膜の際に結晶質シリコン薄膜を用いている。仮製膜の際に、結晶質シリコン薄膜を用いることで、堆積膜が半導体薄膜の膜中に取り込まれることを防ぐことが可能となった。 （もっと読む）

【課題】均一性の高いプラズマを生成することが可能なプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理を行う処理容器Ｃと、処理容器Ｃに設けられた下部電極１２に高周波電力を印加するＲＦジェネレータ１４と、ＲＦジェネレータ１４と下部電極１２との間に設けられ、同軸ケーブル１６を用いてＲＦジェネレータ１４に接続された整合器１５と、を備え、同軸ケーブル１６のグラウンド側の線１６ａを下部電極１２に対向する上部電極１１に接続するバイパス経路３０を設けた。 （もっと読む）

【課題】ライナの割れを抑制しつつ、基板を効率よくかつ細かい温度制御で加熱することのできる成膜装置および成膜方法を提供する。
【解決手段】成膜装置１００は、チャンバ１と、チャンバ１の内壁１ａと空間Ａを仕切るライナ２と、基板７を下方から加熱する主ヒータ９と、ライナ２と内壁１ａの間に配置されて、基板７を上方から加熱する補助ヒータ１８とを有する。主ヒータ９と補助ヒータ１８は、いずれも抵抗加熱型のヒータである。補助ヒータ１８は、第１の補助ヒータ１８ａと、第２の補助ヒータ１８ｂと、第３の補助ヒータ１８ｃとを有する。第１の補助ヒータ１８ａは、主ヒータ９と共同して基板７を加熱する。第２の補助ヒータ１８ｂと第３の補助ヒータ１８ｃは、第１の補助ヒータ１８ａより低い出力でライナ２を加熱する。 （もっと読む）

【課題】 ＨＶＰＥ法のサファイア基板上又はＳｉ基板上に、所望の組成比率ｘのＡｌ_ｘＧａ_１−ｘＮの結晶を成長させることができるエピタキシャル成長方法を提供する。
【解決手段】 アルミニウム原料と、ガリウム原料と、アンモニア原料と、キャリアガスとを用いたＨＶＰＥ法によって、Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＮを結晶成長させる。この際、キャリアガスは、不活性ガスと水素からなり、この水素分圧を０以上０．１未満の範囲に置く。その結果、原料の供給比率と、成長させた結晶の組成比率との間の関係を線形なものにすることができ、結晶組成の制御性が向上する。 （もっと読む）

【課題】 処理ガスの使用効率が良く、かつ、被処理体の面積が巨大であっても、ＡＬＤ法の適用も可能となるバッチ式処理装置を提供すること。
【解決手段】 メインチャンバ３１ａと、メインチャンバ３１ａ内に、このメインチャンバの高さ方向に積み重ねて設けられた、被処理体Ｇを載置する複数のステージ１０１ａ〜１０１ｙと、ステージ１０１ａ〜１０１ｙごとに設けられ、ステージ１０１ａ〜１０１ｙに載置された被処理体Ｇをカバーする複数のカバー１０２ａ〜１０２ｙと、を備え、複数のステージ１０１ａ〜１０１ｙと複数のカバー１０２ａ〜１０２ｙとで、複数のステージ１０１ａ〜１０１ｙに載置された複数の被処理体Ｇの各々を取り囲むように、メインチャンバ３１ａよりも容量が小さい処理用小空間１０６を形成する。 （もっと読む）

【課題】 タングステン膜を成膜する際に半導体ウェーハがエッチングされることを抑制する成膜装置及び成膜方法を提供することである。
【解決手段】 実施形態に係る成膜装置は、半導体ウェーハを載置するためのステージと、前記ステージ上に載置される半導体ウェーハの周縁部を覆うように配置されるエッジカット部を備え、前記半導体ウェーハ上にタングステン膜を成膜する。前記エッジカット部は、前記半導体ウェーハの周縁部と接触可能に設けられた第１のエッジカット部と、前記第１のエッジカット部に接続され、前記半導体ウェーハと実質的に垂直な方向に上下動可能な接続部と、前記接続部に接続され、前記接続部の上下動により前記半導体ウェーハの内側面に当接するように配置された第２のエッジカット部と、を備える。 （もっと読む）

【課題】互いに異なる流動ガスを交互に注入して工程温度を変化させる化学気相蒸着方法を使用した発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の化学気相蒸着方法を使用した発光素子の製造方法は、第１工程温度で、サテライトディスクに載置された基板上に量子ウェル層を形成する段階と、第２工程温度で、量子ウェル層上に量子障壁層を形成する段階と、を有し、量子ウェル層と量子障壁層とを形成する段階を少なくとも一回遂行する。 （もっと読む）

【課題】真空チャンバ内の部材を支持する軸線方向に移動可能な棒状の支持部材をその軸線に直交する軸回りの自由度を含む所定数の自由度を持ってチャンバ外壁に傾動自在に連結する真空メカニカルジョイントであって、支持部材用のアクチュエータを真空チャンバの外部に配置し、且つ、真空チャンバの気密性も確保できるものを提供する。
【解決手段】チャンバ外壁１３に固定され、支持部材７が遊挿される孔８１３を有する固定ジョイント部材８１と、固定ジョイント部材８１に、チャンバ外壁１３の外側で所定数の自由度を持って傾動自在に連結される可動ジョイント部材８３とを備える。支持部材用のアクチュエータ８４を可動ジョイント部材８３に搭載する。また、支持部材７が挿通される可撓性及び伸縮性を有する筒状隔壁８５を設け、その一端部を孔８１３に連通する状態で固定ジョイント部材８１に気密に固定し、他端部を支持部材７に気密に固定する。 （もっと読む）

【課題】高周波数動作が可能な半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、成長炉内に配置した基板１０上に、ＧａＮ電子走行層１６を成長する工程と、成長炉に導入する混合ガス中の窒素原料ガスの分圧比を０．１５以上０．３５以下として、ＧａＮ電子走行層１６上に、ＩｎＡｌＮ電子供給層１８を成長する工程と、ＩｎＡｌＮ電子供給層１８上に、ゲート電極２６と、ゲート電極２６を挟むソース電極２８およびドレイン電極３０と、を形成する工程と、を有する半導体装置の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】チャンバ内の部材の材料片を起点とする三角欠陥の面密度が低いＳｉＣエピタキシャルウェハ及びその製造方法、並びにＳｉＣエピタキシャルウェハの製造装置を提供する。
【解決手段】本発明のＳｉＣエピタキシャルウェハは、オフ角を有するＳｉＣ単結晶基板上にＳｉＣエピタキシャル層を有するＳｉＣエピタキシャルウェハであって、前記ＳｉＣエピタキシャル層に存在する、チャンバ内の部材の材料片を起点とする三角欠陥の面密度が０．５個／ｃｍ^２以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】載置台の面内全体の設定温度に対して面内の所望部位だけを局部的に設定温度よりも高くしたり，低くしたりする。
【解決手段】載置台２００内にその面内全体に渡って形成した主流路３２０と，載置台内に主流路の上側に離間して載置台の面内一部に形成した補助流路３３０と，所定の設定温度に調整した温調媒体を主流路に供給し循環させるとともに，その温調媒体を分流させて，さらに前記設定温度より高い温度又は低い温度に調整した上で補助流路に供給し循環させる温調媒体循環機構とを設けた。 （もっと読む）

【課題】 シャワープレートの熱膨張による反りと温度上昇を防止し、シャワープレート上での生成物の成長を抑制して、被処理基板上に品質の安定した化合物半導体結晶を成膜できる気相成長装置を提供する。
【解決手段】 シャワーヘッドを保護するためのシャワープレートであって、シャワープレートは、複数のプレート孔を有する複数の短冊形プレートからなり、短冊形プレートが、シャワーヘッドに対してスライド可能に保持される。 （もっと読む）